WO2019227668A1 - 触控显示屏的制作方法 - Google Patents

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WO2019227668A1
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insulating layer
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photoresist
manufacturing
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冯校亮
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
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    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
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    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the invention relates to the field of display panel manufacturing, and in particular, to a method for manufacturing a touch display screen.
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the more commonly used touch technologies include plug-in touch technology and embedded touch technology.
  • the more commonly used touch technologies include plug-in touch technology and embedded touch technology.
  • Embedded touch technology refers to the integration of touch sensors into the display panel. Because embedded touch technology can make display devices thinner and thinner than external touch technology, embedded touch technology should be used in OLED display devices. More attention; and the external touch technology is a method of embedding the touch screen between the color filter substrate and the polarizer of the display screen, that is, the touch sensor on the LCD panel is less difficult than the embedded touch technology. A lot.
  • a touch layer is generally disposed on the OLED packaging layer.
  • the specific structure of the touch layer includes: a first insulating layer, a bridge layer, a second insulating layer, a touch electrode layer, and a protective layer which are sequentially formed on the OLED packaging layer.
  • the invention provides a method for manufacturing a touch display screen, which is used to solve the problems of using a large number of photomasks and low production efficiency when manufacturing a touch layer in the prior art.
  • the invention provides a method for manufacturing a touch display screen, including:
  • Step S20 depositing a first insulating layer on the thin film encapsulation layer
  • Step S30 forming a bridge layer on the surface of the first insulating layer
  • Step S40 depositing a second insulating layer on the bridge layer
  • Step S50 using a photomask to perform a photomask process on the second insulating layer, so that the first insulating layer and the second insulating layer are patterned, and a first contact hole is formed in the second insulating layer.
  • Step S60 forming a touch electrode layer on the second insulating layer
  • step S70 a protective layer is formed on the touch electrode layer.
  • the manufacturing method before the step S20, the manufacturing method further includes:
  • step S10 a substrate is provided, and a thin film transistor layer, an OLED display layer, and the thin film encapsulation layer are sequentially formed on the substrate, wherein a touch lead is disposed on the thin film transistor layer.
  • the touch display screen includes a first display area and a second display area.
  • the step S50 includes:
  • Step S51 coating a photoresist on the surface of the second insulating layer
  • Step S52 exposing the photoresist by using a mask having a multi-segment transmission rate, and patterning the photoresist after development to form spaced first and second development regions.
  • the first developing area is located in the first display area, and the second developing area is located in the second display area;
  • step S53 the second developing region is etched so that the total thickness of the first insulating layer and the second insulating layer of the second display region is equal to the second insulating of the first display region Layer thickness
  • Step S54 performing an ashing process on the photoresist, so that the photoresist in the first developing area is removed, and the thickness of the photoresist in other unexposed areas is reduced;
  • Step S55 etching the first developing region and the second developing region to pattern the first insulating layer and the second insulating layer, and forming a first in the second insulating layer.
  • step S56 the photoresist is stripped.
  • the multi-segment transmission mask includes a first transmission region and a second transmission region
  • the first transmittance region corresponds to the first developing region
  • the second transmittance region corresponds to the second developing region
  • the light transmittance of the first transmittance region is smaller than the light transmittance of the second transmittance region
  • the first transmittance region is a semi-exposed region
  • the second transmittance region is a fully exposed region
  • the manufacturing order of the bridge layer and the touch electrode layer can be interchanged.
  • the material of the bridge layer and the material of the touch electrode layer are one of ITO (Indium tin oxide), metal or graphene.
  • the step S60 includes:
  • Step S61 depositing the touch electrode layer on the second insulating layer
  • Step S62 coating a photoresist on the second insulating layer
  • Step S63 after the photoresist is exposed and developed, the photoresist is patterned;
  • step S64 an etching process is performed on the touch electrode layer, so that a second contact hole is formed in the touch electrode layer.
  • step S65 the photoresist is stripped.
  • a material of the protective layer is an inorganic insulating material or an organic insulating material.
  • the protective layer is made of an organic insulating material, it only needs to be completed by using a yellow light process.
  • the first insulating layer and the second insulating layer use the same mask process, and the insulating layer is subjected to two etching processes successively, so that the first insulating layer and the The patterning of the second insulating layer reduces the number of photomasks, improves process efficiency, and reduces manufacturing costs.
  • the reduction of the number of photomasks reduces the long-term exposure of the touch leads connected to the touch layer. Risk of oxidation.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of steps of a method for manufacturing a touch display screen according to a preferred embodiment of the present invention
  • FIGS. 2 to 3 are process flow charts of a method for manufacturing a touch display screen according to a preferred embodiment of the present invention
  • 4A-4E are process flow diagrams of a method for manufacturing a touch display screen according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of a touch display screen according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the present invention proposes a manufacturing method of touch display screen due to the large number of photomask manufacturing processes used in the manufacturing process, leading to the problems of increased cost and reduced process efficiency. This embodiment can solve this problem.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of steps of a method for manufacturing a touch display screen according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the method steps include:
  • step S10 a substrate 101 is provided, and a thin film transistor layer 102, an OLED display layer 103, and the thin film encapsulation layer 104 are sequentially formed on the substrate.
  • the thin film transistor layer 102 is provided with a touch lead 1021 and a bond. pad;
  • a flexible substrate 101 is provided.
  • the flexible substrate 101 is a polyimide film, and the flexible substrate 101 is used as a base of a display panel.
  • the polyimide film has strong tensile strength and is a thin-film insulating material with good performance.
  • the polyimide film is made of pyromellitic dianhydride and diamine diphenyl ether in a strong polarity. Condensed and cast into a film in a solvent and then imidized;
  • the thin film transistor layer 102 is provided with a touch lead 1021 and a bonding pad.
  • the transistor layer 102 includes a buffer layer, an active layer, a gate insulation layer, a gate layer, an inter-insulation layer, a source-drain layer, and Planarization layer
  • the OLED display layer 103 includes an anode layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode layer;
  • the thin film encapsulation layer 104 mainly includes an organic encapsulation layer and two inorganic encapsulation layers.
  • the organic encapsulation layer is located between the two inorganic encapsulation layers.
  • the thin film encapsulation layer 104 mainly plays a role of blocking water and oxygen and preventing Erosion of organic light-emitting layer by external water vapor.
  • Step S20 depositing a first insulating layer 105 on the surface of the thin film encapsulation layer 104;
  • the first insulating layer 105 is deposited on the thin film encapsulation layer 104 by a chemical method to completely cover the OLED display layer 103 and the encapsulation layer 104.
  • the first insulating layer 105 The material is silicon nitride, or silicon oxide, silicon oxynitride, or the like.
  • the first insulating layer 105 is mainly used to protect the OLED display area from water, oxygen, and water vapor from damaging the OLED display area.
  • Step S30 forming a bridge layer 106 on the surface of the first insulating layer 105;
  • a first thin film is first deposited on the surface of the first insulating layer 105.
  • the first thin film material may be made of one or more kinds of metal, such as aluminum, titanium, silver, and copper, or a combination of metals.
  • metal such as aluminum, titanium, silver, and copper
  • Preparation of transparent materials such as ITO (Indium tin oxide) and graphene;
  • a first photoresist is coated on the surface of the first thin film, and a first mask is used to perform a patterning process of exposure, development, etching, and peeling, so that after the first thin film is patterned,
  • the bridge layer 106 is formed on an insulating layer 105 surface, as shown in FIG. 3.
  • Step S40 depositing a second insulating layer 107 on the bridge layer 106;
  • the second insulating layer 107 is deposited on the bridge layer 106.
  • the second insulating layer 107 is made of a silicon nitride material.
  • step S50 a photomask process is performed on the second insulation layer 107 by using a photomask, so that the first insulation layer 105 and the second insulation layer 107 are patterned, and a first A contact hole 1071;
  • the touch display screen includes a first display area AA area and a second display area NA area, the insulation layer of the AA area is subjected to one etching, and the insulation layer of the NA area is subjected to two etchings;
  • the second photoresist 109 is exposed by using a mask plate 110 having a multi-stage transmittance. After development, the second photoresist is patterned to form spaced first developing regions 111 and The second developing region 112, as shown in FIG. 4C;
  • the first developing area 111 is located in the AA area, and the second developing area is located in the NA area;
  • the multi-segment transmission mask 110 includes a first transmission region 1101 and a second transmission region 1102.
  • the first transmittance region 1101 corresponds to the first developing region 111, and the second transmittance region 1102 corresponds to the second developing region 112;
  • the light transmittance of the first transmittance region 1101 is smaller than the light transmittance of the second transmittance region 1102. Further, the first transmittance 1101 is a semi-exposed region, and the second transmittance is The rate region 1102 is a fully exposed region.
  • the second developing region 112 is etched, that is, the second insulating layer 107 in the NA region is etched, so that the first insulating layer 105 remaining in the NA region is insulated from the second insulating layer.
  • the total thickness of the layer 107 is equal to the thickness of the second insulating layer 107 of the first developing region 111;
  • the second photoresist 109 is subjected to an ashing process, so that the second photoresist 109 in the first developing area 111 is removed, and the thickness of the second photoresist in other unexposed areas is reduced. , As shown in Figure 4D;
  • first developing region 111 and the second developing region 112 are continuously etched so that the first insulating layer 105 and the second insulating layer 107 are patterned, and the second insulating layer is patterned. 107 forming the first contact hole 1071;
  • Step S60 forming a touch electrode layer 113 on the surface of the second insulating layer 107;
  • a second thin film is first deposited on the second insulating layer 107, and the second thin film material may be prepared by using one or more kinds of metal, such as aluminum, titanium, silver, and copper, or ITO (Indium tin oxide). , Indium tin oxide), graphene and other transparent materials;
  • metal such as aluminum, titanium, silver, and copper, or ITO (Indium tin oxide). , Indium tin oxide), graphene and other transparent materials;
  • the photoresist is patterned;
  • the touch electrode layer 113 includes a touch driving electrode and a touch sensing electrode, and the bridge layer 106 connects the touch driving electrode and the touch sensing electrode through the first contact hole 1071;
  • the touch electrode layer 113 is in contact with the touch lead 1021.
  • Step S70 forming a protective layer 114 on the touch electrode layer 113;
  • the protective layer 114 is an inorganic insulating material or an organic insulating material;
  • a fourth photoresist is coated on the surface of the protective layer 114, and the second mask is used to pattern the protective layer 114 through a patterning process of exposure, development, etching, and peeling, as shown in FIG. 5 ;
  • the protective layer 114 is used to protect the touch electrode layer 113.
  • the manufacturing order of the bridge layer 106 and the touch electrode layer 113 is interchangeable, but the actual manufacturing effect is not affected.
  • the beneficial effect of the present invention is:
  • the manufacturing method of the touch display screen provided by the present invention uses the same mask process for the first insulating layer and the second insulating layer, and etches the insulating layer twice.
  • the process patterns the first insulating layer and the second insulating layer, reduces the number of photomasks, improves process efficiency, and reduces manufacturing costs.
  • the number of photomasks is reduced, which reduces the number of photomasks.
  • the connected touch leads are exposed to the risk of oxidation for long periods of time.

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Abstract

本发明提供一种触控显示屏的制作方法，在一基板上依次形成薄膜晶体管层、OLED显示层以及薄膜封装层；在所述薄膜封装层上依次形成第一绝缘层、桥接层、第二绝缘层、触控电极层、以及保护层；采用多段式穿透率的掩膜板对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行同一光罩制程，使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化。

Description

触控显示屏的制作方法 技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，特别涉及一种触控显示屏的制作方法。
 背景技术
在平板显示技术中，相较于LCD((Liquid Crystal Displays，液晶显示器)，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器具有更薄、更省电，且视角宽的优势，随着显示技术的飞速发展，触控显示屏已遍及人们的生活中。
目前，比较常用的触控技术包括外挂式触控技术和内嵌式触控技术。目前比较常用的触控技术包括外挂式触控技术和内嵌式触控技术。内嵌式触控技术是指将触摸传感器集成到显示面板内部，由于内嵌式触控技术相比外挂式触控技术能够使显示装置更轻薄，因此内嵌式触控技术应于OLED显示装置更被关注；而外挂式触控技术是将触摸屏嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间的方法，即在液晶面板上配触摸传感器，相比内嵌式触控技术难度降低不少。
现有的外挂式OLED触控显示屏的技术开发中，一般将触控层设置在OLED封装层上。所述触控层的具体结构包括：在OLED封装层上依次形成的第一绝缘层、桥接层、第二绝缘层、触控电极层、保护层。按照传统的工艺制作方式，在OLED上制作触控装置，尤其是在柔性OLED封装层上制作触控层时，一般会用到5道光罩制程，每一光罩制程都需要经过膜沉积、曝光、显影、蚀刻、剥离以及中间的水洗等制程。
综上所述，现有的触控显示屏的制作方法中，触控层制作技术用到的光罩制程数量较多，会增加成本，降低制程效率。
 技术问题
本发明提供一种触控显示屏的制作方法，用以解决现有技术中制作触控层时使用光罩数量较多，生产效率低的问题。
 技术解决方案
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种触控显示屏的制作方法，包括：
步骤S20，在薄膜封装层上沉积第一绝缘层；
步骤S30，在所述第一绝缘层表面形成桥接层；
步骤S40，在所述桥接层上沉积第二绝缘层；
步骤S50，使用光罩对所述第二绝缘层实施光罩制程，以使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化，以及在所述第二绝缘层中形成第一接触孔；
步骤S60，在所述第二绝缘层上形成触控电极层；
步骤S70，在所述触控电极层上形成保护层。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S20之前，所述在制作方法还包括：
步骤S10，提供一基板，在所述基板上依次形成薄膜晶体管层、OLED显示层以及所述薄膜封装层，其中，所述薄膜晶体管层上设置有触控引线。
根据本发明一优选实施例，所述触控显示屏包括第一显示区域和第二显示区域。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S50包括：
步骤S51，在所述第二绝缘层表面涂布光刻胶；
步骤S52，利用一具有多段式穿透率的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，经显影后，使所述光刻胶图案化，形成间隔的第一显影区域和第二显影区域，
其中，所述第一显影区域位于所述第一显示区域，所述第二显影区域位于所述第二显示区域；
步骤S53，对所述第二显影区域进行蚀刻，使得所述第二显示区域的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度总和等于所述第一显示区域的所述第二绝缘层的厚度；
步骤S54，对所述光刻胶进行灰化工艺处理，使得所述第一显影区域的所述光刻胶去除，其他未曝光区域的所述光刻胶的厚度减少；
步骤S55，对所述第一显影区域和所述第二显影区域进行蚀刻，以使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化，以及在所述第二绝缘层中形成第一接触孔；
步骤S56，剥离所述光刻胶。
根据本发明一优选实施例，所述多段式穿透率掩膜板包括第一穿透率区域和第二穿透率区域，
其中，所述第一穿透率区域与所述第一显影区域对应，所述第二穿透率区域与所述第二显影区域对应。
根据本发明一优选实施例，所述第一穿透率区域的透光率小于所述第二穿透率区域的透光率；
根据本发明一优选实施例，所述第一穿透率区域为半曝光区域，所述第二穿透率区域为完全曝光区域。
根据本发明一优选实施例，所述桥接层与所述触控电极层的制作顺序可进行互换。
其中，所述桥接层材料和所述触控电极层材料为ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)、金属或石墨烯中的一种。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S60包括：
步骤S61，在所述第二绝缘层上沉积所述触控电极层；
步骤S62，在所述第二绝缘层上涂布光刻胶；
步骤S63，对所述光刻胶进行曝光、显影后，使得所述光刻胶图案化；
步骤S64，对所述触控电极层进行蚀刻工艺，使得在所述触控电极层中形成第二接触孔。
步骤S65，剥离所述光刻胶。
根据本发明一优选实施例，所述保护层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料，所述保护层在使用有机绝缘材料制作时，仅需使用黄光工艺即可完成。
 有益效果
本发明提供的触控显示屏的制作方法，对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使用同一光罩制程，先后对绝缘层进行两次蚀刻工艺，使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化，减少了光罩的数量，提高了制程效率，降低了制造成本；另外，光罩数量的减少，降低了与触控层相连接的触控引线长时间裸露被氧化的风险。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明优选实施例的触控显示屏制作方法步骤示意图；
图2~3为本发明优选实施例的触控显示屏制作方法的工艺流程图；
图4A~图4E为本发明优选实施例的触控显示屏制作方法的工艺流程图；
图5为本发明优选实施例的触控显示屏的结构示意图。
 本发明的最佳实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的触控显示屏的制作方法，因其制作过程中使用到的光罩制程数量较多，导致成本增加，制程效率降低的问题，提出了一种触控显示屏的制作方法，本实施例能够解决该问题。
图1为本发明优选实施例的触控显示屏的制作方法步骤示意图，所述方法步骤包括：
步骤S10，提供一基板101，在所述基板上依次形成薄膜晶体管层102、OLED显示层103以及所述薄膜封装层104，其中，所述薄膜晶体管层102上设置有触控引线1021和绑定垫；
如图2所示，提供一柔性基板101，所述柔性基板101为聚酰亚胺薄膜，所述柔性基板101作为显示面板的基底；
所述聚酰亚胺薄膜具有较强的拉伸强度，是性能较好的薄膜类绝缘材料，所述聚酰亚胺薄膜由均苯四甲酸二酐和二胺基二苯醚在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成；
在所述柔性基板101表面依次形成所述薄膜晶体管层102、所述OLED显示层103以及所述薄膜封装层104，
其中，所述薄膜晶体管层102上设置有触控引线1021和绑定垫，所述晶体管层102包括缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、间绝缘层、源漏极层以及平坦化层；
所述OLED显示层103包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层；
所述薄膜封装层104主要包括一层有机封装层和两层无机封装层，所述有机封装层位于两层无机封装层之间，所述薄膜封装层104主要起到阻绝水氧的作用，防止外部水汽对有机发光层的侵蚀。
步骤S20,在薄膜封装层104表面沉积第一绝缘层105；
利用化学方法在所述薄膜封装层104上沉积所述第一绝缘层105，将所述OLED显示层103和所述封装层104完全覆盖；在本实施例中，所述第一绝缘层105的材料为氮化硅，也可以为氧化硅和氮氧化硅等，所述第一绝缘层105主要用于保护所述OLED显示区域，隔绝水氧、水汽对所述OLED显示区域的破坏。
步骤S30，在所述第一绝缘层105表面形成桥接层106；
先在所述第一绝缘层105表面沉积第一薄膜，在本实施例中，所述第一薄膜材料可以采用铝、钛、银、铜等其中一种或多种金属组合结构，也可以采用ITO（Indium tin oxide，氧化铟锡）、石墨烯等透明材料制备；
然后，在所述第一薄膜表面涂布第一光刻胶，采用第一掩膜板通过曝光、显影、蚀刻、剥离的构图工艺处理，使得所述第一薄膜图案化以后，在所述第一绝缘层105表面形成所述桥接层106，如图3所示。
步骤S40，在所述桥接层106上沉积第二绝缘层107；
如图4A所示，在所述桥接层106上沉积所述第二绝缘层107，在本实施例中，所述第二绝缘层107采用氮化硅材料制作。
步骤S50，使用光罩对所述第二绝缘层107实施光罩制程，以使得所述第一绝缘层105和所述第二绝缘层107图案化，以及在所述第二绝缘层中形成第一接触孔1071；
所述触控显示屏包括第一显示区域AA区域和第二显示区域NA区域，所述AA区域的绝缘层进行一道蚀刻，所述NA区域的绝缘层进行两道蚀刻；
如图4B所示，首先在所述第二绝缘层107表面涂布第二光刻胶109；
然后，利用具有多段式穿透率的掩膜板110对所述第二光刻胶109进行曝光，经显影后，使所述第二光刻胶图案化，形成间隔的第一显影区域111和第二显影区域112，如图4C所示；
其中，所述第一显影区域111位于所述AA区域，所述第二显影区域位于所述NA区域；
所述多段式穿透率掩膜板110包括第一穿透率区域1101和第二穿透率区域1102；
所述第一穿透率区域1101与所述第一显影区域111对应，所述第二穿透率区域1102与所述第二显影区域112对应；
所述第一穿透率区域1101的透光率小于所述第二穿透率区域1102的透光率；进一步地，所述第一穿透率1101为半曝光区域，所述第二穿透率区域1102为完全曝光区域。
再对所述第二显影区域112进行蚀刻，即对所述NA区域的所述第二绝缘层107进行蚀刻，使得所述NA区域剩下的所述第一绝缘层105与所述第二绝缘层107的厚度总和等于所述第一显影区域111的所述第二绝缘层107的厚度；
接着对所述第二光刻胶109进行灰化工艺处理，使得所述第一显影区域111的所述第二光刻胶109去除，其他未曝光区域的所述第二光刻胶的厚度减少，如图4D所示；
之后，对所述第一显影区域111和所述第二显影区域112继续进行蚀刻，以使得所述第一绝缘层105和所述第二绝缘层107图案化，以及在所述第二绝缘层107中形成所述第一接触孔1071；
最后，剥离所述第二光刻胶109，如图4E所示；
步骤S60，在所述第二绝缘层107表面形成触控电极层113；
先在所述第二绝缘层107上沉积第二薄膜，所述第二薄膜材料可以采用铝、钛、银、铜等其中一种或多种金属组合结构制备，也可以采用ITO（Indium tin oxide，氧化铟锡）、石墨烯等透明材料制备；
然后，在所述第二薄膜表面涂布第三光刻胶；
之后，对对所述第三光刻胶进行曝光、显影后，使得所述光刻胶图案化；
再对所述第二薄膜进行蚀刻，以形成所述触控电极层113，以及在所述触控电极层中形成第二接触孔1131；
最后，剥离所述第三光刻胶；
其中，所述触控电极层113包括触控驱动电极和触控感应电极，所述桥接层106通过所述第一接触孔1071将所述触控驱动电极与所述触控感应电极连接起来；
在所述NA区域内，所述触控电极层113与所述触控引线1021接触连接。
步骤S70，在所述触控电极层113上形成保护层114；
先在所述触控电极层113表面沉积所述保护层114，所述保护层材料为无机绝缘材料或者有机绝缘材料；
再在所述保护层114表面涂布第四光刻胶，采用第二掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离的构图工艺处理，使得所述保护层114图案化，如图5所示；
所述保护层114用以保护所述触控电极层113。
本实施例中，所述桥接层106与所述触控电极层113的制作顺序可互换，但不影响实际制作效果。
有益效果：本发明的有益效果为：本发明提供的触控显示屏的制作方法，对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使用同一光罩制程，先后对绝缘层进行两次蚀刻工艺，使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化，减少了光罩的数量，提高了制程效率，降低了制造成本；另外，光罩数量的减少，降低了与触控层相连接的触控引线长时间裸露被氧化的风险。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

  1. 一种触控显示屏的制作方法，其中，包括：
    步骤S20，在薄膜封装层上沉积第一绝缘层；
    步骤S30，在所述第一绝缘层表面形成桥接层；
    步骤S40，在所述桥接层上沉积第二绝缘层；
    步骤S50，使用光罩对所述第二绝缘层实施光罩制程，以使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化，以及在所述第二绝缘层中形成第一接触孔；
    步骤S60，在所述第二绝缘层上形成触控电极层；
    步骤S70，在所述触控电极层上形成保护层。
  2. 根据权利要求1所述的制作方法，其中，在所述步骤S20之前，所述制作方法还包括：
    步骤S10，提供一基板，在所述基板上依次形成薄膜晶体管层、OLED显示层以及所述薄膜封装层。
  3. 根据权利要求2所述的制作方法，其中，所述触控显示屏包括第一显示区域和第二显示区域。
  4. 根据权利要求3所述的制作方法，其中，所述步骤S50包括：
    步骤S51，在所述第二绝缘层表面涂布光刻胶；
    步骤S52，利用一具有多段式穿透率的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，经显影后，使所述光刻胶图案化，形成间隔的第一显影区域和第二显影区域，
    其中，所述第一显影区域位于所述第一显示区域，所述第二显影区域位于所述第二显示区域；
    步骤S53，对所述第二显影区域进行蚀刻，使得所述第二显影区域对应的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度总和等于所述第一显影区域对应的所述第二绝缘层的厚度；
    步骤S54，对所述光刻胶进行灰化工艺处理，使得所述第一显影区域对应的所述光刻胶去除，其他未曝光区域的所述光刻胶的厚度减少；
    步骤S55，对所述第一显影区域和所述第二显影区域进行蚀刻，以使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化，以及在所述第二绝缘层中形成第一接触孔；
    步骤S56，剥离所述光刻胶。
  5. 根据权利要求4所述的制作方法，其中，所述多段式穿透率掩膜板包括第一穿透率区域和第二穿透率区域，
    其中，所述第一穿透率区域与所述第一显影区域对应，所述第二穿透率区域与所述第二显影区域对应。
  6. 根据权利要求5所述的制作方法，其中，所述第一穿透率区域的透光率小于所述第二穿透率区域的透光率。
  7. 根据权利要求6所述的制作方法，其中，所述第一穿透率区域为半曝光区域，所述第二穿透率区域为完全曝光区域。
  8. 根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述桥接层与所述触控电极层的制作顺序可进行互换。
  9. 根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述步骤S60包括：
    步骤S61，在所述第二绝缘层上沉积所述触控电极层；
    步骤S62，在所述第二绝缘层上涂布光刻胶；
    步骤S63，对所述光刻胶进行曝光、显影后，使得所述光刻胶图案化；
    步骤S64，对所述触控电极层进行蚀刻工艺，使得在所述触控电极层中形成第二接触孔；
    步骤S65，剥离所述光刻胶。
  10. 根据权利要求1所述的制作方法，其中，所述保护层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
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