JPH06316766A - 二酸化珪素エレクトレットの改良製造方法及び得られた改良エレクトレット - Google Patents
二酸化珪素エレクトレットの改良製造方法及び得られた改良エレクトレットInfo
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- JPH06316766A JPH06316766A JP6002640A JP264094A JPH06316766A JP H06316766 A JPH06316766 A JP H06316766A JP 6002640 A JP6002640 A JP 6002640A JP 264094 A JP264094 A JP 264094A JP H06316766 A JPH06316766 A JP H06316766A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
- H01G7/025—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric having an inorganic dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 寿命の長いＳｉＯ2 エレクトレットを提供す
る。 【構成】 珪素及び酸素を含有するプラズマから生じた
気相中で直接付着させることにより固体基体（５）上に
ＳｉＯ2 層を形成することからなる第一工程を含むＳｉ
Ｏ2 中でエレクトレットを製造する方法において、その
ようにして形成された層（１０）を、電気的にそれを帯
電させる前に、１時間より長い時間その温度を１００℃
より高く上昇させることにより熱処理にかけることを特
徴とするエレクトレット製造方法。
る。 【構成】 珪素及び酸素を含有するプラズマから生じた
気相中で直接付着させることにより固体基体（５）上に
ＳｉＯ2 層を形成することからなる第一工程を含むＳｉ
Ｏ2 中でエレクトレットを製造する方法において、その
ようにして形成された層（１０）を、電気的にそれを帯
電させる前に、１時間より長い時間その温度を１００℃
より高く上昇させることにより熱処理にかけることを特
徴とするエレクトレット製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトレットの中
で、電気的に帯電した、二酸化珪素ＳｉＯ2 の箔又は薄
層から作られたエレクトレットに関する。
で、電気的に帯電した、二酸化珪素ＳｉＯ2 の箔又は薄
層から作られたエレクトレットに関する。
【０００２】
【従来の技術】永久的電気分極を有する誘電体であるエ
レクトレットは、マイクロホン又は静電リレーの如き多
くの装置で用いられている。
レクトレットは、マイクロホン又は静電リレーの如き多
くの装置で用いられている。
【０００３】そのようなＳｉＯ2 エレクトレットは、重
合体材料から作られたものに比較して幾つかの利点、特
に次のような利点を有する： − それらは上昇させた温度で一層よい挙動を示す。 − それらは薄い厚さ、即ち１０μより小さい厚さに作
ることができる。 − それらは基体上に容易に形成することができる。な
ぜなら、それらは、珪素基体の直接表面酸化により、或
は珪素又は珪素以外の他の材料により構成することがで
きる固体基体上に、珪素及び酸素を含有する適切なプラ
ズマを用いて気相で直接付着させることにより、そのよ
うな基体上に化学的に直接形成することができるからで
ある。
合体材料から作られたものに比較して幾つかの利点、特
に次のような利点を有する： − それらは上昇させた温度で一層よい挙動を示す。 − それらは薄い厚さ、即ち１０μより小さい厚さに作
ることができる。 − それらは基体上に容易に形成することができる。な
ぜなら、それらは、珪素基体の直接表面酸化により、或
は珪素又は珪素以外の他の材料により構成することがで
きる固体基体上に、珪素及び酸素を含有する適切なプラ
ズマを用いて気相で直接付着させることにより、そのよ
うな基体上に化学的に直接形成することができるからで
ある。
【０００４】しかし、これらのＳｉＯ2 エレクトレット
を実現する現在知られている方式では、期待寿命は重合
体エレクトレットの寿命より短く、そのような期待寿命
は一般に数カ月に限定されている。
を実現する現在知られている方式では、期待寿命は重合
体エレクトレットの寿命より短く、そのような期待寿命
は一般に数カ月に限定されている。
【０００５】この期待寿命を増大するため、電気的に帯
電させる前にヘキサメチルジシランザン（ＨＭＤＳ）で
ＳｉＯ2 を化学的に処理することが提案されているが、
この方法は操作しにくく、得られる結果は満足できるも
のではない。
電させる前にヘキサメチルジシランザン（ＨＭＤＳ）で
ＳｉＯ2 を化学的に処理することが提案されているが、
この方法は操作しにくく、得られる結果は満足できるも
のではない。
【０００６】エレクトレットに転化させるＳｉＯ2 層
を、珪素基体の直接表面酸化により得る場合、それを電
気的に帯電させる前にそのＳｉＯ2 層を加熱することに
よる最終エレクトレットの期待寿命に対する影響を研究
することも提案されてきた〔ギュンテルその他による文
献、１９９１年９月ベルリンで開催された第７回エレク
トレット国際シンポジウム(the 7th international sym
posium on electrets)「ＩＳＥ７」の出版予稿集第６６
３頁〜６６８頁〕。
を、珪素基体の直接表面酸化により得る場合、それを電
気的に帯電させる前にそのＳｉＯ2 層を加熱することに
よる最終エレクトレットの期待寿命に対する影響を研究
することも提案されてきた〔ギュンテルその他による文
献、１９９１年９月ベルリンで開催された第７回エレク
トレット国際シンポジウム(the 7th international sym
posium on electrets)「ＩＳＥ７」の出版予稿集第６６
３頁〜６６８頁〕。
【０００７】これらの研究では、予熱は期待寿命(life
expectancy）を著しく増大することはなく、反対にこれ
らのエレクトレットの或るものについては、その予熱の
エレクトレット帯電安定性に対する影響は、そのような
安定性を「かなり減少」させることを示している。
expectancy）を著しく増大することはなく、反対にこれ
らのエレクトレットの或るものについては、その予熱の
エレクトレット帯電安定性に対する影響は、そのような
安定性を「かなり減少」させることを示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記目的、
即ちＳｉＯ2 エレクトレットの期待寿命をかなり増大さ
せると言うことを、達成することができる。
即ちＳｉＯ2 エレクトレットの期待寿命をかなり増大さ
せると言うことを、達成することができる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
によるＳｉＯ2 エレクトレットの製造方法は、珪素及び
酸素を含有するプラズマから生じた気相中で直接付着さ
せることにより固体基体上にＳｉＯ2 層を形成すること
からなる第一工程を含み、それら方法は、そのようにし
て形成された層を、電気的にそれを帯電させる前に、１
時間より長い時間その温度を１００℃より高く上昇させ
ることにより熱処理にかけることを本質的に特徴とす
る。
によるＳｉＯ2 エレクトレットの製造方法は、珪素及び
酸素を含有するプラズマから生じた気相中で直接付着さ
せることにより固体基体上にＳｉＯ2 層を形成すること
からなる第一工程を含み、それら方法は、そのようにし
て形成された層を、電気的にそれを帯電させる前に、１
時間より長い時間その温度を１００℃より高く上昇させ
ることにより熱処理にかけることを本質的に特徴とす
る。
【００１０】好ましい態様として、次の構成(arrangeme
nts)の一つ及び（又は）他のものを更に用いる： − 前記プラズマが水素を含む。 − ＳｉＯ2 層を、夫々シラン（ＳｉＨ4 ）及び窒素プ
ロトキシド（Ｎ2 Ｏ）である二種類の気相成分の混合物
により構成されたプラズマから形成し、それら二種類の
成分の間の化学反応を、高周波電場及び０．１〜１．５
ミリバールの圧力が存在する、加熱された、好ましくは
３００℃程度の温度に加熱された基体の入った容器中で
行う。 − 前記方法に従って形成されたＳｉＯ2 層の熱処理
を、２４時間を越える時間、典型的には４８時間程度の
時間、１５０℃程度の温度で層を加熱することにより行
う。 − 熱処理後のＳｉＯ2 層の電気的帯電を、高電圧に上
昇させた伝導性ワイヤーにより、特に製造中のエレクト
レットに予想される電位の程度の電位に上昇させたグリ
ッドを通して発生させたコロナ効果を用いて行う。 − 熱処理後のＳｉＯ2 層の電気的帯電を、電子銃を用
いて行う。 − エレクトレットを形成するＳｉＯ2 層を装置の一つ
の電極を構成する金属基体上に形成し、該装置は空隙に
より前記層から分離された別の電極を有し、然も、前記
エレクトレットの厚さは０．５〜３μの範囲にある。
nts)の一つ及び（又は）他のものを更に用いる： − 前記プラズマが水素を含む。 − ＳｉＯ2 層を、夫々シラン（ＳｉＨ4 ）及び窒素プ
ロトキシド（Ｎ2 Ｏ）である二種類の気相成分の混合物
により構成されたプラズマから形成し、それら二種類の
成分の間の化学反応を、高周波電場及び０．１〜１．５
ミリバールの圧力が存在する、加熱された、好ましくは
３００℃程度の温度に加熱された基体の入った容器中で
行う。 − 前記方法に従って形成されたＳｉＯ2 層の熱処理
を、２４時間を越える時間、典型的には４８時間程度の
時間、１５０℃程度の温度で層を加熱することにより行
う。 − 熱処理後のＳｉＯ2 層の電気的帯電を、高電圧に上
昇させた伝導性ワイヤーにより、特に製造中のエレクト
レットに予想される電位の程度の電位に上昇させたグリ
ッドを通して発生させたコロナ効果を用いて行う。 − 熱処理後のＳｉＯ2 層の電気的帯電を、電子銃を用
いて行う。 − エレクトレットを形成するＳｉＯ2 層を装置の一つ
の電極を構成する金属基体上に形成し、該装置は空隙に
より前記層から分離された別の電極を有し、然も、前記
エレクトレットの厚さは０．５〜３μの範囲にある。
【００１１】これらの構成条件を別として、本発明は、
好ましくは同時に用いられる、後で一層明確に述べる或
る他の条件を含んでいる。
好ましくは同時に用いられる、後で一層明確に述べる或
る他の条件を含んでいる。
【００１２】次に、本発明の幾つかの好ましい態様を、
勿論限定的意味を持たないやり方で図面を参照して記述
する。
勿論限定的意味を持たないやり方で図面を参照して記述
する。
【００１３】エレクトレットを製造する方法の第一工程
は、容器１を含み、その内部には上下に配置された水平
な伝導性板から作られた２枚の電極２及び３が配置され
ている。
は、容器１を含み、その内部には上下に配置された水平
な伝導性板から作られた２枚の電極２及び３が配置され
ている。
【００１４】コンデンサーのアーマチュア(armatures）
を形成するこれら２枚の電極２及び３を、高周波電気エ
ネルギー源４に接続する。
を形成するこれら２枚の電極２及び３を、高周波電気エ
ネルギー源４に接続する。
【００１５】基体５を下の極板２の上に置き、それは金
属箔、例えば銅又は鋼の箔により構成されているのが有
利である。
属箔、例えば銅又は鋼の箔により構成されているのが有
利である。
【００１６】容器１を、夫々二つのバルブ６及び７を、
夫々珪素及び酸素を含むガス状成分Ａ及びＢの二つの容
器８及び９に接続する。
夫々珪素及び酸素を含むガス状成分Ａ及びＢの二つの容
器８及び９に接続する。
【００１７】これら二つの成分の間の化学反応を、それ
ら二つの成分の各々を適切に決定された体積でバルブ６
及び７を通って容器１中に導入し、活性化用源４により
その容器中で行う。
ら二つの成分の各々を適切に決定された体積でバルブ６
及び７を通って容器１中に導入し、活性化用源４により
その容器中で行う。
【００１８】一般に「ＣＶＤ」（化学蒸着）と言う名前
で呼ばれているこの反応は、基体５上にＳｉＯ2 １０の
付着物を生ずる。
で呼ばれているこの反応は、基体５上にＳｉＯ2 １０の
付着物を生ずる。
【００１９】満足できる態様として： − 成分Ａ及びＢは、夫々シラン（ＳｉＨ4 ）及び窒素
プロトキシド（Ｎ2 Ｏ）である。 − 周波数Ｆは１３．５６ＭＨｚに等しい。 − 容器１中の圧力は０．１〜１．５ミリバールであ
る。 − 基体５を、３００℃程度の温度に、特に極板２の電
気加熱により加熱する。
プロトキシド（Ｎ2 Ｏ）である。 − 周波数Ｆは１３．５６ＭＨｚに等しい。 − 容器１中の圧力は０．１〜１．５ミリバールであ
る。 − 基体５を、３００℃程度の温度に、特に極板２の電
気加熱により加熱する。
【００２０】化学反応から生ずるＳｉＯ2 以外の化学成
分は、この例ではＮ2 Ｈ2 であり、それは排出される。
分は、この例ではＮ2 Ｈ2 であり、それは排出される。
【００２１】付着物１０の厚さは時間の関数として調節
することができる。上記例では付着速度は５０００〜１
００００Å／分程度である。
することができる。上記例では付着速度は５０００〜１
００００Å／分程度である。
【００２２】上記厚さが０．５〜３μの値に達した時
に、源４の励起を止めることによりその工程を止める
に、源４の励起を止めることによりその工程を止める
【００２３】付着した層１０をこの段階で電気的に帯電
させると、得られるエレクトレットの期待寿命は小さく
なることが実験から示されている。
させると、得られるエレクトレットの期待寿命は小さく
なることが実験から示されている。
【００２４】この期待寿命を増大するため、本発明によ
れば層１０及びその基体５を、加熱工程からなる熱処理
にかける。この加熱工程は、１時間より長い時間１００
℃より高い温度で行われる。
れば層１０及びその基体５を、加熱工程からなる熱処理
にかける。この加熱工程は、１時間より長い時間１００
℃より高い温度で行われる。
【００２５】好ましい態様として、前記加熱は炉１１中
で４８時間程度の時間、１５０℃程度の温度で行う。
で４８時間程度の時間、１５０℃程度の温度で行う。
【００２６】この層を電気的に帯電させるのは、基体５
及び層１０のこの熱処理及び続く最終的冷却後のみであ
る。
及び層１０のこの熱処理及び続く最終的冷却後のみであ
る。
【００２７】この目的のために、既知のどのような帯電
法でも用いることができる。一例として、真空中での電
子銃１２（図３）を用いることができる。別の例とし
て、エレクトレットの電気的帯電を、接地したトンネル
１４内部に配置した高い電位Ｖに上昇させた伝導性ワイ
ヤー１３（図４）近くで発生したコロナ効果を有する放
電を用いて行う。基体５及び層１０は接地された伝導性
支持部材１５上の前記ワイヤーに対向して配置する。
法でも用いることができる。一例として、真空中での電
子銃１２（図３）を用いることができる。別の例とし
て、エレクトレットの電気的帯電を、接地したトンネル
１４内部に配置した高い電位Ｖに上昇させた伝導性ワイ
ヤー１３（図４）近くで発生したコロナ効果を有する放
電を用いて行う。基体５及び層１０は接地された伝導性
支持部材１５上の前記ワイヤーに対向して配置する。
【００２８】更に、製造中のエレクトレットの予想され
る電位に相当する電位Ｖｏに上昇させた薄いグリッド１
６をワイヤー１３と層１０との間に配置する。一例とし
て、電位Ｖ及びＶｏは、夫々−７０００ボルト及び−２
００ボルトに等しい。
る電位に相当する電位Ｖｏに上昇させた薄いグリッド１
６をワイヤー１３と層１０との間に配置する。一例とし
て、電位Ｖ及びＶｏは、夫々−７０００ボルト及び−２
００ボルトに等しい。
【００２９】上で述べたように製造し、熱処理した層１
０の電気的帯電から得られたＳｉＯ 2 エレクトレット
は、著しく長い期待寿命を示し、明らかに数十年のオー
ダーの寿命を示すことが実験によって示されており、そ
のことは非常に驚くべき結果になっている。
０の電気的帯電から得られたＳｉＯ 2 エレクトレット
は、著しく長い期待寿命を示し、明らかに数十年のオー
ダーの寿命を示すことが実験によって示されており、そ
のことは非常に驚くべき結果になっている。
【００３０】この驚くべき結果は次のように解釈するこ
とができるであろう：それは二種類の異なった成分の化
学的結合によって形成されているため、ＳｉＯ2 付着層
は、非常に低い濃度で珪素及び酸素以外の、水素及び窒
素の如き物質の原子を含んでおり、付着した層中に捕捉
されたそれら原子が、後の加熱中、後でそれらに到達す
る電荷を維持することができるトラッピング中心になる
ことができる点までブロックされる。
とができるであろう：それは二種類の異なった成分の化
学的結合によって形成されているため、ＳｉＯ2 付着層
は、非常に低い濃度で珪素及び酸素以外の、水素及び窒
素の如き物質の原子を含んでおり、付着した層中に捕捉
されたそれら原子が、後の加熱中、後でそれらに到達す
る電荷を維持することができるトラッピング中心になる
ことができる点までブロックされる。
【００３１】上述のようにして得られた長い予想寿命を
有するＳｉＯ2 エレクトレットの用途は、特にそれらの
厚さが非常に薄いことを考慮に入れると、膨大なもので
あると同時に重要なものである。
有するＳｉＯ2 エレクトレットの用途は、特にそれらの
厚さが非常に薄いことを考慮に入れると、膨大なもので
あると同時に重要なものである。
【００３２】そのような用途の一つは、マイクロホン又
はイヤホンの種類の音響装置を示している図５に例示さ
れている。そのような装置は次のようなものを持ってい
る：Ｃ型の形を有する金属ケース１７、その中に入った
Ｕ字型の形をした絶縁材料から作られた部材１８、その
部材を閉じている、第一電極として働く有効金属板１
９、その金属板１９が支えている絶縁ワッシャーリング
２０、エレクトレット１０、及びエレクトレットの基体
を構成する薄い伝導性箔５で、その箔はケース１７の開
口上に延ばされていて、そのケースに電気的に接続され
ている。
はイヤホンの種類の音響装置を示している図５に例示さ
れている。そのような装置は次のようなものを持ってい
る：Ｃ型の形を有する金属ケース１７、その中に入った
Ｕ字型の形をした絶縁材料から作られた部材１８、その
部材を閉じている、第一電極として働く有効金属板１
９、その金属板１９が支えている絶縁ワッシャーリング
２０、エレクトレット１０、及びエレクトレットの基体
を構成する薄い伝導性箔５で、その箔はケース１７の開
口上に延ばされていて、そのケースに電気的に接続され
ている。
【００３３】ケース１７及び箔１９と電気的に接触した
ピン２１及び２２によって、その装置を外部の電気回路
に接続することができる。
ピン２１及び２２によって、その装置を外部の電気回路
に接続することができる。
【００３４】そのような用途では、エレクトレット１０
の厚さが非常に小さいことが特に注目されることであ
る。実際、もしe をエレクトレット１０の厚さとし、
e′をそのエレクトレット１０と電極１９との間の空気
層の厚さであるとすると、考えられる音響装置の感度
は、二つの電極１０と１９の間の振動が無いとした場合
に存在する静電場で、それら電極によって定められたコ
ンデンサーの厚さに逆比例し、即ち e及び e′に逆比例
する静電場に比例する。
の厚さが非常に小さいことが特に注目されることであ
る。実際、もしe をエレクトレット１０の厚さとし、
e′をそのエレクトレット１０と電極１９との間の空気
層の厚さであるとすると、考えられる音響装置の感度
は、二つの電極１０と１９の間の振動が無いとした場合
に存在する静電場で、それら電極によって定められたコ
ンデンサーの厚さに逆比例し、即ち e及び e′に逆比例
する静電場に比例する。
【００３５】上記装置の別の態様として、電極５に面し
た側に電極１９に相対してエレクトレットを配置する。
この場合、電極板１９は珪素基体でもよく、孔は既知の
方法、例えば、化学的加工によってあけることができ
る。
た側に電極１９に相対してエレクトレットを配置する。
この場合、電極板１９は珪素基体でもよく、孔は既知の
方法、例えば、化学的加工によってあけることができ
る。
【００３６】適用されるどのような態様に従おうとも、
最終的にＳｉＯ2 エレクトレットが得られ、その構成及
び製造方法は、前述したことから充分に分かる。
最終的にＳｉＯ2 エレクトレットが得られ、その構成及
び製造方法は、前述したことから充分に分かる。
【００３７】これらのエレクトレットは、今まで知られ
ていたものに関する多くの利点、特に長い期待寿命、薄
い厚さ、それらが乗っている基体への緊密な付着、及び
良好な耐熱性に関する利点を有する。
ていたものに関する多くの利点、特に長い期待寿命、薄
い厚さ、それらが乗っている基体への緊密な付着、及び
良好な耐熱性に関する利点を有する。
【００３８】既に上で述べたことから明らかなように、
また、それらから更に分かるように、本発明は、その態
様及び一層特別に考えられてきた用途の例に何等限定さ
れるものではなく、反対に、それらの全ての変更したも
のを包含するものである。
また、それらから更に分かるように、本発明は、その態
様及び一層特別に考えられてきた用途の例に何等限定さ
れるものではなく、反対に、それらの全ての変更したも
のを包含するものである。
【図１】本発明によるエレクトレット製造方法の第一工
程を概略的に示す図である。
程を概略的に示す図である。
【図２】本発明の方法の第二工程を概略的に示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の方法の第三工程の一つの態様を概略的
に示す図である。
に示す図である。
【図４】本発明の方法の第三工程の別の態様を概略的に
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明によるＳｉＯ2 エレクトレットを具えた
音響装置の概略的断面図である。
音響装置の概略的断面図である。
１ 容器 ２ 電極 ３ 電極 ５ 基体 １０ ＳｉＯ2 付着層 １２ 電子銃 １３ 伝導性ワイヤー １６ グリッド １９ 電極板 ２１ ピン ２２ ピン
フロントページの続き (72)発明者 ディディエ ペリノ フランス国リュエユ − マルメゾン，リ ュ ボルテール，84
Claims (8)
- 【請求項１】 珪素及び酸素を含有するプラズマから生
じた気相中で直接付着させることにより、固体基体
（５）上にＳｉＯ2 層を形成することからなる第一工程
を含むＳｉＯ2 エレクトレットを製造する方法におい
て、そのようにして形成された層（１０）を、電気的に
それを帯電させる前に、１時間より長い時間その温度を
約１００℃より高く上昇させることにより熱処理にかけ
ることを特徴とするＳｉＯ2 エレクトレット製造方法。 - 【請求項２】 プラズマが水素を含む、請求項１に記載
の方法。 - 【請求項３】 ＳｉＯ2 層を、夫々シラン（ＳｉＨ4 ）
及び窒素プロトキシド（Ｎ2 Ｏ）である二種類の気相成
分の混合物により構成されたプラズマから形成し、それ
ら二種類の成分の間の化学反応を、高周波電場及び０．
１〜１．５ミリバールの圧力が存在する、加熱された、
好ましくは３００℃程度の温度に加熱された基体の入っ
た容器中で行う、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 ＳｉＯ2 層の熱処理が、２４時間を越え
る時間、典型的には４８時間程度の時間、１５０℃程度
の温度で層を加熱することにより行う、請求項３に記載
の方法。 - 【請求項５】 熱処理後のＳｉＯ2 層（１０）の電気的
帯電を高電圧に上昇させた伝導性ワイヤー（１３）によ
り、特に製造中のエレクトレットに予想される電位程度
の電位に上昇させたグリッド（１６）を通して発生させ
たコロナ効果を用いて行う、請求項１〜４のいずれか１
項に記載の方法。 - 【請求項６】 熱処理後のＳｉＯ2 層（１０）の電気的
帯電を、電子銃（１２）を用いて行う、請求項１〜５の
いずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 電荷を保持するトラップとして働く、珪
素及び酸素以外の物質の原子を非常に低い濃度で含有す
る、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法により製
造されたＳｉＯ2 エレクトレット。 - 【請求項８】 エレクトレットが装置の一つの電極を構
成する金属基体（５）上に形成されており、該装置は空
隙により前記エレクトレットから分離された別の電極
（１９）を有し、前記エレクトレットの厚さが０．５〜
３μの範囲にある、請求項７に記載のエレクトレット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9300297A FR2700414B1 (fr) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | Perfectionnements apportés aux procédés de fabrication des électrets en SiO2 et aux électrets obtenus. |
| FR9300297 | 1993-01-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06316766A true JPH06316766A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3483285B2 JP3483285B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=9443023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00264094A Expired - Fee Related JP3483285B2 (ja) | 1993-01-14 | 1994-01-14 | 二酸化珪素エレクトレットの改良製造方法及び得られた改良エレクトレット |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5486423A (ja) |
| EP (1) | EP0608162B1 (ja) |
| JP (1) | JP3483285B2 (ja) |
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| DE (1) | DE69408699T2 (ja) |
| FR (1) | FR2700414B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003047095A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
| US9263192B2 (en) | 2012-08-30 | 2016-02-16 | Aoi Electronics Co., Ltd. | Method for forming electret containing positive ions |
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| DE202009014001U1 (de) | 2009-10-15 | 2010-03-18 | Bolst, Klaus, Dr.-Ing. | Filtersystem bestehend aus einem Elektretfilter und einer vorgeschalteten Ionisationseinheit zur Erhöhung der Leistung des Elektretfilters und Verlängerung der Standzeit dessen bezüglich seiner elektrischen und elektrostatischen Eigenschaften |
| FR2954626B1 (fr) | 2009-12-23 | 2013-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Resonateur acoustique comprenant un electret, et procede de fabrication de ce resonateur, application aux filtres commutables a resonateurs couples |
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|---|---|---|---|---|
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1993
- 1993-01-14 FR FR9300297A patent/FR2700414B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-07 CA CA002113048A patent/CA2113048C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-12 DE DE69408699T patent/DE69408699T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-12 EP EP94400075A patent/EP0608162B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-13 US US08/182,707 patent/US5486423A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-14 JP JP00264094A patent/JP3483285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2003047095A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサマイクロホン及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3483285B2 (ja) | 2004-01-06 |
| CA2113048A1 (en) | 1994-07-15 |
| DE69408699D1 (de) | 1998-04-09 |
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