JP5953531B2 - 薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法 - Google Patents
薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5953531B2 JP5953531B2 JP2012107770A JP2012107770A JP5953531B2 JP 5953531 B2 JP5953531 B2 JP 5953531B2 JP 2012107770 A JP2012107770 A JP 2012107770A JP 2012107770 A JP2012107770 A JP 2012107770A JP 5953531 B2 JP5953531 B2 JP 5953531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- oxide
- layer
- manufacturing
- film formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 170
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 96
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 95
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical group C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 49
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 49
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 38
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 31
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 316
- 239000010408 film Substances 0.000 description 121
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 80
- 230000008569 process Effects 0.000 description 57
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100023111 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mfc1 gene Proteins 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[N] Chemical compound [AlH3].[N] IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本発明は、薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法に関し、特に、部分成膜技術に関する。
表示パネルに用いられる発光素子には、有機材料を含む発光機能層が陽極と陰極の間に介在した構造を有するもの（有機ＥＬ素子）がある。
この有機ＥＬ素子では、発光機能層や、陽極、陰極が、水蒸気や酸素等のガス（以下、単に、「水蒸気等のガス」ともいう。）と反応しうる材料からなる。発光機能層を構成する材料は、水蒸気等のガスと反応して、発光特性の低下や寿命の低下が生じてしまう。また、陽極や陰極を構成する材料も、水蒸気等のガスと反応して、電気特性（例えば、電気伝導率）の変化が生じてしまう。陰極の電気特性が大きく変化した場合、発光機能層に電荷が供給されず、表示パネルの一部に非発光部分（ダークスポット）が発生してしまい表示パネルの表示品質の低下に繋がってしまう。そこで、この種の表示パネルでは、一般的に、水蒸気等のガスが発光機能層や陰極に侵入するのを防止するために陰極の上面を覆うように絶縁材料からなる封止部が形成されている。
この有機ＥＬ素子では、発光機能層や、陽極、陰極が、水蒸気や酸素等のガス（以下、単に、「水蒸気等のガス」ともいう。）と反応しうる材料からなる。発光機能層を構成する材料は、水蒸気等のガスと反応して、発光特性の低下や寿命の低下が生じてしまう。また、陽極や陰極を構成する材料も、水蒸気等のガスと反応して、電気特性（例えば、電気伝導率）の変化が生じてしまう。陰極の電気特性が大きく変化した場合、発光機能層に電荷が供給されず、表示パネルの一部に非発光部分（ダークスポット）が発生してしまい表示パネルの表示品質の低下に繋がってしまう。そこで、この種の表示パネルでは、一般的に、水蒸気等のガスが発光機能層や陰極に侵入するのを防止するために陰極の上面を覆うように絶縁材料からなる封止部が形成されている。
一方、従来から、酸化シリコンからなる層上に酸化アルミニウムからなる層を積層してなる２層構造を有する半導体装置の保護膜が提案されている（特許文献１参照）。そして、この２層構造を有する保護膜のうち、酸化アルミニウムからなる層を原子層堆積法（ＡＬＤ法）を用いて形成することにより保護膜の封止性を向上させる技術も提案されている。ここで、ＡＬＤ法を用いた場合、ＣＶＤ法を用いた場合に比べて保護膜中の炭素や水素の含有量を低く抑えることができ、その分、封止性を向上させることができる。
前述の表示パネルの封止部についても、特許文献１に記載された技術を適用して、バッファ層上に封止層を積層してなる２層構造とすることが考えられる。
ところで、ＡＬＤ法を用いて封止層を形成する場合、当該封止層は、一般的に、表示パネルの一面側における周縁部を除いた内側の領域に設けられる。この理由の一つとしては、表示パネルの周部には、表示パネル内部の配線と外部の駆動装置とを電気的に接続するためのパッド部が配設されており、当該パッド部の表面が絶縁膜で被覆されてしまうのを防止するためである。
ＡＬＤ法を用いて封止層を形成する工程では、表示パネルの封止層形成前の状態、即ち、表面にバッファ層が露出した状態のパネル中間体の上方をマスクで覆った状態で封止層を成膜する。このマスクは、例えば、バッファ層上における封止層が設けられる部位に対応する位置に窓部が形成されたものである。
しかしながら、バッファ層とマスクとの間には数μｍ程度の隙間が生じてしまうのが実情である。このように、バッファ層とマスクとの間に隙間があると、封止層を構成する絶縁材料からなる絶縁膜が、バッファ層上における、バッファ層とマスクとの間の隙間に対応する部位に形成されてしまう（いわゆる膜の回り込みが生じてしまう）。そのため、絶縁膜がマスク開口領域よりも大きく形成されてしまい、設計との誤差が大きくなってしまう。
しかしながら、バッファ層とマスクとの間には数μｍ程度の隙間が生じてしまうのが実情である。このように、バッファ層とマスクとの間に隙間があると、封止層を構成する絶縁材料からなる絶縁膜が、バッファ層上における、バッファ層とマスクとの間の隙間に対応する部位に形成されてしまう（いわゆる膜の回り込みが生じてしまう）。そのため、絶縁膜がマスク開口領域よりも大きく形成されてしまい、設計との誤差が大きくなってしまう。
そこで、本発明に係る一態様に係る薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法は、ＡＬＤ法を用いて封止層を形成する際に、封止層を構成する絶縁材料の回り込みを抑制することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、第１酸化物層上の一部に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する薄膜製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層のうち薄膜を形成する予定の薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含む。
本構成によれば、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行うことにより、上記薄膜形成予定部位に酸素欠損を生じさせることで、薄膜形成予定部位に酸素欠損が生じており、酸化物前駆体が薄膜形成予定部位に吸着され易くなっている。従って、薄膜形成予定部位に酸化物を形成するために必要な酸化物前駆体の導入量を減少させることができ、その結果、酸化物前駆体の第１酸化物層とマスクとの間の隙間への酸化物前駆体の侵入を抑制し、酸化物層上の薄膜形成予定部位以外の部位に酸化物からなる薄膜や酸化物前駆体からなる層が形成されてしまうこと（いわゆる膜の回り込み）を抑制できる。
＜本発明の一態様に係る薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ＴＦＴ基板の製造方法の概要＞
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、第１酸化物層上の一部に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する薄膜製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層のうち薄膜を形成する予定の薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含む。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、第１酸化物層上の一部に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する薄膜製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層のうち薄膜を形成する予定の薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含む。
本構成によれば、上記第２工程を有することにより、上記薄膜形成予定部位に酸素欠損を生じさせ、その状態で、上記第３工程において、薄膜形成予定部位を酸化物前駆体に晒す。ここで、薄膜形成予定部位に酸素欠損が生じているため、第３工程において、酸化物前駆体が薄膜形成予定部位に吸着され易くなっている。従って、第２工程の還元性プラズマ処理において、マスクと第１酸化物層との間への還元性プラズマの侵入を抑制すれば、酸化物前駆体の第１酸化物層とマスクとの間の隙間への酸化物前駆体の侵入を抑制でき、酸化物前駆体を略薄膜形成予定部位のみに吸着させることとなる。これにより、従来のようなマスクと第１酸化物層との間、即ち、酸化物層上の薄膜形成予定部位以外の部位に酸化物からなる薄膜や酸化物前駆体からなる層が形成されてしまうこと（いわゆる膜の回り込み）を抑制できる。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記第３工程の後、上記薄膜形成予定部位を、第３工程において上記酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒すことにより薄膜形成予定部位に吸着した酸化物前駆体を、酸素を含んで構成された分子またはラジカルに晒す第４工程と、を含むものであってもよい。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記第４工程の後、上記薄膜形成予定部位に吸着した上記酸化物前駆体を、第４工程において酸素を含んで構成された分子またはラジカルに晒すことにより形成された前記酸化物からなる層に対して、還元性プラズマ処理を行う第５工程と、を含み、第４工程の後に、第５工程と上記３工程を少なくとも１回以上行うものであってもよい。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記第４工程の後、上記薄膜形成予定部位に吸着した上記酸化物前駆体を、第４工程において酸素を含んで構成された分子またはラジカルに晒すことにより形成された前記酸化物からなる層に対して、還元性プラズマ処理を行う第５工程と、を含み、第４工程の後に、第５工程と上記３工程を少なくとも１回以上行うものであってもよい。
本構成によれば、上記第５工程を有することにより、上記酸化物からなる層の表面に酸素欠損を生じさせ、その状態で、上記第３工程において、酸化物からなる層の表面を酸化物前駆体に晒す。ここで、酸化物からなる層の表面に酸素欠損が生じているため、第３工程において、酸化物前駆体が酸化物からなる層の表面に吸着され易くなっている。従って、第３工程において、酸化物からなる層の表面への酸化物前駆体の供給量を低減しても酸化物からなる層の表面全体に亘って酸化物前駆体を斑なく吸着させることができる。そして、酸化物前駆体の供給量を低減できる分、薄膜形成予定部位上に形成された酸化物からなる層とマスクとの間の隙間への酸化物前駆体の侵入を抑制できる。これにより、マスクに対向する第１酸化物層上への薄膜形成（いわゆる薄膜の回り込み）を抑制できる。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記第１工程において、上記薄膜形成予定部位に対して薄膜形成予定部位に交差する方向に異方性を有する還元性プラズマを照射することにより還元性プラズマ処理を行い、上記第４工程において、上記酸化物からなる層に対して薄膜形成予定部位に交差する方向に異方性を有する還元性プラズマを照射することにより還元性プラズマ処理を行うものであってもよい。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記マスクが、上記第１酸化物層側とは反対側の面に、上記酸化物からなり上記酸化物前駆体を吸着する吸着層が形成されているものであってもよい。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記酸化物が、酸化アルミニウムであり、上記酸化物前駆体が、トリメチルアルミニウムであってもよい。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記酸化物が、酸化アルミニウムであり、上記酸化物前駆体が、トリメチルアルミニウムであってもよい。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記第１酸化物層が、酸化シリコンを含むものであってもよい。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記第１酸化物層が、化合物からなる化合物層上に形成されてなり、第１酸化物層が、化合物の酸化物からなるものであってもよい。
本構成によれば、第１酸化物層と化合物層との密着性の向上を図ることができる。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記第１酸化物層が、化合物からなる化合物層上に形成されてなり、第１酸化物層が、化合物の酸化物からなるものであってもよい。
本構成によれば、第１酸化物層と化合物層との密着性の向上を図ることができる。
本発明の一態様に係る薄膜製造方法は、上記化合物が、窒化アルミニウムおよび窒化シリコンの少なくとも一方を含むものであってもよい。
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板と、当該基板の上方に形成された複数の発光層と、複数の発光層の上方を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、第１酸化物層上における、少なくとも複数の発光層が形成された領域の上方を含む薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する表示パネルの製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層上における薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含むものであってもよい。
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板と、当該基板の上方に形成された複数の発光層と、複数の発光層の上方を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、第１酸化物層上における、少なくとも複数の発光層が形成された領域の上方を含む薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する表示パネルの製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層上における薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含むものであってもよい。
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、上記構造体が、上記基板上における、上記複数の発光層それぞれの下方に相当する領域から複数の発光層それぞれの下方に相当する領域の外側に延出した複数の配線を有し、上記薄膜形成予定部位が、第１酸化物層上における、複数の発光層それぞれの下方に相当する領域の外側に延出した配線の一部の上方に相当する部位を含むものであってもよい。
本構成によれば、発光層の下方に相当する部位の外側に延出した配線の一部の上方が、第２酸化物層により覆われることにより、配線のうち発光層の下方に相当する部位の外側に延出した部位の封止性が向上するので、その分、配線の劣化を抑制することができる。
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板と、当該基板の上方に形成された複数の発光層と、複数の発光層の上方を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、第１酸化物層上における、発光層の内周部の一部を除く部位の上方に相当する薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する表示パネルの製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層上における薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含むものであってもよい。
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板と、当該基板の上方に形成された複数の発光層と、複数の発光層の上方を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、第１酸化物層上における、発光層の内周部の一部を除く部位の上方に相当する薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する表示パネルの製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層上における薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含むものであってもよい。
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、上記発光層が、有機材料からなるものであってもよい。
本発明の一態様に係るＴＦＴ基板の製造方法は、基板と、当該基板上に形成された少なくとも１つのＴＦＴとを有し、前記ＴＦＴが、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上に前記ゲート電極を覆うように形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された半導体層と、当該半導体層の一部を覆うように配置されたドレイン電極およびソース電極と、ドレイン電極およびソース電極上、半導体層上を含む部位を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、第１酸化物層上における、半導体層の上方を含む薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成するＴＦＴ基板の製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層上における薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含むものであってもよい。
本発明の一態様に係るＴＦＴ基板の製造方法は、基板と、当該基板上に形成された少なくとも１つのＴＦＴとを有し、前記ＴＦＴが、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上に前記ゲート電極を覆うように形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された半導体層と、当該半導体層の一部を覆うように配置されたドレイン電極およびソース電極と、ドレイン電極およびソース電極上、半導体層上を含む部位を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、第１酸化物層上における、半導体層の上方を含む薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成するＴＦＴ基板の製造方法であって、第１酸化物層の上方に、第１酸化物層上における薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、第１工程の後、薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、第２工程の後、薄膜形成予定部位を酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含むものであってもよい。
＜実施の形態１＞
＜１＞構成
本実施の形態に係る表示パネルの構成について説明する。
本実施の形態に係る表示パネル１０の斜視図を図１に示す。また、図１における領域Ａ１の部分断面図を図２（ａ）に示し、図１における領域Ａ２の部分断面図を図２（ｂ）に示す。
＜１＞構成
本実施の形態に係る表示パネルの構成について説明する。
本実施の形態に係る表示パネル１０の斜視図を図１に示す。また、図１における領域Ａ１の部分断面図を図２（ａ）に示し、図１における領域Ａ２の部分断面図を図２（ｂ）に示す。
図１に示すように、表示パネル１０は、平面視矩形状に形成されている。また、表示パネル１０の外周部には、表示パネル１０の各辺に沿って駆動回路が配置される。そして、表示パネル１０の周部には、表示パネル１０の外周部に配置された駆動回路に接続するための複数のパッド部１２５が配設されている。この表示パネル１０は、例えば、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬタイプであり且つトップエミッション型の表示パネルである。
表示パネル１０における領域Ａ１の構造について説明する。
図２（ａ）に示すように、領域Ａ１では、ＴＦＴ基板１０３上に絶縁膜１０５が形成されている。ここで、ＴＦＴ基板１０３は、基板本体１０３ａと、基板本体１０３ａ上に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ、図示せず）、配線１２５等から構成される。また、絶縁膜１０５は、ＴＦＴ基板１０３の表面段差を平坦化するためのいわゆる平坦化膜である。絶縁膜１０５におけるＴＦＴの電極に対応する部位には、ＴＦＴの電極に電気的に接続するためのスルーホール（図示せず）が貫設されている。また、絶縁膜１０５は、ポリイミド系樹脂等の絶縁材料を主成分としている。
図２（ａ）に示すように、領域Ａ１では、ＴＦＴ基板１０３上に絶縁膜１０５が形成されている。ここで、ＴＦＴ基板１０３は、基板本体１０３ａと、基板本体１０３ａ上に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ、図示せず）、配線１２５等から構成される。また、絶縁膜１０５は、ＴＦＴ基板１０３の表面段差を平坦化するためのいわゆる平坦化膜である。絶縁膜１０５におけるＴＦＴの電極に対応する部位には、ＴＦＴの電極に電気的に接続するためのスルーホール（図示せず）が貫設されている。また、絶縁膜１０５は、ポリイミド系樹脂等の絶縁材料を主成分としている。
絶縁膜１０５上における、スルーホールが貫設された部位には、陽極１０７が形成されている。陽極１０７は、スルーホールを介してＴＦＴ基板１０３のＴＦＴに電気的に接続されている。また、陽極１０７は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等から形成されている。
絶縁膜１０３上における陽極１０７が形成されていない部位および陽極１０７上には、正孔注入層１０９が形成されている。この正孔注入層１０９は、発光層１１３への正孔の注入を促進するためのものである。正孔注入層１０９は、例えば、酸化タングステン（ＷＯx）等の遷移金属の酸化物を含む金属酸化物から形成される。
絶縁膜１０３上における陽極１０７が形成されていない部位および陽極１０７上には、正孔注入層１０９が形成されている。この正孔注入層１０９は、発光層１１３への正孔の注入を促進するためのものである。正孔注入層１０９は、例えば、酸化タングステン（ＷＯx）等の遷移金属の酸化物を含む金属酸化物から形成される。
正孔注入層１０９上における、陽極１０７の間に相当する部位には、バンク（隔壁）１１１が形成されている。このバンク１１１は、表示パネル１０内における発光部分を区分けするためのものである。バンク１１１は、陽極１０７の周部上面に存する正孔注入層１０９から上方に突出している。このバンク１１１の断面形状は、絶縁膜１０３の厚み方向に直交する方向で対向する２辺間の同方向における距離が上方ほど短くなっている台形状である。また、バンク１１１は、例えば、感光性、絶縁性を有するアクリル系樹脂からなるネガ型レジスト等を用いて形成される。
正孔注入層１０９上のうち、バンク１１１で区分けされた各部分には、例えば、赤色や緑色、青色を発する発光層１１３が形成されている。この発光層１１３は、例えば、有機材料から形成されている。
発光層１１３上には、電子輸送層１１５が形成されている。この電子輸送層１１５は、発光層１１３への電子の注入を促進するためのものである。この電子輸送層１１５は、発光層１１３の上方のみならず、バンク１１１における発光層１１３よりも上方に突出した部位全体をも覆っている。また、電子輸送層１１５は、例えば、有機材料から形成されている。
発光層１１３上には、電子輸送層１１５が形成されている。この電子輸送層１１５は、発光層１１３への電子の注入を促進するためのものである。この電子輸送層１１５は、発光層１１３の上方のみならず、バンク１１１における発光層１１３よりも上方に突出した部位全体をも覆っている。また、電子輸送層１１５は、例えば、有機材料から形成されている。
電子輸送層１１５上には、陰極１１７が形成されている。陰極１１７は、電子輸送層１１５全体を覆うように形成されている。また、陰極１１７は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等のいわゆる透明電極用材料からなる。なお、以下では、前述の正孔注入層１０９、発光層１１３および電子輸送層１１５からなる３層を「発光機能層」と称する。
陰極１１７上には、封止部２１９が形成されている。この封止部２１９は、発光機能層や陰極１１７等が水分や空気に晒されることを防止するためのものである。封止部１１９は、陰極１１７全体を覆うように形成されている。
封止部２１９は、第１バッファ層１２１と、第１バッファ層１２１上に形成された第１封止層１２３と、第１封止層１２３上に形成された第２バッファ層（第１酸化物層）２１１と、第２バッファ層２１１上に形成された第２封止層２１３とからなる。即ち、第２バッファ層２１１は、発光層１１３の上方を覆うように形成されている。また、第２封止層２１３は、第２バッファ層２１１上のうち、発光層１１３の上方を含む部位に形成されている。
封止部２１９は、第１バッファ層１２１と、第１バッファ層１２１上に形成された第１封止層１２３と、第１封止層１２３上に形成された第２バッファ層（第１酸化物層）２１１と、第２バッファ層２１１上に形成された第２封止層２１３とからなる。即ち、第２バッファ層２１１は、発光層１１３の上方を覆うように形成されている。また、第２封止層２１３は、第２バッファ層２１１上のうち、発光層１１３の上方を含む部位に形成されている。
第１バッファ層１２１は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる。なお、第１バッファ層１２１を形成する材料としては、例えば、炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、酸窒素アルミニウム（ＡｌXＯYＮZ）等の化合物であってもよい。
第１封止層１２３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる化合物層である。なお、第１封止層１２３を構成する材料は、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の化合物であってもよい。
第１封止層１２３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる化合物層である。なお、第１封止層１２３を構成する材料は、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の化合物であってもよい。
第２バッファ層２１１は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる。なお、第２バッファ層２１１を形成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等の化合物であってもよい。つまり、第２バッファ層２１１は、ＳｉＮからなる第１封止層１２３上に形成されており、第２バッファ層２１１を構成するＳｉＯＮが、第１封止層１２３を構成するＳｉＮの酸化物である。
また、第２封止層２１３は、酸化アルミニウムからなる。なお、第２封止層２１３を形成する材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸窒素アルミニウム（ＡｌXＯYＮZ）等の化合物であってもよい。
ところで、ＴＦＴ基板１０３の一部を構成する基板本体１０３ａ上に設けられた配線は、基板本体１０３ａ上における発光層１１３の下方に対応する部位の外側に延出している。そして、第２封止層２１３が、配線１２６のうち、基板本体１０３ａ上における発光層１１３の下方に相当する部位の外側に延出した部位の上方を覆っている。これにより、配線１２６のうち発光層１１３の下方に相当する部位の外側に延出した部位の上方に相当する部位が、第２封止層１２３により覆われる。従って、配線１２６のうち発光層１１３の下方に相当する部位の外側に延出した部位の封止性が向上するので、その分、配線１２６の劣化を抑制することができる。
ところで、ＴＦＴ基板１０３の一部を構成する基板本体１０３ａ上に設けられた配線は、基板本体１０３ａ上における発光層１１３の下方に対応する部位の外側に延出している。そして、第２封止層２１３が、配線１２６のうち、基板本体１０３ａ上における発光層１１３の下方に相当する部位の外側に延出した部位の上方を覆っている。これにより、配線１２６のうち発光層１１３の下方に相当する部位の外側に延出した部位の上方に相当する部位が、第２封止層１２３により覆われる。従って、配線１２６のうち発光層１１３の下方に相当する部位の外側に延出した部位の封止性が向上するので、その分、配線１２６の劣化を抑制することができる。
表示パネル１０における領域Ａ２の構造について説明する。
図２（ｂ）に示すように、領域Ａ２では、ＴＦＴ基板１０３上に絶縁膜１０５が形成されている。そして、絶縁膜１０５上には、電子輸送層１１５および陰極１１７が積層されている。なお、前述の陽極１０７、正孔注入層１０９、バンク１１１、発光層１１３は、領域Ａ２のような表示パネル１０の周部には形成されていない。ここで、電子輸送層１１５および陰極１１７の端部は、ＴＦＴ基板１０３の端部よりも内側に位置している。そして、ＴＦＴ基板１０３の配線１２６が、ＴＦＴ基板１０３の主面に沿って延伸し絶縁膜１０５の外側に配設されたパッド部１２５に連続している。
図２（ｂ）に示すように、領域Ａ２では、ＴＦＴ基板１０３上に絶縁膜１０５が形成されている。そして、絶縁膜１０５上には、電子輸送層１１５および陰極１１７が積層されている。なお、前述の陽極１０７、正孔注入層１０９、バンク１１１、発光層１１３は、領域Ａ２のような表示パネル１０の周部には形成されていない。ここで、電子輸送層１１５および陰極１１７の端部は、ＴＦＴ基板１０３の端部よりも内側に位置している。そして、ＴＦＴ基板１０３の配線１２６が、ＴＦＴ基板１０３の主面に沿って延伸し絶縁膜１０５の外側に配設されたパッド部１２５に連続している。
陰極１１７上には、封止部２１９が形成されている。封止部２１９の一部を構成する、第１バッファ層１２１、第１封止層１２３および第２バッファ層２１１は、陰極１１７全体および絶縁膜１０５上における陰極１１７で覆われていない部位を覆うように形成されている。第２封止層２１３の端部は、第２バッファ層２１１の端部よりも内側に位置している。
＜２＞製造方法
次に、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程について説明する。
表示パネル１０の製造工程は、（１）陽極を形成する工程（陽極形成工程）、（２）正孔注入層を形成する工程（正孔注入層形成工程）、（３）バンクを形成する工程（バンク形成工程）、（４）発光層を形成する工程（発光層形成工程）、（５）電子輸送層を形成する工程（電子輸送層形成工程）、（６）陰極を形成する工程（陰極形成工程）、そして、封止層を形成する工程と、を含む。封止層を形成する工程は、（７）還元性プラズマ処理工程（８）第１バッファ層を形成する工程（第１バッファ層形成工程）、（９）還元性プラズマ処理工程、（１０）第１封止層を形成する工程（第１封止層形成工程）、（１１）第２バッファ層を形成する工程（第２バッファ層形成工程）、（１２）還元性プラズマ処理工程、（１３）第２封止層を形成する工程（第２封止層形成工程）と、を含む。
次に、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程について説明する。
表示パネル１０の製造工程は、（１）陽極を形成する工程（陽極形成工程）、（２）正孔注入層を形成する工程（正孔注入層形成工程）、（３）バンクを形成する工程（バンク形成工程）、（４）発光層を形成する工程（発光層形成工程）、（５）電子輸送層を形成する工程（電子輸送層形成工程）、（６）陰極を形成する工程（陰極形成工程）、そして、封止層を形成する工程と、を含む。封止層を形成する工程は、（７）還元性プラズマ処理工程（８）第１バッファ層を形成する工程（第１バッファ層形成工程）、（９）還元性プラズマ処理工程、（１０）第１封止層を形成する工程（第１封止層形成工程）、（１１）第２バッファ層を形成する工程（第２バッファ層形成工程）、（１２）還元性プラズマ処理工程、（１３）第２封止層を形成する工程（第２封止層形成工程）と、を含む。
なお、表示パネルの製造工程は、上記の（１）陽極形成工程の前に、ＴＦＴ基板１０３上に絶縁膜１０５が形成されてなる積層構造体を準備する工程を含む。積層構造体を準備する肯定は、具体的には、ＴＦＴ基板１０３上に絶縁膜１０５を形成する工程と、絶縁膜１０５にＴＦＴ基板１０３の配線１２６と陽極１０７とを電気的に接続するためのコンタクトホール（図示せず）を形成する工程を含む。
表示パネル１０の製造工程を説明するための表示パネル１０の部分断面図を図３に示す。図３では、表示パネル１０における領域Ａ２に対応する部分の断面図を示している。
表示パネル１０の製造工程のうち、（１）陽極形成工程乃至（１１）第２バッファ層形成工程まで終了すると、表示パネル１０のうち第２封止層２１３以外の構成を有する構造体１０１０が生成される（図３（ａ）参照）。
表示パネル１０の製造工程のうち、（１）陽極形成工程乃至（１１）第２バッファ層形成工程まで終了すると、表示パネル１０のうち第２封止層２１３以外の構成を有する構造体１０１０が生成される（図３（ａ）参照）。
以下、この構造体１０１０が生成された後、表示パネル１０を完成させるために行う（１３）第２封止層形成工程について詳細に説明する。
第２封止層形成工程では、原子層堆積法（以下、「ＡＬＤ法」と称する。）を用いて、ＳｉＯＮからなる第２バッファ層２１１上の一部に酸化アルミニウムからなる第２封止層（薄膜）２１３を形成する。
第２封止層形成工程では、原子層堆積法（以下、「ＡＬＤ法」と称する。）を用いて、ＳｉＯＮからなる第２バッファ層２１１上の一部に酸化アルミニウムからなる第２封止層（薄膜）２１３を形成する。
第２封止層形成工程は、第２バッファ層２１１の上方に、マスクを配置するマスク配置工程（第１工程）と、第２バッファ層２１１の上方にマスクを配置した状態で酸化アルミニウムをＡＬＤ法を用いて成膜することにより第２封止層２１３を形成する成膜工程と、を含む。ここで、マスク配置工程では、マスク３０１を第２バッファ層２１１上のうち第２封止層２１３を形成する予定の部位（以下、「薄膜形成予定部位」と称する。）Ａ２１３が露出するように配置する。
図３（ｂ）に示すように、第２バッファ層２１１の上方にマスク３０１を配置した状態で酸化アルミニウム膜１２１３を成膜していく。そして、酸化アルミニウム膜１２１３を所定の膜厚になるまで成膜するとマスク３０１を取り外す。こうして、表示パネル１０が完成する（図３（ｃ）参照）。
次に、ＡＬＤ法により成膜を行うための成膜装置について説明する。
次に、ＡＬＤ法により成膜を行うための成膜装置について説明する。
ＡＬＤ法により成膜を行うための成膜装置の一例を示す模式図を図４に示す。
成膜装置は、成膜室Ｃ１０と、プラズマ生成室Ｓ１０とを備える。
成膜室Ｃ１０には、配管を介してターボ分子ポンプ等から構成された排気ポンプＴＭＰが接続されており、成膜室Ｃ１０内の気体は、この排気ポンプＴＭＰにより成膜室Ｃ１０外に排気することができる。また、成膜室Ｃ１０内には、ＴＭＡ原料が封入されたボトルＢからＴＭＡを導入することができるようになっている。成膜室Ｃ１０、ボトルＢおよびＡｒガスソース間を接続する配管には、マスフローコントローラＭＦＣ１やバルブＶ１１，Ｖ１２，Ｖ１３が介挿されている。
成膜装置は、成膜室Ｃ１０と、プラズマ生成室Ｓ１０とを備える。
成膜室Ｃ１０には、配管を介してターボ分子ポンプ等から構成された排気ポンプＴＭＰが接続されており、成膜室Ｃ１０内の気体は、この排気ポンプＴＭＰにより成膜室Ｃ１０外に排気することができる。また、成膜室Ｃ１０内には、ＴＭＡ原料が封入されたボトルＢからＴＭＡを導入することができるようになっている。成膜室Ｃ１０、ボトルＢおよびＡｒガスソース間を接続する配管には、マスフローコントローラＭＦＣ１やバルブＶ１１，Ｖ１２，Ｖ１３が介挿されている。
ここで、バルブＶ１１，Ｖ１３を開き、バルブＶ１２を閉じた状態にすると、ボトルＢにＡｒガスを導入することができる。そして、ボトルＢ内のＴＭＡ原料にキャリアガスとなるＡｒガスを吐出すると、ＴＭＡ原料がバブリングされ、ボトルＢからバルブＶ１３を通じて成膜室Ｃ１０内にＴＭＡが導入される。一方、バルブＶ１１を閉じ、バルブＶ１２，Ｖ１３を開いた状態では、Ａｒガスを直接成膜室Ｃ１０内に導入することができる。Ａｒガスの流量は、マスフローコントローラＭＦＣ１により調節することができる。また、ボトルＢ内の圧力は、圧力計Ｐにより検出することができ、ＴＭＡを成膜室Ｃ１０内に導入する場合、ボトルＢ内の圧力が所望の圧力となるようにＡｒ流量を調節する。
また、成膜室Ｃ１０内には、構造体１０１０を支持するための支持プレート３１１が配設されている。支持プレート３１１上には、構造体１０１０が支持プレート３１１の上面に沿って動くのを規制するためのホルダ３１３が設けられている。また、支持プレート３１１は、例えば、抵抗加熱式のホットプレートからなり、構造体１０１０を加熱することができる。また、支持プレート３１１は、成膜室Ｃ１０の周壁とは絶縁されており、支持プレート３１１にはＲＦ電源３１６が接続されている。このＲＦ電源３１６は、プラズマ生成室Ｓ１０で生成されたプラズマ状態の原子に対して、飛行方向を第２バッファ層２１１上の薄膜形成予定部位Ａ２１３に交差する方向へ異方性を持たせるためのものである。このようなプラズマを異方性を有するプラズマと称する。
成膜装置で使用されるホルダ３１３とマスク３０１の斜視図を図５に示す。
ホルダ３１３は、矩形枠状に形成されており、内側の周部全体に亘って段部３１３ａが形成されている。そして、成膜工程中は、ホルダ３１３の内側に構造体１０１０を配置した状態で、段部３１３ａにマスク３０１が載置される。このとき、構造体１０１０の第２バッファ層２１１上における薄膜形成予定部位Ａ２１３がマスク３０１の内側の窓部３０１ａから成膜室Ｃ１０内に露出した状態となる。
ホルダ３１３は、矩形枠状に形成されており、内側の周部全体に亘って段部３１３ａが形成されている。そして、成膜工程中は、ホルダ３１３の内側に構造体１０１０を配置した状態で、段部３１３ａにマスク３０１が載置される。このとき、構造体１０１０の第２バッファ層２１１上における薄膜形成予定部位Ａ２１３がマスク３０１の内側の窓部３０１ａから成膜室Ｃ１０内に露出した状態となる。
プラズマ生成室Ｓ１０の周囲には、ＲＦ電源３１５に接続されたアンテナＡＮが設けられており、プラズマ生成室Ｓ１０内には、酸素ガスや還元性ガスであるアンモニア（ＮＨ3）ガスを導入することができる。プラズマ生成室Ｓ１０およびアンモニアガスソース間を接続する配管には、マスフローコントローラＭＦＣ２およびバルブＶ２が介挿されている。また、プラズマ生成室Ｓ１０および酸素ガスソース間を接続する配管には、マスフローコントローラＭＦＣ３およびバルブＶ３が介挿されている。ここで、バルブＶ２を開くと、プラズマ生成室Ｓ１０内にアンモニアガスを導入することができ、バルブＶ３を開くと、プラズマ生成室Ｓ１０内に酸素ガスを導入することができる。
ここにおいて、プラズマ生成室Ｓ１０とアンテナＡＮとから、誘導結合型プラズマ源を構成している。ＲＦ電源３１５からアンテナＡＮに高周波電流が流れている状態で、プラズマ生成室Ｓ１０内に酸素ガスを導入することにより酸素プラズマを発生させることができる。また、プラズマ生成室Ｓ１０内にＮＨ3ガスを導入した状態でＲＦ電源３１５からアンテナＡＮに高周波電流を流すことにより還元性プラズマであるＮＨ２プラズマを発生させることができる。また、プラズマ生成室Ｓ１０と成膜室Ｃ１０との間には、シャッター３１４が設けられており、シャッター３１４を閉じることにより、プラズマ生成室Ｓ１０から成膜室Ｃ１０へのプラズマの侵入を遮断することができる。
また、成膜装置の一部を構成する、バルブＶ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２，Ｖ３の開閉動作、マスフローコントローラＭＦＣ１，ＭＦＣ２，ＭＦＣ３の流量調節およびシャッター３１４の開閉動作は、制御装置３１７により制御されている。
次に、第２封止層形成工程における、前述の成膜装置を用いた成膜プロセスついて詳細に説明する。
次に、第２封止層形成工程における、前述の成膜装置を用いた成膜プロセスついて詳細に説明する。
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法の一部を示すフローチャートを図６に示す。また、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２封止層形成工程における成膜メカニズムを説明するための模式図を図７および図８に示す。ここでは、第２封止層形成工程のうち、マスク配置工程の後の成膜工程について説明する。
成膜工程は、薄膜形成予定部位Ａ２１３に対して還元性プラズマ処理を行う第１還元性プラズマ処理工程（第２工程）と、還元性プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）における酸素（Ｏ）以外の構成元素であるアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物前駆体であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）に晒すＴＭＡ暴露工程（第３工程）と、ＴＭＡ暴露工程の後、酸素ラジカルが分散された酸素プラズマ雰囲気に晒す酸素プラズマ処理工程（第４工程）と、酸素プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウムからなる層に対して還元性プラズマ処理を行う第２還元性プラズマ処理工程（第５工程）とからなる。
成膜工程は、薄膜形成予定部位Ａ２１３に対して還元性プラズマ処理を行う第１還元性プラズマ処理工程（第２工程）と、還元性プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）における酸素（Ｏ）以外の構成元素であるアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物前駆体であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）に晒すＴＭＡ暴露工程（第３工程）と、ＴＭＡ暴露工程の後、酸素ラジカルが分散された酸素プラズマ雰囲気に晒す酸素プラズマ処理工程（第４工程）と、酸素プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウムからなる層に対して還元性プラズマ処理を行う第２還元性プラズマ処理工程（第５工程）とからなる。
まず、成膜工程を開始すると、成膜装置の一部を制御する制御装置３１７が、自装置が有するカウンタ３１９のカウンタ値ｎを初期値「０」に設定する（ステップＳ１）。このとき、バルブＶ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２，Ｖ３は全て閉じた状態となっている。
次に、第１還元性プラズマ処理工程を行う（ステップＳ２）。
ここでは、制御装置３１７が、アンテナＡＮに高周波電流が流れ且つ支持プレート３１１に高周波電圧が印加されている状態で、成膜装置のバルブＶ２を開くことにより、プラズマ生成室Ｓ１０内に還元性プラズマであるＮＨ2プラズマが生成されるとともに、生成されたＮＨ2プラズマが第２バッファ層２１１表面に照射される。このＮＨ2プラズマは、薄膜形成予定部位Ａ２１３に交差する方向に異方性を有する異方性プラズマである。このとき、ＳｉＯＮからなる第２バッファ層２１１上における薄膜形成予定部位Ａ２１３には、酸素欠損が生じる（図７（ａ）参照）。この酸素欠損が生じた箇所は、ＳｉやＮのダングリングが存在した状態となっており、化学的に活性化された状態となっている。また、ＮＨ2プラズマの薄膜形成予定部位Ａ２１３に対する進入角度が９０°に近づくほど、第２バッファ層２１１上において、酸素欠損が生じた部位が薄膜形成予定部位Ａ２１３の外側へのはみ出す量を小さくすることができる。
次に、第１還元性プラズマ処理工程を行う（ステップＳ２）。
ここでは、制御装置３１７が、アンテナＡＮに高周波電流が流れ且つ支持プレート３１１に高周波電圧が印加されている状態で、成膜装置のバルブＶ２を開くことにより、プラズマ生成室Ｓ１０内に還元性プラズマであるＮＨ2プラズマが生成されるとともに、生成されたＮＨ2プラズマが第２バッファ層２１１表面に照射される。このＮＨ2プラズマは、薄膜形成予定部位Ａ２１３に交差する方向に異方性を有する異方性プラズマである。このとき、ＳｉＯＮからなる第２バッファ層２１１上における薄膜形成予定部位Ａ２１３には、酸素欠損が生じる（図７（ａ）参照）。この酸素欠損が生じた箇所は、ＳｉやＮのダングリングが存在した状態となっており、化学的に活性化された状態となっている。また、ＮＨ2プラズマの薄膜形成予定部位Ａ２１３に対する進入角度が９０°に近づくほど、第２バッファ層２１１上において、酸素欠損が生じた部位が薄膜形成予定部位Ａ２１３の外側へのはみ出す量を小さくすることができる。
続いて、ＴＭＡ暴露工程を行う（ステップＳ３）。
ここでは、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ１１，Ｖ１３が開き、バルブＶ１２，Ｖ２およびシャッター３１４が閉じた状態にすることにより、成膜室Ｃ１０内にＴＭＡが導入され、第２バッファ層２１１上における薄膜形成予定部位Ａ２１３がＴＭＡに暴露される。このとき、第１還元性プラズマ処理工程において生じた第２バッファ層２１１表面の酸素欠損箇所に、ＴＭＡが吸着（化学吸着）される（図７（ｂ）参照）。ここにおいて、第２バッファ層２１１をＴＭＡに暴露する時間（ＴＭＡ暴露時間）は、例えば、０．０５ｓ程度に設定すればよい。そして、所定のＴＭＡ暴露時間が経過した後、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ１１が閉じ、バルブＶ１２，Ｖ１３が開いた状態にすることにより、成膜室Ｃ１０内にＡｒガスを導入して、成膜室Ｃ１０内の余剰ＴＭＡおよびＴＭＡの第２バッファ層２１１の表面への吸着に伴い生じた生成物を成膜室Ｃ１０外に排出する。
ここでは、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ１１，Ｖ１３が開き、バルブＶ１２，Ｖ２およびシャッター３１４が閉じた状態にすることにより、成膜室Ｃ１０内にＴＭＡが導入され、第２バッファ層２１１上における薄膜形成予定部位Ａ２１３がＴＭＡに暴露される。このとき、第１還元性プラズマ処理工程において生じた第２バッファ層２１１表面の酸素欠損箇所に、ＴＭＡが吸着（化学吸着）される（図７（ｂ）参照）。ここにおいて、第２バッファ層２１１をＴＭＡに暴露する時間（ＴＭＡ暴露時間）は、例えば、０．０５ｓ程度に設定すればよい。そして、所定のＴＭＡ暴露時間が経過した後、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ１１が閉じ、バルブＶ１２，Ｖ１３が開いた状態にすることにより、成膜室Ｃ１０内にＡｒガスを導入して、成膜室Ｃ１０内の余剰ＴＭＡおよびＴＭＡの第２バッファ層２１１の表面への吸着に伴い生じた生成物を成膜室Ｃ１０外に排出する。
その後、酸素プラズマ処理工程を行う（ステップＳ４）。
ここでは、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ３およびシャッター３１４を開き、バルブＶ１２，Ｖ１３を閉じることにより、プラズマ生成室Ｓ１０内に酸素プラズマが生成される。そして、生成された酸素プラズマが第２バッファ層２１１表面に照射される。このとき、第２バッファ層２１１の表面に吸着したＴＭＡが酸化される（図７（ｃ）参照）。そして、所定の時間が経過した後、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ３およびシャッター３１４を閉じ、バルブＶ１２，Ｖ１３を開くことにより、成膜室Ｃ１０内にＡｒガスを導入して、成膜室Ｃ１０内の余剰酸素およびＴＭＡの酸化に伴い生じた生成物を成膜室Ｃ１０外に排出する。
ここでは、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ３およびシャッター３１４を開き、バルブＶ１２，Ｖ１３を閉じることにより、プラズマ生成室Ｓ１０内に酸素プラズマが生成される。そして、生成された酸素プラズマが第２バッファ層２１１表面に照射される。このとき、第２バッファ層２１１の表面に吸着したＴＭＡが酸化される（図７（ｃ）参照）。そして、所定の時間が経過した後、制御装置３１７が、成膜装置のバルブＶ３およびシャッター３１４を閉じ、バルブＶ１２，Ｖ１３を開くことにより、成膜室Ｃ１０内にＡｒガスを導入して、成膜室Ｃ１０内の余剰酸素およびＴＭＡの酸化に伴い生じた生成物を成膜室Ｃ１０外に排出する。
次に、制御装置３１７が、自装置の有するカウンタ３１９のカウンタ値ｎが目標カウンタ値Ｋに到達したか否かを判定する（ステップＳ５）。この目標カウンタ値Ｋは、例えば、１４０に設定されている。
ステップＳ５において、制御装置３１７が、自装置の有するカウンタ３１９のカウンタ値ｎが目標カウンタ値Ｋに到達したと判定した場合（ステップＳ５：Ｙｅｓ）、成膜工程が終了する。
ステップＳ５において、制御装置３１７が、自装置の有するカウンタ３１９のカウンタ値ｎが目標カウンタ値Ｋに到達したと判定した場合（ステップＳ５：Ｙｅｓ）、成膜工程が終了する。
一方、ステップＳ５において、制御装置３１７が、自装置の有するカウンタ３１９のカウンタ値ｎが目標カウンタ値Ｋに到達していないと判定した場合（ステップＳ５：Ｎｏ）、第２還元性プラズマ処理工程を行う（ステップＳ６）。
ここでは、制御装置３１７が、ＲＦ電源３１５からアンテナＡＮに高周波電流が流れ且つ支持プレート３１１に高周波電圧が印加されている状態で、成膜装置のバルブＶ２を開く。すると、プラズマ生成室Ｓ１０内に還元性プラズマであるＮＨ２プラズマが生成されるとともに、生成されたＮＨ２プラズマが酸化アルミニウム膜１２１３表面に照射される。このとき、酸化アルミニウム膜１２１３の表面には、酸素欠損が生じる（図８（ａ）参照）。
ここでは、制御装置３１７が、ＲＦ電源３１５からアンテナＡＮに高周波電流が流れ且つ支持プレート３１１に高周波電圧が印加されている状態で、成膜装置のバルブＶ２を開く。すると、プラズマ生成室Ｓ１０内に還元性プラズマであるＮＨ２プラズマが生成されるとともに、生成されたＮＨ２プラズマが酸化アルミニウム膜１２１３表面に照射される。このとき、酸化アルミニウム膜１２１３の表面には、酸素欠損が生じる（図８（ａ）参照）。
続いて、制御装置３１７は、自装置の有するカウンタ３１９のカウンタ値ｎを１だけインクリメントする（ステップＳ７）。
その後、再び、ＴＭＡ暴露工程を行う（ステップＳ３）。このとき、酸化アルミニウム膜１２１３の表面に形成された酸素欠損箇所にＴＭＡが吸着される（図８（ｂ）参照）。
続いて、酸素プラズマ処理工程を行う（ステップＳ４）。このとき、酸化アルミニウム膜１２１３の表面に吸着したＴＭＡが酸化される（図８（ｃ）参照）。
その後、再び、ＴＭＡ暴露工程を行う（ステップＳ３）。このとき、酸化アルミニウム膜１２１３の表面に形成された酸素欠損箇所にＴＭＡが吸着される（図８（ｂ）参照）。
続いて、酸素プラズマ処理工程を行う（ステップＳ４）。このとき、酸化アルミニウム膜１２１３の表面に吸着したＴＭＡが酸化される（図８（ｃ）参照）。
以上に説明したように、成膜工程では、第１還元性プラズマ処理工程の後、制御装置３１７が有するカウンタ値ｎが目標カウンタ値Ｋに到達するまでの間、ＴＭＡ暴露工程から第２還元性プラズマ処理工程を繰り返す。
次に、本実施の形態に係る薄膜製造方法を採用した場合における、膜回り込みについて比較例と対比しながら説明する。
次に、本実施の形態に係る薄膜製造方法を採用した場合における、膜回り込みについて比較例と対比しながら説明する。
比較例に係る薄膜製造方法を採用した場合における、成膜工程中の表示パネル１０の領域Ａ２の様子を図９に示し、本実施の形態に係る薄膜製造方法を採用した場合における、成膜工程中の表示パネル１０の領域Ａ２の様子を図１０に示す。
まず、比較例に係る薄膜製造方法について説明する。
比較例に係る薄膜製造方法は、本実施の形態に係る薄膜製造方法と略同様であり、ＮＨ２プラズマ等を用いた還元性プラズマ処理工程が存在しない点が本実施の形態に係る薄膜製造方法とは相違する。
まず、比較例に係る薄膜製造方法について説明する。
比較例に係る薄膜製造方法は、本実施の形態に係る薄膜製造方法と略同様であり、ＮＨ２プラズマ等を用いた還元性プラズマ処理工程が存在しない点が本実施の形態に係る薄膜製造方法とは相違する。
図９（ａ）に示すように、比較例に係る薄膜製造方法では、ＴＭＡ暴露工程において、ＴＭＡが表示パネルとマスクとの間の隙間に侵入してしまう。そのため、薄膜形成予定部位Ａ２１３を大きく越えてＴＭＡが吸着されてしまう。
その後、図９（ｂ）に示すように、酸素プラズマ処理工程において、パッド部１２５や第２バッファ層２１１の表面に吸着したＴＭＡの一部が酸化される。薄膜形成予定部位Ａ２１３を越えてＴＭＡが吸着されると、第２封止層の大きさが設計値よりも大きくなってしまう。
その後、図９（ｂ）に示すように、酸素プラズマ処理工程において、パッド部１２５や第２バッファ層２１１の表面に吸着したＴＭＡの一部が酸化される。薄膜形成予定部位Ａ２１３を越えてＴＭＡが吸着されると、第２封止層の大きさが設計値よりも大きくなってしまう。
また、マスク３０１の端部から第２バッファ層２１１の端部までの距離を距離Ｗ１０とした場合、ＴＭＡが、マスクの端縁から当該マスクの端縁よりも距離Ｗ１０よりも長い距離Ｗ０だけ奥側の位置に至る部分まで侵入すると、当該部分に存在するパッド部１２５および第２バッファ層２１１の表面にＴＭＡが吸着される。この場合、パッド部１２５や第２バッファ層２１１の表面の一部が酸化アルミニウム膜１２１３で被覆される。
また、パッド部１２５や第２バッファ層２１１の表面に吸着したＴＭＡのうち、酸素プラズマ処理工程において酸化されなかったＴＭＡはそのまま残存する。例えば、マスク３０１の端縁から当該マスク３０１の端縁よりも距離Ｗ１だけ奥側の位置に至る部分まで酸化アルミニウム膜１２１３が形成され、更に、距離Ｗ２だけ奥側の位置に至る部分にＴＭＡからなるコンタミネーション層１２１４が形成される。
次に、本実施の形態に係る薄膜製造方法について説明する。
第１還元性プラズマ処理工程において、第２バッファ層２１１上における、薄膜形成予定部位Ａ２１３に酸素欠損が生じる。図１０（ａ）に示すように、例えば、マスク３０１の端縁部からマスク３０１と第２バッファ層２１１の隙間に距離Ｗだけ入り込んだ部位まで酸素欠損が生じる。ここで、ＮＨ2プラズマの薄膜形成予定部位Ａ２１３への侵入角度を９０°に近づければ、それだけ、距離Ｗを短くすることができる。
第１還元性プラズマ処理工程において、第２バッファ層２１１上における、薄膜形成予定部位Ａ２１３に酸素欠損が生じる。図１０（ａ）に示すように、例えば、マスク３０１の端縁部からマスク３０１と第２バッファ層２１１の隙間に距離Ｗだけ入り込んだ部位まで酸素欠損が生じる。ここで、ＮＨ2プラズマの薄膜形成予定部位Ａ２１３への侵入角度を９０°に近づければ、それだけ、距離Ｗを短くすることができる。
その後、図１０（ｂ）に示すように、ＴＭＡ暴露工程において、第２バッファ層２１１上における、酸素欠損が生じた部位に、ＴＭＡが吸着する。ここで、薄膜形成予定部位Ａ２１３には、酸素欠損が生じているため、ＴＭＡが薄膜形成予定部位Ａ２１３に吸着され易くなっている。従って、薄膜形成予定部位Ａ２１３へのＴＭＡの供給量を低減しても薄膜形成予定部位Ａ２１３全体に亘ってＴＭＡを比較的斑なく吸着させることができる。例えば、比較例に係る薄膜製造方法の場合、ＴＭＡ暴露工程において薄膜形成予定部位Ａ２１３に斑なくＴＭＡを吸着させるために必要なＴＭＡ導入量をＣとする。すると、本実施の形態に係る薄膜製造方法の場合、ＴＭＡ暴露工程において薄膜形成予定部位Ａ２１３に斑なくＴＭＡを吸着させるために必要なＴＭＡ導入量は、比較例におけるＴＭＡ導入量よりも少なく、例えば半分のＣ／２で十分である。例えば、比較例に係る薄膜製造方法の場合、必要なＴＭＡ導入量が１ｍｇとすれば、本実施の形態に係る薄膜製造方法の場合、必要なＴＭＡ導入量を０．５ｍｇで十分である。このように、ＴＭＡの消費量を抑えることができる結果、成膜装置において、ボトルＢにＴＭＡを補充したり、或いは、ＴＭＡが充填されたボトルＢを新しいものに交換する等のメンテナンス頻度を低減することができる。
そして、ＴＭＡ暴露工程における、ＴＭＡの導入量を比較例に比べて低減でき、薄膜形成予定部位Ａ２１３外周部のマスク３０１と第２バッファ層２１１との隙間へのＴＭＡの侵入を抑制できる。実際、比較例における距離Ｗ１０の長さが５ｍｍとすると、本実施の形態に係る距離Ｗの長さは、約２．５ｍｍ程度に低減することができる。つまり、第２バッファ層２１１上の薄膜形成予定部位Ａ２１３以外の部位に薄膜が形成されてしまうこと（いわゆる膜の回り込み）が抑制される。
ところで、本実施の形態に係る成膜装置では、成膜室Ｃ１０内への単位時間当たりのＴＭＡ流入量は一定である。従って、必要なＴＭＡ導入量が少なくなれば、その分、ＴＭＡ暴露工程に要する時間も短縮することができる。例えば、必要なＴＭＡ導入量が半分になれば、ＴＭＡ暴露工程に要する時間も約半分にすることができると推測できる。ＴＭＡ暴露工程に要する時間を短縮できれば、成膜工程に要する時間全体の短縮に繋がるので、薄膜製造工程におけるスループットの向上を図ることができる。
また、ＴＭＡ暴露工程では、第２バッファ層２１１上の薄膜形成予定部位Ａ２１３に供給されたＴＭＡのほとんどが第２バッファ層２１１表面の酸素欠損箇所に吸着される。これにより、ＴＭＡのマスク３０１と第２バッファ層２１１との間の隙間への侵入距離は、酸素欠損が生じた部位、即ち、マスク３０１の端縁部からマスク３０１と第２バッファ層２１１の隙間に距離Ｗだけ入り込んだ部位に略等しくなっている。そのため、酸化物が形成される領域が、薄膜形成予定部位Ａ２１３よりも増加する領域の大きさを、比較例よりも抑制することができる。
また、距離Ｗが、マスク３０１の端部から第２バッファ層２１１の端部までの距離Ｗ１０よりも小さい場合は、ＴＭＡは、構造体１０１０周部に位置するパッド部１２５表面には、吸着されない。
その後、図１０（ｃ）に示すように、酸素プラズマ処理工程において、第２バッファ層２１１上に吸着したＴＭＡが酸化されることにより、厚みが略一原子層分の酸化アルミニウム膜１２１３が形成される。ここで、距離Ｗがマスク３０１の端部から第２バッファ層２１１の端部までの距離Ｗ１０よりも小さい場合、パッド部１２５表面には酸化アルミニウム膜１２１３が形成されない。
その後、図１０（ｃ）に示すように、酸素プラズマ処理工程において、第２バッファ層２１１上に吸着したＴＭＡが酸化されることにより、厚みが略一原子層分の酸化アルミニウム膜１２１３が形成される。ここで、距離Ｗがマスク３０１の端部から第２バッファ層２１１の端部までの距離Ｗ１０よりも小さい場合、パッド部１２５表面には酸化アルミニウム膜１２１３が形成されない。
ここで、比較例に係る薄膜製造方法を用いて製造された表示パネル１０の部分断面図を図１１（ａ）に示し、本実施の形態に係る薄膜製造方法を用いて製造された表示パネル１０の部分断面図を図１１（ｂ）に示す。
図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、パッド部１２５は、外部の駆動装置から導出したフレキシブル配線板５０１に電気的に接続される。フレキシブル配線基板５０１は、フレキシブル性を有した配線基板本体５０１ａと、配線基板本体５０１ａの下面に設けられた配線端子５０１ｂとを有する。ここで、配線端子５０１ｂは、複数設けられており、複数のパッド部１２５それぞれに対応している。そして、表示パネル１０のＴＦＴ基板１０３とフレキシブル配線基板５０１とは、導電性粒子が分散した接着層５０２により接合されている。ここにおいて、パッド部１２５と配線端子５０１ｂとが、接着層５０２中に含まれる導電性粒子（図示せず）が介在した箇所を介して互いに電気的に接続されている。
図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、パッド部１２５は、外部の駆動装置から導出したフレキシブル配線板５０１に電気的に接続される。フレキシブル配線基板５０１は、フレキシブル性を有した配線基板本体５０１ａと、配線基板本体５０１ａの下面に設けられた配線端子５０１ｂとを有する。ここで、配線端子５０１ｂは、複数設けられており、複数のパッド部１２５それぞれに対応している。そして、表示パネル１０のＴＦＴ基板１０３とフレキシブル配線基板５０１とは、導電性粒子が分散した接着層５０２により接合されている。ここにおいて、パッド部１２５と配線端子５０１ｂとが、接着層５０２中に含まれる導電性粒子（図示せず）が介在した箇所を介して互いに電気的に接続されている。
図１１（ａ）に示すように、比較例に係る薄膜製造方法を採用して製造された表示パネル１０の場合、フレキシブル配線基板５０１の配線端子５０１ｂとパッド部１２５表面との間に、酸化アルミニウム膜１２１３やコンタミネーション層１２１４が介在している場合には、配線端子５０１ｂとパッド部１２５との接合部分で電気的接続不良が生じてしまうことがある。
これに対して、図１１（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る薄膜製造方法を採用して製造された表示パネル１０の場合、パッド部１２５上に酸化アルミニウム膜１２１３やコンタミネーション層１２１４が形成されにくく、配線端子５０２ｂとパッド部１２５との接合部分の電気的接続を良好にすることができる。
ところで、図３（ｂ）に示すように、成膜工程中、マスク３０１の第２バッファ層２１１側とは反対側の面には、酸化アルミニウム膜３０３が形成される。この酸化アルミニウム膜３０３は、第２還元性プラズマ処理工程後、表面に酸素欠損が生じる。この表面に酸素欠損が生じた酸化アルミニウム膜３０３は、ＴＭＡ暴露工程において、ＴＭＡを吸着する吸着層として機能する。このように、マスク３０１に形成された酸化アルミニウム膜３０３が、吸着層として機能することにより、ＴＭＡ暴露工程におけるチャンバー内を浮遊する余剰ＴＭＡ量が減少し、ＴＭＡがマスク３０１と第２バッファ層２１１との間の隙間へ侵入する現象が抑制される。
ところで、図３（ｂ）に示すように、成膜工程中、マスク３０１の第２バッファ層２１１側とは反対側の面には、酸化アルミニウム膜３０３が形成される。この酸化アルミニウム膜３０３は、第２還元性プラズマ処理工程後、表面に酸素欠損が生じる。この表面に酸素欠損が生じた酸化アルミニウム膜３０３は、ＴＭＡ暴露工程において、ＴＭＡを吸着する吸着層として機能する。このように、マスク３０１に形成された酸化アルミニウム膜３０３が、吸着層として機能することにより、ＴＭＡ暴露工程におけるチャンバー内を浮遊する余剰ＴＭＡ量が減少し、ＴＭＡがマスク３０１と第２バッファ層２１１との間の隙間へ侵入する現象が抑制される。
＜３＞まとめ
結局、本実施の形態に係る薄膜製造方法は、第１還元性プラズマ処理工程を有することにより、薄膜形成予定部位Ａ２１３に酸素欠損を生じさせ、その状態で、ＴＭＡ暴露工程において、薄膜形成予定部位Ａ２１３をＴＭＡに晒す。薄膜形成予定部位Ａ２１３に酸素欠損が生じているため、ＴＭＡ暴露工程において、ＴＭＡが薄膜形成予定部位Ａ２１３に吸着され易くなっている。従って、第１還元性プラズマ処理工程において、マスク３０１と第２バッファ層２１１との間へのＮＨ2プラズマの侵入を抑制すれば、ＴＭＡの第２バッファ層２１１とマスク３０１との間の隙間へのＴＭＡの侵入を抑制でき、ＴＭＡを略薄膜形成予定部位Ａ２１３のみに吸着させることとなる。これにより、従来のようなマスク３０１と第２バッファ層２１１との間、即ち、第２バッファ層２１１上の薄膜形成予定部位Ａ２１１以外の部位にＡｌ2Ｏ3からなる薄膜やＴＭＡからなる層が形成されてしまうこと（いわゆる膜の回り込み）を抑制できる。
結局、本実施の形態に係る薄膜製造方法は、第１還元性プラズマ処理工程を有することにより、薄膜形成予定部位Ａ２１３に酸素欠損を生じさせ、その状態で、ＴＭＡ暴露工程において、薄膜形成予定部位Ａ２１３をＴＭＡに晒す。薄膜形成予定部位Ａ２１３に酸素欠損が生じているため、ＴＭＡ暴露工程において、ＴＭＡが薄膜形成予定部位Ａ２１３に吸着され易くなっている。従って、第１還元性プラズマ処理工程において、マスク３０１と第２バッファ層２１１との間へのＮＨ2プラズマの侵入を抑制すれば、ＴＭＡの第２バッファ層２１１とマスク３０１との間の隙間へのＴＭＡの侵入を抑制でき、ＴＭＡを略薄膜形成予定部位Ａ２１３のみに吸着させることとなる。これにより、従来のようなマスク３０１と第２バッファ層２１１との間、即ち、第２バッファ層２１１上の薄膜形成予定部位Ａ２１１以外の部位にＡｌ2Ｏ3からなる薄膜やＴＭＡからなる層が形成されてしまうこと（いわゆる膜の回り込み）を抑制できる。
ところで、膜の回り込みを考慮して、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１で覆われる部位の大きさを大きくすることが考えられる。
一方、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１により覆われる部位は、第２封止層２１３の膜厚を制御することができないため、封止性を確保することが困難である。従って、発光層１１３を設けることができる部位は、第２バッファ層２１１におけるマスク３０１で覆われない部位、即ち、第２バッファ層２１１におけるマスク３０１の窓部３０１ａに対応する部位内に制限されてしまう。
一方、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１により覆われる部位は、第２封止層２１３の膜厚を制御することができないため、封止性を確保することが困難である。従って、発光層１１３を設けることができる部位は、第２バッファ層２１１におけるマスク３０１で覆われない部位、即ち、第２バッファ層２１１におけるマスク３０１の窓部３０１ａに対応する部位内に制限されてしまう。
従って、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１により覆われる部位を大きくすると、その分、発光層１１３を設けることができる部位、即ち、表示パネル１０の表示領域の大きさが小さくなる。すると、表示パネル１０全体の大きさを変えずに表示領域の大きさだけを拡大したいという要請に応じることが困難になる。
これに対して、本実施の形態に係る薄膜製造方法を採用すれば、膜の回り込みを抑制することができるので、その分、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１により覆われる部位を小さくすることができる。そして、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１により覆われる部位を小さくすれば、その分、表示パネル１０における表示領域を拡大することができる。
これに対して、本実施の形態に係る薄膜製造方法を採用すれば、膜の回り込みを抑制することができるので、その分、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１により覆われる部位を小さくすることができる。そして、第２バッファ層２１１の周部におけるマスク３０１により覆われる部位を小さくすれば、その分、表示パネル１０における表示領域を拡大することができる。
＜実施の形態２＞
本実施の形態に係るＴＦＴ基板２０１０の構成について説明する。
本実施の形態に係るＴＦＴ基板２０１０の斜視図を図１２に示す。また、図１２に示したＴＦＴ基板２０１０について、図１２の領域Ａ２１の断面図を図１３（ａ）に示し、図１２の領域Ａ２２の断面図を図１３（ｂ）に示す。
本実施の形態に係るＴＦＴ基板２０１０の構成について説明する。
本実施の形態に係るＴＦＴ基板２０１０の斜視図を図１２に示す。また、図１２に示したＴＦＴ基板２０１０について、図１２の領域Ａ２１の断面図を図１３（ａ）に示し、図１２の領域Ａ２２の断面図を図１３（ｂ）に示す。
ＴＦＴ基板２０１０は、平面視矩形状に形成されている。このＴＦＴ基板２０１０は、基板本体２１０３と、基板本体２１０３上に形成された複数のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）からなる。また、ＴＦＴ基板２０１０の外周部には、ＴＦＴ基板２０１０の各辺に沿ってＴＦＴを駆動するための駆動回路が配置される。そして、ＴＦＴ基板２０１０の周部には、表示パネル２０１０の外周部に配置された駆動回路に接続するための複数のパッド部２１２５が配設されている。
ＴＦＴ基板２０１０における領域Ａ２１の構造について説明する。
図１３（ａ）に示すように、領域Ａ２１では、基板本体２１０３上に、ゲート電極２１０６が形成されている。ゲート電極２１０６は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等から形成されている。
基板本体２１０３上におけるゲート電極２１０６が形成されていない領域およびゲート電極２１０６上には、ゲート絶縁膜２１０５が形成されている。即ち、ゲート絶縁膜２１０５は、基板本体２１０３上にゲート電極２１０６を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜２１０５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等の化合物から形成されている。
図１３（ａ）に示すように、領域Ａ２１では、基板本体２１０３上に、ゲート電極２１０６が形成されている。ゲート電極２１０６は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等から形成されている。
基板本体２１０３上におけるゲート電極２１０６が形成されていない領域およびゲート電極２１０６上には、ゲート絶縁膜２１０５が形成されている。即ち、ゲート絶縁膜２１０５は、基板本体２１０３上にゲート電極２１０６を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜２１０５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等の化合物から形成されている。
ゲート絶縁膜２１０５上における、ゲート電極２１０６の上方を含む領域には、半導体層２４０７が形成されている。半導体層２４０７は、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）等を含む酸化物半導体から形成されている。
半導体層２４０７上には、半導体層２４０７の一部を覆うようにドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５が配置されている。ドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５は、例えば、モリブデンやクロム（Ｃｒ）或いはチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタンの積層構造から形成されている。
半導体層２４０７上には、半導体層２４０７の一部を覆うようにドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５が配置されている。ドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５は、例えば、モリブデンやクロム（Ｃｒ）或いはチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタンの積層構造から形成されている。
ここにおいて、ゲート電極２１０６、ゲート絶縁膜２１０５、半導体層２４０７、ドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５からＴＦＴを有する。
ドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５上と、半導体層２４０７上におけるドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５に覆われていない領域と、ゲート絶縁膜２１０５上における、ドレイン電極２４０３、ソース電極２４０５および半導体層２４０７
に覆われていない領域には、バッファ層（第１酸化物層）２１１３が形成されている。即ち、バッファ層２１１３は、ＴＦＴおよび基板本体２１０３上におけるＴＦＴが形成されていない部位の上方を覆うように形成されている。バッファ層２１１３は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる。なお、バッファ層２１１３を形成する材料としては、例えば、炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、酸窒素アルミニウム（ＡｌXＯYＮZ）等の化合物であってもよい。
ドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５上と、半導体層２４０７上におけるドレイン電極２４０３およびソース電極２４０５に覆われていない領域と、ゲート絶縁膜２１０５上における、ドレイン電極２４０３、ソース電極２４０５および半導体層２４０７
に覆われていない領域には、バッファ層（第１酸化物層）２１１３が形成されている。即ち、バッファ層２１１３は、ＴＦＴおよび基板本体２１０３上におけるＴＦＴが形成されていない部位の上方を覆うように形成されている。バッファ層２１１３は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる。なお、バッファ層２１１３を形成する材料としては、例えば、炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、酸窒素アルミニウム（ＡｌXＯYＮZ）等の化合物であってもよい。
バッファ層２１１３上には、封止層２１１５が形成されている。封止層２１１５は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる化合物層である。なお、封止層１２３を構成する材料は、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の化合物であってもよい。
次に、ＴＦＴ基板２０１０における領域Ａ２２の構造について説明する。
次に、ＴＦＴ基板２０１０における領域Ａ２２の構造について説明する。
図１３（ｂ）に示すように、領域Ａ２２では、基板本体２１０３上に、ゲート絶縁膜２１０５、バッファ層２１１３および封止層２１１５が積層されている。
領域Ａ２２を含むＴＦＴ基板２０１０の周部には、ＴＦＴが形成されていない。また、ゲート絶縁膜２１０５の端部は、基板本体２１０３の端部よりも内側に位置している。そして、基板本体２１０３上に形成された配線２１２６が、基板本体２１０３の主面に沿って延伸しバッファ層２１１３の外側に配設されたパッド部２１２５に連続している。
領域Ａ２２を含むＴＦＴ基板２０１０の周部には、ＴＦＴが形成されていない。また、ゲート絶縁膜２１０５の端部は、基板本体２１０３の端部よりも内側に位置している。そして、基板本体２１０３上に形成された配線２１２６が、基板本体２１０３の主面に沿って延伸しバッファ層２１１３の外側に配設されたパッド部２１２５に連続している。
バッファ層２１１３は、ＴＦＴおよび基板本体２１０３上におけるＴＦＴが形成されていない部位の上方を覆うように形成されている。そして、基板本体２１０３の主面に平行な面内において、封止層２１１５の端部は、バッファ層２１１３の端部よりも内側に位置している。
次に、本実施の形態に係るＴＦＴ基板２０１０の製造工程について説明する。
次に、本実施の形態に係るＴＦＴ基板２０１０の製造工程について説明する。
ＴＦＴ基板２０１０の製造工程は、（１）ゲート電極を形成する工程（ゲート電極形成工程）、（２）ゲート絶縁膜を形成する工程（ゲート絶縁膜形成工程）、（３）半導体層を形成する工程（半導体層形成工程）、（４）ドレイン電極およびソーズ電極を形成する工程（電極形成工程）、（５）バッファ層を形成する工程（バッファ層形成工程）、（６）封止層を形成する工程（封止層形成工程）を有する。
ＴＦＴ基板２０１０の製造工程を説明するためのＴＦＴ基板２０１０の断面図を図１４に示す。図１４では、ＴＦＴ基板２０１０における領域Ａ２２に対応する部分の断面図を示している。
ＴＦＴ基板２０１０の製造工程のうち、（１）ゲート電極形成工程乃至（５）バッファ層形成工程まで終了すると、ＴＦＴ基板２０１０から封止層２１１５を除いた構成を有する構造体３０１０が生成される（図１４（ａ）参照）。
ＴＦＴ基板２０１０の製造工程のうち、（１）ゲート電極形成工程乃至（５）バッファ層形成工程まで終了すると、ＴＦＴ基板２０１０から封止層２１１５を除いた構成を有する構造体３０１０が生成される（図１４（ａ）参照）。
以下、この構造体３０１０が生成された後、ＴＦＴ基板２０１０を完成させるために行う（１３）封止層形成工程について詳細に説明する。
封止層形成工程では、ＡＬＤ法を用いて、ＳｉＯＮからなるバッファ層２１１３上の一部に酸化アルミニウムからなる封止層（薄膜）２１１５を形成する。
封止層形成工程は、バッファ層２１１３の上方に、マスク３０１を配置するマスク配置工程（第１工程）と、バッファ層２１１３の上方にマスク３０１を配置した状態で酸化アルミニウムをＡＬＤ法を用いて成膜することにより封止層２１１５を形成する成膜工程とからなる。ここで、マスク配置工程では、マスク３０１をバッファ層２１１３上のうち封止層２１１５を形成する予定の部位（以下、「薄膜形成予定部位」と称する。）Ａ２１１５が露出するように配置する。
封止層形成工程では、ＡＬＤ法を用いて、ＳｉＯＮからなるバッファ層２１１３上の一部に酸化アルミニウムからなる封止層（薄膜）２１１５を形成する。
封止層形成工程は、バッファ層２１１３の上方に、マスク３０１を配置するマスク配置工程（第１工程）と、バッファ層２１１３の上方にマスク３０１を配置した状態で酸化アルミニウムをＡＬＤ法を用いて成膜することにより封止層２１１５を形成する成膜工程とからなる。ここで、マスク配置工程では、マスク３０１をバッファ層２１１３上のうち封止層２１１５を形成する予定の部位（以下、「薄膜形成予定部位」と称する。）Ａ２１１５が露出するように配置する。
図１４（ｂ）に示すように、バッファ層２１１３の上方にマスク３０１を配置した状態で酸化アルミニウム膜１２１１５を成膜していく。そして、酸化アルミニウム膜１２１１５を所定の膜厚になるまで成膜するとマスク３０１を取り外す。こうして、ＴＦＴ基板２０１０が完成する（図１４（ｃ）参照）。
上記成膜工程は、実施の形態１と同様に、薄膜形成予定部位Ａ２１１５に対して還元性プラズマ処理を行う第１還元性プラズマ処理工程（第２工程）と、還元性プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）における酸素（Ｏ）以外の構成元素であるアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物前駆体であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）に晒すＴＭＡ暴露工程（第３工程）と、ＴＭＡ暴露工程の後、酸素ラジカルが分散された酸素プラズマ雰囲気に晒す酸素プラズマ処理工程（第４工程）と、酸素プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウムからなる層に対して還元性プラズマ処理を行う第２還元性プラズマ処理工程（第５工程）とからなる。各工程は、実施の形態１と同様なので、ここでは詳細な説明を省略する。
上記成膜工程は、実施の形態１と同様に、薄膜形成予定部位Ａ２１１５に対して還元性プラズマ処理を行う第１還元性プラズマ処理工程（第２工程）と、還元性プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）における酸素（Ｏ）以外の構成元素であるアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物前駆体であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）に晒すＴＭＡ暴露工程（第３工程）と、ＴＭＡ暴露工程の後、酸素ラジカルが分散された酸素プラズマ雰囲気に晒す酸素プラズマ処理工程（第４工程）と、酸素プラズマ処理工程の後、酸化アルミニウムからなる層に対して還元性プラズマ処理を行う第２還元性プラズマ処理工程（第５工程）とからなる。各工程は、実施の形態１と同様なので、ここでは詳細な説明を省略する。
本実施の形態では、第１還元性プラズマ処理工程を有することにより、薄膜形成予定部位Ａ２１１５に酸素欠損を生じさせ、その状態で、ＴＭＡ暴露工程において、薄膜形成予定部位Ａ２１１５をＴＭＡに晒す。薄膜形成予定部位Ａ２１１５に酸素欠損が生じているため、ＴＭＡ暴露工程において、ＴＭＡが薄膜形成予定部位Ａ２１１５に吸着され易くなっている。そのため、ＴＭＡの供給量を低減でき、薄膜形成予定部位Ａ２１１５外周部のマスク３０１とバッファ層２１１３との隙間へのＴＭＡの侵入を抑制できる。これにより、バッファ層２１１３上の薄膜形成予定部位Ａ２１１５以外の部位に薄膜が形成されてしまうこと（いわゆる膜の回り込み）を抑制できる。
＜変形例＞
（１）実施の形態１では、酸素プラズマ処理を含む薄膜製造方法について説明したが、例えば、酸素プラズマ処理の変わりに薄膜形成予定部位Ａ２１３を水蒸気（Ｈ2Ｏ）に晒す工程を設けてもよい。
（２）実施の形態１では、第２封止層２１３が、第２バッファ層２１１上における発光層１１３の上方を含む部位を覆うように形成された例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２封止層２１３が、第２バッファ層２１１上における、発光層１１３の内周部の一部を除く部位の上方を覆うように形成されているものであってもよい。つまり、第２封止層２１３が、第２バッファ層２１１上における発光層１１３の上方の一部を覆っていないものであってもよい。
（１）実施の形態１では、酸素プラズマ処理を含む薄膜製造方法について説明したが、例えば、酸素プラズマ処理の変わりに薄膜形成予定部位Ａ２１３を水蒸気（Ｈ2Ｏ）に晒す工程を設けてもよい。
（２）実施の形態１では、第２封止層２１３が、第２バッファ層２１１上における発光層１１３の上方を含む部位を覆うように形成された例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２封止層２１３が、第２バッファ層２１１上における、発光層１１３の内周部の一部を除く部位の上方を覆うように形成されているものであってもよい。つまり、第２封止層２１３が、第２バッファ層２１１上における発光層１１３の上方の一部を覆っていないものであってもよい。
本変形例に係る表示パネル４０１０の要部平面図を図１５に示す。
表示パネル４０１０は、実施の形態１に係る表示パネル１０と略同様の構成を有する。図１５は、表示パネル４０１０について、図１における領域Ａ１に対応する部分の部分平面図を示したものである。図１５に示すように、第２封止層２１３における、発光層１１３の内周部の一部に対応する部位に、窓部４２１３ａが形成されている。そして、この窓部４２１３ａから第２バッファ層２１１が露出している。
表示パネル４０１０は、実施の形態１に係る表示パネル１０と略同様の構成を有する。図１５は、表示パネル４０１０について、図１における領域Ａ１に対応する部分の部分平面図を示したものである。図１５に示すように、第２封止層２１３における、発光層１１３の内周部の一部に対応する部位に、窓部４２１３ａが形成されている。そして、この窓部４２１３ａから第２バッファ層２１１が露出している。
本構成によれば、表示パネル４０１０の完成品について、例えば、発光層１１３からの光取り出し効率が極端に低い不良品が発生した場合、その原因が第２封止層形成工程にあるのか、或いは、第２封止層形成工程よりも前の工程にあるのかを切り分けることが容易になる。従って、不良原因の早期発見を図ることができる。
（３）実施の形態１では、発光機能層が、金属酸化物からなる正孔注入層１０９と、有機材料からなる発光層１１３と、有機材料からなる電子輸送層１１５の３層構造からなる例について説明したが、この構造に限定されるものではなく、例えば、発光機能層が、化合物半導体等の無機材料からなるものであってもよい。
（３）実施の形態１では、発光機能層が、金属酸化物からなる正孔注入層１０９と、有機材料からなる発光層１１３と、有機材料からなる電子輸送層１１５の３層構造からなる例について説明したが、この構造に限定されるものではなく、例えば、発光機能層が、化合物半導体等の無機材料からなるものであってもよい。
（４）実施の形態１では、第２封止層形成工程で用いる成膜装置が、プラズマ源として誘導結合型プラズマ源を用いる例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、プラズマ源として、容量結合型プラズマ源や表面波プラズマ源、電子サイクロトン共鳴プラズマ源、ヘリコン波励起プラズマ源、マイクロ波励起表面波プラズマ源等を用いるものであってもよい。
本発明は、表示パネルやＴＦＴ基板等の一部を構成する薄膜の製造方法に広く利用可能である。
１０，４０１０ 表示パネル
１０３，２０１０ ＴＦＴ基板
１０３ａ，２１０３ 基板本体
１０５ 絶縁膜
１０７ 陽極
１０９ 正孔注入層
１１１ バンク
１１３ 発光層
１１５ 電子輸送層
１１７ 陰極
１１９，２１９ 封止部
１２１ 第１バッファ層
１２３ 第１封止層
１２５，２１２５ パッド部
１２６，２１２６ 配線
２１１ 第２バッファ層
２１３ 第２封止層
３０１ マスク
３０１ａ 窓部
３０３，１２１３，１２１１５ 酸化アルミニウム膜
３１１ 支持プレート
３１３ ホルダ
３１３ａ 段部
３１４ シャッター
３１５，３１６ ＲＦ電源
３１７ 制御装置
３１９ カウンタ
１０１０，３０１０ 構造体
１２１４ コンタミネーション層
２１０５ ゲート絶縁膜
２１０６ ゲート電極
２１１３ バッファ層
２１１５ 封止層
２４０３ ドレイン電極
２４０５ ソース電極
２４０７ 半導体層
Ａ２１３，Ａ２１１５ 薄膜形成予定部位
Ｃ１０ 成膜室
Ｓ１０ プラズマ生成室
ＭＦＣ１，ＭＦＣ２，ＭＦＣ３ マスフローコントローラ
Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３ バルブ
１０３，２０１０ ＴＦＴ基板
１０３ａ，２１０３ 基板本体
１０５ 絶縁膜
１０７ 陽極
１０９ 正孔注入層
１１１ バンク
１１３ 発光層
１１５ 電子輸送層
１１７ 陰極
１１９，２１９ 封止部
１２１ 第１バッファ層
１２３ 第１封止層
１２５，２１２５ パッド部
１２６，２１２６ 配線
２１１ 第２バッファ層
２１３ 第２封止層
３０１ マスク
３０１ａ 窓部
３０３，１２１３，１２１１５ 酸化アルミニウム膜
３１１ 支持プレート
３１３ ホルダ
３１３ａ 段部
３１４ シャッター
３１５，３１６ ＲＦ電源
３１７ 制御装置
３１９ カウンタ
１０１０，３０１０ 構造体
１２１４ コンタミネーション層
２１０５ ゲート絶縁膜
２１０６ ゲート電極
２１１３ バッファ層
２１１５ 封止層
２４０３ ドレイン電極
２４０５ ソース電極
２４０７ 半導体層
Ａ２１３，Ａ２１１５ 薄膜形成予定部位
Ｃ１０ 成膜室
Ｓ１０ プラズマ生成室
ＭＦＣ１，ＭＦＣ２，ＭＦＣ３ マスフローコントローラ
Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３ バルブ
Claims (14)
- 第１酸化物層上の一部に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する薄膜製造方法であって、
前記第１酸化物層の上方に、前記第１酸化物層のうち前記薄膜を形成する予定の薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、
前記第１工程の後、前記薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、
前記第２工程の後、前記薄膜形成予定部位を前記酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含み、
少なくとも前記第３工程において、互いに対向する前記マスク表面と前記第１酸化物層表面との間には隙間が存在している
ことを特徴とする薄膜製造方法。 - 前記第３工程の後、前記薄膜形成予定部位を、前記第３工程において前記酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒すことにより前記薄膜形成予定部位に吸着した前記酸化物前駆体を、酸素を含んで構成された分子またはラジカルに晒す第４工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜製造方法。 - 前記第４工程の後、前記薄膜形成予定部位に吸着した前記酸化物前駆体を、前記第４工程において酸素を含んで構成された分子またはラジカルに晒すことにより形成された前記酸化物からなる層に対して、還元性プラズマ処理を行う第５工程と、を含み、
前記第４工程の後に、前記第５工程と前記第３工程を少なくとも１回以上行う
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜製造方法。 - 前記第２工程では、前記薄膜形成予定部位に対して前記薄膜形成予定部位に交差する方向に異方性を有する還元性プラズマを照射することにより還元性プラズマ処理を行い、
前記第５工程では、前記酸化物からなる層に対して前記薄膜形成予定部位に交差する方向に異方性を有する還元性プラズマを照射することにより還元性プラズマ処理を行う
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜製造方法。 - 前記マスクは、前記第１酸化物層側とは反対側の面に、前記酸化物からなり前記酸化物前駆体を吸着する吸着層が形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜製造方法。 - 前記酸化物は、酸化アルミニウムであり、
前記酸化物前駆体は、トリメチルアルミニウムである
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薄膜製造方法。 - 前記第１酸化物層は、酸化シリコンを含む
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の薄膜製造方法。 - 前記第１酸化物層は、化合物からなる化合物層上に形成されてなり、
第１酸化物層は、前記化合物の酸化物からなる
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の薄膜製造方法。 - 前記化合物は、窒化アルミニウムおよび窒化シリコンの少なくとも一方を含む
ことを特徴とする請求項８記載の薄膜製造方法。 - 基板と、当該基板の上方に形成された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、前記第１酸化物層上における、少なくとも前記複数の発光層が形成された領域の上方を含む薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する表示パネルの製造方法であって、
前記第１酸化物層の上方に、前記第１酸化物層上における前記薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、
前記第１工程の後、前記薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、
前記第２工程の後、前記薄膜形成予定部位を前記酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含み、
少なくとも前記第３工程において、互いに対向する前記マスク表面と前記第１酸化物層表面との間には隙間が存在している
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 前記構造体は、前記基板上における、前記複数の発光層それぞれの下方に相当する領域から前記複数の発光層それぞれの下方に相当する領域の外側に延出した複数の配線を有し、
前記薄膜形成予定部位は、第１酸化物層上における、前記複数の発光層それぞれの下方に相当する領域の外側に延出した前記配線の一部の上方に相当する部位を含む
ことを特徴とする請求項１０記載の表示パネルの製造方法。 - 基板と、当該基板の上方に形成された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、前記第１酸化物層上における、前記発光層の一部を除く部位の上方に相当する薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成する表示パネルの製造方法であって、
前記第１酸化物層の上方に、前記第１酸化物層上における前記薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、
前記第１工程の後、前記薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、
前記第２工程の後、前記薄膜形成予定部位を前記酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含み、
少なくとも前記第３工程において、互いに対向する前記マスク表面と前記第１酸化物層表面との間には隙間が存在している
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 前記発光層は、有機材料からなる
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の表示パネルの製造方法。 - 基板と、当該基板上に形成された少なくとも１つのＴＦＴとを有し、前記ＴＦＴが、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上に前記ゲート電極を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、当該半導体層の一部を覆うように配置されたドレイン電極およびソース電極と、前記ドレイン電極および前記ソース電極上、
半導体層上を含む部位を覆うように形成された第１酸化物層とを有する構造体に対して、
前記第１酸化物層上における、前記半導体層の上方を含む薄膜形成予定部位に酸化物からなる薄膜を原子層堆積法を用いて形成するＴＦＴ基板の製造方法であって、
前記第１酸化物層の上方に、前記第１酸化物層上における前記薄膜形成予定部位が露出するようにマスクを配置する第１工程と、
前記第１工程の後、前記薄膜形成予定部位に対して還元性プラズマ処理を行う第２工程と、
前記第２工程の後、前記薄膜形成予定部位を前記酸化物における酸素以外の構成元素を含む酸化物前駆体に晒す第３工程と、を含み、
少なくとも前記第３工程において、互いに対向する前記マスク表面と前記第１酸化物層表面との間には隙間が存在している
ことを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012107770A JP5953531B2 (ja) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012107770A JP5953531B2 (ja) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013235978A JP2013235978A (ja) | 2013-11-21 |
| JP5953531B2 true JP5953531B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=49761855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012107770A Active JP5953531B2 (ja) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5953531B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6554742B2 (ja) | 2014-10-22 | 2019-08-07 | 国立大学法人静岡大学 | エレクトレット素子、当該エレクトレット素子を搭載したマイクロフォン、及び、当該エレクトレット素子の製造方法 |
| KR20200080342A (ko) | 2015-02-13 | 2020-07-06 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기판 제품 및 장치의 특성 및 성능을 향상시키기 위한 코팅 |
| US9419012B1 (en) | 2015-06-19 | 2016-08-16 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory structure employing air gap isolation |
| CN117858868A (zh) * | 2021-08-20 | 2024-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 保护层用有机金属化合物、保护层、有机半导体层的加工方法以及有机半导体器件的制造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337283A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JP3350237B2 (ja) * | 1994-08-29 | 2002-11-25 | 株式会社東芝 | エッチング方法及び装置 |
| US6613695B2 (en) * | 2000-11-24 | 2003-09-02 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition |
| US7314835B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| JP2008300087A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネル |
| TWI388078B (zh) * | 2008-01-30 | 2013-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電子組件之製造方法及電子組件 |
-
2012
- 2012-05-09 JP JP2012107770A patent/JP5953531B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013235978A (ja) | 2013-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10069109B2 (en) | Organic light emitting device and method of fabricating the same | |
| TWI381569B (zh) | 有機發光二極體裝置及其封裝方法 | |
| JP6924943B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| US20120248422A1 (en) | Optical semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US20080224133A1 (en) | Thin film transistor and organic light-emitting display device having the thin film transistor | |
| JP2010016163A (ja) | 薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
| JP5953531B2 (ja) | 薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法 | |
| JP7044849B2 (ja) | トランジスタ | |
| WO2017013691A1 (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| TWI400830B (zh) | 密封膜形成方法、密封膜形成裝置 | |
| KR101972148B1 (ko) | 유기 디바이스의 제조 방법 및 유기 디바이스의 제조 장치 | |
| US8957583B2 (en) | Method of fabricating organic light-emitting display and organic light-emitting display fabricated by the method | |
| US9088005B2 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| CN104916779B (zh) | 半导体器件、其制造方法以及其制造装置 | |
| JP6357665B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
| WO2014196107A1 (ja) | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び表示装置 | |
| WO2021077471A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
| US20210202899A1 (en) | Oled display screen, display panel and manufacturing method thereof | |
| JP5827499B2 (ja) | 装置の表面処理方法 | |
| JP2015079861A (ja) | 表示装置 | |
| JP6387562B2 (ja) | 有機発光デバイスおよび有機表示装置 | |
| TW201535822A (zh) | 有機電致發光顯示裝置及其製造方法 | |
| JP5049613B2 (ja) | 有機発光装置及びその製造方法 | |
| WO2007023789A1 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| CN104051673A (zh) | 有机器件的制造方法、有机器件的制造装置以及有机器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140606 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20150206 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150430 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151023 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160415 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160513 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5953531 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |