JPH11219852A - エレクトレット素子 - Google Patents
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- JPH11219852A JPH11219852A JP10018644A JP1864498A JPH11219852A JP H11219852 A JPH11219852 A JP H11219852A JP 10018644 A JP10018644 A JP 10018644A JP 1864498 A JP1864498 A JP 1864498A JP H11219852 A JPH11219852 A JP H11219852A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高濃度不純物半導体により形成された電極１
４の表面に酸化シリコンエレクトレット層１０を形成し
たエレクトレット素子であって、寿命が長いエレクトレ
ット素子を提供する。 【解決手段】 電極１４と酸化シリコンエレクトレット
層１０の間に、エピタキシャル法により形成された低濃
度不純物シリコン層１２が形成されている。
４の表面に酸化シリコンエレクトレット層１０を形成し
たエレクトレット素子であって、寿命が長いエレクトレ
ット素子を提供する。 【解決手段】 電極１４と酸化シリコンエレクトレット
層１０の間に、エピタキシャル法により形成された低濃
度不純物シリコン層１２が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的に帯電した
エレクトレットを電極の表面に形成したエレクトレット
素子に関するものである。
エレクトレットを電極の表面に形成したエレクトレット
素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、永久的電気分極を有する誘電
体であるエレクトレットを電極の表面に形成したエレク
トレット素子が、例えば特開昭５７−１４２９５号に記
載されたような静電型マイクロホンや、静電リレー等に
用いられている。上記エレクトレットの材料としては、
有機系の高分子重合体が従来より使用されているが、近
年では、ＩＣ・ＬＳＩ等の微細加工技術を利用してエレ
クトレットの薄膜化・小型化を図るために、有機系の材
料に代えて、例えば、特開平８−２９８７９４号に記載
されたような、酸化シリコンを用いたエレクトレットが
検討されている。
体であるエレクトレットを電極の表面に形成したエレク
トレット素子が、例えば特開昭５７−１４２９５号に記
載されたような静電型マイクロホンや、静電リレー等に
用いられている。上記エレクトレットの材料としては、
有機系の高分子重合体が従来より使用されているが、近
年では、ＩＣ・ＬＳＩ等の微細加工技術を利用してエレ
クトレットの薄膜化・小型化を図るために、有機系の材
料に代えて、例えば、特開平８−２９８７９４号に記載
されたような、酸化シリコンを用いたエレクトレットが
検討されている。
【０００３】この酸化シリコンを用いたエレクトレット
は、有機系のエレクトレットと比べて、高温でも良好な
帯電安定性を有するという特徴や、薄膜（例えば、厚さ
１０μｍ以下）化が容易であるという特徴や、各種基体
の表面に形成することが可能であるという特徴が有り増
加しつつある。
は、有機系のエレクトレットと比べて、高温でも良好な
帯電安定性を有するという特徴や、薄膜（例えば、厚さ
１０μｍ以下）化が容易であるという特徴や、各種基体
の表面に形成することが可能であるという特徴が有り増
加しつつある。
【０００４】なお、この各種基体の表面に形成する方法
としては、例えばシリコンの表面に形成する場合には、
シリコンを直接表面酸化して形成する方法や、シリコン
及び酸素を含有するプラズマＣＶＤ法（プラズマ気相成
長法）によって形成することが検討されており、シリコ
ン以外の基体の表面に形成する場合には、上記と同様の
プラズマＣＶＤ法によって形成することが検討されてい
る。
としては、例えばシリコンの表面に形成する場合には、
シリコンを直接表面酸化して形成する方法や、シリコン
及び酸素を含有するプラズマＣＶＤ法（プラズマ気相成
長法）によって形成することが検討されており、シリコ
ン以外の基体の表面に形成する場合には、上記と同様の
プラズマＣＶＤ法によって形成することが検討されてい
る。
【０００５】しかし、このような方法で形成した酸化シ
リコンエレクトレットの期待寿命は、有機系のエレクト
レットと比べて短く、数ヶ月程度であるという問題があ
った。そのため、酸化シリコンエレクトレットの寿命を
増大するために、酸化シリコンを電気的に帯電させる前
に、ヘキサメチルジシランザン（ＨＭＤＳ）で酸化シリ
コンを化学的に処理する方法が提案されている。しかし
この方法は、処理しにくいという難点があった。
リコンエレクトレットの期待寿命は、有機系のエレクト
レットと比べて短く、数ヶ月程度であるという問題があ
った。そのため、酸化シリコンエレクトレットの寿命を
増大するために、酸化シリコンを電気的に帯電させる前
に、ヘキサメチルジシランザン（ＨＭＤＳ）で酸化シリ
コンを化学的に処理する方法が提案されている。しかし
この方法は、処理しにくいという難点があった。
【０００６】また、シリコンの表面にエレクトレットを
形成する場合の寿命を増大するために、直接表面酸化に
より酸化シリコンを形成した後、酸化シリコンを電気的
に帯電させる前に、その酸化シリコンを加熱する方法が
提案されている（the 7th international symposium on
electrets(1991) 663,668）。しかしこの方法の場合、
加熱によって帯電安定性を低下させるという難点があっ
た。
形成する場合の寿命を増大するために、直接表面酸化に
より酸化シリコンを形成した後、酸化シリコンを電気的
に帯電させる前に、その酸化シリコンを加熱する方法が
提案されている（the 7th international symposium on
electrets(1991) 663,668）。しかしこの方法の場合、
加熱によって帯電安定性を低下させるという難点があっ
た。
【０００７】なお、シリコン及び酸素を含有するプラズ
マＣＶＤ法によってシリコンの表面にエレクトレットを
形成する場合には、条件を調整することによって、２〜
３年程度の寿命のエレクトレットを形成することが実現
されている。しかし、エレクトレット素子の用途拡大や
低コスト化のために、高濃度不純物半導体により形成さ
れた電極の表面等、抵抗率が比較的小さい基体の表面に
酸化シリコンエレクトレット層を形成してエレクトレッ
ト素子を形成した場合には、プラズマＣＶＤ法の条件を
調整しても寿命を増大する効果は小さく、更なる改善が
望まれている。
マＣＶＤ法によってシリコンの表面にエレクトレットを
形成する場合には、条件を調整することによって、２〜
３年程度の寿命のエレクトレットを形成することが実現
されている。しかし、エレクトレット素子の用途拡大や
低コスト化のために、高濃度不純物半導体により形成さ
れた電極の表面等、抵抗率が比較的小さい基体の表面に
酸化シリコンエレクトレット層を形成してエレクトレッ
ト素子を形成した場合には、プラズマＣＶＤ法の条件を
調整しても寿命を増大する効果は小さく、更なる改善が
望まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、高濃度不純物半導体により形成された電極の表面
に、酸化シリコンエレクトレット層を形成したエレクト
レット素子であって、寿命が長いエレクトレット素子を
提供することにある。
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、高濃度不純物半導体により形成された電極の表面
に、酸化シリコンエレクトレット層を形成したエレクト
レット素子であって、寿命が長いエレクトレット素子を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
エレクトレット素子は、高濃度不純物半導体により形成
された電極の表面に、酸化シリコンエレクトレット層を
形成したエレクトレット素子において、上記電極と酸化
シリコンエレクトレット層の間に、エピタキシャル法に
より形成され、電極を形成する高濃度不純物半導体より
抵抗率が大きいシリコン半導体層が形成されていること
を特徴とする。
エレクトレット素子は、高濃度不純物半導体により形成
された電極の表面に、酸化シリコンエレクトレット層を
形成したエレクトレット素子において、上記電極と酸化
シリコンエレクトレット層の間に、エピタキシャル法に
より形成され、電極を形成する高濃度不純物半導体より
抵抗率が大きいシリコン半導体層が形成されていること
を特徴とする。
【００１０】本発明の請求項２に係るエレクトレット素
子は、請求項１記載のエレクトレット素子において、シ
リコン半導体層が、低濃度の不純物が添加されたシリコ
ンにより形成されていることを特徴とする。
子は、請求項１記載のエレクトレット素子において、シ
リコン半導体層が、低濃度の不純物が添加されたシリコ
ンにより形成されていることを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項３に係るエレクトレット素
子は、請求項１又は請求項２記載のエレクトレット素子
において、シリコン半導体層のうち酸化シリコンエレク
トレット層側の部分の抵抗率の大きさが、電極側の部分
の抵抗率より大きいことを特徴とする。
子は、請求項１又は請求項２記載のエレクトレット素子
において、シリコン半導体層のうち酸化シリコンエレク
トレット層側の部分の抵抗率の大きさが、電極側の部分
の抵抗率より大きいことを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項４に係るエレクトレット素
子は、請求項１から請求項３のいずれかに記載のエレク
トレット素子において、酸化シリコンエレクトレット層
が、熱酸化法により形成されていることを特徴とする。
子は、請求項１から請求項３のいずれかに記載のエレク
トレット素子において、酸化シリコンエレクトレット層
が、熱酸化法により形成されていることを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項５に係るエレクトレット素
子は、請求項１から請求項３のいずれかに記載のエレク
トレット素子において、酸化シリコンエレクトレット層
が、プラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴
とする。
子は、請求項１から請求項３のいずれかに記載のエレク
トレット素子において、酸化シリコンエレクトレット層
が、プラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴
とする。
【００１４】従来のエレクトレット素子のように、電極
と酸化シリコンエレクトレット層が直接接してエレクト
レット素子が形成されている場合は、電極の酸化シリコ
ンエレクトレット層と接する部分に凹凸が有ると、凸の
部分に電荷の集中が起こり、その結果、その電荷の集中
が起こった部分から電荷が放電しやすくなって、酸化シ
リコンエレクトレット層内に帯電している電荷が減少し
やすくなり、寿命が短くなる。それに対して本発明に係
るエレクトレット素子は、電極と酸化シリコンエレクト
レット層の間にシリコン半導体層が形成されているた
め、電界が緩和されて凸の部分には電荷の集中が起こり
にくくなり、酸化シリコンエレクトレット層内の電荷が
放電しにくくなって、寿命が長くなると考えられる。
と酸化シリコンエレクトレット層が直接接してエレクト
レット素子が形成されている場合は、電極の酸化シリコ
ンエレクトレット層と接する部分に凹凸が有ると、凸の
部分に電荷の集中が起こり、その結果、その電荷の集中
が起こった部分から電荷が放電しやすくなって、酸化シ
リコンエレクトレット層内に帯電している電荷が減少し
やすくなり、寿命が短くなる。それに対して本発明に係
るエレクトレット素子は、電極と酸化シリコンエレクト
レット層の間にシリコン半導体層が形成されているた
め、電界が緩和されて凸の部分には電荷の集中が起こり
にくくなり、酸化シリコンエレクトレット層内の電荷が
放電しにくくなって、寿命が長くなると考えられる。
【００１５】また更に、電極と酸化シリコンエレクトレ
ット層が直接接してエレクトレット素子が形成されてい
る場合、抵抗率の小さい電極と、酸化シリコンエレクト
レット層の界面には電荷を捕獲することができないた
め、このエレクトレット素子は酸化シリコンエレクトレ
ット層内に捕獲した電荷のみによって作動することにな
るが、本発明に係るエレクトレット素子は、シリコン半
導体層と酸化シリコンエレクトレット層の間の界面にも
電荷を捕獲することができるため、酸化シリコンエレク
トレット層内に捕獲した電荷と界面に捕獲した電荷をあ
わせて作動することができ、寿命が長くなると考えられ
る。
ット層が直接接してエレクトレット素子が形成されてい
る場合、抵抗率の小さい電極と、酸化シリコンエレクト
レット層の界面には電荷を捕獲することができないた
め、このエレクトレット素子は酸化シリコンエレクトレ
ット層内に捕獲した電荷のみによって作動することにな
るが、本発明に係るエレクトレット素子は、シリコン半
導体層と酸化シリコンエレクトレット層の間の界面にも
電荷を捕獲することができるため、酸化シリコンエレク
トレット層内に捕獲した電荷と界面に捕獲した電荷をあ
わせて作動することができ、寿命が長くなると考えられ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明に係るエレクトレット素子
を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係るエレク
トレット素子の一実施の形態の断面を説明する図であ
り、図２は本発明に係るエレクトレット素子の他の実施
の形態の断面を説明する図である。
を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係るエレク
トレット素子の一実施の形態の断面を説明する図であ
り、図２は本発明に係るエレクトレット素子の他の実施
の形態の断面を説明する図である。
【００１７】本発明に係るエレクトレット素子の一実施
の形態は、図１に示すように、高濃度不純物半導体によ
り形成された電極１４と、酸化シリコンエレクトレット
層１０の間に、これらの電極１４及び酸化シリコンエレ
クトレット層１０と共に接したシリコン半導体層１２が
形成されているエレクトレット素子であり、電極１４
は、シリコン基板１６上に、層状に形成されている。な
お上記シリコン半導体層１２は、電極１４を形成する高
濃度不純物半導体より抵抗率が大きいシリコンにより形
成された半導体層であり、エピタキシャル法により形成
された層である。
の形態は、図１に示すように、高濃度不純物半導体によ
り形成された電極１４と、酸化シリコンエレクトレット
層１０の間に、これらの電極１４及び酸化シリコンエレ
クトレット層１０と共に接したシリコン半導体層１２が
形成されているエレクトレット素子であり、電極１４
は、シリコン基板１６上に、層状に形成されている。な
お上記シリコン半導体層１２は、電極１４を形成する高
濃度不純物半導体より抵抗率が大きいシリコンにより形
成された半導体層であり、エピタキシャル法により形成
された層である。
【００１８】このように電極１４と酸化シリコンエレク
トレット層１０の間にシリコン半導体層１２が形成され
ていると、電極１４と酸化シリコンエレクトレット層１
０の間の電界を緩和することが可能となるため、寿命が
長いエレクトレット素子となると考えられる。また更
に、電極１４と酸化シリコンエレクトレット層１０の間
にシリコン半導体層１２が形成されている場合、シリコ
ン半導体層１２と酸化シリコンエレクトレット層１０の
間の界面にも電荷を捕獲することができるため、酸化シ
リコンエレクトレット層１０内に捕獲した電荷と界面に
捕獲した電荷をあわせて作動することができ、寿命が長
くなると考えられる。
トレット層１０の間にシリコン半導体層１２が形成され
ていると、電極１４と酸化シリコンエレクトレット層１
０の間の電界を緩和することが可能となるため、寿命が
長いエレクトレット素子となると考えられる。また更
に、電極１４と酸化シリコンエレクトレット層１０の間
にシリコン半導体層１２が形成されている場合、シリコ
ン半導体層１２と酸化シリコンエレクトレット層１０の
間の界面にも電荷を捕獲することができるため、酸化シ
リコンエレクトレット層１０内に捕獲した電荷と界面に
捕獲した電荷をあわせて作動することができ、寿命が長
くなると考えられる。
【００１９】なおシリコン半導体層１２は、電極１４を
形成する高濃度不純物半導体と、絶縁体との間の抵抗率
を有する物質により形成された層であり、低濃度の不純
物が添加されたシリコンや、不純物が添加されていない
シリコンにより形成された層が挙げられる。なお、シリ
コン半導体層１２が、低濃度の不純物が添加されたシリ
コンにより形成されていると、シリコン半導体層１２の
抵抗率を調整しやすく好ましい。このシリコン半導体層
１２の厚みとしては、特に限定するものではないが、
０．５μｍ程度が好ましい。
形成する高濃度不純物半導体と、絶縁体との間の抵抗率
を有する物質により形成された層であり、低濃度の不純
物が添加されたシリコンや、不純物が添加されていない
シリコンにより形成された層が挙げられる。なお、シリ
コン半導体層１２が、低濃度の不純物が添加されたシリ
コンにより形成されていると、シリコン半導体層１２の
抵抗率を調整しやすく好ましい。このシリコン半導体層
１２の厚みとしては、特に限定するものではないが、
０．５μｍ程度が好ましい。
【００２０】このシリコン半導体層１２は、エピタキシ
ャル法により形成された層であり、この形成する具体的
条件としては、例えば、四塩化ケイ素と、キャリアガス
として水素ガスと、不純物源として水素化ヒ素ガスを用
いて、成長温度１１００℃で処理して電極１４上に成長
させることにより形成することができる。なおこの場
合、シリコン半導体層１２の抵抗率の調整方法として
は、不純物源の濃度で調整することができる。
ャル法により形成された層であり、この形成する具体的
条件としては、例えば、四塩化ケイ素と、キャリアガス
として水素ガスと、不純物源として水素化ヒ素ガスを用
いて、成長温度１１００℃で処理して電極１４上に成長
させることにより形成することができる。なおこの場
合、シリコン半導体層１２の抵抗率の調整方法として
は、不純物源の濃度で調整することができる。
【００２１】なお、図２に示すように、シリコン半導体
層１２を多層構造とし、シリコン半導体層１２のうち酸
化シリコンエレクトレット層１０側の部分（１２ａ）の
抵抗率の大きさが、電極１４側の部分（１２ｂ）の抵抗
率より大きくなるように形成すると、シリコン半導体層
１２全体としての電界が緩和される効果が特に大きくな
るため、特に寿命が長いエレクトレット素子となり好ま
しい。この場合、段階的に抵抗率が変化するように形成
しても良く、連続的に抵抗率が変化するように形成して
も良い。
層１２を多層構造とし、シリコン半導体層１２のうち酸
化シリコンエレクトレット層１０側の部分（１２ａ）の
抵抗率の大きさが、電極１４側の部分（１２ｂ）の抵抗
率より大きくなるように形成すると、シリコン半導体層
１２全体としての電界が緩和される効果が特に大きくな
るため、特に寿命が長いエレクトレット素子となり好ま
しい。この場合、段階的に抵抗率が変化するように形成
しても良く、連続的に抵抗率が変化するように形成して
も良い。
【００２２】本発明のエレクトレット素子を構成する電
極１４は、高濃度にボロンが添加されたシリコン等の高
濃度不純物半導体により形成された抵抗率の比較的小さ
いものであり、一般的には、シリコン基板１６やガラス
基板のような基体の表面に層状に形成される。この層状
に形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法やＲＦスパ
ッタリング法により形成することができる。なお、シリ
コン基板１６の表面に形成する場合には、シリコン基板
１６にボロン等の不純物を拡散させたり、イオンを注入
して形成することもできる。
極１４は、高濃度にボロンが添加されたシリコン等の高
濃度不純物半導体により形成された抵抗率の比較的小さ
いものであり、一般的には、シリコン基板１６やガラス
基板のような基体の表面に層状に形成される。この層状
に形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法やＲＦスパ
ッタリング法により形成することができる。なお、シリ
コン基板１６の表面に形成する場合には、シリコン基板
１６にボロン等の不純物を拡散させたり、イオンを注入
して形成することもできる。
【００２３】また、エレクトレット素子を構成する酸化
シリコンエレクトレット層１０は、酸化シリコンにより
形成されたエレクトレットであり、シリコン半導体層１
２上に酸化シリコンの層を形成した後、その酸化シリコ
ンの層を帯電させることによって形成したものである。
この酸化シリコンエレクトレット層１０の厚みとして
は、特に限定するものではないが、１μｍ程度が好まし
い。
シリコンエレクトレット層１０は、酸化シリコンにより
形成されたエレクトレットであり、シリコン半導体層１
２上に酸化シリコンの層を形成した後、その酸化シリコ
ンの層を帯電させることによって形成したものである。
この酸化シリコンエレクトレット層１０の厚みとして
は、特に限定するものではないが、１μｍ程度が好まし
い。
【００２４】この酸化シリコンの層の形成方法として
は、例えば、熱酸化法や、プラズマＣＶＤ法や、ＬＰＣ
ＶＤ法により形成することができる。なお、シリコン半
導体層１２がエピタキシャル法により形成されているた
め、上記のような各種方法で酸化シリコンの層を形成し
ても、寿命が長いエレクトレット素子が得られ、汎用性
が高い製造が可能となっている。
は、例えば、熱酸化法や、プラズマＣＶＤ法や、ＬＰＣ
ＶＤ法により形成することができる。なお、シリコン半
導体層１２がエピタキシャル法により形成されているた
め、上記のような各種方法で酸化シリコンの層を形成し
ても、寿命が長いエレクトレット素子が得られ、汎用性
が高い製造が可能となっている。
【００２５】酸化シリコンの層を形成する具体的方法と
しては、熱酸化法の場合、例えば、水素、酸素、窒素ガ
スを用い、１１００℃で加熱することによりシリコン半
導体層１２の表面部を熱酸化して形成する。なお必要に
応じて、酸化シリコンの層を形成した後、ヘキサメチル
ジシランザンで化学的に処理したり、１００℃程度で加
熱してアニールを行う。
しては、熱酸化法の場合、例えば、水素、酸素、窒素ガ
スを用い、１１００℃で加熱することによりシリコン半
導体層１２の表面部を熱酸化して形成する。なお必要に
応じて、酸化シリコンの層を形成した後、ヘキサメチル
ジシランザンで化学的に処理したり、１００℃程度で加
熱してアニールを行う。
【００２６】また、プラズマＣＶＤ法の場合、例えば、
３０モル％の亜酸化窒素を加えたシランを用いて、圧力
０．６Ｔｏｒｒ、基板温度２００〜３００℃、放電電力
１５０Ｗ、周波数１３．５６ＭＨｚでプラズマを発生さ
せてシリコン半導体層１２上に酸化シリコンを堆積させ
ることにより形成する。
３０モル％の亜酸化窒素を加えたシランを用いて、圧力
０．６Ｔｏｒｒ、基板温度２００〜３００℃、放電電力
１５０Ｗ、周波数１３．５６ＭＨｚでプラズマを発生さ
せてシリコン半導体層１２上に酸化シリコンを堆積させ
ることにより形成する。
【００２７】また、酸化シリコンの層を帯電させる方法
としては、例えば、酸化シリコンの層に電子ビームを照
射し、電子を酸化シリコンの層に導入することによって
帯電させたり、導電性ワイヤからコロナ放電により発生
させた電荷を、酸化シリコンの層に導入して帯電させ
る。
としては、例えば、酸化シリコンの層に電子ビームを照
射し、電子を酸化シリコンの層に導入することによって
帯電させたり、導電性ワイヤからコロナ放電により発生
させた電荷を、酸化シリコンの層に導入して帯電させ
る。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係るエレクトレット素子は、電
極と酸化シリコンエレクトレット層の間に、上記のよう
なシリコン半導体層が形成されているため、寿命が長い
エレクトレット素子となる。
極と酸化シリコンエレクトレット層の間に、上記のよう
なシリコン半導体層が形成されているため、寿命が長い
エレクトレット素子となる。
【図１】本発明に係るエレクトレット素子の一実施の形
態の断面を説明する図である。
態の断面を説明する図である。
【図２】本発明に係るエレクトレット素子の他の実施の
形態の断面を説明する図である。
形態の断面を説明する図である。
１０ 酸化シリコンエレクトレット層 １２ シリコン半導体層 １４ 電極 １６ シリコン基板
Claims (5)
- 【請求項１】 高濃度不純物半導体により形成された電
極の表面に、酸化シリコンエレクトレット層を形成した
エレクトレット素子において、上記電極と酸化シリコン
エレクトレット層の間に、エピタキシャル法により形成
され、電極を形成する高濃度不純物半導体より抵抗率が
大きいシリコン半導体層が形成されていることを特徴と
するエレクトレット素子。 - 【請求項２】 シリコン半導体層が、低濃度の不純物が
添加されたシリコンにより形成されていることを特徴と
する請求項１記載のエレクトレット素子。 - 【請求項３】 シリコン半導体層のうち酸化シリコンエ
レクトレット層側の部分の抵抗率の大きさが、電極側の
部分の抵抗率より大きいことを特徴とする請求項１又は
請求項２記載のエレクトレット素子。 - 【請求項４】 酸化シリコンエレクトレット層が、熱酸
化法により形成されていることを特徴とする請求項１か
ら請求項３のいずれかに記載のエレクトレット素子。 - 【請求項５】 酸化シリコンエレクトレット層が、プラ
ズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする請
求項１から請求項３のいずれかに記載のエレクトレット
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018644A JPH11219852A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | エレクトレット素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018644A JPH11219852A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | エレクトレット素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219852A true JPH11219852A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11977328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018644A Pending JPH11219852A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | エレクトレット素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219852A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141171A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトレット素子および静電動作装置 |
| JP2010279024A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-12-09 | Nitto Denko Corp | エレクトレット材および静電型音響変換器 |
| US8164231B2 (en) | 2006-11-10 | 2012-04-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electret device comprising electret film formed on main surface of substrate and electrostatic operating apparatus |
| WO2015169485A1 (de) * | 2014-05-08 | 2015-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur herstellung eines mehrschichtigen elektret-bauteils |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10018644A patent/JPH11219852A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141171A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトレット素子および静電動作装置 |
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| US8971553B2 (en) | 2009-04-27 | 2015-03-03 | Nitto Denko Corporation | Electret material and electrostatic-type acoustic transducer |
| EP2426683A4 (en) * | 2009-04-27 | 2015-08-26 | Nitto Denko Corp | ELECTRET MATERIAL AND ACOUSTIC TRANSDUCER OF ELECTROSTATIC TYPE |
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| KR20160149302A (ko) * | 2014-05-08 | 2016-12-27 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 다층 일렉트릿 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 |
| CN106463262A (zh) * | 2014-05-08 | 2017-02-22 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造多层驻极体部件的方法 |
| CN106463262B (zh) * | 2014-05-08 | 2019-02-01 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造多层驻极体部件的方法 |
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