CN107910424A - 一种led封装方法 - Google Patents
一种led封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107910424A CN107910424A CN201711175048.6A CN201711175048A CN107910424A CN 107910424 A CN107910424 A CN 107910424A CN 201711175048 A CN201711175048 A CN 201711175048A CN 107910424 A CN107910424 A CN 107910424A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- led chip
- elargol
- glue
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 claims description 3
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种LED封装方法，包括点胶、备胶、手工刺片，自动装架、固晶、压焊和喷胶封装，本发明的有益效果是：能有效的对LED芯片进行固定和封装，采用手工刺片可以随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品，雾化喷胶的方式能在LED芯片的表面形成均匀致密的胶层，使其与空气隔绝，提升LED芯片的使用寿命。
Description
技术领域
本发明是一种LED封装方法。
背景技术
led芯片是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
现有的led芯片使用寿命很大一部分因素是尤其封装方式决定的，因此有必要对其封装方法进行改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED封装方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种LED封装方法，包括以下步骤：
S1，点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，其中对于GaAs和SiC导电衬底、具有背面电极的红光或黄光或黄绿光芯片，采用银胶；对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光或绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定；
S2，备胶
使用备胶机将银胶涂在LED芯片背面电极上，然后把背部带银胶的LED芯片安装在LED支架上；
S3，手工刺片
将扩张后LED芯片安装在刺片台的夹具上，LED支架置于夹具底部，在显微镜下使用刺针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上；
S4，自动装架
在LED支架上点上银胶或绝缘胶，然后使用真空吸嘴将LED芯片吸起，并移动真空吸嘴将LED芯片安置在相应的LED支架上；
S5，固晶
将载有LED芯片的LED支架放入到密封的银胶烧结烘箱内，进行烧结固化；
S6，压焊
通过铝丝压焊将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作；
S7，喷胶封装
将环氧胶进行雾化，然后均匀的喷在LED芯片的表面，形成均匀致密的胶层。
作为本发明进一步的方案：步骤S4中的真空吸嘴为胶木吸嘴。
作为本发明再进一步的方案：步骤S5中烧结固化的温度为150℃-170℃，时间为1-2小时。
作为本发明再进一步的方案：步骤S6中铝丝压焊的操作方法为：先在LED芯片电极上压焊第一点，再将铝丝拉到相应的LED支架上方，压上第二点后扯断铝丝，重复操作，直至所有电极压焊完成。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：能有效的对LED芯片进行固定和封装，采用手工刺片可以随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品，雾化喷胶的方式能在LED芯片的表面形成均匀致密的胶层，使其与空气隔绝，提升LED芯片的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
实施例1
一种LED封装方法，包括以下步骤：
S1，点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，其中对于GaAs和SiC导电衬底、具有背面电极的红光或黄光或黄绿光芯片，采用银胶；对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光或绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定；
S2，备胶
使用备胶机将银胶涂在LED芯片背面电极上，然后把背部带银胶的LED芯片安装在LED支架上；
S3，手工刺片
将扩张后LED芯片安装在刺片台的夹具上，LED支架置于夹具底部，在显微镜下使用刺针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上，手工刺片便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品；
S4，自动装架
在LED支架上点上银胶或绝缘胶，然后使用真空吸嘴将LED芯片吸起，并移动真空吸嘴将LED芯片安置在相应的LED支架上，且真空吸嘴为胶木吸嘴，不会划伤芯片表面的电流扩散层；
S5，固晶
将载有LED芯片的LED支架放入到密封的银胶烧结烘箱内，进行烧结固化，固晶的目的是使银胶固化，要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时，根据实际情况可以调整到170℃，烧结时间1小时。绝缘胶一般150℃，1小时；银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时(或1小时)打开更换烧结的产品，中间不得随意打开，烧结烘箱不得再其他用途，防止污染；
S6，压焊
通过铝丝压焊将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作；
S7，喷胶封装
将环氧胶进行雾化，然后均匀的喷在LED芯片的表面，形成均匀致密的胶层，使其与空气隔绝。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (4)
1.一种LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，点胶
在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，其中对于GaAs和SiC导电衬底、具有背面电极的红光或黄光或黄绿光芯片，采用银胶；对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光或绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定；
S2，备胶
使用备胶机将银胶涂在LED芯片背面电极上，然后把背部带银胶的LED芯片安装在LED支架上；
S3，手工刺片
将扩张后LED芯片安装在刺片台的夹具上，LED支架置于夹具底部，在显微镜下使用刺针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上；
S4，自动装架
在LED支架上点上银胶或绝缘胶，然后使用真空吸嘴将LED芯片吸起，并移动真空吸嘴将LED芯片安置在相应的LED支架上；
S5，固晶
将载有LED芯片的LED支架放入到密封的银胶烧结烘箱内，进行烧结固化；
S6，压焊
通过铝丝压焊将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作；
S7，喷胶封装
将环氧胶进行雾化，然后均匀的喷在LED芯片的表面，形成均匀致密的胶层。
2.根据权利要求1所述的一种LED封装方法，其特征在于，步骤S4中的真空吸嘴为胶木吸嘴。
3.根据权利要求1所述的一种LED封装方法，其特征在于，步骤S5中烧结固化的温度为150℃-170℃，时间为1-2小时。
4.根据权利要求1所述的一种LED封装方法，其特征在于，步骤S6中铝丝压焊的操作方法为：先在LED芯片电极上压焊第一点，再将铝丝拉到相应的LED支架上方，压上第二点后扯断铝丝，重复操作，直至所有电极压焊完成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711175048.6A CN107910424A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种led封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711175048.6A CN107910424A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种led封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107910424A true CN107910424A (zh) | 2018-04-13 |
Family
ID=61847311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711175048.6A Pending CN107910424A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种led封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107910424A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114941812A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-26 | 佛山市锐安特光电科技有限公司 | 一种灯条喷胶方法、喷胶灯条生产方法及喷胶灯条 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009094997A1 (de) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement |
| CN101882663A (zh) * | 2010-06-22 | 2010-11-10 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | Led荧光粉的喷涂方法及采用该方法喷涂的荧光粉层 |
| CN104993034A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-10-21 | 广东广晟光电科技有限公司 | 一种led封装新工艺 |
-
2017
- 2017-11-22 CN CN201711175048.6A patent/CN107910424A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009094997A1 (de) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement |
| CN101882663A (zh) * | 2010-06-22 | 2010-11-10 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | Led荧光粉的喷涂方法及采用该方法喷涂的荧光粉层 |
| CN104993034A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-10-21 | 广东广晟光电科技有限公司 | 一种led封装新工艺 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114941812A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-08-26 | 佛山市锐安特光电科技有限公司 | 一种灯条喷胶方法、喷胶灯条生产方法及喷胶灯条 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101779303B (zh) | 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统 | |
| CN107146788A (zh) | 一种大功率深紫外led光源模组及其制备方法 | |
| CN103762298A (zh) | Led晶片组合封装材料及工艺 | |
| CN102800797A (zh) | 具有远离荧光结构的蝙蝠翼透镜 | |
| CN109980070B (zh) | 一种晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法 | |
| CN103236490B (zh) | Led倒装芯片封装器件、其制造方法及使用其的封装结构 | |
| CN105810780A (zh) | 一种白光led芯片的制备方法 | |
| CN109285938B (zh) | 一种高热稳定的芯片级led封装方法及其产品 | |
| CN104465895A (zh) | Led芯片及其制作方法 | |
| CN101615612A (zh) | 多芯片led的封装结构 | |
| CN104282676A (zh) | 一体式led灯板封装结构及封装工艺 | |
| CN103441212B (zh) | Led芯片的制作工艺、led芯片结构及led封装结构 | |
| CN104183682A (zh) | 覆晶式发光二极管元件及其封装结构 | |
| WO2006056121A1 (en) | The integrated-type led and manufacturing method thereof | |
| CN107910424A (zh) | 一种led封装方法 | |
| CN201904368U (zh) | 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构 | |
| CN103633237A (zh) | 一种led封装结构及其圆片级封装方法 | |
| CN106299040A (zh) | 一种薄膜倒装发光组件的制作方法及其薄膜倒装发光组件 | |
| CN211265506U (zh) | 一种倒装式直插led灯珠 | |
| CN205863219U (zh) | 一种多管芯的led封装 | |
| CN202855792U (zh) | 覆晶式的发光二极管 | |
| CN102214746B (zh) | 一种氮化镓基功率型led芯片制作方法 | |
| CN111341674A (zh) | 一种陶瓷管壳封装熔封工艺 | |
| CN106058021A (zh) | 芯片级封装发光装置及其制造方法 | |
| CN103855280B (zh) | 一种led晶片级封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20180510 Address after: 518000 Gongming village, Guangming New District, Shenzhen, Guangdong, with three to five floors of the second villages, the upper village community of the Guangxu new district. Applicant after: SHENZHEN G-ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 518000 17 601, long Lian garden, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong Applicant before: Tian Guohui |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180413 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |