KR20130111154A - 유기전자소자용 기판 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 264
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 28
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 2
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K tris[(4-methylquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-] SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- OMWXYAYKNVNUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis[2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1C OMWXYAYKNVNUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCUHGDMEBULMOV-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis[2-(4-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1C=CC1=CC=C(C)C=C1 SCUHGDMEBULMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 1,4-bis[(e)-2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1C QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SWYYRSGBEBXIRE-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis[2-(3-ethylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=CC=2C=CC(C=CC=3C=C(CC)C=CC=3)=CC=2)=C1 SWYYRSGBEBXIRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 1-n,5-n-dinaphthalen-1-yl-1-n,5-n-diphenylnaphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC(=C2C=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical class C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFEYDWMFSVLWFD-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis[2-(4-methylphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound CC1=CC=C(C=CC=2C(=NC=CN=2)C=CC2=CC=C(C=C2)C)C=C1 XFEYDWMFSVLWFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- BFQSAUNFPAHVRZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis[2-(4-methylphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C=CC(N=C1)=CN=C1C=CC1=CC=C(C)C=C1 BFQSAUNFPAHVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUNIOFWUJYBVGQ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(3,4-dimethoxyphenyl)-10-fluoro-4,5,6,7-tetrahydrobenzo[1,2]cyclohepta[6,7-d]pyran-3-carbonitrile Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC=C1C1C(C#N)=C(N)OC2=C1CCCC1=CC=C(F)C=C12 UUNIOFWUJYBVGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMNPZAOJTWFQPS-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyanilino)phenyl]-n-(4-methoxyphenyl)aniline Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1NC1=CC=C(C=2C=CC(NC=3C=CC(OC)=CC=3)=CC=2)C=C1 NMNPZAOJTWFQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(N)C(N)=C3NC2=C1 VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PMCRVJYDXUGICG-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)CS(=O)(=O)OC1=C(C=C(C=C1)N(C)C)C Chemical compound C1(=CC=CC=C1)CS(=O)(=O)OC1=C(C=C(C=C1)N(C)C)C PMCRVJYDXUGICG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDUDJSKIKXMBCH-UHFFFAOYSA-N C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=C(C=2CC3=CC=CC=C3C2C=C1)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 Chemical compound C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=C(C=2CC3=CC=CC=C3C2C=C1)N(C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 HDUDJSKIKXMBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQTBCUMSHOESAC-UHFFFAOYSA-N C1=CC(OC)=CC=C1C=CC1=NC=CN=C1C=CC1=CC=C(OC)C=C1 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C=CC1=NC=CN=C1C=CC1=CC=C(OC)C=C1 QQTBCUMSHOESAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100192157 Mus musculus Psen2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N [In+3].[O-2].[Mg+2] Chemical compound [In+3].[O-2].[Mg+2] GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N dipropyltryptamine Chemical compound C1=CC=C2C(CCN(CCC)CCC)=CNC2=C1 BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N ethanol;zirconium Chemical compound [Zr].CCO.CCO.CCO.CCO UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-pyren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]pyren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C(C2=C43)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC4=CC=CC5=CC=C(C3=C54)C=2)C=C1 UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- USPVIMZDBBWXGM-UHFFFAOYSA-N nickel;oxotungsten Chemical compound [Ni].[W]=O USPVIMZDBBWXGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCCIMQKMMBVWHO-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid;titanium Chemical compound [Ti].CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O MCCIMQKMMBVWHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;zirconium Chemical compound [Zr].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical compound Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISNYUQWBWALXEY-OMIQOYQYSA-N tsg6xhx09r Chemical compound O([C@@H](C)C=1[C@@]23CN(C)CCO[C@]3(C3=CC[C@H]4[C@]5(C)CC[C@@](C4)(O)O[C@@]53[C@H](O)C2)CC=1)C(=O)C=1C(C)=CNC=1C ISNYUQWBWALXEY-OMIQOYQYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
본 출원은 유기전자소자용 기판, 유기전자장치 및 조명에 관한 것이다. 본 출원에서는 광추출 효율 등을 포함한 성능이 우수하고, 외부로부터의 수분이나 가스의 침투가 차단될 수 있어서, 우수한 성능과 신뢰성이 확보되는 유기전자소자를 형성할 수 있는 기판이 제공될 수 있다.
Description
본 출원은, 유기전자소자용 기판 및 유기전자소자에 관한 것이다.
유기전자소자(OED; Organic Electronic Device)는 전극층과 유기물 사이에서의 전하 교류를 통하여 다양한 기능을 발휘하는 소자이고, 예를 들면, 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.
대표적인 유기전자소자인 유기발광소자는, 통상적으로 기판, 제 1 전극층, 발광층을 포함하는 유기층 및 제 2 전극층을 순차로 포함한다.
소위 하부 발광형 소자(bottom emitting device)로 호칭되는 구조에서는, 상기 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 반사형 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소자(top emitting device)로 호칭되는 구조에서는 제 1 전극층이 반사형 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 투명 전극층으로 형성되기도 한다.
두 개의 전극층에 의해서 전자(electron)와 정공(hole)이 각각 주입되고, 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합(recombination)되어 광이 생성된다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판측으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층측으로 방출될 수 있다.
유기발광소자의 구조에서 투명 전극층으로 일반적으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide), 유기층 및 통상적으로 유리 기판인 기판의 굴절률은 각각 대략적으로 2.0, 1.8 및 1.5 정도이다. 이러한 굴절률의 관계에 의해서, 예를 들어, 하부 발광형의 소자에서 유기 발광층에서 생성된 광은 유기층과 제 1 전극층의 계면 또는 기판 내에서 전반사(total internal reflection) 현상 등에 의해 트랩(trap)되고, 매우 소량의 광만이 방출된다.
본 출원은, 유기전자소자용 기판 및 유기전자소자를 제공한다.
본 출원은, 기재층; 및 상기 기재층상에 존재하고, 폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더; 및 0.5 내지 4.0의 범위에서 상기 바인더와는 상이한 굴절률을 가지는 산란 입자를 포함하는 산란층을 가지는 유기전자소자용 기판을 제공할 수 있다.
상기에서 폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더로는, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.5 이상인 바인더를 사용할 수 있다.
상기 폴리아믹산은 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 n은 양의 수이다.
상기 화학식 1의 반복 단위는, 불소 외의 할로겐 원자, 아릴기 또는 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 관능기에 의해 치환되어 있을 수 있다.
상기 폴리아믹산은 하기 화학식 2의 반복 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서 n은 양의 수이다.
상기 폴리아믹산은 GPC로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000일 수 있다.
상기 폴리아믹산은 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상일 수 있다.
상기 산란 입자는 산란층 내에서 단층을 형성하고 있을 수 있다.
상기 산란 입자는 평균 입경이 100 nm 이상일 수 있다.
상기 기판은 산란층의 상부에 평탄층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 평탄층은, 폴리실록산, 폴리이미드 또는 폴리아믹산인 바인더 및 굴절률이 2.5 이상인 입자를 포함할 수 있다.
상기 평탄층은 바인더 100 중량부 대비 300 중량부 이하의 입자를 포함할 수 있다.
상기 기판은 산란층의 상부에 형성된 전극층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 산란층은 전극층과 기재층에 의해 밀봉되어 있을 수 있다.
본 출원은 또한, 상기 기판 및 상기 기판상에 형성되어 있는 유기전자소자를 포함하는 유기전자장치를 제공할 수 있다.
상기에서 유기전자소자는 유기발광소자일 수 있다.
본 출원은 또한 상기 유기전자장치를 포함하는 조명을 제공할 수 있다.
본 출원에서는 광추출 효율 등을 포함한 성능이 우수하고, 외부로부터의 수분이나 가스의 침투가 차단될 수 있어서, 우수한 성능과 신뢰성이 확보되는 유기전자소자를 형성할 수 있는 기판이 제공될 수 있다.
도 1은, 예시적인 기판을 나타내는 모식도이다.
도 2는, 예시적인 산란층의 단면도이다.
도 3 내지 5는 예시적인 기판을 나타내는 모식도이다.
도 2는, 예시적인 산란층의 단면도이다.
도 3 내지 5는 예시적인 기판을 나타내는 모식도이다.
본 출원의 예시적인 유기전자소자용 기판은, 기재층; 및 산란층을 포함한다. 산란층은, 예를 들면, 상기 기재층상에 형성되어 있을 수 있다. 도 1은 기재층(101)과 산란층(102)을 포함하는 예시적인 기판(100)을 나타낸다.
기재층으로는 특별한 제한 없이 적절한 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 기판을 사용하여 하부 발광(bottom emission)형 유기발광소자를 제조하고자 하는 경우에는, 투광성 기재층, 예를 들면, 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상인 기재층을 사용할 수 있다. 투광성 기재층으로는, 유리 기재층 또는 투명 고분자 기재층이 예시될 수 있다. 유리 기재층으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등의 기재층이 예시될 수 있고, 고분자 기재층으로는, PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 필요에 따라서 상기 기재층은, 구동용 TFT가 존재하는 TFT 기판일 수도 있다.
예를 들어, 기판을 사용하여 상부 발광(top emission)형의 소자를 제공하고자 하는 경우에, 기재층은 반드시 투광성의 기재층일 필요는 없으며, 필요에 따라서 기재층의 표면에는 알루미늄 등을 사용한 반사층이 형성되어 있는 반사성 기재층을 사용할 수도 있다.
산란층은, 예를 들면, 바인더 및 산란 입자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 바인더와 산란 입자를 혼합한 조성물을 사용하여 산란층을 형성할 수 있다. 이러한 산란층을 통하여, 예를 들어 기판상에 유기발광소자 등이 형성되는 경우에 광추출 효율이 향상될 수 있다. 도 2는, 예시적인 산란층(102)으로서, 바인더(201)와 산란 입자(202)를 포함하는 층(102)을 나타낸다.
바인더로는 특별한 제한 없이 공지의 소재가 사용될 수 있지만, 산란 입자의 분산성을 향상시켜서 산란 입자의 단층(monolayer)의 형성 효율을 높이는 측면에서 폴리아믹산 또는 폴리아미드를 사용할 수 있고, 예를 들면, 폴리아믹산을 사용할 수 있다.
폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더로는, 예를 들면, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 바인더를 사용할 수 있다. 이러한 고굴절의 폴리아믹산 또는 폴리이미드는, 예를 들면, 불소 이외의 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등이 도입된 단량체를 사용하여 제조할 수 있다.
바인더로는, 예를 들면, 카복실기 등과 같이 입자와 결합할 수 있는 부위가 존재하여 입자의 분산 안정성을 향상시킬 수 있는 폴리아믹산을 사용할 수 있다. 폴리아믹산으로는, 예를 들면, 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 n은 양의 수이다.
상기 반복 단위는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. 치환기로는, 불소 외의 할로겐 원자, 페닐기, 벤질기, 나프틸기 또는 티오페닐기 등과 같은 할로겐 원자, 아릴기, 황 원자 또는 인 원자 등을 포함하는 관능기가 예시될 수 있다.
폴리아믹산은, 상기 화학식 1의 반복 단위만으로 형성되는 단독 중합체이거나, 화학식 1의 반복 단위 외의 다른 단위를 함께 포함하는 공중합체일 수 있다. 공중합체의 경우에 다른 반복 단위의 종류나 비율은 예를 들면, 목적하는 굴절률, 내열성이나 투광율 등을 저해하지 않는 범위에서 적절하게 선택될 수 있다.
상기 화학식 1의 반복 단위의 구체적인 예로는, 하기 화학식 2의 반복 단위를 들 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서 n은 양의 수이다.
상기 폴리아믹산은 예를 들면, GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000 또는 약 10,000 내지 50,000 정도일 수 있다. 화학식 1의 반복 단위를 가지는 폴리아믹산은 또한, 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상, 85% 이상 또는 90% 이상이며, 내열성이 우수하다.
산란층은, 바인더와 함께 산란 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자는, 예를 들면, 산란층 내에서 단층을 형성하고 있을 수 있다.
용어 「산란 입자」는, 예를 들면, 산란층을 형성하는 바인더 또는 후술하는 평탄층과는 상이한 굴절률을 가지고, 또한 적절한 크기를 가져서 입사되는 광을 산란 또는 확산시킬 수 있는 입자를 의미할 수 있다. 이러한 입자로는, 예를 들면, 약 0.5 내지 4.0 정도의 굴절률의 범위 내에서 바인더에 비하여 높거나 또는 낮은 굴절률을 가지는 입자를 사용할 수 있다. 산란 입자로는, 예를 들면, 1.0 내지 2.0 또는 1.2 내지 1.8 정도이나 2.1 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도의 굴절률을 가지고, 평균 입경이 100 nm 이상, 100 nm 내지 20,000 nm, 100 nm 내지 5,000 nm, 100 nm 내지 3,000 nm, 100 nm 내지 1,000 nm 또는 100 nm 내지 500 nm 정도인 입자를 사용할 수 있다. 산란 입자는, 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 산란 입자로는, 예를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 실리카, 알루미나, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자가 예시될 수 있다. 산란 입자는, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2조 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있고, 필요에 따라서는 코어/셀 형태의 입자 또는 중공 입자 형태의 입자로 형성될 수도 있다.
산란층 내에서 상기 산란 입자의 비율은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 목적하는 산란 또는 확산 효율이나 상기 단층의 형성 가능성을 고려하여 적절한 비율로 포함될 수 있다.
산란층은, 예를 들면, 상기 바인더와 산란 입자를 포함하는 습식 코팅(wet coating) 방식이나, 졸겔 방식 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있다
기판은, 평탄층을 추가로 포함할 수 있다. 평탄층(301)은 예를 들면, 도 3과 같이 산란층(102)의 상부에 형성되어 기판(300)에 포함될 수 있다. 용어 「평탄층」은, 유기전자소자가 형성될 수 있는 평탄한 면을 제공할 수 있는 층을 의미할 수 있다. 예를 들면, 평탄층은, 최대 높이 조도(maximum height roughness)가 1 ㎛ 이하 또는 0.5 ㎛인 면을 제공할 수 있다. 상기 최대 높이 조도는, 컷 오프(cut off) 내의 조도 곡선에서 중심선과 평행하면서, 상기 조도 곡선의 최고점을 지나는 직선과 최저점을 지나는 직선의 거리를 의미할 수 있으며, 예를 들면, 평탄면상에서 100 ㎛2의 면적을 가지는 임의의 영역에 대하여 측정한 수치일 수 있다.
평탄층은, 예를 들면, 바인더 및 입자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 높은 굴절률을 가져서 평탄층의 굴절률을 높일 수 있는 입자를 바인더와 혼합한 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 이미 기술한 바와 같이 이러한 평탄층은, 전극층 등을 포함한 유기전자소자가 형성될 수 있는 표면을 제공할 수 있다. 평탄층은, 또한 경우에 따라서 후술하는 산란층과의 상호 작용을 통하여 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다. 평탄층은, 예를 들면, 인접하는 전극층과 동등한 굴절률을 가질 수 있고, 예를 들면, 1.8 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 본 명세서에서 용어 굴절률은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 진공 상태에서 400 nm 내지 450 nm의 파장의 광에 대한 굴절률일 수 있다.
평탄층을 형성하는 바인더로는 특별한 제한 없이 공지의 소재가 사용될 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 유기 바인더, 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 사용할 수 있다. 필요한 경우에 굴절률이 약 1.4 이상 또는 약 1.45 이상인 바인더를 사용할 수 있다. 바인더의 굴절률의 상한은, 함께 배합되는 입자의 굴절률 등을 고려하여 상기 기술한 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 소자의 수명이나 제작 과정에서 수행되는 고온 공정, 포토 공정이나 식각 공정에 대한 저항성이 우수하다는 점 등을 고려하여 내열성과 내화학성이 우수한 무기 또는 유무기 바인더를 사용할 수 있으나, 필요한 경우에 유기 바인더도 사용할 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르 또는 아크릴레이트 계열의 열 또는 광경화성의 단량체성, 올리고머성 또는 고분자성 유기 재료나 산화 규소, 질화 규소(silicon nitride), 옥시질화 규소(silicon oxynitride) 또는 폴리실록산 등의 무기 재료 또는 유무기 복합 재료 등을 사용할 수 있다.
예를 들면, 바인더로는 폴리실록산, 폴리아믹산 또는 폴리이미드를 사용할 수 있다. 폴리실록산은, 예를 들면, 축합성 실란 화합물 또는 실록산 올리고머 등을 중축합시켜서 형성할 수 있으며, 이러한 바인더는 규소와 산소의 결합(Si-O)에 기반한 매트릭스를 형성할 수 있다. 바인더의 형성 과정에서 축합 조건 등을 조절하여 폴리실록산이 실록산 결합(Si-O)만을 기반으로 하는 바인더 매트릭스를 형성하거나, 혹은 알킬기 등과 같은 유기기나 알콕시기 등과 같은 축합성 관능기 등이 일부 잔존하는 매트릭스의 형성도 가능하다.
폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더로는, 예를 들면, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 바인더를 사용할 수 있다. 폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더로는, 예를 들면, 이미 기술한 산란층에서 사용되는 폴리머의 사용도 가능하다.
평탄층은, 바인더와 함께 고굴절 입자, 예를 들면, 굴절률이 2.5 이상, 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 포함할 수 있다. 상기 입자의 굴절률의 상한은, 예를 들면, 함께 배합되는 바인더의 굴절률 등을 고려하여 상기 기술한 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 상기 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 20 nm 내지 80 nm, 30 nm 내지 70 nm, 30 nm 내지 60 nm 또는 30 nm 내지 50 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 이러한 고굴절 입자로는, 예를 들면, 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있지만, 상기 굴절률의 범위를 만족하는 한 상기 외에도 다양한 입자가 사용될 수 있다.
평탄층은, 바인더 100 중량부 대비 300 중량부 이하, 250 중량부 이하 또는 200 중량부 이하의 상기 입자를 포함할 수 있다. 상기 입자의 비율의 하한은, 예를 들면, 40 중량부 이상, 60 중량부 이상, 80 중량부 이상 또는 100 중량부 이상일 수 있다. 본 명세서에서 단위 중량부는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 성분간의 중량의 비율을 의미한다. 바인더와 입자의 비율을 상기와 같이 유지하여, 예를 들어 유기전자소자를 형성하는 경우에 외부 양자 효율을 높이고, 외부로부터의 가스나 수분의 침투를 방지하며, 아웃개싱(outgassing)을 감소시켜서 성능과 신뢰성이 우수한 소자를 제공할 수 있다.
다른 예시에서 평탄층은, 지르코늄, 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트(acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반응하고, 바인더의 골격 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 화합물의 예로는, 테트라-n-부톡시 티탄, 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라-n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 등의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트(stearate) 등의 티탄 아실레이트, 티탄 킬레이트류, 테트라-n-부톡시지르코늄, 테트라-n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에톡시 지르코늄 등의 지르코늄 알콕시드, 지르코늄 트리부톡시스테아레이트 등의 지르코늄 아실레이트, 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다.
평탄층은, 또한 티탄 알콕시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코팅 방식으로 형성할 수도 있다.
평탄층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 필요에 따라서 적정 범위로 조절할 수 있다.
기판은, 전극층을 추가로 포함할 수 있다. 예를 들면, 전극층은 상기 산란층 또는 평탄층의 상부에 형성될 수 있다. 전극층으로는, 예를 들면, 유기발광소자 등의 유기전자소자의 제작에 사용되는 통상의 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극층이 형성될 수 있다.
정공 주입성인 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 필요한 경우에 투명 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.
정공 주입성 전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 형성된 전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다. 정공 주입성 전극층의 막 두께는 광투과율이나 표면 저항 등에 따라 다르지만, 통상적으로 500 nm 또는 10 nm 내지 200 nm의 범위 내에 있을 수 있다.
전자 주입성 투명 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 투명 재료를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층의 형성을 위해 사용되는 소재 중에서 적절한 소재를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있으며, 필요한 경우에 적절히 패터닝될 수 있다. 전자 주입성 전극층은 필요에 따른 적절한 두께로 형성될 수 있다.
산란층 또는 산란층과 그 상부의 평탄층은, 상기 전극층과 기재층에 의해 밀봉되어 있을 수 있다. 도 4는, 산란층(102)이 기재층(101)과 전극층(401)에 의해 밀봉되어 있는 예시적인 기판(400)을 보여주고, 도 5는, 평탄층(301)과 산란층(102)이 전극층(401)과 기재층(101)에 의해 밀봉되어 있는 예시적인 기판(500)을 나타낸다.
산란층 또는 산란층과 평탄층을 밀봉하는 구조로 기재층상에 전극층을 형성하면, 평탄층이나 산란층이 외부 수분이나 산소 등의 침투 경로가 되는 것을 방지하고, 또한 봉지층 또는 전극과 기판의 부착력을 안정적으로 확보할 수 있으며, 소자의 외곽 부분의 표면 경도도 우수하게 유지할 수 있다. 산란층 또는 평탄층과 산란층을 전극과 기판으로 밀봉하기 위해서는, 전극을 형성하는 증착 또는 스퍼터링 공정에서 상기 산란층 등을 덮도록 전극을 형성하면 된다. 이 과정에서 필요한 경우에 산란층 및/또는 평탄층의 소정 부위를 제거하는 공정을 수행할 수도 있다.
본 출원은 또한 유기전자장치에 관한 것이다. 본 출원의 예시적인 유기전자장치는, 상기 유기전자소자용 기판과 상기 기판의 평탄층상에 형성되어 있는 유기전자소자를 포함할 수 있다. 하나의 예시에서 상기 유기전자소자는 유기발광소자(OLED)일 수 있다. 유기발광소자인 경우, 상기 유기전자소자는, 예를 들면, 발광층을 적어도 포함하는 유기층이 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 개재된 구조를 가질 수 있다. 정공 주입 전극층 또는 전자 주입 전극층은, 이미 기술한 기판의 평탄층상의 전극층일 수 있다.
유기발광소자에서 전자 및 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하는 유기층은, 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 발광층이 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는, 발광층들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 발광층에 사용될 수 있는 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3') iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.
발광층은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.
유기층은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
상기에서 전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4'-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.
정공 저지층은, 정공 주입성 전극으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
정공 주입층이나 정공 수송층은, 상기 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 공역 고분자(conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 공역 고분자 등도 사용될 수 있다.
정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다.
예시적으로 유기발광소자는, 기판의 평탄층으로부터 순차적으로 형성된 (1) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (2) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (3) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (4) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (5) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (6) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/전자장벽층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (7) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/부착개선층/전자 주입 전극층의 형태; (8) 정공 주입 전극층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (9) 정공 주입 전극층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (10) 정공 주입 전극층/무기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (11) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (12) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태 또는 (13) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태를 가질 수 있으며, 경우에 따라서는 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 적어도 2개의 발광층이 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층 또는 전하 발생층(CGL: Charge Generating Layer)에 의해 분할되어 있는 구조의 유기층을 포함하는 형태를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광층, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.
본 출원은 또한 상기와 같은 유기전자장치, 예를 들면, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.
100, 300, 400, 500: 유기전자소자용 기판
101: 기재층
102: 산란층
201: 바인더
202: 산란 입자
301: 산란층
401: 전극층
101: 기재층
102: 산란층
201: 바인더
202: 산란 입자
301: 산란층
401: 전극층
Claims (17)
- 기재층; 및 상기 기재층상에 존재하고, 폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더; 및 0.5 내지 4.0의 범위에서 상기 바인더와는 상이한 굴절률을 가지는 산란 입자를 포함하는 산란층을 가지는 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더로는, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 1.5 이상인 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 폴리아믹산은 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 유기전자소자용 기판:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 n은 양의 수이다. - 제 3 항에 있어서, 화학식 1의 반복 단위는, 불소 외의 할로겐 원자, 아릴기 또는 황 원자 또는 인 원자를 포함하는 관능기에 의해 치환되어 있는 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 폴리아믹산은 하기 화학식 2의 반복 단위를 포함하는 유기전자소자용 기판:
[화학식 2]
상기 화학식 2에서 n은 양의 수이다. - 제 1 항에 있어서, 폴리아믹산은 GPC로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000인 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 폴리아믹산은 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상인 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 산란 입자는 산란층 내에서 단층을 형성하고 있는 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 산란 입자는 평균 입경이 100 nm 이상인 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 산란층의 상부에 평탄층을 추가로 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 10 항에 있어서, 평탄층은, 폴리실록산, 폴리이미드 또는 폴리아믹산인 바인더 및 굴절률이 2.5 이상인 입자를 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 11 항에 있어서, 평탄층은 바인더 100 중량부 대비 300 중량부 이하의 입자를 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서, 산란층의 상부에 형성된 전극층을 추가로 포함하는 유기전자소자용 기판.
- 제 13 항에 있어서, 산란층은 전극층과 기재층에 의해 밀봉되어 있는 유기전자소자용 기판.
- 제 1 항의 기판 및 상기 기판상에 형성되어 있는 유기전자소자를 포함하는 유기전자장치.
- 제 15 항에 있어서, 유기전자소자가 유기발광소자인 유기전자장치.
- 제 16 항의 유기전자장치를 포함하는 조명.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201380028641.1A CN104335382B (zh) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | 用于有机电子器件的基板 |
| PCT/KR2013/002703 WO2013147570A1 (ko) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | 유기전자소자용 기판 |
| TW102111850A TWI526508B (zh) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | 用於有機電子裝置之基板 |
| JP2015503130A JP6186652B2 (ja) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | 有機電子素子用基板 |
| KR1020130035482A KR101589341B1 (ko) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | 유기전자소자용 기판 |
| EP13769310.7A EP2822054B1 (en) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | Substrate for organic electronic device |
| US14/498,434 US9590197B2 (en) | 2012-03-30 | 2014-09-26 | Substrate for organic electronic device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20120033511 | 2012-03-30 | ||
| KR1020120033511 | 2012-03-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130111154A true KR20130111154A (ko) | 2013-10-10 |
Family
ID=49632852
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120084213A KR20130111154A (ko) | 2012-03-30 | 2012-07-31 | 유기전자소자용 기판 |
| KR1020130035482A KR101589341B1 (ko) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | 유기전자소자용 기판 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130035482A KR101589341B1 (ko) | 2012-03-30 | 2013-04-01 | 유기전자소자용 기판 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9590197B2 (ko) |
| EP (1) | EP2822054B1 (ko) |
| JP (1) | JP6186652B2 (ko) |
| KR (2) | KR20130111154A (ko) |
| CN (1) | CN104335382B (ko) |
| TW (1) | TWI526508B (ko) |
| WO (1) | WO2013147570A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016032281A1 (ko) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | 주식회사 엘지화학 | 플라스틱 기판 |
| EP3147311B1 (en) | 2014-08-28 | 2020-05-27 | LG Chem, Ltd. | Plastic substrate |
| CN105957974B (zh) * | 2016-06-16 | 2017-11-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种有机发光二极管器件及显示装置 |
| CN111403446B (zh) * | 2020-03-24 | 2023-01-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4720432A (en) | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
| JPS63244687A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置の製法 |
| JPH0288689A (ja) | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Mitsubishi Kasei Corp | 電界発光素子 |
| JPH02289676A (ja) | 1989-01-13 | 1990-11-29 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP2651233B2 (ja) | 1989-01-20 | 1997-09-10 | 出光興産株式会社 | 薄膜有機ｅｌ素子 |
| JPH02196885A (ja) | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2879080B2 (ja) | 1989-03-23 | 1999-04-05 | 株式会社リコー | 電界発光素子 |
| JPH02255789A (ja) | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 有機電場発光素子 |
| JPH03296595A (ja) | 1990-04-13 | 1991-12-27 | Kao Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2997021B2 (ja) | 1990-08-10 | 2000-01-11 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2891784B2 (ja) | 1991-02-06 | 1999-05-17 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2891783B2 (ja) | 1991-02-06 | 1999-05-17 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH05202011A (ja) | 1992-01-27 | 1993-08-10 | Toshiba Corp | オキサジアゾール誘導体 |
| JPH0649079A (ja) | 1992-04-02 | 1994-02-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子 |
| JPH06107648A (ja) | 1992-09-29 | 1994-04-19 | Ricoh Co Ltd | 新規なオキサジアゾール化合物 |
| JP3341090B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-11-05 | 株式会社リコー | オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法 |
| JP3228301B2 (ja) | 1992-09-07 | 2001-11-12 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3163589B2 (ja) | 1992-09-21 | 2001-05-08 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH06206865A (ja) | 1992-10-14 | 1994-07-26 | Chisso Corp | 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子 |
| JP3287421B2 (ja) | 1992-10-19 | 2002-06-04 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH06145146A (ja) | 1992-11-06 | 1994-05-24 | Chisso Corp | オキシネイト誘導体 |
| JP3366401B2 (ja) | 1992-11-20 | 2003-01-14 | 出光興産株式会社 | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH06203963A (ja) | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3211994B2 (ja) | 1993-03-26 | 2001-09-25 | 出光興産株式会社 | ４官能スチリル化合物およびその製造法 |
| JP3214674B2 (ja) | 1993-03-26 | 2001-10-02 | 出光興産株式会社 | 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH06293778A (ja) | 1993-04-05 | 1994-10-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | シラナミン誘導体およびその製造方法 |
| JPH07157473A (ja) | 1993-12-06 | 1995-06-20 | Chisso Corp | トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子 |
| JP3539995B2 (ja) | 1993-12-21 | 2004-07-07 | 株式会社リコー | オキサジアゾール化合物およびその製造法 |
| JP3300827B2 (ja) | 1993-12-21 | 2002-07-08 | 株式会社リコー | オキサジアゾール化合物およびその製造法 |
| JP3496080B2 (ja) | 1993-12-24 | 2004-02-09 | 株式会社リコー | オキサジアゾール誘導体およびその製造方法 |
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| EP0700917B1 (en) | 1994-09-12 | 2002-05-08 | Motorola, Inc. | Light emitting devices comprising organometallic complexes |
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| US7604381B2 (en) * | 2007-04-16 | 2009-10-20 | 3M Innovative Properties Company | Optical article and method of making |
| CN101790899A (zh) * | 2007-08-27 | 2010-07-28 | 松下电工株式会社 | 有机el发光元件 |
| TWI417581B (zh) * | 2008-07-29 | 2013-12-01 | Eternal Chemical Co Ltd | 具有勻光特性之偏光回收膜 |
| JP5390850B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-01-15 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2010182449A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| US20120037405A1 (en) * | 2009-05-26 | 2012-02-16 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Flexible circuit board and method for manufacturing same |
| KR101021947B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2011-03-16 | 주식회사 엘지화학 | 저온 경화성 감광성 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조된 드라이 필름 |
| CN102762644B (zh) | 2010-02-19 | 2014-12-31 | Lg化学株式会社 | 用于防眩光膜的涂层以及包括该涂层的防眩光膜 |
| JP5742838B2 (ja) | 2010-04-08 | 2015-07-01 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| JP5835586B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2015-12-24 | 日産化学工業株式会社 | 樹脂組成物、液晶配向材および位相差材 |
| JP5520752B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-06-11 | 株式会社日立製作所 | 粘着シート，粘着シートを用いた光学部材，有機発光素子および照明装置並びにそれらの製造方法 |
| JP6195836B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2017-09-13 | シーエーエム ホールディング コーポレーション | 光学スタック、及びプロセス |
-
2012
- 2012-07-31 KR KR1020120084213A patent/KR20130111154A/ko unknown
-
2013
- 2013-04-01 KR KR1020130035482A patent/KR101589341B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-01 JP JP2015503130A patent/JP6186652B2/ja active Active
- 2013-04-01 TW TW102111850A patent/TWI526508B/zh active
- 2013-04-01 CN CN201380028641.1A patent/CN104335382B/zh active Active
- 2013-04-01 WO PCT/KR2013/002703 patent/WO2013147570A1/ko active Application Filing
- 2013-04-01 EP EP13769310.7A patent/EP2822054B1/en active Active
-
2014
- 2014-09-26 US US14/498,434 patent/US9590197B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI526508B (zh) | 2016-03-21 |
| JP2015518239A (ja) | 2015-06-25 |
| TW201406881A (zh) | 2014-02-16 |
| CN104335382A (zh) | 2015-02-04 |
| US9590197B2 (en) | 2017-03-07 |
| CN104335382B (zh) | 2017-09-12 |
| US20150008425A1 (en) | 2015-01-08 |
| KR20130111482A (ko) | 2013-10-10 |
| JP6186652B2 (ja) | 2017-08-30 |
| KR101589341B1 (ko) | 2016-01-29 |
| EP2822054B1 (en) | 2018-03-21 |
| WO2013147570A1 (ko) | 2013-10-03 |
| EP2822054A1 (en) | 2015-01-07 |
| EP2822054A4 (en) | 2015-10-21 |
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