JP6554742B2 - エレクトレット素子、当該エレクトレット素子を搭載したマイクロフォン、及び、当該エレクトレット素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1(a)は、エレクトレット素子20(振動素子20)の構造を簡略化して示したものである。図1(b)は、後述する櫛歯電極211、221の周辺の拡大図である。
ステップS1において、図2(a)に示すSi基板(以下、基板と呼ぶ)を真空処理装置のチャンバに入れる。ステップS2において、チャンバ内を窒素パージする。
(1)エレクトレット素子20においては、酸化シリコン(SiO2)を含む膜2が形成され、膜2の上には、原子層堆積法(ALD法)で堆積させた酸化アルミニウムの保護膜5が形成される。
これによって、耐湿性を向上させ、帯電劣化を抑制し、良好な電荷安定性を有するエレクトレット素子を得ることができる。
これによって、コロナ放電によって作製されたエレクトレット膜と比較して、良好な電荷安定性を有する。
これによって、櫛歯電極211,221の側壁212,222という、保護膜を成膜しにくいような高アスペクト比を有する部分における耐湿性をも向上させることができ、エレクトレット素子20の良好な電荷安定性に貢献できる。
なお、櫛歯電極211,221の側壁212,222という、成膜しにくい部分への保護膜の成膜は、ALD法を用いたことによって可能となった。
図8は、コンデンサマイクロフォン50(コンデンサマイク50)に、エレクトレット素子20を静電誘導型電気機械変換素子として搭載した一例を示した模式図である。コンデンサマイク50は、ダイアフラム51と、バックプレート52と、ダイアフラム51とバックプレート52とを接続する絶縁性の支持部材53と、エレクトレット素子20と、を備えている。
2:SiO2膜(エレクトレット膜)
5:酸化アルミニウム膜(保護膜)
20:エレクトレット素子
21:可動電極
22:固定電極
23、24:出力端子
25:出力抵抗
50:コンデンサマイクロフォン(コンデンサマイク)
51:ダイアフラム
52:バックプレート
53:支持部材
211:櫛歯電極
212:側壁
221:櫛歯電極
222:側壁
G:間隔
L1、L2:長さ
Claims (2)
- 基板の上に、アルカリイオンを含んだシリコン酸化膜を形成する第1手順と、
前記シリコン酸化膜の上に、前記シリコン酸化膜の吸湿を抑制する酸化アルミニウム膜を原子層堆積法で堆積させる第2手順と、
前記第2手順を実行した後、前記基板を加熱した状態で電圧を印加して前記アルカリイオンを移動させることで、電気分極させる第3手順を実行するエレクトレット素子の製造方法。 - 請求項1に記載のエレクトレット素子の製造方法において、
前記基板は、互いに対向する一対の第1櫛歯電極と第2櫛歯電極を複数組有する櫛歯電極構造を有し、
前記電気分極は、前記シリコン酸化膜と前記酸化アルミニウム膜とが堆積された前記基板を加熱した状態で、前記第1櫛歯電極と前記第2櫛歯電極との間に電圧を印加して、前記アルカリイオンを移動させて行われる、エレクトレット素子の製造方法。
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