CN111258453A - 一种触控面板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种触控面板、其制作方法及显示装置，通过将位于基板和偏光片之间的绝缘层设置成包括氮化硅层以及位于氮化硅层远离基板一侧的阻隔层，一方面，阻隔层可以作为掩盖层阻挡氮化硅层中逸出的氨气飘向偏光片，从而避免偏光片发生褪色现象；另一方面，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层的双层薄膜形式，在现有绝缘层内形成阻隔层以减少氨气逸出量的基础上，保留足够厚度的氮化硅层，不至于完全失去绝缘层在触控面板各膜层中的介电性能、光学性能、绝缘性能等；并且，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层组成复合绝缘层，可以很大程度提高电路的击穿电压。

Description

一种触控面板、其制作方法及显示装置

技术领域

本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种触控面板、其制作方法及显示装置。

背景技术

随着科技的发展，具有触控功能的手机、平板电脑、数码相机、智能穿戴产品等智能设备简化了人机互动，给用户带来了优质的用户体验。触摸屏主要有以下四类，包括电阻式、电容式、红外和表面声波式触摸屏。由于电容式触控面板具有反应时间快、可靠度佳以及耐用度高等优点，被广泛地使用于电子产品中。

发明内容

本发明实施例提供的一种触控面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有触控面板在信赖性验证过程中偏光片出现严重的褪色情况的问题。

因此，本发明实施例提供了一种触控面板，包括：基板，依次设置于所述基板上的触控结构和偏光片，以及设置于所述基板和所述偏光片之间的绝缘层；

所述绝缘层包括氮化硅层以及位于所述氮化硅层远离所述基板一侧的阻隔层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述氮化硅层包括第一氮化硅层和第二氮化硅层，所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述绝缘层包括第一绝缘层，所述触控结构包括层叠设置的桥接层和电极层以及位于所述桥接层和所述电极层之间的所述第一绝缘层；所述第一绝缘层由接触设置的所述第一氮化硅层和所述第一阻隔层构成。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述第一阻隔层为第一氧化硅层或第一致密氮化硅层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述绝缘层包括阻挡层，所述阻挡层位于所述基板和所述触控结构之间，所述阻挡层由接触设置的所述第二氮化硅层和所述第二阻隔层构成。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述第二阻隔层为第二氧化硅层或第二致密氮化硅层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述第一阻隔层厚度占所述第一绝缘层厚度的10％～15％。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述第二阻隔层厚度占所述阻挡层厚度的10％～15％。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，所述桥接层包括多个桥接电极，所述电极层包括多个触控电极，部分所述触控电极通过所述桥接电极电连接。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一项所述的触控面板。

相应地，本发明实施例还提供了一种触控面板的制作方法，包括：

在基板上依次形成层叠设置的触控结构和偏光片以及形成设置于所述触控结构和所述偏光片之间的绝缘层；其中，形成所述触控结构包括形成层叠设置的桥接层和电极层，形成所述绝缘层包括形成氮化硅层以及位于所述氮化硅层远离所述基板一侧的阻隔层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述绝缘层，包括：形成第一绝缘层；其中，

所述形成第一绝缘层，具体包括：

在形成所述桥接层之后、形成所述电极层之前，在所述桥接层上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体对所述氮化硅层的表面进行氧化处理，在所述氮化硅层的表面形成第一氧化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层构成所述第一绝缘层；

在形成所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层之后，还包括：

对所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层进行图形化处理，形成用于搭接所述桥接层和所述电极层的过孔。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述绝缘层，包括：形成阻挡层；其中，

所述形成阻挡层，具体包括：

在形成所述触控结构之前，在所述基板上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体对所述氮化硅层的表面进行氧化处理，在所述氮化硅层的表面形成第二氧化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第二氮化硅层，所述第二氮化硅层和所述第二氧化硅层构成所述阻挡层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述绝缘层，包括：形成第一绝缘层；其中，

所述形成第一绝缘层，具体包括：

在形成所述桥接层之后、形成所述电极层之前，在所述桥接层上沉积一层氮化硅层，采用氢气等离子体对所述氮化硅层进行退火钝化处理，在所述氮化硅层的表面形成第一致密氮化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层构成所述第一绝缘层；

在形成所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层之后，还包括：

对所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层进行图形化处理，形成用于搭接所述桥接层和所述电极层的过孔。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述绝缘层，包括：形成阻挡层；其中，

所述形成阻挡层，具体包括：

在形成所述触控结构之前，在所述基板上沉积一层氮化硅层，采用氢气等离子体对所述氮化硅层进行退火钝化处理，在所述氮化硅层的表面形成第二致密氮化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第二氮化硅层，所述第二氮化硅层和所述第二致密氮化硅层构成所述阻挡层。

本发明的有益效果如下：

本发明实施例提供的上述触控面板、其制作方法及显示装置，通过将位于基板和偏光片之间的绝缘层设置成包括氮化硅层以及位于氮化硅层远离基板一侧的阻隔层，一方面，阻隔层可以作为掩盖层阻挡氮化硅层中逸出的氨气飘向偏光片，从而避免偏光片发生褪色现象；另一方面，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层的双层薄膜形式，在现有绝缘层内形成阻隔层以减少氨气逸出量的基础上，保留足够厚度的氮化硅层，不至于完全失去绝缘层在触控面板各膜层中的介电性能、光学性能、绝缘性能等；并且，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层组成复合绝缘层，可以很大程度提高电路的击穿电压。

附图说明

图1为相关技术中提供的触控面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的触控面板的结构示意图；

图3A至图3F为本发明实施例提供的触控面板的制作方法在执行各步骤之后的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明提供的触控面板、其制作方法及显示装置作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各部件的形状和大小不反映触控面板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

目前，如图1所示，相关技术中的触控面板基本上采用由Barrier(阻挡层)01、Bridge(桥接层)02、Insulator(绝缘层)03、Metal Mesh(电极层)04、OC(保护层)05构成的触控结构，其中Barrier层01和Insulator层03均采用低温化学气相沉积(CVD)沉积工艺形成SiNx薄膜，由于SiNx薄膜的致密性较差，形成的SiNx薄膜内会残留如氮气、氨气等各种气体；现有技术在触控结构上贴附偏光片(POL)06之后，在信赖性验证过程中，发现POL出现严重的褪色情况，经验证，导致POL出现严重褪色现象的主要原因是从SiNx薄膜中逸出的氨气引起的，因此为了避免POL褪色，本领域技术人员亟需找到一种避免SiNx薄膜中氨气逸出的技术方案。

有鉴于此，本发明实施例提供的一种触控面板，如图2所示，包括：基板1，依次设置于基板1上的触控结构2和偏光片3，以及设置于基板1和偏光片3之间的绝缘层4；

绝缘层4包括氮化硅层41以及位于氮化硅层41远离基板1一侧致密的阻隔层42。

本发明实施例提供的上述触控面板，通过将位于基板1和偏光片3之间的绝缘层4设置成包括氮化硅层41以及位于氮化硅层41远离基板1一侧的阻隔层42，一方面，阻隔层42可以作为掩盖层阻挡氮化硅层41中逸出的氨气飘向偏光片3，从而避免偏光片发生褪色现象；另一方面，绝缘层4采用氮化硅层41和阻隔层42的双层薄膜形式，在现有绝缘层4表面形成阻隔层42以减少氨气逸出量的基础上，保留足够厚度的氮化硅层41，不至于完全失去绝缘层4在触控面板各膜层中的介电性能、光学性能、绝缘性能等；并且，绝缘层4采用氮化硅层41和阻隔层42组成复合绝缘层，可以很大程度提高电路的击穿电压。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，如图2所示，氮化硅层41包括第一氮化硅层411和第二氮化硅层412，阻隔层42包括第一阻隔层421和第二阻隔层422。通过将绝缘层4设置成包括叠层设置的第一阻隔层421和第二阻隔层422，这样两层阻隔层的双重作用可以更有效的阻挡氮化硅层41中逸出的氨气飘向偏光片，从而进一步避免偏光片发生褪色现象。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，如图2所示，绝缘层4包括第一绝缘层10，触控结构2包括层叠设置的桥接层21和电极层22以及位于桥接层21和电极层22之间的第一绝缘层10；该第一绝缘层10由接触设置的第一氮化硅层411和第一阻隔层421构成。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，如图2所示，第一阻隔层421可以为第一氧化硅层，或第一阻隔层421也可以为第一致密氮化硅层。具体地，当第一阻隔层421为第一氧化硅层时，在制作完材料为氮化硅的第一绝缘层时，采用氧气等离子体对第一绝缘层表面进行氧化处理，在第一绝缘层的表面形成第一氧化硅层(即第一阻隔层421)，剩余的氮化硅层作为第一氮化硅层411，第一氮化硅层411和第一氧化硅层(即第一阻隔层421)构成第一绝缘层10。因此通过将位于桥接层21和电极层22之间的第一绝缘层10设置成包括第一氧化硅层和第一阻隔层421，一方面，由于第一氧化硅层比较致密，可以作为掩盖层阻挡第一氮化硅层411中逸出的氨气飘向偏光片3，从而避免偏光片发生褪色现象。

当第一阻隔层421为第一致密氮化硅层时，在制作完材料为氮化硅的第一绝缘层时，采用氢气等离子体对第一绝缘层进行退火钝化处理，采用氢气等离子体对氮化硅层进行退火钝化处理可以提高氮化硅结构的有序度，即提高氮化硅层的致密性，因此可以在氮化硅层的表面形成第一致密氮化硅层(即第一阻隔层421)，剩余的氮化硅层作为第一氮化硅层411，第一氮化硅层411和第一致密氮化硅层(即第一阻隔层421)构成第一绝缘层10。因此通过将位于桥接层21和电极层22之间的第一绝缘层10设置成包括第一致密氮化硅层和第一阻隔层421，一方面，由于第一致密氮化硅层比较致密，可以作为掩盖层阻挡第一氮化硅层411中逸出的氨气飘向偏光片3，从而避免偏光片发生褪色现象。

触控面板和显示面板一般通过光学胶贴合在一起形成触控显示装置，一般的触控显示装置的制作方法是在基板上先制作显示器件，接着对显示器件进行封装(目前较多的是采用TFE封装)，封装之后为了进一步阻隔外界水汽，还会在TFE封装层上制作一层Barrier层(阻挡层)，Barrier层的材料一般为氮化硅，之后再进行触控面板的制作贴合以及贴合偏光片(POL)和封装盖板(Cover Glass)等工艺；由于Barrier层一般采用低温化学气相沉积(CVD)沉积工艺形成SiNx薄膜，由于SiNx薄膜的致密性较差，形成的SiNx薄膜内会残留如氮气、氨气等各种气体，氨气逸出之后会导致POL出现严重的褪色情况，因此，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，如图2所示，绝缘层4包括阻挡层20，阻挡层20位于基板1和触控结构2之间，阻挡层20由接触设置的第二氮化硅层412和第二阻隔层422构成。由于本发明实施例提供的图2中虽然将第一绝缘层10设置成包括第一氮化硅层411以及位于第一氮化硅层411远离基板1一侧的第一氧化硅层(第二阻隔层421)，第一氧化硅层(第二阻隔层421)可以阻挡第一氮化硅层411中逸出的氨气，但是现有的阻挡层20的材料也是氮化硅，现有的阻挡层20也会逸出氨气导致偏光片3褪色，因此为了有效的防止偏光片3褪色，本发明还将阻挡层20设置成包括第二氮化硅层412以及位于第二氮化硅层412远离基板1一侧的第二阻隔层422。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，如图2所示，第二阻隔层422可以为第二氧化硅层，或第二阻隔层422也可以为第二致密氮化硅层。这样，一方面，由于第二氧化硅层或第二致密氮化硅层薄膜均比较致密，可以作为掩盖层阻挡第二氮化硅层412中逸出的氨气飘向偏光片3，从而避免偏光片发生褪色现象。具体地，第二阻隔层422为第二氧化硅层或第二致密氮化硅层的实施方案及原理可以参见上述第一阻隔层421为第一氧化硅层或第一致密氮化硅层的实施方案及原理，在此不做赘述。

进一步地，在具体实施时，为了保证既能够减少氨气的逸出量及阻挡逸出的氨气飘向偏光片，还能够保证不影响第一绝缘层中剩余的第一氮化硅层的性能，在本发明实施例提供的上述触控面板中，第一阻隔层厚度可以占第一绝缘层厚度的10％～15％。

进一步地，在具体实施时，为了保证既能够减少氨气的逸出量及阻挡逸出的氨气飘向偏光片，还能够保证不影响阻挡层中剩余的第二氮化硅层的性能，在本发明实施例提供的上述触控面板中，第二阻隔层厚度可以占阻挡层厚度的10％～15％。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，如图2所示，还包括：位于触控结构2与偏光片3之间的保护层5。具体地，保护层5的材料一般为有机材料，保护层5一方面是用作平坦化层，另一方面是用于保护电极层22不受后续工艺的影响；偏光片3一般为圆偏光片，使用偏光片3是因为外界光会经过OLED阴极(一般是金属)将光反射回来，我们会从画面看到自己，影响观看效果和对比度，通过贴附偏光片3可以降反射，避免看到金属电极。

需要说明的是，本发明实施例提供的图2是以桥接层21位于靠近基板1一侧、电极层22远离基板1一侧为例进行说明的，当然在具体实施时，也可以使电极层221位于靠近基板1一侧、桥接层2远离基板1一侧，均属于本发明保护的范围。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述触控面板中，如图2所示，桥接层21包括多个桥接电极211，电极层22包括多个触控电极，部分触控电极通过桥接电极211电连接。具体地，触控电极一般包括多个触控驱动电极221和多个触控感应电极222，触控驱动电极221和触控感应电极222位于同一层交叉绝缘设置，例如图2中是以各触控驱动电极221通过异层设置的桥接电极211电连接在一起，触控感应电极222是通过同层设置的桥接电极电连接在一起，当然也可以各触控感应电极222通过异层设置的桥接电极电连接在一起，触控驱动电极221是通过同层设置的桥接电极电连接在一起。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种触控面板的制作方法，包括：

在基板上依次形成层叠设置的触控结构和偏光片以及形成设置于基板和所述偏光片之间的绝缘层；其中，形成触控结构包括形成层叠设置的桥接层和电极层，形成绝缘层包括形成氮化硅层以及位于氮化硅层远离基板一侧的阻隔层。

本发明实施例提供的上述触控面板的制作方法，通过将位于基板和偏光片之间的绝缘层设置成包括氮化硅层以及位于氮化硅层远离基板一侧的阻隔层，一方面，阻隔层可以作为掩盖层阻挡氮化硅层中逸出的氨气飘向偏光片，从而避免偏光片发生褪色现象；另一方面，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层的双层薄膜形式，在现有绝缘层内形成阻隔层以减少氨气逸出量的基础上，保留足够厚度的氮化硅层，不至于完全失去绝缘层在触控面板各膜层中的介电性能、光学性能、绝缘性能等；并且，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层组成复合绝缘层，可以很大程度提高电路的击穿电压。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成绝缘层，包括：形成第一绝缘层；其中，

形成第一绝缘层，具体包括：

在形成桥接层之后、形成电极层之前，在桥接层上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体对氮化硅层的表面进行氧化处理，在氮化硅层的表面形成第一氧化硅层，剩余的氮化硅层作为第一氮化硅层，第一氮化硅层和第一氧化硅层构成第一绝缘层。具体地，第一绝缘层包括第一氮化硅层和第一氧化硅层的实施原理可以参见本发明提供的触控面板中图2的相关说明，在此不做赘述。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成第一氮化硅层和第一氧化硅层之后(采用氧气等离子体工艺)，还包括：

对第一氮化硅层和第一氧化硅层进行图形化处理，形成用于搭接桥接层和电极层的过孔。具体地，由于在第一绝缘层制作完成之后，在第一绝缘层上制作的电极层(如触控驱动电极或触控感应电极)需要通过贯穿绝缘层的过孔与桥接层的桥接电极电连接，因此在形成第一氮化硅层和第一氧化硅层之后，还需要对第一氮化硅层和第一氧化硅层进行图形化处理，形成用于搭接桥接层和电极层的过孔。该实施方法中是采用氧气等离子体对绝缘层的表面进行氧化处理之后再进行图形化处理形成用于搭接桥接层和电极层的过孔。

当然，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成绝缘层，包括：形成第一绝缘层；其中，

形成第一绝缘层，具体包括：

在形成桥接层之后、形成电极层之前，在桥接层上沉积一层氮化硅层，还可以采用氢气等离子体对氮化硅层进行退火钝化处理，在氮化硅层的表面形成第一致密氮化硅层，剩余的氮化硅层作为第一氮化硅层，第一氮化硅层和第一致密氮化硅层构成第一绝缘层。具体的，采用氢气等离子体对氮化硅层进行退火钝化处理可以提高氮化硅结构的有序度，即提高氮化硅层表面的致密性。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层之后(采用氢气等离子体退火工艺)，还包括：

对所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层进行图形化处理，形成用于搭接所述桥接层和所述电极层的过孔。具体地，由于在第一绝缘层制作完成之后，在第一绝缘层上制作的电极层(如触控驱动电极或触控感应电极)需要通过贯穿绝缘层的过孔与桥接层的桥接电极电连接，因此在形成第一氮化硅层和第一氧化硅层之后，还需要对第一氮化硅层和第一氧化硅层进行图形化处理，形成用于搭接桥接层和电极层的过孔。该实施方法中是采用氧气等离子体对绝缘层的表面进行氧化处理之后再进行图形化处理形成用于搭接桥接层和电极层的过孔。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成绝缘层，包括：形成阻挡层；其中，

形成阻挡层，具体包括：

在形成触控结构之前，在基板上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体对氮化硅层的表面进行氧化处理，在氮化硅层的表面形成第二氧化硅层，剩余的氮化硅层作为第二氮化硅层，第二氮化硅层和第二氧化硅层构成阻挡层。具体地，阻挡层包括第二氮化硅层和第二氧化硅层的实施原理可以参见本发明提供的触控面板中图2的相关说明，在此不做赘述。

当然，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成绝缘层，包括：形成阻挡层；其中，

形成阻挡层，具体包括：

在形成触控结构之前，在基板上沉积一层氮化硅层，采用氢气等离子体对氮化硅层进行退火钝化处理，在氮化硅层的表面形成第二致密氮化硅层，剩余的氮化硅层作为第二氮化硅层，第二氮化硅层和第二致密氮化硅层构成阻挡层。具体的，采用氢气等离子体对氮化硅层进行退火钝化处理可以提高氮化硅结构的有序度，即提高氮化硅层表面的致密性。

综上，在本发明实施例提供的上述制作方法中，通过采用氧气等离子体对第一绝缘层和阻挡层进行表面氧化处理，或采用氢气等离子体对第一绝缘层和阻挡层进行退火钝化处理，均可以更加有效的减少氮化硅层氨气的逸出量以及阻挡逸出的氨气，从而更加有效的表面偏光片发生褪色的问题。

下面结合本发明提供的制作方法对本发明实施例提供的图2所示的触控面板的制作方法进行详细说明，以采用氧气等离子体处理工艺为例进行说明。

(1)采用CVD沉积工艺在基板1上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体(Oxygenated Plasms)对氮化硅层的表面进行氧化处理，在氮化硅层的表面形成第二氧化硅层422，剩余的氮化硅层作为第二氮化硅层412，第二氮化硅层412和第二氧化硅层422构成阻挡层20，如图3A所示。

(2)在步骤(1)的基础上沉积一层金属层，并通过光刻工艺对金属层进行图形化形成桥接电极211，多个桥接电极211形成桥接层21，如图3B所示。

(3)采用CVD沉积工艺在步骤(2)的基础上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体(Oxygenated Plasms)对氮化硅层的表面进行氧化处理，在氮化硅层的表面形成第一氧化硅层421，剩余的氮化硅层作为第一氮化硅层411，第一氮化硅层411和第一氧化硅层421构成第一绝缘层10，如图3C所示。

(4)采用构图工艺对步骤(3)中的第一绝缘层10进行图形化，在第一绝缘层10中形成过孔V，如图3D所示。

(5)在步骤(4)的基础上沉积一层电极层(可以为金属材料也，可以为透明导电材料)，并通过构图工艺在电极层中刻蚀出触控电极(触控驱动电极221和触控感应电极222)，触控驱动电极221通过过孔V与桥接电极211电连接，如图3E所示。

(6)在步骤(5)的基础上沉积有机材料形成保护层5，如图3F所示。

(7)将偏光片3与步骤(6)的触控面板进行贴合形成本发明实施例图2所示的触控面板，如图2所示。

需要说明的是，本发明实施时是以采用氧气等离子体对第一绝缘层和阻挡层的表面进行氧化处理的工艺为对图2所示的结构的详细制作方法进行说明为例；当然在具体实施时，采用氢气等离子体对第一绝缘层和阻挡层进行退火钝化处理工艺为对图2所示的结构的制作方法与上述图3A-图3F所示的结构相同，区别仅在于第一阻隔层421为第一致密氮化硅层、第二阻隔层422为第二致密氮化硅层，在此不做详述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述触控面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述触控面板的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的上述触控面板、其制作方法及显示装置，通过将位于基板和偏光片之间的绝缘层设置成包括氮化硅层以及位于氮化硅层远离基板一侧的阻隔层，一方面，阻隔层可以作为掩盖层阻挡氮化硅层中逸出的氨气飘向偏光片，从而避免偏光片发生褪色现象；另一方面，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层的双层薄膜形式，在现有绝缘层内形成阻隔层以减少氨气逸出量的基础上，保留足够厚度的氮化硅层，不至于完全失去绝缘层在触控面板各膜层中的介电性能、光学性能、绝缘性能等；并且，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层组成复合绝缘层，可以很大程度提高电路的击穿电压。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种触控面板，其特征在于，包括：基板，依次设置于所述基板上的触控结构和偏光片，以及设置于所述基板和所述偏光片之间的绝缘层；

所述绝缘层包括氮化硅层以及位于所述氮化硅层远离所述基板一侧的阻隔层。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述氮化硅层包括第一氮化硅层和第二氮化硅层，所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层。

3.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层，所述触控结构包括层叠设置的桥接层和电极层以及位于所述桥接层和所述电极层之间的所述第一绝缘层；所述第一绝缘层由接触设置的所述第一氮化硅层和所述第一阻隔层构成。

4.如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，所述第一阻隔层为第一氧化硅层或第一致密氮化硅层。

5.如权利要求2或3所述的触控面板，其特征在于，所述绝缘层包括阻挡层，所述阻挡层位于所述基板和所述触控结构之间，所述阻挡层由接触设置的所述第二氮化硅层和所述第二阻隔层构成。

6.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于，所述第二阻隔层为第二氧化硅层或第二致密氮化硅层。

7.如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，所述第一阻隔层厚度占所述第一绝缘层厚度的10％～15％。

8.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于，所述第二阻隔层厚度占所述阻挡层厚度的10％～15％。

9.如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，所述桥接层包括多个桥接电极，所述电极层包括多个触控电极，部分所述触控电极通过所述桥接电极电连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的触控面板。

11.一种触控面板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成层叠设置的触控结构和偏光片以及形成设置于所述基板和所述偏光片之间的绝缘层；其中，形成所述触控结构包括形成层叠设置的桥接层和电极层，形成所述绝缘层包括形成氮化硅层以及位于所述氮化硅层远离所述基板一侧的阻隔层。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成所述绝缘层，包括：形成第一绝缘层；其中，

所述形成第一绝缘层，具体包括：

在形成所述桥接层之后、形成所述电极层之前，在所述桥接层上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体对所述氮化硅层的表面进行氧化处理，在所述氮化硅层的表面形成第一氧化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层构成所述第一绝缘层；

在形成所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层之后，还包括：

对所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层进行图形化处理，形成用于搭接所述桥接层和所述电极层的过孔。

13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成所述绝缘层，包括：形成阻挡层；其中，

所述形成阻挡层，具体包括：

在形成所述触控结构之前，在所述基板上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体对所述氮化硅层的表面进行氧化处理，在所述氮化硅层的表面形成第二氧化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第二氮化硅层，所述第二氮化硅层和所述第二氧化硅层构成所述阻挡层。

14.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成所述绝缘层，包括：形成第一绝缘层；其中，

所述形成第一绝缘层，具体包括：

在形成所述桥接层之后、形成所述电极层之前，在所述桥接层上沉积一层氮化硅层，采用氢气等离子体对所述氮化硅层进行退火钝化处理，在所述氮化硅层的表面形成第一致密氮化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层构成所述第一绝缘层；

在形成所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层之后，还包括：

对所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层进行图形化处理，形成用于搭接所述桥接层和所述电极层的过孔。

15.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成所述绝缘层，包括：形成阻挡层；其中，

所述形成阻挡层，具体包括：

在形成所述触控结构之前，在所述基板上沉积一层氮化硅层，采用氢气等离子体对所述氮化硅层进行退火钝化处理，在所述氮化硅层的表面形成第二致密氮化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第二氮化硅层，所述第二氮化硅层和所述第二致密氮化硅层构成所述阻挡层。

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