TWI597877B - 有機電子元件、其製造方法及其應用 - Google Patents

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Description

有機電子元件、其製造方法及其應用
本發明係關於用以製造有機電子元件(OED)之方法，以所述方法製造之有機電子元件，以及所述有機電子元件之使用。
有機電子元件之種類包括有機發光元件(OLED)、有機光伏電池、有機光導體(OPC)及有機電晶體。
有鑑於OED包括易受如水分等外部因素影響之有機層，如專利文件1至4等前案紛紛揭露幫助預防外部物質滲透之結構。
不同於使用具有優良屏障性質玻璃為基板之結構，採用聚合物薄膜為基板之撓性結構尤須注重預防此等外部物質之滲透。
據此，在撓性結構中，可能需要在製造有機電子元件時於該元件之表面形成屏障層。
然而，即便整個表面都受屏障層所覆蓋，仍必須露出墊片區域以便於外部電路相連。雖可利用遮罩在該屏障層上形成暴露區域，但此舉勢必增加上序步驟，並且難以形成均勻之屏障層。尤其，當使用原子層沉積(ALD)法製成具有優異屏障性質之屏障層時，考量製程特性，更加難以運用所述遮罩程序。替代方法是先將壓敏黏膠片黏貼於墊片區域，然後形成屏障層，並在形成該屏障層之後再去除壓敏黏膠片(例如，參照參考文獻6)。
然而，在上述製程中，該壓敏黏膠片極可能對墊片區域造成污染，並從而損及製成有機電子元件之效能。
本發明提供OED之製造方法，以此方法製成之OED以及該OED 之使用。依據本發明，係在製造OED之過程中以一簡易程序有效達成墊片區域之暴露，藉此預防污染物滲透，本發明亦關於以所述方法製成之OED及其使用。
於一態樣中，本發明提供一種OED之製造方法，包括在一具有元件區域及一墊片區域之基板上形成一無機材料層(如屏障層)之過程中，於該墊片區域內形成一聚合物層，藉此形成遮蔽；以及在形成該無機材料層之後，經由去除該聚合物層而暴露該墊片區域。
據此，本發明之方法可包括：至少於一基板之一墊片區域中形成一第一聚合物薄膜，其中該基板上設有一元件區域，該元件區域包括依序堆疊之一第一電極層、一有機層以及一第二電極層，且該墊片區域係電性連接至該第一及第二電極層之至少一者；於該基板上形成一無機材料層；以及去除該第一聚合物薄膜以暴露該墊片區域。
在此，該具有元件區域及墊片區域之基板於類型上並無特別限制，任何已知類型均可運用。
圖1顯示一例示基板101，其包括一元件區域201以及一墊片區域301，且該元件區域201包括一第一電極層2011、一有機層2012以及一第二電極層2013。可於該基板上依據本技藝習知方法形成一絕緣層，用以定義一作用區域(例如，一發射區域)。
在此所用之術語「向上」，除非另有具體定義，否則係指從該第一電極層至該第二電極層之方向，在此所用之術語「向下」，除非另有具體定義，否則係指從該第二電極層至該第一電極層之方向。
於以下說明書中，為便於描述，在上述結構中，包括該第一電極層下所有因子之區域為基板區域，且包括該第一電極層、該第二電極層及其間所有因子之區域為元件區域。
該基板區域中所包含之基板101可用已知材料製作，在此不加限制。例如，當以一撓性元件製作OED時，可使用本技藝中習知用以製作撓性元件之材料形成一基板。在習知用以製作撓性元件之基板代表實例中，係使用 玻璃薄膜或聚合物薄膜。所述玻璃薄膜可為鈉鈣玻璃、含鋇/鍶玻璃、鉛玻璃、鋁矽玻璃、硼矽玻璃、鋇硼矽玻璃或石英可為可形成之薄膜，所述聚合物薄膜可為包含聚亞醯胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、壓克力樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸樹脂(PES)或聚碸(PS)之薄膜，但本發明不限於此。
當該OED係一從有機層產生光線至基板區域而用以發光之OLED時，可使用透光薄膜製成該基板。術語「透光薄膜」可為，例如，透射比相對於任一可見區域之光線或整個可見區域之光線為50、60、70或80%或以上之薄膜。然而，當光線係設計為朝一方向發射，而非發射至該基板區域時，基底薄膜不必須為透光薄膜。當有需要時，可用反射材料(如鋁)在該薄膜表面形成一反射層。當有需要時，該基底薄膜可為具有驅動TFT之薄膜電晶體(TFT)基底薄膜。
當以聚合物薄膜製成基板時，該薄膜之熱膨脹係數(CTE)為5至70ppm/℃。由於構成該OED之每一層可用各具不同特性(如膨脹或收縮行為)之材料製成，缺點是如溫度或濕度外部因子會影響該元件或該元件可能發生彎折。據此，為降低或預防此一缺點，可對該基底薄膜之CTE加以控制。在此，該CTE之另一下限可為約10ppm/℃，且另一上限可為，例如，約65、60、55或50ppm/℃。
當以聚合物薄膜為基板時，該薄膜之玻璃轉化溫度可為200℃或以上。可於基底薄膜運用高溫沉積或圖形製法，且在此情況下，該基底薄膜之玻璃轉化溫度可考量最終元件之效能而控制在上述範圍內。於另一實例中，該玻璃轉化溫度可為約210、220、230、240或250℃或以上。該玻璃轉化溫度之上限可為但不特別限於，例如，約400、350或300℃。
該基板之方均根(RMS)可控制在0.1至5nm。該OED之結構包括位於該基板上之屏障層，以確保耐久性。當該屏障層係直接形成於該基板上時，由於其係於上述RMS範圍內形成於基板表面，因而可提升該屏障層之效能。 於另一實例中，該RMS可為4、3、2.5或2nm或以下。
當該OED係一從有機層產生光線至基板區域而用以發光之OLED時，該基板之折射指數可為約1.5、1.6、1.7或1.75或以上。在此所用術語「折射指數」，除非另有具體定義，否則係指相對於約550nm波長光線所量測而得之折射指數。該基板之折射指數控制在上述範圍內，例如，可運用方法降低光在該有機層傳播過程中之總反射可能性，藉此維持高光提取效率。該基板折射指數之上限可為但不特別限於，例如，約2.0。
當有需要時，可使該基板具有霧度。在此情況下，該基板之霧度可為3至90%。霧度之另一下限可為，例如，約5至10%。此外，霧度之另一上限，例如，約85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35或30%。對基板提供霧度之方法並不特別限制，可使用習知用以產生霧度之方法。例如，於聚合物薄膜基板上，所用方法可為添加折射指數與週邊聚合物基質不同且舉有合適平均粒徑之散射顆粒，或是聚合單體以使聚合物本身呈現霧度，例如，形成與聚合物主鏈折射指數不同之單體，並用此聚合物形成一薄膜。
在此不特別限制該基板之厚度，可考量所需效能，選自適合範圍，例如，可撓性、光提取效率或屏障性質。例如，該基板之厚度可為約10至50或20至30μm。
所述基板區域可包括一屏障層。由於材料(如玻璃基板)特性，不像具有優異屏障性質之硬質基板元件，聚合物薄膜所施用之撓性元件屏障性質較差，因此可能需要在基板區域設置足以阻擋外部因子(如水)滲入該基底薄膜之屏障層。術語「屏障性質」係指預防、抑制或減少外部因子(如水或水氣)滲透之效能，以保護該元件(如有機層)不因此等外部因子而產生不良影響。
例如，該屏障層可之水氣傳輸率(WVTR)可為10-4g/m 2/day或以下。於本說明書中，WVTR可為以測量裝置(例如PERMATRAN-W3/31，MOCON,Inc.)於40℃及相對濕度90%時所測得之值。
所述屏障層之製作可使用任一知可降低、預防或抑制外部因子 (如水及氧)滲透之材料。該材料可為金屬，如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti，或Ni；金屬氧化物，如TiO、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3或CeO2；金屬氮化物，如SiN；金屬氧氮化物，如SiON；金屬氟化物，如MgF2、LiF、AlF3或CaF2；聚烯烴，如聚乙烯或聚丙烯；聚丙烯酸甲酯，如聚甲基丙烯酸甲酯；聚亞醯胺；聚脲；氟類聚合物如聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯或氯三氟乙烯與二氯二氟乙烯之共聚物；有機矽，以如三乙烯基三甲基環三矽氧烷(V3D3)、六甲基二矽氧烷(HVDSO)或1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-季戊四醇甲基三矽氧烷(TVTSO)製成者；氟類聚合物，主鏈具有環狀結構者；至少兩種形成上述聚合物之單體之共聚物；或一吸收性材料，其吸收度為1%或以上者，或防水材料，其係收係屬為0.1%或以下者。
所述屏障層可形成為單層或多層結構。若為多層結構，該屏障層可包括以相同種類或不同種類無機材料層或有機材料堆疊而成之結構，或以一無機材料層及一有機材料層堆疊而成之結構。該多層結構不必須全部以具有屏障性質之材料製作，只要最終形成之多層結構具有所需屏障性質即可，該多層結構中之部分層體可不具有屏障性質。如在此所述，「無機材料層或有機材料層」可不為僅以一無機或有機材料構成之層體，而可為包括一無機或有機材料為主要成分之層體，例如，其含量為60wt%或以上，或超過60wt%。該屏障層可為多層結構以預防連結(如形成於該屏障層中之梢孔)之擴散，並形成具有更優異屏障性質之層體。此外，該多層結構屏障層可有助於形成具有折射指數之屏障層，此點將於後說明。
若可行，該屏障層可與下方基板略有折射指數之差異。例如，該屏障層與該基板間之折射指數絕對差異值可為約1、0.7、0.5，或0.3或以下。據此，當該基板具有上述之高折射指數時，該屏障層亦可具有一相同之折射指數。例如，該屏障層之折射指數可為約1.5、1.6、1.7或1.75或以上。該屏障層之折射指數控制在上述範圍內，例如，可運用方法降低光在該有機層傳播過程 中之總反射可能性，藉此維持高光提取效率。該屏障層折射指數之上限可為但不特別限於，例如，約2.0。
例如，該屏障層可具有一堆疊結構，其中包括具有一第一折射指數之第一子層，及具有一第二折射指數之第二子層，且第一折射指數與第二折射指數不同。當有需要時，該堆疊結構可重複兩次或更多。例如，為確保如上所述之高折射指數，該第一子層可為折射指數在1.4至1.9之層體，且該第二子層可為折射指數在2.0至2.6之層體。具有上述折射指數之屏障層可由至少一第一子層及至少一第二子層所構成。上述結構之一實例可為一Al2O3層與一TiO2層之堆疊結構，但本發明不受此限。
該屏障層之厚度不特別限制，可依據預設用途選擇適當者。例如，該屏障層之厚度可為5至60或10至55nm。當該屏障層為多層結構時，其各子層之厚度可為，例如，約0.5至10或0.5至5nm。
為達成優異之屏障性質及高折射指數(依所需)，可對形成該屏障層之條件加以控制。做為確保高屏障性質之方法，可在一平坦化表面上形成該屏障層，例如，所述平坦化表面之RMS可為5、4.5、4.0、3.5、3.0、2.5、2.0、1.5、1.0，或0.5nm或以下。由於該屏障層係形成於此等平坦化表面，固可取得優異之薄膜品質，藉此形成具有優異屏障性質之層體。該屏障層所形成表面之RMS可使用具有優異平坦度之材料，或使用如下所述之緩衝層加以控制。另一種方法確保高屏障性質之方法為，在形成該屏障層之過程中控制溫度。亦即，如習知，該屏障層可經物理或化學沉積法形成，且在此程序中，當沉積溫度控制在高溫時，例如，200℃或以上，雖未對於屏障層所據以形成之表面之平坦度施以上述之控制，亦可確保優異之屏障性質。
又一種確保高屏障性質之方法為，控制屏障層之形成或控制屏障層形成於其表面上之緩衝層之形成。亦即，如習知，該屏障層或緩衝層可經物理氣相沉積(PVD)法形成，如濺射、脈衝雷射沉積(PLD)、電子束蒸鍍、熱蒸鍍或雷射分子束磊晶(L-MBE)；或經化學氣相沉積(CVD)法形成，如金屬有機化 學氣相沉積(MOCVD)、氫化物液相磊晶(HVPE)、啟動化學氣相沉積(iCVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)或分子層沉積(MLD)。依據所用材料選擇適合之形成方法可使該屏障層或緩衝層呈現最佳效能。為使用本發明之上述材料形成層體，可採用CVD，特別是ALD或iCVD。為確保更佳表現，可使用ALD以形成一無機材料層，且可使用iCVD可為以形成一有機材料層。術語「ALD層」，如在此所用者，意指ALD所形成之層體，且術語「iCVD層」，如在此所用者，意指iCVD所形成之層體。
所述基板區域可包括一附加層。該層附加存在於該基板區域中，可為一散射層、一緩衝層、一載體基板、一屏障薄膜，或一黏膠層。
為確保層間黏著性質或形成一屏障層而需要一平坦化表面時，可形成所述緩衝層。於下述之散射層形成時，該緩衝層形成於該基板散射層上，或形成於該屏障層與該第一電極層之間，但本發明不限於此。如下所述，依所需，該緩衝層亦可形成於一上方區域中，且於本說明書中，為便於區別，形成於基板區域之緩衝層稱為第一緩衝層，形成於上方區域之緩衝層稱為第二緩衝層。
若光線從該有機層產生，且產生之光線射向該基板區域，則該緩衝層可形成為高折射層。如在此所述，「高折射層」一語，可為具有一折射指數1.6、1.65、1.7，或1.75或以上之層體。該高折射層折射指數之上限可為但不特別限於，約2.5或2.0。
用以形成該緩衝層之材料並不特別限制，只要可有效形成緩衝層且可適當確保層內黏著性或平坦度。該緩衝層之材質可，例如，金屬，如Al；無機材料，如SiOx、SiOxNv、SiNx、AlOx、ZnSnOx、ITO、ZnO、IZO、ZnS、MgO或SnOx；聚亞醯胺；具有螢光環之Caldo樹脂；胺基鉀酸酯；環氧化物；聚酯；聚醯胺酸；聚亞醯胺；聚乙烯亞胺；聚乙烯醇；聚醯胺；聚硫醇；聚(丙烯酸甲酯)；或有機材料，如三乙烯基三甲基環三矽氧烷(V3D3)、六甲基二矽氧烷(HVDSO)或1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷(TVTSO)形成之有機 矽。於另一實例中，該緩衝層之材料可經摻混金屬(如鋯、鈦或鈰)醇化物或醯化物與具有一極性基(羧基或羥基)之結合劑製備而成。所述醇化物或醯化物之化合物可與該結合劑之極性基凝結，且將金屬包含於該結合劑之骨幹中，藉此產生高折射指數。該醇化物或醯化物化合物之實例包括鈦醇化物，如四正丁氧基鈦、四異丙氧基鈦、四正丙氧基鈦或四乙氧基鈦；鈦醯化物，如硬脂酸鈦；鈦螯化物；鋯醇化物，如四正丁氧基鋯、四正丙氧基鋯、四異丙氧基鋯或四乙氧基鋯；鋯醯化物，如鋯三丁氧基硬酯酸；或鋯螯化物。
可從上述材料中選擇適合者形成所述緩衝層。當緩衝層需要具有高折射指數時，可從上述材料中選擇具有一高折射指數者，或經由將所選適合材料與高折射顆粒摻混或將高折射材料(如鈦前驅物)加入上述材料製備成高折射指數材料。在此所用術語「高折射顆粒」，可為，例如，折射指數為1.5、2.0、2.5、2.6或2.7或以上之顆粒。該高折射顆粒折射指數上限可為，例如，選自滿足所需折射指數範圍者。該高折射顆粒之平均粒徑可為，例如，約1至100、10至90、10至80、10至70、10至60、10至50，或10至45nm。該高折射顆粒可為鋁、矽酸鋁、氧化鈦或氧化鋯。例如，折射指數2.5或以上之金紅石型氧化鈦顆粒即可用為所述高折射顆粒。該金紅石型氧化鈦之折射指數可高於一般顆粒，因此即使所用比例較低，亦可在控制下產生所需折射指數。
形成緩衝層之方法可為但不特別限於，例如，PVD及CVD中適合者。於另一實例中，該緩衝層之製作方式可為先摻混金屬醇化物(如鈦醇化物或鋯醇化物)與溶劑(如酒精或水)以製成一塗層溶液，塗佈該塗層溶液，並執行各種乾或濕塗佈方法，包括溶膠凝膠塗佈法，使該塗層溶液於塗佈後在適合之溫度產生塑化。
該緩衝層之厚度不特別限制，且可經考量該緩衝層之形成位置及所需功能後為適當之選擇。例如，當該緩衝層為確保一平坦化表面而形成於所述散射層上時，可具有較形成於基板上時更大之厚度。
所述基板區域可進一步包括一散射層，以確保基板區域具有適 合之霧度。如在此所述，術語「散射層」，可為各種可分散、折射或衍射入射光之層體。具有上述功能之散射層形狀不特別限制，且該散射層可使用已知材料及方法加以實現。
該基板區域中並可包含一屏障薄膜層。相較於所用材料具有優異屏障性質之基板(如玻璃基板)所形成之硬質結構，在撓性結構中所用之基板屏障性質較低，因此為補償屏障性質，可設置一附加屏障薄膜，例如，在基板下方。只要能夠確保適合屏障性質且依所需具有適合光透射比之薄膜皆可用為所述屏障薄膜，並無特別限制。
所述屏障薄膜可黏接至該基板，例如，透過一黏膠層。該術語「黏膠層」，如在此所用者，可包括習稱為黏膠之材料，及一層稱為壓敏黏膠之材料。形成該黏膠層之材料可為但不特別限於，例如，已知壓敏黏膠材料如丙烯酸聚合物、矽聚合物、橡膠類聚合物、乙烯醋酸乙烯(EVA)聚合物或烯烴聚合物，如聚異丁烯(PIB)。
當有需要時，可於該黏膠層中摻入適合之防水材料。以下，於本說明書中，將摻入防水材料之黏膠層稱為具有屏障性質之黏膠層。如在此所用者，「防水材料」一語意指能夠經由物理或化學反應而吸收或去除從外部環境滲入之水或水氣之組件。可摻混入黏膠層之特定種類防水材料可為但不特別限於，例如，金屬氧化物、有機金屬氧化物、金屬鹽及五氧化磷(P2O5)中一或至少兩者之混合物。在此，所述金屬氧化物之特定實例可為但不限於，氧化鋰(Li2O)、氧化鈉(Na2O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)，或氧化鎂(MgO)，且該金屬鹽可為但不限於，硫酸鹽，如硫酸鋰(Li2SO4)、硫酸鈉(Na2SO4)、硫酸鈣(CaSO4)、硫酸鎂(MgSO4)、硫酸鈷(CoSO4)、硫酸鎵(Ga2(SO4)3)、硫酸鈦(Ti(SO4)2)，或硫酸鎳(NiSO4)；金屬鹵化物如氯化鈣(CaCl2)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化釔(YCl3)、氯化銅(CuCl2)、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF5)、氟化鈮(NbF5)、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr2)、溴化銫(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化釩(VBr3)、溴化鎂(MgBr2)、碘化鋇(BaI2)，或碘化鎂(MgI2)；或金屬氯酸鹽， 如高氯酸鋇(Ba(ClO4)2)或高氯酸鎂(Mg(ClO4)2)。
當有需要時，可於該黏膠層中摻入適合之散射顆粒，使該黏膠層展現適合之霧度。該黏膠層之霧度可提升光提取效率。可摻混於該黏膠層之散射顆粒種類不特別限制，且可經考量形成該黏膠層之樹脂之折射指數後，選擇適合種類之散射顆粒包含於該散射層中。
該基板區域另可包含一暫時或永久黏附於該基底薄膜下方之載體基板。如習知，如玻璃基板等硬質基板可用為該載體基板。
所述包括上述元件之基板區域可形成為多種結構。例如，該基板區域可具有屏障層及基板依序向下形成之結構；屏障層、緩衝層及基板依序向下形成之結構；屏障層、散射層及基板依序向下形成之結構；或屏障層、緩衝層、散射層及基板依序向下形成之結構。此外，該基板區域可包括在基板下方設有載體基板之結構，或在基板下方依序設有黏膠層(可包括防水材料及/或散射顆粒)及屏障薄膜之結構。
該基板區域上之元件區域可包括一第一電極層及一第二電極層，且亦包括一位於該第一與第二電極層間之有機層。在此，第一及第二電極層可各自為OED中習用之電洞注入或電子注入電極層。如習知，所述第一及第二電極層中任一者可為電洞注入電極層，另一者可為電子注入電極層。此外，如習知，所述第一及第二電極層中任一者可為透明電極層，另一者可為反射電極層。
所述電洞注入電極層之製作可使用具有較高功函數之材料製作，或依所需，形成為透明或反射材料。例如，該電洞注入電極層可包括一金屬、一合金，或一功函數在約4.0eV或以上之導電化合物，或其中至少兩者之混合物。此種材料可為：金屬，如金、CuI、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、鋁摻雜或銦摻雜氧化鋅，鎂銦氧化物、鎳鎢氧化物；氧化物材料，如ZnO、SnO2或In2O3；金屬氮化物，如氮化鎵物；金屬硒化物，如硒化鋅；或金屬硫化物如硫化鋅。所述透明電洞注入電極層亦可形成為金屬薄膜(如 Au、Ag或Cu)與高折射透明材料(如ZnS、TiO2或ITO)之堆疊結構。
所述電洞注入電極層可選擇以如沉積、濺射、化學沉積或電化學等方式形成。此外，依所需，形成之電極層可經已知光刻法或使用遮罩於其上製成圖案。
所述電子注入電極層之材質可為，例如，具有一較低功函數之材料，且可從用以製作電洞注入電極層之材料中選擇適合之透明或反射材料，但本發明不限於此。該電子注入電極層亦可經由，例如，沉積或濺射形成，或可為依所需於其上適當製成圖案。
所述電極層之厚度可為，例如，約90至200、90至180，或90至150nm。
於該第一與第二電極層之間設一有機層。該有機層可包括至少兩個發射單元。在此一結構中，從該發射單元產生之光線可經由一反射電極層之反射，而射向一透明電極層。
所述有機層可包括一具有第一發射中心波長之第一發射單元以及一具有第二發射中心波長之第二發射單元，且若有需要，也可包括另一發射單元。此外，當所述有機層之結構包括上述複數發射單元時，該等發射單元之間可增設一中間電極層或一電荷產生層(CGL)以利發射。據此，該等發射單元可由所述中間電極層或具有電荷產生特性之電荷產生層分開。
構成所述發射單元之材料並不特別限制。具有各種發射中心波長之螢光性或磷光性有機材料為本技藝中所已知，可從其中選擇適合種類以形成該發射單元。該發射單元之材料可為但不限於，一Alq類材料，如三(4-甲基-8-喹啉)鋁(III)(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3；環戊二烯衍生物，如C-545T(C 26H 26 N 2 O 2 S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺旋FPA、PhTDAOXD(Ph 3 Si)或1,2,3,4,5-五苯基-1,3-環戊二烯(PPCP)；4,4’-雙(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-二苯基(DPVBi)、二苯乙烯基苯或一其衍生物；4-(二腈亞甲基)-2-四-丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4氫-吡喃(DCJTB)、DDP、AAAP或NPAMLI；或磷光 性材料，如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon 2 Ir(acac)、(C 6)2 Ir(acac)、bt 2 Ir(acac)、dp 2 Ir(acac)、bzq 2 Ir(acac)、bo 2 Ir(acac)、F 2 Ir(bpy)、F 2 Ir(acac)、op 2 Ir(acac)、ppy 2 Ir(acac)、tpy 2 Ir(acac)、fac-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]銥(III)(FIrppy)或雙(2-(2’-苯並[4,5-a]噻吩基)吡唳-N,C3’)銥(乙醯丙酮)(Btp 2 Ir(acac))。該發射單元可包括上述材料為一主體，以及一主體-摻雜物系統，包括苝、二苯乙烯基二苯基、DPT、喹吖啶、紅熒烯、BTX、ABTX或DCJTB為一摻雜物。
所述發射單元亦可為適於展現電子接收有機化合物或電子供給有機化合物之發射特性者，此點將於下文詳述。
所述有機層可形成為各種結構，進一步包括本技藝中已知之各種功能層，只要發射單元包含於其中即可。能夠包含於該有機層中之層體可為一電子注入層、一電洞阻擋層、一電子傳輸層、一電洞傳輸層或一電洞注入層。
所述電子注入層或電子傳輸層可，例如，以一電子接收有機化合物所形成。在此，該電子接收有機化合物可為已知可用化合物，並無特別限制。此種有機化合物可為：多環化合物，如對-三苯基或四聯苯基，或其衍生物；多環烴化合物，如萘、並四苯、芘、蒄、、蒽、二苯基蒽、四并苯或菲，或其衍生物；或雜環族化合物，如菲繞啉、紅菲繞啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉，或吩嗪或其衍生物。此外，熒光素、苝、酞菁苝、萘酞菁苝、茈酮、酞菁茈酮、萘酞菁茈酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、噁二唑、醛連氮、雙苯並噁唑、雙苯乙烯基、吡嗪、環戊二烯、喔星、胺喹啉、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二胺咔唑、吡喃、硫吡喃、聚甲炔、份菁、喹吖啶、紅熒烯或其衍生物；如日本專利申請公開案1988-295695號、日本專利申請公開案1996-22557號、日本專利申請公開案1996-81472號、日本專利申請公開案1993-009470號或日本專利申請公開案1993-017764號等專利公開案所述金屬螯合錯合物，例如，具有金屬螯合喔星化合物中至少一者之金屬錯合物，如8-羥基喹啉，包括三(8-羥基喹啉)鋁、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙[苯並(f)-8-羥基喹啉]鋅、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(8-羥基喹啉)銦、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三 (5-氯-8-羥基喹啉)鎵、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣，及其衍生物為一協調劑；如日本專利申請公開案1993-202011號、日本專利申請公開案1995-179394號、日本專利申請公開案1995-278124號或日本專利申請公開案1995-228579等專利公開案所述之噁二唑化合物；如日本專利申請公開案1995-157473號所述之三嗪化合物；如日本專利申請公開案1994-203963號所述之二苯乙烯衍生物；二苯乙烯基亞芳基衍生物；如日本專利申請公開案1994-132080號或日本專利申請公開案1994-88072號所述之苯乙烯基衍生物；如日本專利申請公開案1994-100857號或日本專利申請公開案1994-207170號所述之二烯烴衍生物；螢光劑，如苯並噁唑化合物、苯并噻唑化合物或苯并咪唑化合物；二苯乙烯基苯化合物，如1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)苯甲基、1,4-雙(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物如2,5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-雙(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(4-二苯基)乙烯基]吡嗪或2,5-雙[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二亞甲基化合物如1,4-亞苯基二亞甲基、4,4’-亞苯基二亞甲基、2,5-二甲苯二亞甲基、2,6-亞萘基二亞甲基、1,4-二亞苯基二亞甲基、1,4-對-四亞苯基二亞甲基、9,10-蒽二基二亞甲基或4,4’-(2,2-二-叔丁基苯基乙烯基)二苯基或4,4’-(2,2-二苯基乙烯基)二苯基或其衍生物；如日本專利申請公開案1994-49079號或日本專利申請公開案1994-293778號所述之矽烷胺衍生物；如日本專利申請公開案1994-279322號或日本專利申請公開案1994-279323號所述之多官能苯乙烯基化合物；如日本專利申請公開案1994-107648號或日本專利申請公開案1994-092947號所述之噁二唑衍生物；如日本專利申請公開案1994-206865號所述之蒽化合物；如日本專利申請公開案1994-145146號所述之8-羥基喹啉衍生物；如日本專利申請公開案1992-96990號所述之四苯基丁二烯化合物；如日本專利申請公開案1991-296595號所述之有機三官能化合物；如日本專利申請公開案1990-191694號所述之香豆素衍生物； 如日本專利申請公開案1990-196885號所述之苝衍生物；如日本專利申請公開案1990-255789號所述之萘衍生物；如日本專利申請公開案1990-289676號或日本專利申請公開案1990-88689號所述之酞紫環酮衍生物；或如日本專利申請公開案1990-250292號所述之苯乙烯基胺衍生物，可用為低折射層中之電子接收有機化合物。此外，在此，該電子注入層可使用，例如，如LiF或CsF等材料製成。
所述電洞阻擋層能夠預防注入之電洞經由該發射單元接近電子注入電極層，從而延長製成元件之壽命並提升其效率，且可依所需以已知材料形成於發射單元與電子注入電極層間之適合部分。
所述電洞注入層或電洞傳輸層可包括，例如，一電子供給有機化合物。所述供電子有機化合物可為N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺苯基、N,N’-二苯基-N,N’-di(3-甲基苯基)-4,4’-二胺聯苯基、2,2-雙(4-二-對-芳香胺基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-對-甲苯基-4,4’-二胺聯苯基、雙(4-二-對-芳香胺基苯基)苯基甲烷、N,N’-二苯基-N,N’-di(4-甲氧基苯基)-4,4’-二胺聯苯基、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺二苯基醚、4,4’-雙(二苯基胺)四苯基、4-N,N-二苯基胺-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基胺苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-雙(4-二-對-三胺苯基)環己烷、1,1-雙(4-二-對-三胺苯基)-4-苯基環己烷、雙(4-二甲基胺-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(對-甲苯基)胺、4-(二-對-芳香胺基)-4’-[4-(二-對-芳香胺基)苯乙烯基]二苯乙烯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二胺聯苯基N-苯基咔唑、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-胺]二苯基、4,4”-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺]對-三苯基、4,4’-雙[N-(2-萘基)-N-苯基胺]二苯基、4,4’-雙[N-(3-苊基)-N-苯基胺]二苯基、1,5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺]萘、4,4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基胺]二苯基苯基胺]二苯基、4,4”-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基胺]-對-三苯基、4,4’-雙[N-(2-苯蒽基)-N-苯基胺]二苯基、4,4’-雙[N-(8-丙[二]烯合茀基)-N-苯基胺]二苯基、4,4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基胺]二苯基、4,4’-雙[N-(2-苝基)-N-苯基胺]二苯基、4,4’-雙[N-(1-羰基)-N-苯基胺]二苯基、2,6-雙(二-對-芳香胺基)萘、2,6-雙[二-(1-萘基)胺]萘、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺]萘、4,4”-雙[N,N-二(2-萘基)胺]三苯基、4,4’-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基] 胺}二苯基、4,4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)胺]二苯基、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)胺]芴或4,4”-雙(N,N-二-對-芳香胺基)三苯基或芳基胺化合物如雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本發明不限於此。
所述電洞注入層或電洞傳輸層之形成方法可為將一有機化合物分散於一聚合物中，或使用取自所述有機化合物之聚合物。此外，亦可使用π-共軛聚合物，如聚對亞苯基乙烯或其衍生物；電洞傳輸非共軛聚合物，如聚乙烯基咔唑；或聚矽烷之σ-共軛聚合物。
所述電洞注入層之材質可為導電聚合物，如金屬酞菁，如銅酞菁；或非金屬酞菁；碳薄膜；及聚苯胺，或可藉由與路易斯酸反應並以芳基胺化合物為氧化劑而形成。
所述有機層之具體結構在此不特別限制。用以形成電洞或電子注入電極層及有機層(例如放射層、電子注入或傳輸層或一電洞注入或傳輸層)之各種材料及方法為本技藝中已知，可使用任一方法製造所述OED。
在本發明之製造方法中，包括如上述在具有該元件區域及該墊片區域之基板上形成一第一聚合物薄膜之程序。在此，該聚合物薄膜可形成在整個基板表面而涵蓋該元件區域及該墊片區域，或僅形成於該墊片區域上，唯後者較具程序效率。為僅在該墊片區域形成第一聚合物薄膜，可在形成聚合物薄膜之程序中使用適合之遮罩步驟，如下詳述。
所述第一聚合物薄膜可為用與墊片區域黏著度較低或不具黏合度之材料製成。
如習知，考量到墊片區域係延伸所述第一或第二電極層而成，其材料可為具疏水性之聚合物材料。
本技藝中可輕易慮及因具有疏水性，而對墊片區域展現低黏著強度或不具黏著強度之聚合物材料，且此等材料可為一其中烴基為鹵素所取代(鹵化烴基)，或具如烴基等疏水功能基之聚合物材料。
如在此所述，術語「烴基」，除非另有具體定義，否則可為一 取自碳與氫所組成化合物或其衍生物之單價殘基。例如，該烴基可包括1至25個碳原子。該烴基可為烷基、烯基、炔基或芳基。其功能基中以至少一鹵原子在適合比例下取代烴基(鹵化烴基)之聚合物可展現疏水性，且對習知用於製造墊片區域之材料展現低黏性。在此，對於取代烴基之鹵原子在種類上不加限制，且可用氟基可用於取代該烴基。
如在此所述，術語「烷基」，除非另有具體定義，否則可為一具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4個碳原子之烷基。該烷基可為a線性、分枝或環式。此外，該烷基可隨選地以至少一取代基所取代。
如在此所述，術語「烯基」，除非另有具體定義，否則可為一具有2至20、2至16、2至12、2至8或2至4個碳原子之烯基。該烯基可為線性、分枝或環式，且可隨選地以至少一取代基所取代。
如在此所述，術語「炔基」，除非另有具體定義，否則可為一具有2至20、2至16、2至12、2至8或2至4個碳原子之炔基。該炔基可為線性、分枝或環式，且可隨選地以至少一取代基所取代。
如在此所述，術語「芳基」，除非另有具體定義，否則可為一取自具有以下結構化合物或其衍生物之單價殘基：包含一苯環，或至少二相連苯環，或至少二苯環彼此凝結或結合而共用一或至少二碳原子。本說明書中所述芳基之範圍中可包括一習稱為芳基之功能基，及一芳烷基或芳基烷基。該芳基可為，例如，一具有6至25、6至21、6至18或6至12個碳原子之芳基。該芳基可為一苯基、二氯苯基、氯苯基、苯基乙基、苯基丙基、苯甲基、甲苯基、二甲苯基或萘基。
該聚合物主幹取代基或鹵化烴基之比例，可經考量墊片區域黏性而後適當選擇，在此並不特別限制。
例如，所述聚合物可由以化學式1化合物之成分所構成單體形成：
在化學式1中，R1為氫或烷基，且R2為一未被取代或被至少一鹵原子所取代之烴基。
本發明對於用以形成該聚合物之方法不特別限制。然而，考量到均勻形成聚合物薄膜程序及後續去除程序之易度，該聚合物薄膜可採用啟動化學氣相沉積(iCVD)製作。iCVD可為聚合物之氣相沉積，利用初始劑以便形成均勻之聚合物薄膜。在本發明中，經由iCVD形成該聚合物薄膜之方法可透過已知方式實施，並不特別限制。然而，為預防外部材料之滲透污染，宜在真空條件下執行iCVD。在此所述之真空條件並非完全真空條件，而是慣例中視為真空調件者，壓力為約200mT至1T。唯此條件僅為舉例，在此不具體限制，只要維持於一足以預防外部污染之範圍即可。
由於該聚合物薄膜係以上述iCVD製成，理想之聚合物薄膜可至少在墊片區域中有效形成。
考量到適合之遮罩效應及後續便於去除，可控制該聚合物薄膜之厚度。例如，該聚合物薄膜之厚度可為約100或150nm或以上。此外，該聚合物薄膜之厚度可為約1,000、900、800、700或600nm或以下。此厚度範圍可考量所需之遮罩效應或去除易度而變化。
圖2顯示以上述方法形成於該墊片區域中之聚合物薄膜401。
上述程序後可製作一無機材料層。在此，所述無機材料層可為，例如，一屏障層，且可依據所需功能增設各種無機材料層。同時，「無機材料層」一語，如在此所用者，可為，例如，包括at 50%或以上或60%重量比無機材料之層體。該無機材料層可僅包括一種無機材料，也可包括另一成份，如有機材料，只要該無機材料之比例在上述範圍內即可。
所述無機材料層可形成在該基板包括該第一聚合物薄膜之整個區域上。
所述無機材料層可用為已知方法形成，在此並不特別限制。例如，當以該無機材料層為屏障層時，無機材料層可利用上述元件及方法形成在該基板區域中，且較佳者，該無機材料層可透過原子層沉積(ALD)法形成。
圖3顯示以上述方法形成之無機材料層501。
在此程序中，隨後可將該第一聚合物薄膜去除以暴露該墊片區域。亦即，當以上述方法形成該無機材料層時，上述可輕易從該墊片區域去除之第一聚合物薄膜係存在於該墊片區域與該無機材料層之間，因此僅有該墊片區域可有效暴露。
在此程序中，去除第一聚合物薄膜之方法可為但不特別限於，例如，在形成之無機材料層上黏貼壓敏黏膠片或黏膠片再撕除，或採用蝕刻法以蝕刻劑選擇性蝕刻該第一聚合物薄膜，或者採用雷射圖案法。
圖4顯示經由上述程序暴露該墊片區域之情形。
於上述製造方法中，在形成一無機材料層之前可附加一於該元件區域形成第二聚合物薄膜之程序。亦即，在該元件區域中形成對所述無機材料層具有優異黏著性質之另一聚合物薄膜，不同於該第一聚合物薄膜，藉此增加程序效率，並提升製成元件之耐用度。
在此程序中所用之材料可為任何對該無機材料層具有優異黏著性質之材料，並不特別限制。例如，當該無機材料層係以ALD製作時，該第二聚合物薄膜之材質可為已知對於該ALD層具有優異黏著性質之親水材料。
此種聚合物薄膜可包括一功能基，如羥基、環氧基、胺基或羧基。
該聚合物主幹取代基或烴基之比例可經考量無機材料黏性而後適當選擇，在此並不特別限制。
例如，該第二聚合物薄膜可為但不限於，含羧基單體，如羥烷 基丙烯酸甲酯，如2-羥基乙基丙烯酸甲酯、2-羥基丙基丙烯酸甲酯、4-羥基丁基丙烯酸甲酯、6-羥基己基丙烯酸甲酯或8-羥基辛基丙烯酸甲酯；羥基聚亞烷基乙二醇丙烯酸甲酯，如2-羥基聚乙烯乙二醇丙烯酸甲酯或2-羥基聚丙烯乙二醇丙烯酸甲酯；甲基丙烯酸、2-甲基丙烯氧基乙酸、3-甲基丙烯氧基丙酸、4-甲基丙烯氧基丁酸；丙烯酸二聚體、衣康酸、順丁烯二酸或順丁烯二酸酐；含環氧丙基單體，如甲基丙烯酸縮水甘油酯；或胺類單體，如甲基丙烯醯胺。
在本發明中，用以形成該第二聚合物薄膜之方法可為但不特別限於，iCVD，與用於第一聚合物薄膜者相同。
本發明之製造程序亦可依所需包括另一已知用於改善OED效能之程序，只要上述主要步驟均包含在內即可。
於另一態樣中，本發明提供一種以上述方法製造之OED。在所述方法中，由於在該墊片區域內形成第一聚合物層之後暴露一墊片區域，該OED可包括至少在該墊片區域內之第一聚合物層。
據此，該OED可包括：一基板，其上形成有一元件區域以及一墊片區域，該元件區域包括依序堆疊之一第一電極層、一有機層及一第二電極層，且該墊片區域係電性連接至該第一或第二電極層；一無機材料層，形成於該基板之元件區域內；以及形成於該基板墊片區域內之所述第一聚合物層。
該OED之詳細敘述概同上文。
據此，在所述OED中，該無機材料層可為一ALD薄膜，且在一實例中，可為一屏障層。
此外，在所述OED中，該第一聚合物層可包括上述鹵素取代烴基或烴基。此外，該第二聚合物薄膜，亦即包括化學式1化合物或其聚合單元之聚合物薄膜，亦可形成於所述OED中。
此外，該OED可於該元件區域與該無機材料層之間包括該第二聚合物薄膜。
該元件中另一組件之說明可如上所示。
於又一態樣中，本發明提供該OED之使用，例如，一OLED。該OLED可有效運用為液晶顯示器(LCD)之背光、照明裝置、感應器、印表機或影印機之光源、汽車儀錶之光源、訊號燈、引示燈、顯示器元件、平面發光元件之光源、顯示器、裝飾或其他種類燈具。在一實施例中，本發明係關於一包括所述OLED之照明元件。當所述OLED運用於該照明元件或其他用途時，構成該元件之另一組件或構成該元件之方法並不特別加以限制，在相應領域中已知之可選材料或方法均可用於該OLED之製作。
本發明提供一種OED製造方法，其係透過簡單程序有效暴露墊片區域，藉此預防污染物之滲透，本發明並提供以該方法製造之OED，及該OED之使用。
101‧‧‧基板
201‧‧‧元件區域
301‧‧‧墊片區域
2011‧‧‧第一電極層
2012‧‧‧有機層
2013‧‧‧第二電極層
2014‧‧‧絕緣層
401‧‧‧第一聚合物薄膜
501‧‧‧無機層
附圖例示本發明之較佳實施例，並與前述揭露內容一起用於提供對本發明技術精神之進一步理解。然而，本發明不應被視為受限於該等附圖。
圖1至圖4為依據本發明顯示一種製造OED例示方法之步驟概要圖。
圖5顯示掃描式電子顯微鏡(SEM)影像，顯示依據實例之結果。
圖6及圖7為依據實例1及比較例1之J-V曲線對照圖。
以下將詳述本發明例示實施例並參照依據本發明之實例及非依據本發明之比較例。然而，該本發明之範圍並不限於以下所述實施例。
實例1
本發明係於一基板101上形成有一元件區域201以及一墊片區域301，該元件區域201包含如圖1所示依序堆疊之一第一電極層2011、一有機層2012以及一第二電極層2013。在此，該元件區域及該墊片區域係經已知方法製成。首先，以聚亞醯胺(PI)薄膜之撓性基板做為該基板101，將之設置於一以玻璃基板構成之載體基板上，並於該PI薄膜上形成一屏障層。該屏障層之製作係以ALD交替沉積Al2O3層及TiO2層，該Al2O3層單一沉積時之折射指數為約 1.6至1.8，該TiO2層單一沉積時之折射指數為約2.0至2.4，藉此最終取得約1.8之折射指數。該Al2O3層之製作為在約200℃下以已知ALD交替吸收三甲基鋁層及水(H2O)層為前驅物，且該TiO2層之製作為在約200℃下以已知ALD交替吸收TiCl4層及水(H2O)層為前驅物。在形成期間，Al2O3層及TiO2層各自形成為約2至5nm之厚度，藉此最終形成一厚度為約40nm之屏障層。繼而於該屏障層上利用已知材料依序形成電洞注入透明電極層、電洞傳輸層、第一發射單元(發射波長為約380至500nm)、n型有機半導體層、p型有機半導體層、第二發射單元(發射波長為約500至700nm)、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層及電子注入反射電極層，藉此形成一元件區域及一墊片區域。
隨後，在該墊片區域中使用一遮罩程序經由iCVD形成一第一聚合物層401，如圖2所示。形成該iCVD層時係以化學式A之化合物為單體，以過辛酸叔丁酯(TBPO)為初始劑。該iCVD層之厚度為約200nm，形成過程為利用溫度為約350℃之加熱絲對單體與初始劑混合物中的初始劑進行熱分解，並在溫度維持於約30至50℃之真空室中進行墊片區域表面聚合作用。
繼此之後，使用ALD在包括該第一聚合物層之基板整個表面形成一無機材料層501做為屏障層，如圖3所示。該屏障層係以上述方法形成一Al2O3層。之後，將壓敏膠帶貼附於ALD層表面後加以撕除，藉此去除該該墊片區域中之ALD層連同該第一聚合物層，製成圖4所示之元件。
圖5顯示上述程序之SEM影像。圖5上方影像顯示該ALD層連同該第一聚合物層去除前之狀態，下方影像顯示該ALD層連同該第一聚合物層去除後之狀態。
在所述影像中，虛線代表第一聚合物層形成部分與第一聚合物層為形成部分間之界線，圖中虛線上方部分代表在第一聚合物層上形成ALD層 之部分，下方代表僅有ALD層形成之部分。
如圖中可見，形成於該墊片區域之第一聚合物層完全連同該ALD層去除，但在沒有第一聚合物層部分之ALD層則保留。採用EDS元素分析儀對圖5下半部進行元素分析，結果歸納於表1。
如表1所示，在其上該ALD層連同該第一聚合物層去除之區域(墊片區域)中，未觀察到ALD層所含之鋁(Al)，因此確定對應之成分已經完全去除。
實例2
以同於實例1之法製作OED，但在第一聚合物層沉積後，以甲基丙烯酸縮水甘油酯(GMA)為單體，在經遮罩程序使第一聚合物層未沉積之區域內透過iCVD形成ALD層做為第二聚合物層，然後用壓敏黏膠片撕除該第一聚合物層。接著以同於實例1之方法分析結果，確認僅有該ALD層從具有實例1所述第一聚合物層形成之部分完全移除。
比較例1
以同於實例1之法製作OED，不同處在於將壓敏黏性墊片附加於墊片區域，不使用iCVD薄膜，並撕除壓敏黏膠片以暴露該墊片區域。比較例1所製成元件與實例1所製成元件之效能對照如圖6及圖7所示。圖6為依據實例1之J-V曲線，圖7為依據比較例1之J-V曲線。從兩圖之比較可知，實例1 之J-V曲線穩定，比較例1之J-V曲線則因壓敏黏性墊片造成之外部材料滲透而較不穩定。
101‧‧‧基板
2011‧‧‧第一電極層
2012‧‧‧有機層
2013‧‧‧第二電極層
2014‧‧‧絕緣層
401‧‧‧第一聚合物薄膜

Claims (16)

  1. 一種有機電子元件(OED)之製造方法，其係包含：至少在一基板之一墊片區域上形成一第一聚合物薄膜，其中該基板中形成有一元件區域，該元件區域包括依序相疊之一第一電極層、一有機層以及一第二電極層，且該墊片區域電性連接至該第一或第二電極層；在該基板上形成一無機材料層；以及去除該第一聚合物薄膜以暴露該墊片區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一聚合物薄膜係經啟動化學氣相沉積(iCVD)所形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一聚合物薄膜係於200mT至1T之壓力下形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一聚合物薄膜係形成為100nm或以上之厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一聚合物薄膜包括一烴基或一鹵化烴基。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一聚合物薄膜係使用化學式1之化合物所製成： 其中R1為氫或烷基，且R2為一未經取代或經至少一鹵原子取代之烴基。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該無機材料層係經由原子層沉積(ALD)形成。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該無機材料層係一屏障層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其係進一步包含：在形成一無機材料層之前，先於該元件區域中形成一第二聚合物薄膜。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第二聚合物薄膜包括一羥基、一環氧基、一胺基或一羧基。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第二聚合物薄膜係以一含羧基單體、一含環氧丙基單體或一胺類單體所構成，其中該含羧基單體例如是羥烷基丙烯酸甲酯或羥基聚亞烷基乙二醇丙烯酸甲酯。
  12. 一種有機電子元件(OED)，其係包含：一基板；一元件區域，該元件區域係形成於該基板上，且包括依序堆疊之一第一電極層、一有機層以及一第二電極層；一墊片區域，該墊片區域係形成於該基板上，且電性連接至該第一或第二電極層；一無機材料層，該無機材料層係形成於該元件區域中；以及一第一聚合物薄膜，該第一聚合物薄膜係存在於該墊片區域中，且包括一鹵化烴基或一烴基。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之OED，其係包含： 一第二聚合物薄膜，該第二聚合物薄膜係形成於該元件區域與該無機材料層之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之OED，其中該第二聚合物薄膜包括一羥基、一環氧基、一胺基或一羧基。
  15. 一種光源，用於一顯示器，其係包含：如申請專利範圍第12項所述之OED。
  16. 一種照明元件，其係包含：如申請專利範圍第12項所述之OED。
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