JP6387562B2 - 有機発光デバイスおよび有機表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光デバイスおよび有機表示装置に関し、特に、有機発光層などの有機膜の劣化抑制技術に関する。

近年、有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）パネルなどの有機発光デバイスの実用化に向けた開発が盛んに行われている。従来技術に係る有機ＥＬパネルの構成について、図１６を用い説明する。
図１６に示す一例としての有機ＥＬパネルは、アクティブマトリクス型の表示パネルであって、基板９０１の主面上にＴＦＴ層９０２が形成されている。ＴＦＴ層９０２は、ゲート電極９０２１，９０２２と、ゲート絶縁膜９０２３と、チャネル層９０２４，９０２５と、保護膜９０２６と、ソース電極９０２７，９０２８およびドレイン電極９０２８，９０２９と、パッシベーション膜９０３０と、接続用電極９０２３とを有している。そして、ＴＦＴ層９０２においては、チャネル層９０２４，９０２５の構成材料として、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｎの少なくとも一種を含む酸化物半導体が用いられている（特許文献１を参照）。

ＴＦＴ層９０２上には、絶縁層９０３を介してアノード９０４およびホール注入層９０５が順に積層されている。アノード９０４は、絶縁層９０４に開口されたコンタクト孔により、ＴＦＴ層９０２における接続用電極９０３２に電気的に接続されている。ホール注入層９０５上および露出した絶縁層９０３の上面には、バンク９０６が積層されている。
バンク９０６の囲繞により構成された開口内には、ホール輸送層９０７、有機発光層９０８、電子輸送層９０９が順に積層形成されている。電子輸送層９０９上および露出したバンク９０６の頂面上には、カソード９１０および封止層９１１が順に積層形成されている。ここで、封止層９１１の構成材料として、ＳｉＮあるいはＳｉＯＮが用いられている（特許文献２を参照）。

封止層９１１上には、樹脂層９１２を介してカラーフィルタ層９１３およびブラックマトリクス層９１４が形成されている。カラーフィルタ層９１３およびブラックマトリクス層９１４は、基板９１５のＺ軸方向下面に形成されている。
また、図示を省略しているが、有機ＥＬパネルの外縁部には、平面視において表示領域を囲繞するように封止壁（シール層）が形成されている。封止壁は、基板９０１と基板９０２との間を封止する状態で設けられている（特許文献３を参照）。

特開２００８−１６６７１６号公報 特開２０００−２２３２６４号公報 特開２００７−１０３３１７号公報

上記有機ＥＬパネルをはじめとする従来技術に係る有機発光デバイスでは、ＴＦＴ層における酸化物半導体の劣化と、基板と封止壁との間からの水分や酸素などの侵入という２つの課題がある。
一つ目の課題であるＴＦＴ層における酸化物半導体層の劣化は、ＣＶＤ法などを用い形成される封止層から水素が脱離し、これが酸化物半導体からなるチャネル層に到達することにより生じるものと考えられる。

二つ目の課題である基板と封止壁との間からの水分や酸素などの侵入は、基板と封止壁との密着性が不十分である場合に生じるものと考えられる。これにより、構成中に含まれる有機膜が劣化する。
本発明は、上記のような課題に鑑みなされたものであって、構成中に含まれる酸化物半導体からなる層および有機膜の劣化が抑制され、長期にわたって優れた発光特性を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、第１および第２の基板と、第１機能部と、第２機能部と、封止壁と、第１被覆膜と、第２被覆部と、中間膜と、を備える。
第１および第２の基板は、互いに間隔をあけて対向配置されている。
第１機能部は、第１の基板と第２の基板との間の間隙に配置され、第１および第２の電極と、当該第１の電極と第２の電極との間に介挿された有機発光層とを有する。

第２機能部は、第１の基板と第１機能部との間に配置され、少なくとも酸化物半導体を含む層（以下では、「酸化物半導体層」と記載する。）を構成中に有する。
封止壁は、第１の基板と第２の基板との間の間隙であって、平面視において、第１機能部および第２機能部が配置された領域を囲繞し、且つ、第１機能部および第２機能部が配置された領域を封止する。

第１被覆膜は、第１の基板と第２の基板との間の間隙であって、第１機能部および第２機能部に対し、第２の基板側を覆う状態で配置され、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む。
第２被覆膜は、第１被覆膜と第２機能部における酸化物半導体層との間であって、第２機能部における酸化物半導体層を覆う状態で配置され、酸化アルミニウムからなる。

中間膜は、第１の基板と封止壁との間に介挿され、酸化アルミニウムからなる。

上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１の基板と第２の基板との間に間隙であって、第１機能部および第２機能部に対し、第２の基板側を覆う状態で第１被覆膜が形成されている。第１被覆膜は、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンから構成されているので、第１機能部および第２機能部への水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができる。このため、第１機能部や第２機能部の各部における有機膜の保護という観点から優れている。

また、上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１被覆膜と酸化物半導体層との間に、酸化物半導体層を覆う状態で第２被覆膜が形成されている。第２被覆膜は、酸化アルミニウムから構成されているので、第２機能部に含まれる酸化物半導体層への水素の侵入を効果的に抑制することができる。このため、第２機能部における酸化物半導体層の保護という観点から優れている。

また、上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１の基板と封止壁との間に中間膜が配置されている。中間膜は、酸化アルミニウムから構成されているので、第１の基板と封止壁との間の密着性を向上させることができる。このため、第１の基板と封止壁との間からの水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができ、第１機能部や第２機能部の各部における有機膜の保護という観点から優れている。

以上より、上記態様に係る有機発光デバイスは、構成中に含まれる酸化物半導体からなる層および有機膜の劣化が抑制され、長期にわたって優れた発光特性を有する。

本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。 表示パネル１０を平面視した模式平面図である。 表示パネル１０における表示領域１０ａの一部構成を示す模式断面図である。 表示パネル１０における囲繞領域１０ｂの一部構成を示す模式断面図である。 表示パネル１０における囲繞領域１０ｂの一部構成を示す模式断面図である。 （ａ）は、実施の形態に係る表示パネル１０の表示領域１０ａにおける構成を模式的に示す図であり、（ｂ）は、比較例に係る表示パネルの表示領域における構成を模式的に示す図である。 （ａ）は、サンプル１に係る封止層１１１の構成を模式的に示す図であり、（ｂ）は、サンプル２に係る封止層１２１の構成を模式的に示す図であり、（ｃ）は、サンプル３に係る封止層１３１の構成を模式的に示す図であり、（ｄ）は、サンプル４に係る封止層９１１の構成を模式的に示す図である。 ＴＤＳ法を用い測定したサンプル１〜４の各々における温度と脱離水素量との関係を示す特性図である。 （ａ）は、サンプル４に係る封止層９１１を採用した場合でのＴＦＴ特性を示す特性図であり、（ｂ）は、サンプル１に係る封止層１１１を採用した場合でのＴＦＴ特性を示す特性図である。 （ａ）は、サンプル１１に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図であり、（ｂ）は、サンプル１４に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図である。 エポキシ系樹脂層と、ガラス基板、ＳｉＮ膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜との各剥離強度の測定結果を示す表である。 （ａ）は、変形例１に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図であり、（ｂ）は、変形例２に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図である。 （ａ）は、変形例３に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図であり、（ｂ）は、変形例４に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図である。 （ａ）は、変形例５に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図であり、（ｂ）は、変形例６に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図である。 （ａ）は、変形例７に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図であり、（ｂ）は、変形例８に係る表示パネルでの囲繞領域の構成を模式的に示す図である。 従来技術に係る表示パネルの構成を示す模式断面図である。 表示パネルにおける囲繞領域の構成を示す模式断面図である。

［基板と封止壁との密着性］
本発明者等は、本発明の各態様を創作するにあたり、基板と封止壁との密着性に関する検討を行った。これについて、図１７を用い説明する。
図１７に示すように、表示パネルの端縁部においては、基板９０１と基板９１５との間が封止壁９１６で封止されている。なお、図１７においては、引き出し配線９０３３の端縁部９０３３ａと、パッシベーション膜９０３１の端縁部９０３１ａが封止壁９１６よりも基板９０１の端部まで延出された構成となっている。そして、表示パネルの狭額縁化に伴い、封止層９１１の端縁部９１１ａが基板９０１と封止壁９１６との間に位置してしまうことが生じ得る。

このように基板９０１と封止壁９１６との間にＳｉＮあるいはＳｉＯＮからなる封止層９１１の端縁部９１１ａが介挿された場合には、基板９０１と封止壁９１６との間の密着性が低下してしまう。特に、矢印Ｄで指し示すように、基板９０１と封止壁９１６との間に封止層９１１の縁端９１１ｂが位置することとなった場合には、基板９０１の表面９０１ａから封止壁９１６が剥がれやすくなってしまう。

なお、図１７では、封止層９１１の端縁部９１１ａが基板９０１と封止壁９１６との間に介挿された状態について図示しているが、必ずしも封止層９１１が介挿されていなくても基板９０１と封止壁９１６との密着性向上を図ることが求められていることは同様である。
また、Ｚ軸方向上方に配置される基板９１５の表面９１５ａと封止壁９１６との密着性に関しても高い方が望ましいのであるが、これについては封止層９１１の形成により有機膜および酸化半導体層の保護が図れることから、必ずしも必要とはならない。

［本発明の各態様］
本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、第１および第２の基板と、第１機能部と、第２機能部と、封止壁と、第１被覆膜と、第２被覆部と、中間膜と、を備える。
第１および第２の基板は、互いに間隔をあけて対向配置されている。
第１機能部は、第１の基板と第２の基板との間の間隙に配置され、第１および第２の電極と、当該第１の電極と第２の電極との間に介挿された有機発光層とを有する。

第２機能部は、第１の基板と第１機能部との間に配置され、少なくとも酸化物半導体層を構成中に有する。
封止壁は、第１の基板と第２の基板との間の間隙であって、平面視において、第１機能部および第２機能部が配置された領域を囲繞し、且つ、第１機能部および第２機能部が配置された領域を封止する。

第１被覆膜は、第１の基板と第２の基板との間の間隙であって、第１機能部および第２機能部に対し、第２の基板側を覆う状態で配置され、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む。
第２被覆膜は、第１被覆膜と第２機能部における酸化物半導体層との間であって、第２機能部における酸化物半導体層を覆う状態で配置され、酸化アルミニウムからなる。

中間膜は、第１の基板と封止壁との間に介挿され、酸化アルミニウムからなる。
上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１の基板と第２の基板との間に間隙であって、第１機能部および第２機能部に対し、第２の基板側を覆う状態で第１被覆膜が形成されている。第１被覆膜は、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンから構成されているので、第１機能部および第２機能部への水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができる。このため、第１機能部や第２機能部の各部における有機膜の保護という観点から優れている。

また、上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１被覆膜と酸化物半導体層との間に、酸化物半導体層を覆う状態で第２被覆膜が形成されている。第２被覆膜は、酸化アルミニウムから構成されているので、第２機能部に含まれる酸化物半導体層への水素の侵入を効果的に抑制することができる。このため、第２機能部における酸化物半導体層の保護という観点から優れている。

また、上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１の基板と封止壁との間に中間膜が配置されている。中間膜は、酸化アルミニウムから構成されているので、第１の基板と封止壁との間の密着性を向上させることができる。このため、第１の基板と封止壁との間からの水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができ、第１機能部や第２機能部の各部における有機膜の保護という観点から優れている。

以上より、上記態様に係る有機発光デバイスは、構成中に含まれる酸化物半導体からなる層および有機膜の劣化が抑制され、長期にわたって優れた発光特性を有する。
本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様において、第２被覆膜が第１被覆膜と接している。このように、第２被覆膜を第１被覆膜に接するように配置することにより、第１被覆膜からの水素脱ガスを、直下の第２被覆膜で抑制することができ、第２機能部における酸化物半導体層の劣化をより効果的に抑制することができる。

また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様において、第２被覆膜と中間膜とが連続している。このように第２被覆膜と中間膜とが連続している構成を採用すれば中間膜を第２被覆膜とは別に形成する必要がなく、製造に係る工数を低減することができる。ただし、必ずしも第２被覆膜と中間膜とが連続した構成を採用する必要はなく、別構成とすることもできる。

また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記構成において、第１被覆膜における端縁部の少なくとも一部が封止壁下まで延設されており、当該封止壁下まで延設された第１被覆膜の端縁部が、中間膜と封止壁との間に配置されている。このように、ＳｉＮあるいはＳｉＯＮからなる第１被覆膜が封止壁下まで延長されていても、第１被覆膜と基板との間に中間膜が介挿された形態を採るので、第１の基板と封止壁との高い密着性を確保することができる。よって、デバイスの狭額縁化をすすめる上で望ましい。

また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様において、第２の基板と第１被覆膜との間であって、第１被覆膜の少なくとも一部を覆う状態で配置され、酸化アルミニウムからなる第３被覆膜をさらに備える。このように、第１被覆膜の上面の少なくとも一部を覆うように第３被覆膜を配置することとすれば、第１被覆膜の表面に凹凸が存在しても、その平坦化が図られる。よって、出射される光の不所望の屈折を抑制することができ、光取出し効率の向上を図ることができる。

また、第１被覆膜の上に第３被覆膜を配置することにより、外部などからの水素の侵入を更に効果的に抑制することができる。よって、第２機能部における酸化物半導体層の劣化を抑制することができる。
また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様において、第３被覆膜における端縁部の少なくとも一部が前記封止壁下まで延設されており、当該封止壁下まで延設された第３被覆膜における端縁部が、中間膜と封止壁との間に配置されている。このように封止壁下まで延設された第３被覆膜の端縁部が中間膜と封止壁との間に配置されるようにすることで、第１の基板と封止壁との間における中間膜と第３被覆膜との合計膜厚を確保することが容易となる。よって、第１の基板と封止壁との密着性を更に確実に保持することができ、当該境界からの水分や酸素の侵入をより確実に抑制することができる。

また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様において、第１被覆膜の縁端が、中間膜と第３被覆膜との間に挟まれた状態で配置されている。ＳｉＮあるいはＳｉＯＮからなる第１被覆膜の縁端が第１の基板と封止壁との間に位置する場合、第１の基板と封止壁との密着性が低下しやすく、剥離し易い。これに対して、当該第１被覆膜の縁端を中間膜と第３被覆膜で挟み込むことにより、第１の基板と封止壁との剥離を抑制することができる。よって、第１の基板と封止壁との密着性を高め、当該境界からの水分や酸素の侵入を確実に抑制することができる。

また、本発明の別態様に係る有機発光デバイスでは、上記態様において、第２被覆膜が原子層堆積（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い形成された膜である。このように、第２被覆膜をＡＬＤ法を用い形成された膜とすることにより、水素の透過を効果的に抑制することができる。よって、第１被覆膜から水素が脱離した場合にも、第２機能部における酸化物半導体層への侵入を抑制し、酸化物半導体層の劣化を確実に抑制することができる。

本発明の一態様に係る有機表示装置は、表示パネルと、表示パネルに接続された制御駆動回路と、
を備える。そして、表示パネルとして、上記のうちの何れかの態様に係るデバイス構造が採用されている。これより、本発明の一態様に係る有機表示装置においても、上記同様の効果を得ることができる。

［実施の形態］
以下では、図面を参酌しながら実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について説明する。
１．概略構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１および図２を用い説明する。

図１に示すように、有機表示装置としての本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機表示デバイスの一種であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルである。
図２に示すように、表示パネル１０では、平面視において、表示領域１０ａと、当該領域を囲繞する囲繞領域１０ｂとを有する。図示を省略しているが、表示領域１０ａにおいては、複数のサブピクセルがＸ軸方向およびＹ軸方向で構成される面方向に二次元配置されている。本実施の形態では、一例として、隣接する赤色（Ｒ）サブピクセルと、緑色（Ｇ）サブピクセルと、青色（Ｂ）サブピクセルの３つのサブピクセルの組み合わせを以って１のピクセル（画素部）を構成している。

図１に戻って、有機ＥＬ表示装置１における駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と１つの制御回路２５とから構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１における表示パネル１０と駆動・制御回路部２０との配置関係については、図１に示す形態に限定されない。
また、ピクセル（画素部）の構成については、上述のような３つのサブピクセルの組み合わせからなる形態に限定されず、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１つのピクセルが構成されることとしてもよい。

２．表示領域１０ａでの構成
表示パネル１０における表示領域１０ａでの構成について、図３を用い説明する。
図３に示すように、表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１００をベースにして、その上に複数の層が積層された構成を有する。図３では、表示パネル１０における表示領域１０ａの構成の内、一のサブピクセル１００部分だけを抜き出して模式的に図示している。

図3に示すように、表示パネル１０における各サブピクセル１００では、基板１０１の主面上に、ＴＦＴ層１０２が形成されている。本実施の形態においては、ＴＦＴ層１０２として、各サブピクセル１００に２トランジスタ素子部を備える構成を一例としている。
ＴＦＴ層１０２は、ゲート電極１０２１，１０２２、ゲート絶縁膜１０２３、チャネル層１０２４，１０２５、保護膜１０２６、ソース電極１０２７，１０３０およびドレイン電極１０２８，１０２９、パッシベーション膜１０３１、および接続用電極１０３２を有する。ゲート電極１０２１，１０２２は、基板１０１の主面上に配置されており、Ｘ軸方向において互いに間隔をあけて配置されている。ゲート絶縁膜１０２３は、ゲート電極１０２１，１０２２を被覆するように形成されており、チャネル層１０２４，１０２５は、ゲート絶縁膜１０２３上において各ゲート電極１０２１，１０２２に対応して配置されている。保護膜１０２６は、チャネル層１０２４，１０２５およびゲート絶縁膜１０２３を被覆するように形成されており、ソース電極１０２７，１０３０およびドレイン電極１０２８，１０２９は、保護膜１０２６上における各チャネル層１０２４，１０２５に対応して配置されている。

ソース電極１０２７，１０３０およびドレイン電極１０２８，１０２９は、対応するチャネル層１０２４，１０２５に対して一部が接触しており、ドレイン電極１０２８はゲート電極１０２２に接続されている。ソース電極１０２７，１０３０およびドレイン電極１０２８，１０２９は、パッシベーション膜１０３１により被覆されており、ソース電極１０３０はパッシベーション膜１０３１上に露出する接続用電極１０３２に接続されている。

ＴＦＴ層１０２上には、絶縁層１０３が積層形成されており、その上にアノード１０４およびホール注入層１０５が形成されている。絶縁層１０３には、ＴＦＴ層１０２における接続用電極１０３２の上方に相当する箇所にコンタクト孔が開けられており、当該コンタクト孔を介してアノード１０４とＴＦＴ層１０２における接続用電極１０３２とが接続されている。

なお、本実施の形態では、一例として、ホール注入層１０５についてもサブピクセル１００単位で区切られた構成としているが、これに限定されるものではない。例えば、隣接するサブピクセル１００で連続した形態を採用することもできる。
次に、絶縁層１０３の露出面およびホール注入層１０５の一部を覆うように、バンク１０６が形成されている。バンク１０６は、紙面に垂直な方向に各々延伸しており、隣り合うバンク１０６同士の間の溝部（凹部）を規定する。

なお、本実施の形態では、一例として、ラインバンク構造を採用しているが、これに限定されるものではない。例えば、ピクセルバンク構造を採用することもできる。
図３に示すように、隣り合う２条のバンク１０６により規定された溝部内には、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、電子輸送層１０９が積層形成されている。電子輸送層１０９上およびバンク１０６の頂面上を覆うように、Ｚ軸方向下側から順に、カソード１１０および封止層１１１が積層形成されている。

本実施の形態における封止層１１１は、窒化シリコンからなる膜（以下では、「ＳｉＮ膜」と記載する。）１１１２の上下が酸化アルミニウムからなる膜（以下では、「ＡｌＯｘ膜」と記載する。）１１１１，１１１３で挟まれた構造を有する。ここで、ＳｉＮ膜１１１２は、化学気相堆積（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い形成されており、ＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３は、原子層堆積（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い形成されている。

なお、本実施の形態では、表示領域１０ａにおける封止層１１１の各構成膜１１１１〜１１１３の膜厚を、一例として次のように設定した。
ＡｌＯｘ膜１１１１の膜厚ｔ₁₁₁₁；１０ｎｍ〜１００ｎｍ
ＳｉＮ膜１１１２の膜厚ｔ₁₁₁₂；１００ｎｍ〜２０００ｎｍ
ＡｌＯｘ膜１１１３の膜厚ｔ₁₁₁₃；１０ｎｍ〜１００ｎｍ
また、「ＡｌＯｘ」の一例としては、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃を採用することができるが、ＡｌとＯの組成比率については、これに限定されるものではない。また、膜中における領域により組成比が異なっていてもよい。本明細書で「ＡｌＯｘ」と記載している場合には、同様である。

封止層１１１上には、樹脂層１１２を介してカラーフィルタパネルが配置されている。カラーフィルタパネルは、基板１１５のＺ軸方向下側主面にカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１４が形成されてなるパネルである。そして、封止層１１１と樹脂層１１２との間、および樹脂層１１２とカラーフィルタ層１１３およびブラックマトリクス層１１４との間は、隙間なく密に接している。

本実施の形態に係る表示パネル１０は、トップエミッション型の表示パネルであり、Ｚ軸方向上方に向けて光が取り出される。
なお、表示パネル１０においては、表示領域１０ａにおける他のサブピクセル１００についても同様の構成を有する。
３．囲繞領域１０ｂの構成
表示パネル１０における囲繞領域１０ｂでの構成について、図４および図５を用い説明する。なお、図４と図５との差異点は、引き出し配線の配されているか否かという点である。

図４に示すように、囲繞領域１０ｂでは、その一部において、ＴＦＴ層１０２におけるゲート電極１０２１、ソース電極１０２７，１０３０およびドレイン電極１０２８，１０２９の各々に接続された引き出し配線１０３３の端縁部１０３３ａが、基板１０１の端縁部まで延設されている。引き出し配線１０３３上には、パッシベーション膜１０３１が被覆されており、パッシベーション膜１０３１の端縁部１０３１ａについても基板１０１の端縁部まで延設されている。

なお、基板１０１の端縁部において、引き出し配線１０３３およびパッシベーション膜１０３１は、基板１０１の主面１０１ａに沿った状態となっている。
囲繞領域１０ｂにおいては、基板１０１と基板１１５との間に封止壁１１６が設けられており、封止壁１１６は、基板１１５に対してＺ軸方向下側の主面１１５ａに密に接している。封止壁１１６により囲繞され密閉領域となった基板１０１，１０５間では、封止層１１１と基板１１５との間の領域に樹脂層１１２が形成されている。

なお、囲繞領域１０ｂにおいては、封止壁１１６で囲繞された基板１０１，１１５間の領域について、ゲッター剤を含む別部材を配置することもできる。
図４の矢印Ａで指し示すように、囲繞慮域１０ｂにおいては、封止層１１１の各膜１１１１〜１１１３の端縁部１１１１ａ〜１１１３ａが封止壁１１６と基板１０１との間に介挿された状態となっています。このうち、ＳｉＮ膜１１１２の端縁部１１１２ａの縁端１１１２ｂは、封止壁１１６のＸ軸幅方向の中程に位置し、Ｚ軸方向における上下がＡｌＯｘ膜１１１１とＡｌＯｘ膜１１１３とで挟み込まれた状態となっている。

同様に、図６の矢印Ｂで指し示すように、囲繞領域１０ｂにおける引き出し配線１０３３が存在しない部分では、封止層１１１を構成する３つの膜１１１１〜１１１３の各端縁部１１１１ａ〜１１１３ａの一部が封止壁１１６と基板１０１との間に挟み込まれた状態となっている。そして、当該部分においても、ＳｉＮ膜１１１２の端縁部１１１２ａの縁端１１１２ｂは、封止壁１１６のＸ軸幅方向の中程に位置し、Ｚ軸方向における上下がＡｌＯｘ膜１１１１とＡｌＯｘ膜１１１３とで挟み込まれた状態となっている。

なお、本実施の形態では、囲繞領域１０ｂにおける封止層１１１の各構成膜１１１１〜１１１３（端縁部１１１１ａ〜１１１３ａ）の膜厚を、一例として次のように設定した。
ＡｌＯｘ膜１１１１の膜厚ｔ_1111a；１０ｎｍ〜１００ｎｍ
ＳｉＮ膜１１１２の膜厚ｔ_1112a；１００ｎｍ〜２０００ｎｍ
ＡｌＯｘ膜１１１３の膜厚ｔ_1113a；１０ｎｍ〜１００ｎｍ
４．表示パネル１０の各構成材料
（１）基板１０１
基板１０１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。

プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。

（２）ＴＦＴ層１０２
（２−１）ゲート電極１０２１，１０２２
ゲート電極１０２１，１０２２としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用することができる。また、Ｃｕ単層とすることやＣｕとタングステン（Ｗ）との積層体を採用することもできる。さらに、それら以外にも、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、あるいはそれらの合金、あるいは、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物若しくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）などの導電性金属復号酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子若しくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、要素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、若しくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などを用いることができる。

さらに、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、一種または二種以上を組み合わせて用いることもできる。
（２−２）ゲート絶縁膜１０２３
ゲート絶縁膜１０２３としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）と窒化シリコン（ＳｉＮ）との積層体を採用することができる。ただし、ゲート絶縁膜１０２３の構成については、これに限定を受けるものではなく、電気絶縁性を有する材料であれば、他に公知となっている有機材料や無機材料などを用いることもできる。

ゲート絶縁膜１０２３を構成するのに採用することが可能な有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを採用することもできる。
また、ゲート絶縁膜１０２３を構成するのに採用することが可能な無機材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物や、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物や、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸塩などの金属復号酸化物などが挙げられる。これらは、一種または二種以上組み合わせて用いることもできる。

さらに、上記のような材料を用い、表面処理剤（ＯＤＴＳ ＯＴＳ ＨＭＤＳ βＰＴＳ）などでその表面を処理したものも含まれる。
（２−３）チャネル層１０２４，１０２５
チャネル層１０２４，１０２５としては、例えば、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）からなる層を採用することができる。チャネル層１０２４，１０２５の構成材料としては、これ以外にも、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。

なお、チャネル層１０２４とチャネル層１０２５とで構成材料を互いに異ならせることや、互いの層厚を異ならせることなども可能である。
（２−４）保護膜１０２６
保護膜１０２６としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる膜を採用することができる。保護膜１０２６の構成材料としては、これ以外にも、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）などを採用することもできる。

さらに、上記のような材料を用いた層を複数積層することで保護膜１０２６を構成することなどもできる。
（２−５）ソース電極１０２７，１０３０およびドレイン電極１０２８，１０２９
ソース電極１０２７，１０３０およびドレイン電極１０２８，１０２９としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。

（２−６）パッシベーション膜１０３１
パッシベーション膜１０３１としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる膜を採用することができる。
なお、パッシベーション膜１０３１の構成材料としては、これ以外にも、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを採用することができる。また、パッシベーション膜１０３１としては、上記のような材料からなる単層構造だけでなく、酸化シリコン（ＳｉＯ）と酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）と窒化シリコン（ＳｉＮ）の積層体などを用いることもできる。

（２−７）接続用電極１０３２
接続用電極１０３２としては、例えば、銅（Ｃｕ）と酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）との積層体を用いることができる。
なお、接続用電極１０３２の構成はこれに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。

（３）絶縁層１０３
絶縁層１０３は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０３は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
また、絶縁層１０３は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。

（４）アノード１０４
アノード１０４としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料からなる層を用いることができる。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
なお、アノード１０４については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。

（５）ホール注入層１０５
ホール注入層１０５は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。

なお、ホール注入層１０５の構成材料として金属酸化物を用いる場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０７に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
ここで、ホール注入層１０５を遷移金属酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯ_X）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。

（６）バンク１０６
バンク１０６としては、例えば、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１０６の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０６は、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。

さらに、バンク１０６の構造については、図３に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
（７）ホール輸送層１０７
ホール輸送層１０７としては、例えば、親水基を備えない高分子化合物を用い形成された層を用いることができる。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。

（８）有機発光層１０８
有機発光層１０８は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０７の形成に用いる材料としては、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

（９）電子輸送層１０９
電子輸送層１０９は、カソード１１０から注入された電子を有機発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
（１０）カソード１１０
カソード１１０は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。

（１１）封止層１１１
封止層１１１は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有する。そして、封止層１１１を構成する各膜１１１１〜１１１３は、次のような材料から構成されている。
（１１−１）ＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３
ＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３は、ともに酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる。そして、形成方法については、詳述を省略するが、本実施の形態では、少なくともＳｉＮ膜１１１２よりもＺ軸方向下側に配置されるＡｌＯｘ膜１１１１が原子層堆積（ＡＬＤ）法を用い形成されている。

（１１−２）ＳｉＮ膜１１１２
ＳｉＮ膜１１１２は、本実施の形態では窒化シリコン（ＳｉＮ）を用い形成されている。封止層１１１の構成中における当該位置に形成する膜としては、ＳｉＮ以外にも、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用い形成することも可能である。
なお、トップエミッション型の表示パネル１０においては、封止層１１１は、全体として光透過性を有することが必要となる。

（１２）樹脂層１１２
樹脂層１１２としては、例えば、エポキシ系樹脂を用い形成された層とすることができる。
なお、樹脂層１１２の構成材料としては、上記以外に、例えば、シリコーン系樹脂を用いることもできる。また、樹脂層１１２中に、水分や酸素を吸着するためのゲッター剤を混合しておくこともできる。

（１３）カラーフィルタ層１１３
カラーフィルタ層１１３としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成される。各カラーフィルタ層１１３は、例えば、アクリル系樹脂をベースに形成されている。
（１４）ブラックマトリクス層１１４
ブラックマトリクス層１１４としては、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂から形成されている。具体的な紫外線硬化樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂が挙げられる。

（１５）基板１１５
カラーフィルタパネルのベースとなる基板１１５は、基板１０１と同様に、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板などや、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板などを用い形成されている。
（１６）封止壁１１６
封止壁１１６としては、基板１０１，１１５との密着性（ＴＦＴ層１０２におけるパッシベーション膜１０３１との密着性を含む）、および基板１０１と基板１１５との間の間隙を維持し、且つ、外圧がかかっても封止構造を維持することができる剛性を考慮して選択された材料を用い形成することができる。封止壁１１６の構成材料としては、例えば、溶着可能なガラスフリットや、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。

５．表示領域１０ａにおける有機膜および酸化物半導体層の劣化抑制
本実施の形態における表示領域１０ａにおける有機膜および酸化物半導体層の劣化抑制のメカニズムについて、図６を用い説明する。図６（ａ）は、本実施の形態に係る表示パネル１０の表示領域１０ａの構成を模式的に表した図であり、図６（ｂ）は、比較例として、上記従来技術に係る表示パネルの表示領域の構成を模式的に表した図である。

（１）有機発光層１０８，９０８などの有機膜の劣化抑制
図６（ｂ）に示すように、比較例に係る表示パネルの構成では、ＳｉＮからなる封止層９１１を採用している。このため、パネル上方から侵入しようとする水分や酸素について、ある程度は遮断する機能を有するが、十分ではない。このため、比較例に係る表示パネルでは、その下方に設けられた有機発光層９０８などの有機膜の劣化を招いてしまうことがある。

一方、図６（ａ）に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、封止層１１１がＳｉＮ膜１１１２のＺ軸方向上下がＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３で挟まれた３層構造が採用されている。このため、図６（ｂ）に示す比較例に係る表示パネルよりも水分や酸素が有機発光層１０８などの有機膜が形成された側へ侵入するのを効果的に抑制することができる。また、水分や酸素の侵入抑制は、カソードの劣化抑制という効果も得ることができる。

（２）ＴＦＴ層１０２，９０２における酸化物半導体（ＩＧＺＯ）層の劣化抑制
上述のように、ＳｉＮからなり、ＣＶＤ法を用い形成された封止層９１１については、水素が放出される。このため、図６（ｂ）に示すように、封止層（ＳｉＮ膜）９１１から放出された水素がＴＦＴ層９０２側へも侵入して行き、ＴＦＴ層９０２におけるチャネル層（酸化物半導体層）を劣化させることになる。

一方、図６（ａ）に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、封止層１１１において、ＳｉＮ膜１１１２のＺ軸方向下側、言い換えるとＳｉＮ膜１１１２とＴＦＴ層１０２との間にＡｌＯｘ膜１１１１が設けられている。このため、ＳｉＮ膜１１１２から水素が放出された場合にも、放出された水素はＡｌＯｘ膜１１１１で遮断され、ＴＦＴ層１０２におけるチャネル層（酸化物半導体層）への侵入を抑制できる。よって、本実施の形態に係る表示パネル１０では、ＳｉＮ膜１１１２からの水素脱ガスによるＴＦＴ層１０２の酸化物半導体層（チャネル層１０２４，１０２５）の劣化を効果的に抑制することができる。

なお、本実施の形態では、ＡｌＯｘ膜１１１１がＡＬＤ法を用いて形成されているので、当該ＡｌＯｘ膜１１１１からの水素脱ガスは発生し難くなっており、この点からより優れている。
（３）光取り出し
図６（ａ）に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、封止層１１１において、ＳｉＮ膜１１１２のＺ軸方向上側にもＡｌＯｘ膜１１１３が設けられている。このＡｌＯｘ膜１１１３の形成により、ＳｉＮ膜１１１２のＺ軸方向上側表面の凹凸が埋め込まれることになり、光の取り出し効率を高くするという観点から優れている。

６．酸化物半導体層の劣化抑制
本実施の形態に係る表示パネル１０での酸化物半導体層（チャネル層１０２４，１０２５）の劣化抑制効果について確認を行った。その結果について、図７から図９を用い説明する。
（１）確認に用いたサンプル
確認には、封止層の構造を変更し、その他の構成は同一とした表示パネルのサンプルを４種類（サンプル１〜４）作成し用いた。

（１−１）サンプル１
図７（ａ）に示すように、サンプル１に係るパネルでは、封止層１１１がＺ軸方向下側（ＥＬ素子部およびＴＦＴ層側）から順に、ＡｌＯｘ膜１１１１、ＳｉＮ膜１１１２、ＡｌＯｘ膜１１１３が積層された構造を採用している。この封止層１１１の構造については、上記実施の形態に係る表示パネル１０と同様の構造である。

（１−２）サンプル２
図７（ｂ）に示すように、サンプル２に係るパネルでは、封止層１２１がＺ軸方向下側（ＥＬ素子部およびＴＦＴ層側）から順に、ＡｌＯｘ膜１２１１、ＳｉＮ膜１２１２が積層された構造を採用している。即ち、サンプル１の封止層１１１に対して、Ｚ軸方向上側のＡｌＯｘ膜１１１３を省略した構造となっている。

なお、ＡｌＯｘ膜１２１１の膜厚はサンプル１のＡｌＯｘ膜１１１１の膜厚と同一とし、ＳｉＮ膜１２１２の膜厚はサンプル１のＳｉＮ膜１１１２の膜厚と同一としている。
（１−３）サンプル３
図７（ｃ）に示すように、サンプル３に係るパネルでは、ＡｌＯｘ膜単層の封止層１３１を採用している。封止層１３１の膜厚については、サンプル１のＡｌＯｘ膜１１１１の膜厚と同一としている。

（１−４）サンプル４
図７（ｄ）に示すように、サンプル４に係るパネルでは、ＳｉＮ膜単層の封止層９１１を採用している。この封止層９１１の構造については、上記従来技術に係る表示パネルでの封止層構造と同一である（図１６を参照）。
なお、封止層９１１の膜厚については、サンプル１のＳｉＮ膜１１１２の膜厚と同一としている。

（２）脱離水素量評価結果
上記サンプル１〜４について、ＴＦＴ層に侵入した脱離水素量を測定し、その結果を図８に示す。脱離水素量の測定には、昇温脱離ガス分光（ＴＤＳ；Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）法を用いた。
図８に示すように、サンプル４の脱離水素量は、温度が９０℃を超えたあたりから急激に増加している。

一方、サンプル１〜３の脱離水素量は、温度を９０℃以上に上昇させていったときにも急激な増加は見られない。
サンプル１〜３の脱離水素量について更に詳細に見ると、封止層の構成中にＳｉＮ膜を含まないサンプル３が最も低くなっており、温度を上昇させていったときにも殆ど変化は見られなかった。これは、サンプル１，２，４における脱離水素量が、ＳｉＮ膜からの脱離水素の影響を受けていることを示している。

（３）ＴＦＴにおける閾値電圧のシフト
上記サンプル１とサンプル４について、初期のＴＦＴの閾値電圧と、８０℃の環境下で１６時間保管を行った後でのＴＦＴの閾値電圧を測定した。その結果を図９に示す。
図９（ａ）に示すように、サンプル４のパネルでは、初期のＴＦＴの閾値電圧に対して、上記条件下での保管後のＴＦＴの閾値電圧は、約２〜３（Ｖ）シフトしている。

一方、図９（ｂ）に示すように、サンプル１のパネルでは、初期のＴＦＴの閾値電圧から、上記条件下での保管後のＴＦＴの閾値電圧のシフトは殆ど見られなかった。
（４）考察
図８および図９のデータから、ＳｉＮ膜とＴＦＴ層との間にＡｌＯｘ膜が配置されていないサンプル４では、温度を９０℃以上とした場合での脱離水素量が急激に増加し、また、ＴＦＴの閾値電圧のシフトも大きいことから、ＳｉＮ膜（封止層９１１）からの脱離水素がＴＦＴ層における酸化物半導体層（チャネル層）に到達したものと考えることができる。

一方、ＳｉＮ膜１１１２，１２１２とＴＦＴ層との間にＡｌＯｘ膜１１１１，１２１１を配置したサンプル１，２、および封止層１３１の構成中にＳｉＮ膜を含まないサンプル３では、９０℃以上の温度域においても脱離水素量の増加はほとんど見られず、サンプル１では、ＴＦＴの閾値電圧のシフトも抑制されていた。
なお、サンプル３では、封止層１３１の構成中にＳｉＮ膜を含まないこととしたが、実際の発光デバイスの封止層においては、ある程度の厚みの封止層を設けることが必要であると考えられる。これは、外部からの水分や酸素などの侵入を抑制するという観点から、ある程度の厚みの封止層を形成することが必要であるためである。

また、トップエミッション型のパネルなど、光の出射経路に設けられる封止層については、光がある程度屈折することも要件となるためである。このため、ＡＬＤ法を用いて形成されるＡｌＯｘ膜を余り厚くすることは、製造時におけるタクトタイムが長くなりすぎ、コスト上昇に繋がるため実際上は困難である。
以上より、外部からの水分や酸素の侵入を抑制するためのＳｉＮ膜を備え、且つ、ＳｉＮ膜からの脱離水素がＴＦＴ層における酸化物半導体層に侵入するのを抑制するためのＡｌＯｘ膜を備える封止層を設けることが優れた発光デバイスを構成する上で望ましい。

７．封止壁と基板との密着性
囲繞領域１０ｂにおける封止壁１１６と基板１０１との密着性に関し、２種類のサンプル１１，１４を作製して確認を行った。
（１）確認に用いたサンプル
確認に用いた２種類のサンプル１１，１４の概略構成について、図１０を用い説明する。

（１−１）サンプル１１
図１０（ａ）に示すように、サンプル１１は、上記実施の形態に係る表示パネル１０の囲繞領域１０ｂと同様に、封止壁１１６と基板１０１との間に、封止層１１１におけるＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３およびＳｉＮ膜１１１２の各端縁部１１１１ａ，１１１２ａ，１１１３ａが介挿された構成となっている。基板１０１の主面１０１ａとＡｌＯｘ膜１１１１の端縁部１１１１ａとは密着し、また、封止壁１１６は上面が基板１１５の主面１１５ａに密着している。

なお、封止層１１１における縁端１１１２ｂは、封止壁１１６の下方に位置しており、Ｚ軸方向の上下がＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３で挟まれ被覆された構成となっている。
なお、サンプル１１については、エポキシ系樹脂材料を用いて封止壁１１６を形成した。
（１−２）サンプル１４
図１０（ｂ）に示すように、サンプル１４は、囲繞慮域において、封止壁９１６と基板９０１との間に封止層９１１（ＳｉＮ膜単層）における端縁部９１１ａの縁端９１１ｂが位置し（矢印Ｃで指し示す部分）、基板９０１の主面９０１ａと封止層９１１（ＳｉＮ膜）との間にＡｌＯｘ膜は介挿されていない。

サンプル１４における封止壁９１６の構成材料についても、サンプル１１と同様に、エポキシ系樹脂材料を採用した。
なお、サンプル１４においても、封止壁９１６と上方の基板９１５の主面９１５ａとの間は密着している。
（２）密着性の確認結果
エポキシ系樹脂層と、ガラス基板、ＳｉＮ膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜との各剥離強度の測定結果を図１１に示す。

図１１に示すように、エポキシ系樹脂層とガラス基板との剥離強度は４．２ＭＰａであり、エポキシ系樹脂層とＡｌ₂Ｏ₃膜との剥離強度は４．３ＭＰａであった。
一方、エポキシ系樹脂層とＳｉＮ膜との剥離強度は、２．３ＭＰａであり、エポキシ系樹脂層とガラス基板との剥離強度、およびエポキシ系樹脂層とＡｌ₂Ｏ₃膜との剥離強度に比べて、１．９〜２．０ＭＰａ低い値となった。

以上の結果より、図１０（ｂ）に示す構造を有するサンプル１４では、封止壁９１６とＳｉＮ膜９１１とが直に接触している領域が存在し、当該部分での剥離強度の低下を招くと考えられる。
一方、図１０（ａ）に示す構造を有するサンプル１１では、エポキシ系樹脂材料からなる封止壁１１６とＳｉＮ膜１１１２との間にＡｌＯｘ膜１１１３を介挿させることにより、高い剥離強度を確保することができる。このため基板１０１と封止壁１１６との間の密着性を向上させることができ、この間からの水分や酸素の侵入を効果的に抑制することができ、ＴＦＴ層におけるチャネル層やＥＬ素子部における各有機膜の保護という観点から優れている。

［変形例１］
変形例１に係る発光デバイスの構成について、図１２（ａ）を用い説明する。なお、図１２（ａ）では、変形例１に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。
図１２（ａ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜１４１１、ＳｉＮ膜１４１２との２層が積層されてなる封止層１４１を備える。そして、封止層１４１における各膜１４１１，１４１２の端縁部１４１１ａ、１４１２ａは、封止壁１４６と基板１０１との間に介挿されている。ＡｌＯｘ膜１４１１については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。

ＳｉＮ膜１４１２の端縁部１４１２ａの縁端１４１２ｂは、封止壁１４６の下方に位置している。
図１２（ａ）に示すような構成を有する変形例１に係る発光デバイスにおいても、封止層１４１において、ＳｉＮ膜１４１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜１４１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。

また、封止層１４１の構成中に、ＳｉＮ膜１４１２を含んでいるので、製造時における封止層１４１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。
また、囲繞領域において、封止層１４１の構成に含まれるＳｉＮ膜１４１２と基板１０１との間にＡｌＯｘ膜１４１１が介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁１４６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。

［変形例２］
変形例２に係る発光デバイスの構成について、図１２（ｂ）を用い説明する。なお、図１２（ｂ）では、図１２（ａ）と同様に、変形例２に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。
図１２（ｂ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜１５１１、ＳｉＮ膜１５１２との２層が積層されてなる封止層１５１を備える。このうち、ＡｌＯｘ膜１５１１の端縁部１５１１ａが封止壁１５６と基板１０１との間に介挿されている。

一方、封止層１５１の構成要素として含まれるＳｉＮ膜１５１２は、封止壁１５６の下方には回り込んでおらず、表示領域側の位置に縁端が位置している。
なお、本変形例においても、ＡｌＯｘ膜１５１１については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。
図１２（ｂ）に示すような構成を有する変形例２に係る発光デバイスにおいても、封止層１５１において、ＳｉＮ膜１５１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜１５１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。

また、封止層１５１の構成中に、ＳｉＮ膜１５１２を含んでいるので、製造時における封止層１５１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。
また、囲繞領域において、封止層１５１の構成に含まれるＡｌＯｘ膜１５１１が封止壁１５６と基板１０１との間に介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁１５６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。

［変形例３］
変形例３に係る発光デバイスの構成について、図１３（ａ）を用い説明する。なお、図１３（ａ）では、図１２（ａ）、（ｂ）と同様に、変形例３に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。
図１３（ａ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜１６１１、ＳｉＮ膜１６１２との２層が積層されてなる封止層１６１を備える。そして、封止層１６１における各膜１６１１，１６１２の端縁部１６１１ａ、１６１２ａは、封止壁１６６と基板１０１との間に介挿されている。ＡｌＯｘ膜１６１１については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。

本変形例では、ＳｉＮ膜１６１２の縁端１６１２ｂ、およびＡｌＯｘ膜１６１１の縁端１６１１ｂは、ともに封止壁１６６の下方に位置している。
図１３（ａ）に示すような構成を有する変形例３に係る発光デバイスにおいても、封止層１６１において、ＳｉＮ膜１６１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜１６１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。

また、封止層１６１の構成中に、ＳｉＮ膜１６１２を含んでいるので、製造時における封止層１６１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。
また、囲繞領域において、封止層１６１の構成に含まれるＳｉＮ膜１６１２と基板１０１との間にＡｌＯｘ膜１６１１が介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁１６６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。

［変形例４］
変形例４に係る発光デバイスの構成について、図１３（ｂ）を用い説明する。なお、図１３（ｂ）では、図１２（ａ）、（ｂ）および図１３（ａ）と同様に、変形例４に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。
図１３（ｂ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜１７１１、ＳｉＮ膜１７１２との２層が積層されてなる封止層１７１を備える。このうち、ＡｌＯｘ膜１７１１の端縁部１７１１ａが封止壁１７６と基板１０１との間に介挿され、縁端１７１１ｂが封止壁１７６の下方に位置している。

一方、封止層１７１の構成要素として含まれるＳｉＮ膜１７１２は、上記変形例２と同様に、封止壁１７６の下方には回り込んでおらず、表示領域側の位置に縁端が位置している。
なお、本変形例においても、ＡｌＯｘ膜１７１１については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。

図１３（ｂ）に示すような構成を有する変形例４に係る発光デバイスにおいても、封止層１７１において、ＳｉＮ膜１７１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜１７１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。
また、封止層１７１の構成中に、ＳｉＮ膜１７１２を含んでいるので、製造時における封止層１７１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。

また、囲繞領域において、封止層１７１の構成に含まれるＡｌＯｘ膜１７１１が封止壁１７６と基板１０１との間に介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁１７６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。
［変形例５］
変形例５に係る発光デバイスの構成について、図１４（ａ）を用い説明する。なお、図１４（ａ）では、図１２（ａ）、（ｂ）および図１３（ａ）、（ｂ）と同様に、変形例５に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。

図１４（ａ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜１８１１、ＳｉＮ膜１８１２、ＡｌＯｘ膜１８１３の３層が積層されてなる封止層１８１を備える。このうち、ＡｌＯｘ膜１８１１の端縁部１８１１ａ、およびＡｌＯｘ膜１８１３の端縁部１８１３ａが封止壁１８６と基板１０１との間に介挿されている。
一方、封止層１８１の構成要素として含まれるＳｉＮ膜１８１２は、封止壁１８６の下方には回り込んでおらず、表示領域側の位置に縁端が位置している。

なお、本変形例においても、ＡｌＯｘ膜１８１１，１８１３については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。
図１４（ａ）に示すような構成を有する変形例５に係る発光デバイスにおいても、封止層１８１において、ＳｉＮ膜１８１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜１８１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。また、ＳｉＮ膜１８１２のＺ軸方向上方にＡｌＯｘ膜１８１３を配置しているので、ＳｉＮ膜１８１２の表面の凹凸をある程度埋め込むことができる。

また、封止層１８１の構成中に、ＳｉＮ膜１８１２を含んでいるので、製造時における封止層１８１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。
また、囲繞領域において、封止層１８１の構成に含まれるＡｌＯｘ膜１８１１，１８１３が封止壁１８６と基板１０１との間に介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁１８６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。

なお、本変形例では、封止壁１８６と基板１０１との間に、２層のＡｌＯｘ膜１８１１，１８１３が介挿されるので、ＡｌＯｘ膜１８１１，１８１３を薄膜とした場合にも、製造時におけるバラツキを考慮しても確実に封止壁１８６と基板１０１との間に介挿されることになり、製造上のマージンをとることができる。
［変形例６］
変形例６に係る発光デバイスの構成について、図１４（ｂ）を用い説明する。なお、図１４（ｂ）では、図１２（ａ）、（ｂ）および図１３（ａ）、（ｂ）および図１４（ａ）と同様に、変形例６に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。

図１４（ｂ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜１９１１、ＳｉＮ膜１９１２、ＡｌＯｘ膜１９１３の３層が積層されてなる封止層１９１を備える。このうち、ＡｌＯｘ膜１９１１の端縁部１９１１ａ、およびＡｌＯｘ膜１９１３の端縁部１９１３ａが封止壁１９６と基板１０１との間に介挿されている。
一方、封止層１９１の構成要素として含まれるＳｉＮ膜１９１２は、封止壁１９６の下方には回り込んでおらず、表示領域側の位置に縁端が位置している。

ここで、本変形例では、上記変形例５と異なり、ＡｌＯｘ膜１９１１，１９１３の各縁端１９１１ｂ、１９１３ｂが、封止壁１９６の下方に位置している。
なお、本変形例においても、ＡｌＯｘ膜１９１１，１９１３については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。
図１４（ｂ）に示すような構成を有する変形例６に係る発光デバイスにおいても、封止層１９１において、ＳｉＮ膜１９１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜１９１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。また、ＳｉＮ膜１９１２のＺ軸方向上方にＡｌＯｘ膜１９１３を配置しているので、ＳｉＮ膜１９１２の表面の凹凸をある程度埋め込むことができる。

また、封止層１９１の構成中に、ＳｉＮ膜１９１２を含んでいるので、製造時における封止層１９１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。
また、囲繞領域において、封止層１９１の構成に含まれるＡｌＯｘ膜１９１１，１９１３が封止壁１９６と基板１０１との間の一部領域に介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁１９６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。

なお、本変形例でも、封止壁１９６と基板１０１との間の一部領域に、２層のＡｌＯｘ膜１９１１，１９１３が介挿されるので、ＡｌＯｘ膜１９１１，１９１３を薄膜とした場合にも、製造時におけるバラツキを考慮しても確実に封止壁１９６と基板１０１との間に介挿されることになり、製造上のマージンをとることができる。
［変形例７］
変形例７に係る発光デバイスの構成について、図１５（ａ）を用い説明する。なお、図１５（ａ）では、図１２（ａ）、（ｂ）および図１３（ａ）、（ｂ）および図１４（ａ）、（ｂ）と同様に、変形例７に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。

図１５（ａ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜２０１１、ＳｉＮ膜２０１２、ＡｌＯｘ膜２０１３の３層が積層されてなる封止層２０１を備える。このうち、ＡｌＯｘ膜２０１１の端縁部２０１１ａ、およびＡｌＯｘ膜２０１３の端縁部２０１３ａが封止壁２０６と基板１０１との間に介挿されている。
一方、封止層２０１の構成要素として含まれるＳｉＮ膜２０１２は、封止壁２０６の下方には回り込んでおらず、表示領域側の位置に縁端が位置している。

ここで、本変形例では、上記変形例５と異なり、ＡｌＯｘ膜２０１３の縁端２０１３ｂが、封止壁２０６の下方に位置している。ＡｌＯｘ膜２０１１の縁端については、上記変形例５と同様に、封止壁２０６よりもＸ軸方向左側に延出された状態となっている。
なお、本変形例においても、ＡｌＯｘ膜２０１１，２０１３については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。

図１５（ａ）に示すような構成を有する変形例７に係る発光デバイスにおいても、封止層２０１において、ＳｉＮ膜２０１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜２０１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。また、ＳｉＮ膜２０１２のＺ軸方向上方にＡｌＯｘ膜２０１３を配置しているので、ＳｉＮ膜２０１２の表面の凹凸をある程度埋め込むことができる。

また、封止層２０１の構成中に、ＳｉＮ膜２０１２を含んでいるので、製造時における封止層２０１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。
また、囲繞領域において、封止層２０１の構成に含まれるＡｌＯｘ膜２０１１が封止壁２０６と基板１０１との間に介挿され、ＡｌＯｘ膜２０１３が封止壁２０６と基板１０１との間の一部領域に介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁２０６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。

なお、本変形例でも、封止壁２０６と基板１０１との間の一部領域において、２層のＡｌＯｘ膜２０１１，２０１３が介挿されるので、ＡｌＯｘ膜２０１１，２０１３を薄膜とした場合にも、製造時におけるバラツキを考慮しても確実に封止壁２０６と基板１０１との間に介挿されることになり、製造上のマージンをとることができる。
［変形例８］
変形例８に係る発光デバイスの構成について、図１５（ｂ）を用い説明する。なお、図１５（ｂ）では、図１２（ａ）、（ｂ）および図１３（ａ）、（ｂ）および図１４（ａ）、（ｂ）および図１５（ａ）と同様に、変形例８に係る発光デバイスの構成の内、囲繞領域だけを抽出して模式的に図示している。

図１５（ｂ）に示すように、本変形例に係る発光デバイスでは、Ｚ軸方向下側からAlＯｘ膜２１１１、ＳｉＮ膜２１１２、ＡｌＯｘ膜２１１３の３層が積層されてなる封止層２１１を備える。このうち、ＡｌＯｘ膜２１１１の端縁部２１１１ａが封止壁２１６と基板１０１との間に介挿されている。
一方、封止層２１１の構成要素として含まれるＳｉＮ膜２１１２およびＡｌＯｘ膜２１１３は、封止壁２１６の下方には回り込んでおらず、表示領域側の位置に縁端が位置している。

なお、本変形例においても、ＡｌＯｘ膜２１１１，２１１３については、上記同様にＡＬＤ法を用い形成されている。
図１５（ｂ）に示すような構成を有する変形例８に係る発光デバイスにおいても、封止層２１１において、ＳｉＮ膜２１１２のＺ軸方向下方にＡｌＯｘ膜２１１１を配置しているので、ＥＬ素子部およびＴＦＴ層の劣化抑制という効果を上記同様に奏することができる。また、ＳｉＮ膜２１１２のＺ軸方向上方にＡｌＯｘ膜２１１３を配置しているので、ＳｉＮ膜２１１２の表面の凹凸をある程度埋め込むことができる。

また、封止層２１１の構成中に、ＳｉＮ膜２１１２を含んでいるので、製造時における封止層２１１の形成に係るタクトタイムの長時間化を抑制しながら、ある程度の膜厚を確保することができ、外部からの水分や酸素の侵入を抑制しながら、高い光学性能を有する。
また、囲繞領域において、封止層２１１の構成に含まれるＡｌＯｘ膜２１１１が封止壁２１６と基板１０１との間の一部領域に介挿されているので、高い密着性を有する。よって、封止壁２１６と基板１０１との間からの水分や酸素の侵入も効果的に抑制することができる。これについては、上記実施の形態の表示パネル１０と同様である。

［その他の事項］
上記実施の形態および変形例１〜８では、封止層１１１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１，２１１の構成中に、ＳｉＮ膜１１１２，１４１２，１５１２，１６１２，１７１２，１８１２，１９１２，２０１２，２１１２が含まれることとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＳｉＮ膜の代わりに酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる膜を含むこともできる。この場合においても、上記同様の効果を得ることができる。

また、封止層に含まれるＡｌＯｘ膜の数を、上記実施の形態および変形例１〜８では、１層または２層としたが、３層以上とすることもできる。少なくともＳｉＮ膜よりもＥＬ素子部およびＴＦＴ層の側にＡｌＯｘ膜が配置されていればよい。
また、上記実施の形態および変形例１〜８では、封止層１１１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１，２１１において、ＳｉＮ膜１１１２，１４１２，１５１２，１６１２，１７１２，１８１２，１９１２，２０１２，２１１２に接した状態でＡｌＯｘ膜１１１１，１４１１，１５１１，１６１１，１７１１，１８１１，１９１１，２０１１，２１１１を設けることとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＳｉＮ膜の下方において、別の層を介してＡｌＯｘ膜が配置された構成を採用することもできる。この場合にも、上記同様の効果を得ることができる。

また、上記実施の形態および変形例１〜８では、封止層１１１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１，２１１におけるＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３，１４１１，１５１１，１６１１，１７１１，１８１１，１８１３，１９１１，１９１３，２０１１，２０１３，２１１１，２１１３が囲繞領域１０ｂまで延設されている構成としたが、必ずしも表示領域１０ａにおけるＡｌＯｘ膜と囲繞領域１０ｂにおけるＡｌＯｘ膜とが連続している必要はない。囲繞領域１０ｂにおけるＡｌＯｘ膜を中間膜として別に形成することとし、当該中間膜を封止壁と基板との間に介挿させた構成とすることもできる。

また、上記実施の形態および変形例１〜８では、封止層１１１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１，２１１におけるＡｌＯｘ膜１１１１，１１１３，１４１１，１５１１，１６１１，１７１１，１８１１，１８１３，１９１１，１９１３，２０１１，２０１３，２１１１，２１１３について、ＡＬＤ法を用い形成することとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。他の方法を用い形成することとしてもよい。ただし、水素脱ガスによるＴＦＴ層における酸化物半導体層の劣化を抑制するという観点からは、ＡＬＤ法を用い形成することが望ましい。

また、上記実施の形態および変形例１〜８では、封止層１１１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１，２１１の構成膜を「ＳｉＮ膜」、「ＡｌＯｘ膜」としたが、それぞれの構成膜において、他の分子などを不純物レベルで含んでいてもよい。
また、上記実施の形態に係る表示パネル１０では、ピクセルの平面構造などについては詳述しなかったが、本発明は、種々の形態を採用することができる。例えば、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセルの組み合わせを以って１ピクセルを構成することもできるし、その他にも、４つ以上のサブピクセルの組み合わせを以って１ピクセルを構成することもできる。また、各サブピクセルの平面形状についても、矩形状に限定されるものではなく、例えば、三角形や六角形、あるいは八角形などの平面形状を採用することもできる。また、全体としてハニカム形状の配置形態とすることなどもできる。

また、上記実施の形態では、アノード１０４と有機発光層１０８との間に、ホール注入層１０５およびホール輸送層１０７を介挿させる構成を採用したが、必ずしもこれらの層の介挿は必要ではない場合もあり、逆に更なる中間機能層を介挿させることもできる。同様に、有機発光層１０８とカソード１１０との間に、電子輸送層１０９を介挿させる構成を採用したが、場合によっては電子輸送層の介挿を省略することもでき、逆に、有機発光層１０８とカソード１１０との間に別の中間機能層を介挿させることもできる。

また、上記実施の形態では、有機発光層１０８に対してＺ軸方向下側にアノード１０４を配し、上側にカソード１１０を配した構成を一例として採用したが、有機発光層１０８に対するアノードおよびカソードの配置関係については逆転してもよい。即ち、有機発光層１０８に対してＺ軸方向下側にカソードを配し、上側にアノードを配してもよい。この場合にも、光取出し側に光透過性の電極を採用し、反対側に光反射性の電極を配することにより、トップエミッションを実現することができる。

本発明は、駆動が長期にわたった場合においても優れた発光特性を維持できる有機発光デバイスおよび有機表示装置を実現するのに有用である。

１．有機ＥＬ表示装置
１０．表示パネル
１０ａ．表示領域
１０ｂ．囲繞領域
２０．駆動制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００．サブピクセル
１０１．基板
１０２．ＴＦＴ層
１０３．絶縁層
１０４．アノード
１０５．ホール注入層
１０６．バンク
１０７．ホール輸送層
１０８．有機発光層
１０９．電子輸送層
１１０．カソード
１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１，２１１．封止層
１１２．樹脂層
１１３．カラーフィルタ層
１１４．ブラックマトリクス層
１１５．基板
１１６，１４６，１５６，１６６，１７６，１８６，１９６，２０６，２１６．封止壁
１０２１，１０２２．ゲート電極
１０２３．ゲート絶縁膜
１０２４，１０２５．チャネル層
１０２６．保護膜
１０２７，１０３０．ソース電極
１０２８，１０２９．ドレイン電極
１０３１．パッシベーション膜
１０３２．接続用電極
１０３３．引き出し配線
１１１１，１１１３、１２１１，１４１１，１５１１，１６１１，１７１１，１８１１，１８１３，１９１１，１９１３，２０１１，２０１３，２１１１，２１１３．ＡｌＯｘ膜
１１１２，１２１２，１４１２，１５１２，１６１２，１７１２，１８１２，１９１２，２０１２，２１１２．ＳｉＮ膜

Claims (9)

1. 互いに間隔をあけて対向配置された第１および第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間の間隙に配置され、第１および第２の電極と、当該第１の電極と第２の電極との間に介挿された有機発光層とを有する第１機能部と、
   前記第１の基板と、前記第１の電極と前記第２の電極とのうち前記第１の基板に近い側との間に配置され、少なくとも酸化物半導体を含む層を構成中に有する第２機能部と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間の間隙であって、平面視において、前記第１機能部および前記第２機能部が配置された領域を囲繞し、且つ、前記第１機能部および前記第２機能部が配置された領域を封止する封止壁と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間の間隙であって、前記第１機能部および前記第２機能部に対し、前記第２の基板側を覆う状態で配置され、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む第１被覆膜と、
   前記第１被覆膜と前記第２機能部における前記酸化物半導体を含む層との間であって、前記第２機能部における前記酸化物半導体を含む層を覆う状態で配置され、酸化アルミニウムからなる第２被覆膜と、
   前記第１の基板と前記封止壁との間に介挿され、酸化アルミニウムからなる中間膜と、を備える
   ことを特徴とする有機発光デバイス。
2. 前記第２被覆膜は、前記第１被覆膜と接している
   請求項１記載の有機発光デバイス。
3. 前記第２被覆膜と前記中間膜とは連続している
   請求項１または請求項２記載の有機発光デバイス。
4. 前記第１被覆膜は、端縁部の少なくとも一部が前記封止壁下まで延設されており、
   前記封止壁下まで延設された前記第１被覆膜の前記端縁部は、前記中間膜と前記封止壁との間に配置されている
   請求項１から請求項３の何れか記載の有機発光デバイス。
5. 前記第２の基板と前記第１被覆膜との間であって、前記第１被覆膜の少なくとも一部を覆う状態で配置され、酸化アルミニウムからなる第３被覆膜をさらに備える
   請求項１から請求項４の何れか記載の有機発光デバイス。
6. 前記第３被覆膜は、端縁部の少なくとも一部が前記封止壁下まで延設されており、
   前記封止壁下まで延設された前記第３被覆膜の前記端縁部は、前記中間膜と前記封止壁との間に配置されている
   請求項５記載の有機発光デバイス。
7. 前記第１被覆膜の縁端は、前記中間膜と前記第３被覆膜との間に挟まれた状態で配置されている
   請求項５または請求項６記載の有機発光デバイス。
8. 第２被覆膜は、原子層堆積法を用い形成された膜である
   請求項１から請求項７記載の有機発光デバイス。
9. 表示パネルと、
   前記表示パネルに接続された制御駆動回路と、
   を備え、
   前記表示パネルとして、請求項１から請求項８の何れかのデバイス構造が採用されている
   ことを特徴とする有機表示装置。

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