TW201531905A - 觸控面板的製造裝置、製造系統、以及製造方法 - Google Patents

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Chang-Kyun Park
Young-Gi Kim
Kyung-In Min
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Abstract

一種觸控面板的製造裝置、製造系統、以及製造方法，本發明使用具有傳導性的透明第一氧化物形成一橋，並且在此橋上形成對一高溫和高濕度穩固的第二氧化物。本發明的此種觸控面板的製造方法包含：形成複數個電極部於一面板的一顯示區域中，形成一光阻擋層於基板的一非顯示區域中，形成一電極線於光阻擋層上，透過使用具有傳導性的透明第一氧化物形成一線橋，以及形成第二氧化物於第一氧化物上用於保護第一氧化物。

Description

觸控面板的製造裝置、製造系統、以及製造方法
本發明係關於一種觸控面板的製造方法，並且特別地，關於一種觸控面板的製造裝置、製造系統、以及製造方法，此觸控面板附加至顯示裝置之面板的一表面。
一種平板顯示(FPD)裝置應用於各種電子裝置，例如可攜式電話、輸入板個人電腦(PC)、筆記型電腦等。平板顯示(FPD)裝置的實例包括液晶顯示(LCD)裝置、電漿顯示面板(PDP)、有機發光顯示裝置等。近來，電泳顯示(EPD)裝置正廣泛地用作一種類型的平板顯示(FPD)裝置。
在這樣的平板顯示(FPD)裝置(以下，簡單地稱為一顯示裝置)中，因為由於製造技術的進步使得液晶顯示(LCD)裝置容易製造，並且液晶顯示(LCD)裝置實現操作者的操縱靈活性和高品質的圖像，因此液晶顯示裝置目前正在最廣泛地商業化。
在這樣的平板顯示(FPD)裝置中，有機發光顯示裝置具有的1毫秒或更小的的快速響應時間以及低功耗，並且因此作為下一代平板顯示裝置受到很多關注。
代替常規的應用於平板顯示裝置的滑鼠或鍵盤，能夠使得用戶使用手指或筆直接輸入資訊的一觸控屏幕近來應用於平板顯示裝置。
應用到顯示影像的一液晶顯示裝置的觸控面板類型的實例包括一附加型(add-on type)以及一內嵌型(in-cell type)。
一附加型觸控面板的製造獨立於面板的製造，並且黏附至面板的一平面上。此外，內嵌型觸控面板與面板設置為一體。
第1圖為示意性地表示一習知技術的附加型觸控面板的剖視表面，並且特別地為示意性地表示形成於觸控面板的非顯示區域中的一光阻擋層，以及形成於光阻擋層的一線路。
如上所述，附加型觸控面板附裝至一顯示裝置中顯示影像的一面板。
首先，一X軸電極感測器圖案(在下文中簡稱為一驅動電極)和一Y軸電極感測器圖案(在下文中簡稱為一接收電極)由氧化銦錫(ITO，一透明電極)形成於觸控面板的一顯示區域M中。形成觸控面板的氧化銦錫(ITO)可應用於一玻璃基板或一薄膜(下文中，簡稱為一基板11)。
在觸控面板中，驅動電極透過一絕緣體與接收電極相分離，以使得驅動電極與接收電極電斷開。在這種情況下，穿過絕緣體的一頂表面或底表面的一線路稱為一電極橋。電極橋將彼此分離的複數個驅動電極部電連接，或者將彼此分離的複數個接收電極部電連接。
其次，如第1圖中所示，連接到驅動電極的一驅動電極線或連接到接收電極的一接收電極線形成於觸控面板的一非顯示區域N中。 以下，將第1圖中所示的一線路14為接收電極線14的情況作為一習知技術的一實例進行描述。
一光阻擋層12形成在非顯示區域N中，以便防止光線洩漏，並且接收電極線14形成在光阻擋層12上。
在這種情況下，將接收電極13(形成於顯示區域M中)電連接至非顯示區域N中形成之接收電極線14的一線路稱為一接收線橋(線橋15)。另外，將驅動電極(形成在顯示區域M中)電連接至非顯示區域N中形成的驅動電極線的一線路稱為一驅動線橋(線橋15)。
一驅動電極橋、一接收電極橋、驅動線橋、以及接收線橋的通用名稱為一橋，其中驅動電極橋電連接複數個驅動電極部，這些驅動電極部組成顯示區域M中形成的驅動電極，接收電極橋電連接複數個接收電極部，這些接收電極部組成顯示區域M中形成的接收電極，驅動線橋將在顯示區域M中形成的驅動電極連接至在非顯示區域N中形成的驅動電極線，並且接收線橋將在顯示區域M中形成的接收電極連接至在非顯示區域N中形成的接收電極線。
通常，電極橋和線橋通過相同的製程同時形成於基板11上。
具有上述結構的習知技術的觸控面板具有以下問題。
通常，透過一物理氣相沉積(PVD)製程形成於在一基板上的氧化銦錫(ITO)的台階覆蓋不好，並且由氧化銦錫(ITO)形成的電極橋、驅動電極、以及接收電極13之每一個的厚度為300奈米。光阻擋層12的一厚度B為20微米或以上，這相比較於電極橋的一厚度更厚70倍。
因此，當線橋15由氧化銦錫(ITO)形成而製成習知技術 的觸控面板時，線橋15不與光阻擋層12上形成的接收電極線14電連接。
提供一補充的說明，當氧化銦錫(ITO)透過物理氣相沉積(PVD)製程噴鍍以便形成線橋15時，如第1圖中所示，線橋15形成為爬升至光阻擋層12的一側，並且由於這個原因，難以穩定地實現線橋15。因此，一斷開區域C出現於沿著光阻擋層12之一側形成的線橋15中。
特別地，由於光阻擋層12和基板11之間的一台階高度，因此使用一遮罩的曝光處理的精度降低，並且由於這個原因，具有在線橋15中出現斷開的一高度可能性。
此外，由於在形成線橋15而使用氧化銦錫(ITO)的蝕刻製程中，一蝕刻溶液與光阻擋層12發生反應，因此線橋15的質量劣降。另外，在使用氧化銦錫(ITO)的一高溫噴鍍製程中，在光阻擋層12之一表面上產生的一氣體可妨礙線橋15的形成，並且由於這個原因，難以實現具有均勻質量的線橋15。另外，光阻擋層12在高溫噴鍍製程中可以被氧化，因此引起氧化銦錫(ITO)所形成的橋線15的質量劣降。
由於這個原因，習知技術的觸控面板的錯誤率增加，並且因此，觸控面板的製造成本增加。
特別地，在提供於使用白色邊框的蜂窩式電話的觸控面板中，所形成的光阻擋層12的一厚度為60微米或以上，並且由於這個原因，觸控面板的生產率僅為大約20%。
因此，本發明在於提供一種觸控面板的製造裝置、製造系統、以及製造方法，藉以克服由於習知技術的限制及缺點所產生的一個或 多個問題。
本發明的一方面在於提供一種觸控面板的製造裝置、製造系統、以及製造方法，本發明使用具有傳導性的透明第一氧化物形成一橋，並且在此橋上形成對一高溫和高濕度穩固的第二氧化物。
本發明其他的優點和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種觸控面板的製造方法，包含：形成複數個電極部於一面板的一顯示區域中；形成一光阻擋層於基板的一非顯示區域中；形成一電極線於光阻擋層上；透過使用第一氧化物形成一第一氧化物層，第一氧化物用於形成將電極部連接至電極線的一線橋；以及透過使用第二氧化物在第一氧化物層上形成一第二氧化物層，第二氧化物具有相比較於第一氧化物的一台階覆蓋更低的一台階覆蓋，並且具有相比較於第一氧化物的一電阻更低的一電阻，第二氧化物用於保護第一氧化物。
本發明的另一方面，提供的一種觸控面板的製造裝置包含：一腔室，具有一反應空間；一基座，設於腔室中，供給有具有一第一極性的電源，並且支撐具有在一顯示區域中形成的複數個電極部的一製造基板，在顯示區域之外部形成的一非顯示區域中形成的一光阻擋層，在光阻擋層上形成的一電極線，以及透過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製 程由第一氧化物形成並且將電極部連接至電極線的一線橋；以及一對象支撐部，配備有一第二氧化物對象，並且供給有具有一第二極性的電源，其中觸控面板的製造裝置將從惰性氣體釋放的離子與第二氧化物對象相碰撞，並且將從第二氧化物對象分離的原子沉積於第一氧化物上，以在第一氧化物上形成第二氧化物。
本發明的再一方面，提供的一種觸控面板的製造系統包含：一第一觸控面板製造裝置，在一製造基板上噴射一金屬源材料和一反應氣體，用於在製造基板上形成第一氧化物，其中第一氧化物用作將複數個電極部連接至一電極線的一線橋，其中製造基板包含在一顯示區域中形成的電極部，在顯示區域之外部形成的一非顯示區域中形成的一光阻擋層，以及在光阻擋層上形成的電極線；以及一第二觸控面板製造裝置，在從第一觸控面板製造裝置卸載的製造基板的第一氧化物上形成第二氧化物，第二氧化物相比較於第一氧化物對一高溫和高濕度更穩固。
本發明的又一方面，提供的一種觸控面板的製造方法包含：形成複數個電極部於一面板的一顯示區域中；形成一光阻擋層於基板的一非顯示區域中；形成一電極線於光阻擋層上；形成一台階覆蓋增加層，用於形成將電極部連接至電極線的一線橋；以及形成一電阻減少層於台階覆蓋增加層上。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
11‧‧‧基板
12‧‧‧光阻擋層
13‧‧‧接收電極
14‧‧‧接收電極線
15‧‧‧線橋
100‧‧‧觸控面板
100a‧‧‧製造基板
100b‧‧‧製造基板
110‧‧‧顯示區域
111‧‧‧基板
120‧‧‧接收電極
121‧‧‧接收電極部
122‧‧‧接收電極橋
123‧‧‧第二氧化物
130‧‧‧驅動電極
131‧‧‧驅動電極部
132‧‧‧驅動電極連接部
140‧‧‧接收電極線
150‧‧‧驅動電極線
160‧‧‧非顯示區域
160a‧‧‧第一非顯示區域
160b‧‧‧第二非顯示區域
161‧‧‧光阻擋層
170‧‧‧焊墊
181‧‧‧接收線橋
182‧‧‧驅動線橋
191‧‧‧絕緣層
192‧‧‧保護層
200‧‧‧可撓性印刷電路板
300‧‧‧觸控驅動器積體電路
310‧‧‧接收單元
320‧‧‧驅動單元
600‧‧‧觸控面板製造系統
620‧‧‧第一觸控面板製造裝置
621‧‧‧腔室
622‧‧‧基板支撐單元
623‧‧‧氣體噴射單元
624‧‧‧第一氣體供給件
625‧‧‧第二氣體供給件
626‧‧‧氣體供給單元
630‧‧‧第二觸控面板製造裝置
631‧‧‧腔室
632‧‧‧基座
633‧‧‧對象支撐部
634‧‧‧第二氧化物對象
635‧‧‧離子
B‧‧‧厚度
C‧‧‧斷開區域
N‧‧‧非顯示區域
M‧‧‧顯示區域
G‧‧‧區域
F‧‧‧區域
第1圖為示意性地表示一習知技術的附加型觸控面板的剖視圖。
第2圖為示意性地表示透過根據本發明一實施例的一觸控面板的製造方法所製造的一觸控面板。
第3圖為詳細地表示第2圖的觸控面板的示意圖。
第4圖為表示沿第3圖的觸控面板中的線X-X'截取的剖視圖。
第5圖為應用於根據本發明一實施例之一觸控面板的製造方法中的氧化物特性的圖式。
第6A圖至第6G圖為順次地表示根據本發明一實施例的觸控面板的製造方法的示意圖。
第7圖為表示根據本發明一實施例的觸控面板的製造系統之結構的示意圖。
第8圖為第7圖的一第一觸控面板製造裝置的示意圖。以及第9圖為第7圖的一第二觸控面板製造裝置的示意圖。
現在將詳細參考本發明的不同實施例，這些實施例的一些實例表示在附圖中。只要可能，附圖中的相同標號將指代相同或相似的部件。
以下，將參考附圖詳細描述本發明的實施例。
第2圖為示意性地表示透過根據本發明一實施例的一觸控 面板的製造方法所製造的一觸控面板。
觸控面板的驅動方法之實例包括一電阻式以及一電容式。電容式可分類為一自電容型和一互電容型。本發明可應用於一自電容型觸控面板以及一互電容型觸控面板。下文中，為了便於說明，以互電容型觸控面板作為本發明的一實例進行描述。這裡，互電容型觸控面板包括複數個驅動電極以及複數個接收電極，並且使用根據順次提供給驅動電極的驅動脈波從這些接收電極接收的複數個感測訊號，來確定是否存在觸控。
此外，在不同類型的顯示裝置，例如液晶顯示裝置(LCD)、有機發光顯示裝置(OLED)、電漿顯示面板(PDP)、電泳顯示(EPD)裝置之中，觸控面板應用於顯示一影像之面板的方法實例包含一附加型(add-on type)、一內嵌型(in-cell type)、一混合內嵌型(hybrid in-cell type)、以及一表嵌型(on-cell type)。本發明可應用於各種類型的觸控面板。下文中，為了便於描述，根據本發明一實施例的觸控面板的製造方法將以附加型作為實例進行說明。這裡，附加型觸控面板表示獨立於面板而製造，並且然後附加至面板之一表面的一觸控面板。
根據本發明一實施例之觸控面板的製造方法所製造的，第2圖中的一觸控面板100透過使用互電容型製造為附加型，並且確定是否具有一用戶的觸控。
觸控面板100包含一顯示區域110以及一非顯示區域160，顯示區域110對應於面板中顯示一影像的區域，並且非顯示區域160對應於面板中不能夠顯示一影像的區域。
用於感測觸控的複數個驅動電極130和複數個接收電極120 形成在顯示區域110中，並且從面板輸出的光線穿過顯示區域110。
非顯示區域160為透過顯示裝置的一殼體所覆蓋的區域，並且稱為一邊框。如上所述，一影像在非顯示區域160中不顯示，並且光線應該不洩漏給非顯示區域160。一光阻擋層形成於非顯示區域160中，用於防止光線洩漏。
舉例而言，附加型的觸控面板100可設置在一透明玻璃基板上，並且然後可結合至所述面板上，並且因此可傳送通過面板輸出的光線。然而，通過面板輸出的光線不應該穿過非顯示區域160，並且因此，光阻擋層形成在非顯示區域160且阻擋光線。
在觸控面板100的顯示區域110中，複數個接收電極(RX)120在一個方向(例如，第2圖的一水平方向)上形成，並且複數個驅動電極(TX)130在另一方向(例如，第2圖的一垂直方向)上形成。下文中，為了便於說明，其中形成五個接收電極120和四個驅動電極130的一觸控面板將作為本發明的一實例進行說明。然而，在接收電極120的數目和驅動電極130的數目可根據觸控面板的尺寸而進行不同的改變。
分別連接到五個接收電極120的五個接收電極線140形成於非顯示區域160的第一非顯示區域160a，例如，形成於第2圖中所示的觸控面板100上形成的一非顯示區域中。分別連接到四個驅動電極130的四個驅動電極線150形成於非顯示區域160的第二非顯示區域160b，例如，形成於在第2圖所示的觸控面板100之一底部形成的一非顯示區域中。這五個接收電極線140延伸到第二非顯示區域160b。
一焊墊170電連接至配備有一觸控驅動器積體電路(IC)300 的一可撓性印刷電路板(FPCB)200，並且焊墊170設於在第二非顯示區域160b中形成的五個接收電極線140和四個驅動電極線150之每一端部。
舉例而言，當製造觸控面板100時，在第二非顯示區域160b中提供的複數個焊墊170電連接到可撓性印刷電路板(FPCB)200，並且觸控面板100結合到面板。
觸控驅動器積體電路(IC)300包括一接收單元310以及一驅動單元320。驅動單元320將一驅動脈波順次提供給驅動電極130。接收單元310透過使用根據驅動脈波產生並從接收電極120接收的複數個感測訊號，確定觸控面板100是否受到觸控。將參考第3圖詳細描述觸控面板100的詳細結構。
上述術語和將在下面描述的術語定義如下。
首先，對驅動電極130和接收電極120的一通用名稱是觸控電極。因此，觸控電極可以是驅動電極或接收電極。
其次，當需要區分接收電極和驅動電極時，接收電極和驅動電極可定義為一第一觸控電極以及一第二觸控電極。在這種情況下，第一觸控電極可以是接收電極，並且第二觸控電極可以是驅動電極。可替代地，第一觸控電極可以是驅動電極，並且第二觸控電極可以是接收電極。下文中，為了便於說明，其中接收電極120為第一觸控電極且驅動電極130為第二觸控電極的情況將作為本發明的一實例進行描述。
第三，接收電極線140和驅動電極線150的通用名稱是電極線。因此，電極線可以是接收電極線140或驅動電極線150。
第四，配置係為第一觸控電極的接收電極120的複數個接 收電極部121(參見第3圖)稱為複數個第一電極部，以及配置係為第二觸控電極的驅動電極130的複數個驅動電極部131(參見第3圖)稱為複數個第二電極部。此外，連接這些第一電極部的一線(參見第3圖)稱為一接收電極橋，以及連接這些第二電極部的一線(參見第3圖)稱為一驅動電極橋。
第五，橋表示從線橋和電極橋中選擇的至少一個。線橋表示從一接收線橋181(參見第4圖)和一驅動線橋182(參見第4圖)中選擇的至少一個。在第3圖所示的觸控面板中，電極橋表示從接收電極橋122(參見第3圖)，但是在具有另一機構的一觸控面板中，電極橋可以是連接這些驅動電極部的驅動電極連接部。
第六，電極線表示接收電極線或驅動電極線，並且當接收電極線140係為一第一電極線時，驅動電極線150係為一第二電極線。
第七，第一氧化物為氧化鋅(ZnO)或其中在氧化鋅(ZnO)上摻雜硼的氧化硼鋅(BZO)，並且由第一氧化物形成的一薄層稱作一第一氧化物層或一台階覆蓋增加層。第一氧化物相比較於第二氧化物具有一更好的台階覆蓋，並且因此可稱作一台階覆蓋增加層。在以下的說明中，可選擇性地使用第一氧化物層及第一氧化物。也就是說，第一氧化物可表示一材料本身，或表示形成在基板111上的一薄層。
第八，第二氧化物可以是氧化銦錫(ITO)、包含銦的氧化物、或包含錫的氧化物。另外，第二氧化物可以是各種材料中的一種。第二氧化物為相比較於第一氧化物具有一較低台階覆蓋且相比較於第一氧化物具有一較低電阻的一材料。因此，第二氧化物形成的一薄層稱為一第二 氧化物層或一低電阻層。在以下的說明中，可選擇性地使用第二氧化物層及第二氧化物。也就是說，第二氧化物可表示一材料本身，或表示形成在基板111上的一薄層。
第3圖為詳細地表示第2圖的觸控面板的示意圖，以及第4圖為表示沿第3圖的觸控面板中的線X-X'截取的剖視圖。第4圖的F係指第3圖中所示一F區域，以及第4圖的G係指第3圖中所示的一G區域。第5圖為應用於根據本發明一實施例之一觸控面板的製造方法中的氧化物特性的圖式。第5圖中(a)表示用作第二氧化物的氧化銦錫(ITO)的一特性圖，以及第5圖中(b)表示用作第一氧化物的氧化硼鋅(BZO)的一特性圖。
如以上參考第3圖所述，五個接收電極120和四個驅動電極130形成於觸控面板100的顯示區域110中，並且接收電極線140形成於第一非顯示區域160a中。另外，驅動電極線150、接收電極線140、以及焊墊170設於第二非顯示區域160b中。
首先，現在將描述形成在顯示區域110中的接收電極120和驅動電極130。
在觸控面板100之水平方向上形成的接收電極120可不電連接到在觸控面板100的垂直方向上形成的驅動電極130。
因此，驅動電極130和接收電極120透過一絕緣體彼此相分離。在這種情況下，在接收電極120與驅動電極130相交叉的一區域中，一電極橋提供在從接收電極120和驅動電極130中選擇的至少一個中，以便接收電極120不與驅動電極130電連接。
電極橋可設於接收電極120中，並且電極橋稱為一接收電極橋。而且，電極橋可設於驅動電極130中，並且電極橋稱為一驅動電極橋。
在下文中，為了便於描述，如第3圖及第4圖中所示，其中一接收電極橋122設於接收電極120中的一觸控面板將作為本發明的一實例進行描述。
當接收電極橋122提供於接收電極120中時，如第3圖所示，每一接收電極120包含五個接收電極部121以及四個接收電極橋122。一個接收電極120可設置有五個接收電極部121，這五個接收電極部121由四個接收電極橋122電連接。
每一驅動電極130包含六個驅動電極部131以及五個驅動電極連接部132，驅動電極連接部132在交叉區域電連接驅動電極部131。
這裡，如第4圖中所示，接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132設置於同一層上，並且接收電極橋122利用與接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132之間的一絕緣層191而與接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132相分離。
接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132可由氧化銦錫(ITO)、含銦氧化物、或含錫氧化物形成。
此外，接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132可由鋅(Zn)基氧化物例如氧化鋅(ZnO)或其中氧化鋅(ZnO)上摻雜硼的氧化硼鋅(BZO)形成。下文中，鋅(Zn)基氧化物例如氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO)簡單地稱為第一氧化物。第一氧化物係為具 有傳導性的一透明材料。
當接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132由具有傳導性的第一氧化物形成時，接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132可以在金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程中透過沉積氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO)形成。
當接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132由具有傳導性的第一氧化物形成時，相比較於第一氧化物對高溫和高濕度更加穩固(robust)的第二氧化物可形成於第一氧化物上。第二氧化物可透過一物理氣相沉積(PVD)製程形成在第一氧化物上。
電極橋122由鋅(Zn)基氧化物例如氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO)形成。也就是說，電極橋122由具有傳導性的第一氧化物形成。下文中，為了便於說明，其中第一氧化物為氧化鋅(ZnO)的情況將作為本發明的一實例進行描述。
其次，現在將描述第一非顯示區域160a和第二非顯示區域160b中提供的接收電極線140、驅動電極線150、以及焊墊170。
如以上參考第4圖所述，用於阻擋光線透射的一光阻擋層161塗覆在第一非顯示區域160a和第二非顯示區域160b上。光阻擋層161的一厚度為大約20微米或以上。當接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132之每一個的厚度為300奈米時，光阻擋層161形成為相比較於接收電極部121更厚大約70倍。
連接至接收電極120的接收電極線140設於第一非顯示區域160a中形成的光阻擋層161上，並且連接至驅動電極130的驅動電極線150 和連接至驅動電極線150的焊墊170設於第二非顯示區域160b中形成的光阻擋層161上。
這裡，接收電極線140通過一接收線橋181電連接至對應於接收電極線140的接收電極部121，其中接收電極部121配置為接收電極120。
舉例而言，一保護層192塗覆在接收電極線140和接收電極部121上，並且複數個接觸孔分別形成在與接收電極部121相對應的接收電極線140和保護層192中。接收線橋181可通過接觸孔電連接至接收電極線140和接收電極部121，並且因此，接收電極線140可電連接到接收電極部121。
驅動電極線150通過一驅動線橋182電連接至對應於驅動電極線150的驅動電極部131，其中驅動電極部131用以驅動電極130。舉例而言，保護層192塗覆在驅動電極線150和驅動電極部131上，並且複數個接觸孔分別形成在與驅動電極部131相對應的驅動電極線150和保護層192中。驅動線橋182可通過接觸孔電連接至驅動電極線150和驅動電極部131，並且因此，驅動電極線150可電連接到驅動電極部131。
焊墊170可設置在驅動線橋182的一端部。
接收線橋181和驅動線橋182的一通用名稱為一線橋181(182)。在以下的說明中，線橋可表示接收線橋181或驅動線橋182。在這種情況下，當接收線橋181是第一線橋時，則驅動線橋可以是第二線橋，並且反之亦然。
如第4圖中所示，線橋181及182設置在與電極橋122相同的層上。
因此，類似於電極橋122，線橋181及182透過將氫噴塗於利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程沉積的氧化鋅(ZnO)層(第一氧化物)上來形成，並且第二氧化物塗覆於氧化鋅(ZnO)層上。這種情況下，第二氧化物可使用相比較於第一氧化物對高溫和高濕度更加穩固的一材料形成。
舉例而言，氧化銦錫(ITO)可用作第二氧化物。這種情況下，氧化銦錫(ITO)可透過物理氣相沉積(PVD)製程形成。此外，氧化鋁(Al2O3)可用作第二氧化物。此外，第二氧化物可為用於保護第一氧化物的不同材料的一種。
將參考第5圖描述使用相比較於第一氧化物對高溫和高濕度更加穩固的一材料形成第二氧化物的原因。
舉例而言，第5圖所示的曲線圖分別表示透過將用作第一氧化物的氧化硼鋅(BZO)之周圍環境和用作第二氧化物的氧化銦錫(ITO)之周圍環境改變為高溫和高濕度，所測量的氧化硼鋅(BZO)和氧化銦錫(ITO)的電阻變化。
請參照曲線圖中，即使氧化銦錫(ITO)周圍的溫度和濕度增加時，氧化銦錫(ITO)的電阻也不變化。
然而，當氧化硼鋅(BZO)暴露於85℃的溫度和85%RH的濕度下時，氧化硼鋅(BZO)的一電阻迅速增加。
也就是說，用作第一氧化物的鋅(Zn)基氧化物，例如氧化硼鋅(BZO)或具有類似於氧化硼鋅(BZO)之電阻特性的氧化鋅(ZnO)，可透過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程沉積，並且在常溫下具有良 好的電阻特性。因此，如上所述，鋅(Zn)基氧化物可用作接收線橋181、驅動線橋182、以及接收電極橋122，並且可用作接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132。
然而，如第5圖中(b)所示，用作第一氧化物的氧化硼鋅(BZO)和氧化鋅(ZnO)形成於觸控面板上，並且然後，當觸控面板的一溫度和一濕度增加時，第一氧化物的一電阻迅速增加。由於這個原因，由第一氧化物形成的接收電極橋122、接收線橋181、驅動線橋182、接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132的功能能夠劣降。
因此，根據本發明的本實施例，接收電極橋122、接收線橋181、驅動線橋182、接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132透過使用作為第一氧化物的鋅(Zn)基氧化物，例如氧化硼鋅(BZO)和氧化鋅(ZnO)形成，並且第二氧化物例如氧化銦錫(ITO)或氧化鋁(Al2O3)形成在第一氧化物上，由此保護第一氧化物。也就是說，即使溫度和濕度增加，第二氧化物的一電阻也不改變，並且特別地，第二氧化物具有相比較於第一氧化物更低的一電阻。因此，由第二氧化物構成的一第二氧化物層稱為一低電阻層。
提供一補充的說明，接收線橋181、驅動線橋182、以及接收電極橋122在金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程中由第一氧化物形成，其中第一氧化物具有一良好的台階覆蓋及傳導性且為透明的，並且對高溫和高濕度比較穩固的第二氧化物形成於第一氧化物上，以便彌補第一氧化物容易受到高溫和高濕度影響的缺點。在此，由第一氧化物形成的接收線橋181、驅動線橋182、或接收電極橋122如上所述具有一良好的台階 覆蓋，並且因此稱為一臺階覆蓋增加層。
此外，除了接收線橋181、驅動線橋182、以及接收電極橋122之外，驅動電極部131和驅動電極連接部132可由第一氧化物形成。在這種情況下，第二氧化物也可形成在接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132上。
在此，氧化硼鋅(BZO)或氧化鋅(ZnO)可用作第一氧化物，並且第一氧化物透過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程形成。另外，氧化銦錫(ITO)或氧化鋁(Al2O3)可用作第二氧化物，並且第二氧化物透過物理氣相沉積(PVD)製程形成在第一氧化物上。
下文中，將參考第6A圖至第6G圖和第7圖至第9圖詳細描述觸控面板100的製造方法。
第6A圖至第6G圖為順次地表示根據本發明一實施例的觸控面板的製造方法的示意圖。第7圖為表示根據本發明一實施例的觸控面板的製造系統之結構的示意圖。第8圖為第7圖的一第一觸控面板製造裝置的示意圖。以及第9圖為第7圖的一第二觸控面板製造裝置的示意圖。
以下將要描述的觸控面板的製造方法將作為根據本發明一實施例的觸控面板的製造方法之一實例進行描述。因此，根據本發明一實施例的觸控面板的製造方法可根據觸控面板的一結構而不同地改變。
首先，請參考第6A圖，接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132設於基板111上。
接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132之每一個的厚度為大約300奈米。
基板111可為一透明玻璃基板、一透明塑料基板、或者一透明合成樹脂膜。
塑料基板或合成樹脂膜可以由從聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、對硝基苯甲酸(polynorborneen,PNB)、聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenapthanate,PEN)、以及聚醚砜(PES)中選擇的至少一種形成。
接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132可以由氧化銦錫(ITO)形成。
在這種情況下，氧化銦錫(ITO)可透過物理氣相沉積(PVD)製程形成於基板111上。
物理氣相沉積(PVD)製程的實例包含一噴鍍製程、一電子束蒸鍍製程、一熱蒸鍍製程、一雷射分子束磊晶(L-MBE)製程、以及一脈衝雷射沉積(PLD)製程。特別地，接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132可透過噴鍍製程形成在基板111上。
此外，接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132可由具有傳導性的透明第一氧化物，例如鋅(Zn)基氧化物，例如氧化鋅(ZnO)形成。在這種情況下，接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132可通過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程的沉積形成。
特別地，當接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132由第一氧化物形成時，第二氧化物例如氧化銦錫(ITO)或氧化鋁(Al2O3)形成於第一氧化物上。這種情況下，第二氧化物保護第一氧 化物防止受到一高溫及高濕度的影響。
在金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程中形成第一氧化物的一過程將在橋181、182以及122的形成製程中進行詳細說明。
接下來，請參考第6B圖，光阻擋層161形成於非顯示區域160中。光阻擋層161的一厚度為大約20微米或以上。光阻擋層161的一厚度形成為相比較於接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132之每一個的厚度更厚70倍或更多倍。
然後，請參考第6C圖，接收電極線140和驅動電極線150形成於光阻擋層161之上。
舉例而言，五個接收電極線140形成在第一非顯示區域160a中。接收電極線140延伸到第二非顯示區域160b，並且四個驅動電極線150形成於第二非顯示區域160b之中。
由於接收電極線140和驅動電極線150形成於光阻擋層161上，其中光阻擋層161上形成於光線不能夠通過的非顯示區域160中，因此接收電極線140和驅動電極線150可以由一不透明材料例如氧化銦錫(ITO)或氧化鋅(ZnO)形成。因此，接收電極線140和驅動電極線150可以由具有良好傳導性的不同類型的不透明金屬材料形成。
接下來，請參考第6D圖，一絕緣層191塗覆在接收電極部121、驅動電極部131、以及驅動電極連接部132、接收電極線140、以及驅動電極線150上。絕緣層191可以由一絕緣材料，例如聚合氯化鋁(PAC)或聚合硫酸鋁(PAS)形成。
複數個接觸孔透過使用遮罩形成在絕緣層191中。
舉例而言，在絕緣層191中，兩個接觸孔形成於分別與接收電極部121相對應的位置，一個接觸孔形成在與接收電極線140和驅動電極線150的每一個相對應的位置，並且一個接觸孔形成在與驅動電極部131之中相鄰光阻擋層161的每一驅動電極部131相對應的位置。這些接觸孔可透過一光遮罩製程來形成。
然後，請參考第6E圖，通過接觸孔將彼此分離的兩個接收電極部121相連接的接收電極橋122，通過接觸孔將接收電極線140連接至接收電極部121的接收線橋181，以及通過接觸孔將驅動電極線150連接至驅動電極部131的驅動線橋182設於絕緣層191上。
接收電極橋122、接收線橋181、以及驅動線橋182的形成製程在第7圖及第8圖中所示的一第一觸控面板製造裝置620中執行。
第一觸控面板製造裝置620用以形成具有一精細圖案的橋181、182以及122，並且使用利用一金屬有機前驅物的一化學氣相沉積(CVD)製程。也就是說，第一觸控面板製造裝置620透過在化學氣相沉積(CVD)製程中沉積具有傳導性的透明第一氧化物(例如，鋅(Zn)基氧化物，例如氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO)來形成這些橋。下文中，為了便於說明，具有傳導性的透明第一氧化物為氧化鋅的情況將作為本發明一實施例的一實例進行描述。在這種情況下，這些電極部121及131可由氧化鋅(ZnO)形成。
為了形成這些橋，如第8圖所示，第一觸控面板製造裝置620包含一腔室621、一基板支撐單元622、以及複數個氣體噴射裝置(626及623)。氣體噴射裝置包含一氣體噴射單元623以及一氣體供給單元626。 氣體供給單元626包含一第一氣體供給件624以及一第二氣體供給件625。
然而，除了第8圖中所示的類型之外，第一觸控面板製造裝置620可配置為不同的類型。
當絕緣層191透過執行第6A圖至第6D圖的上述製程形成在基板111上時，基板100a轉移至第8圖中所示的第一觸控面板製造裝置620之腔室621的內部，並且設置於基板支撐單元622上。
隨後，一金屬源材料(一鋅(Zn)基金屬前驅物)和一反應氣體通過氣體噴射單元623噴射到基板100a上，並且因此，形成橋181、182以及122。
然後，請參考第6F圖，用於保護第一氧化物防止受到一高溫和高濕度影響的第二氧化物123形成於橋181、182以及122上，其中橋181、182以及122由第一氧化物形成。
第二氧化物123的一形成過程透過第7圖及第9圖中所示的一第二觸控面板製造裝置630執行。
第二觸控面板製造裝置630透過使用物理氣相沉積(PVD)製程在橋181、182以及122上形成第二氧化物，第二氧化物保護橋181、182以及122以防止受到一高溫和高濕度的影響。
為了形成第二氧化物，如第9圖所示，第二觸控面板製造裝置630包含一腔室631、一基座632、以及一對象支撐部633。
然而，除了第9圖中所示的一類型之外，第二觸控面板製造裝置630可設置為不同的類型。
當由第一氧化物形成的橋181、182以及122透過執行第6E 圖的上述製程形成在基板100b上時，基板100b轉移至第9圖中所示的第二觸控面板製造裝置630之腔室631的內部，並且設於基座632上。
隨後，第二觸控面板製造裝置630將從惰性氣體釋放的離子635與對象支撐部633中配備的一第二氧化物對象634相碰撞，並且將從第二氧化物對象634分離的原子沉積於第一氧化物(181、182以及122)上，由此在第一氧化物(181、182以及122)上形成第二氧化物123。
最後，請參考第6G圖，保護層192形成為遍佈包括第二氧化物123的基板。在這種情況下，保護層192形成為使得驅動線橋182的一端部暴露於外部。暴露於外部而不由保護層192覆蓋的一部分成為焊墊170。配備有觸控驅動器積體電路300的可撓性印刷電路板(FPCB)200電連接到焊墊170。
通過這些製程結束觸控面板100的製造過程。
連接到可撓性印刷電路板(FPCB)200的觸控面板100利用一黏合劑例如一光學透明樹脂(OCR)或一膠黏帶例如一光學透明黏合劑(OCA)附加至面板的一頂端，並且因此，製成具有觸控面板100的一顯示裝置。
以下，將簡要地總結根據本發明一實施例的上述觸控面板的製造方法。
根據本發明一實施例的觸控面板的製造方法包含：在基板的顯示區域110中形成電極部121及131的一作業，在基板的第一及第二非顯示區域160a及160b中形成光阻擋層161的一作業，在光阻擋層161上形成接收及驅動電極線140及150的一作業，形成線橋181及182的一作業， 其中線橋181及182透過使用具有傳導性的透明的第一氧化物將電極部121及131連接至電極線，以及在第一氧化物181及182上形成第二氧化物123的一作業，其中第二氧化物123用於保護第一氧化物。
這裡第二氧化物具有相比較於第一氧化物對一高溫和高濕度更穩固的一特性。
舉例而言，第一氧化物的線橋181及182中的每一個係為氧化鋅(ZnO)或其中硼摻雜於氧化鋅(ZnO)上的氧化硼鋅(BZO)，並且第二氧化物123可為氧化銦錫(ITO)或氧化鋁(Al2O3)。
此外，在根據本發明的一實施例的觸控面板的製造方法中，線橋181及182透過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程形成。
另外，在根據本發明的一實施例的觸控面板的製造方法中，在第一氧化物上形成第二氧化物的作業透過使用物理氣相沉積(PVD)製程執行。
此外，電極部121及131包含配置第一觸控電極且彼此電斷開的第一電極部，以及配置第二觸控電極且彼此電連接的第二電極部。在根據本發明一實施例的觸控面板的製造方法中，與第一電極部電連接的電極橋122可透過與形成線橋181及182相同的製程，由與線橋181及182相同的材料形成。
此外，在本發明的本實施例中，電極部121和131可由具有傳導性和透明的第一氧化物形成。在這種情況下，第二氧化物123可沉積於由第一氧化物形成的電極部121及131上。
下文中，將詳細描述根據本發明一實施例的一觸控面板製 造系統600。在下面的描述中，將簡要描述或省略上述的細節。
如第7圖所示，根據本發明一實施例的觸控面板製造系統600包含第一觸控面板製造裝置620以及第二觸控面板製造裝置630。
首先，如第8圖中所示，第一觸控面板製造裝置620包含：一腔室621，具有一反應空間；基板支撐單元622，設置在腔室621中，並支撐具有在一顯示區域中形成的複數個電極部的一製造基板100a，在顯示區域之外部形成的一非顯示區域中形成的一光阻擋層，以及在光阻擋層上形成的一電極線；以及氣體噴射裝置，在製造基板100a上噴射一金屬源材料和一反應氣體，以便在製造基板100a上形成具有傳導性的透明的第一氧化物(ZnO或BZO)，其中此透明的第一氧化物用以形成將電極部連接至電極線的一線橋。在這種情況下，製造基板100a表示已經過第6A圖至第6D圖之製程的一基板。
第6A圖至第6D圖的上述製程可透過用於沉積氧化銦錫(ITO)的一噴鍍裝置、用於形成絕緣層191的一裝置、以及用於形成絕緣層191中之接觸孔的裝置來分別執行。這些裝置是通常用於製造觸控面板100的裝置，並且因此，不提供它們的詳細描述。
氣體噴射裝置包含氣體噴射單元623以及氣體供給單元626。氣體供給單元626包含第一氣體供給件624以及第二氣體供給件625。
氣體噴射裝置的氣體供給單元626可噴射一鋅(Zn)基金屬前驅物作為金屬源材料，並且噴射一含氧氣體作為反應氣體。為此，第一氣體供給件624可將金屬源材料供給到氣體噴射單元623，並且第二氣體供給件625可將反應氣體供給到氣體噴射單元623。
此外，氣體噴射裝置將金屬源材料和反應氣體噴射至製造基板100a上，以便與線橋181及182一起形成電連接第二電極部的電極橋122。
第一觸控面板製造裝置620透過使用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程在製造基板100a上形成線橋122。因此，第一觸控面板製造裝置620基本上包括：在執行金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程的設備中具有的元件。
其次，如第9圖中所示，第二觸控面板製造裝置630包含：一腔室631，具有一反應空間；一基座632，設於腔室631中，配備有具有一第一極性的電源，並且支撐具有在一顯示區域中形成的複數個電極部的一製造基板100b，在顯示區域之外部形成的一非顯示區域中形成的一光阻擋層，在光阻擋層上形成的一電極線，以及透過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程由具有傳導性的透明第一氧化物形成且將電極部連接至電極線的一線橋；以及一對象支撐部633，配備有一第二氧化物對象634，並且供給有具有一第二極性的電源。
第二觸控面板製造裝置630將從惰性氣體釋放的離子635與第二氧化物對象634相碰撞，並且將從第二氧化物對象634分離的原子沉積於製造基板110b上形成的第一氧化物上，由此在第一氧化物上形成第二氧化物。
在這種情況下，製造基板100b表示已經過第一觸控面板製造裝置620的一基板。因此，線橋122形成於裝載到第二觸控面板製造裝置630中的製造基板100b上。
第二觸控面板製造裝置630輝光放電流入腔室631中的一惰性氣體(例如氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)等)，以產生一正的離子635，並且然後正的離子635與供給有一第二極性(例如，一負(-)極性)的第二氧化物對象634相碰撞。
透過碰撞作業從第二氧化物對象634發射出的一原子移向供給有第一極性(例如，正(+)極性)的基座632，並且沉積在製造基板100b上。
也就是說，第二觸控面板製造裝置630透過物理氣相沉積(PVD)製程，在形成於製造基板100b上的第一氧化物(181和182)上形成第二氧化物123。
因此，第二觸控面板製造裝置630基本上包括：在執行物理氣相沉積(PVD)製程的設備中具有的元件。
上述的細節將總結如下。
本發明涉及一觸控面板的製造，並且特別地，橋122、181以及182由第一氧化物(舉例而言，鋅(Zn)基氧化物，例如氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO))形成，並且對該無和高濕度比較穩固的第二氧化物形成於第一氧化物上，以便保護容易受到高溫和高濕度影響的第一氧化物。
根據本發明的實施例，配置觸控面板之接收電極和驅動電極的橋可由鋅(Zn)基氧化物(第一氧化物)例如氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO)來代替氧化銦錫(ITO)形成，並且這些電極和驅動電極可以由第一氧化物形成。特別地，由於第一氧化物使用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程而透過第一觸控面板製造裝置620製造，因此橋的台階覆 蓋得到提高，並且因此，觸控面板的生產率得到提高。另外，觸控面板的製造成本透過使用相比較氧化銦錫(ITO)更便宜的氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO)而降低。根據基於本發明製造的一觸控面板的一類比結果和一實驗結果，當橋(特別地，線橋181及182)接觸光阻擋層161時，一台階覆蓋得到提高，並且因此，能夠保證90%或更高的生產率。
此外，根據本發明的實施例，由於對高溫和高濕度比較穩固的第二氧化物形成於易受高溫和高濕度影響的第一氧化物上，因此第一氧化物的特性在高溫和高濕度下不改變。因此，由第一氧化物製造的觸控面板的性能可以得到提高。
此外，在使用氧化銦錫(ITO)的習知技術的觸控面板的製造方法中，當發生一錯誤時，不可能執行一再工作的過程。然而，根據本發明的實施例，再工作的過程很容易透過使用鋅基氧化物執行，並且因此，提高了生產率。
在上文中，已經描述了第二氧化物形成於用作橋的第一氧化物上。然而，第二氧化物可形成為一多層結構，用於在高溫和高濕度下保護第一氧化物。也就是說，根據本發明的實施例，用作觸控面板之電極的每一元件可基本上由第一氧化物(例如，氧化鋅(ZnO)或氧化硼鋅(BZO))形成，並且用於在高溫和高濕度下保護第一氧化物的第二氧化物可透過使用氧化鋅(ITO)或另一材料(例如，氧化鋁(Al2O3))形成為多層。
由於這種多層結構，觸控面板可使用第一氧化物的一良好特性，例如一台階覆蓋較好的特性，並且能夠防止第一氧化物的一特性由高溫和高濕度而破壞。
根據本發明的實施例，由於一橋由具有導電性的透明的第一氧化物形成，因此橋的一台階覆蓋可以得到改善，並且一觸控面板的製造成本能夠降低。
此外，根據本發明的實施例，由於在高溫和高濕度下保護第一氧化物的第二氧化物形成於具有傳導性的透明第一氧化物上，因此能夠提高第一氧化物的一特性。
本領域的技術人員將容易理解可以在不脫離本發明之技術思想的範圍內進行各種變化和修改。因此，本發明覆蓋這些修改和變型，只要它們落在所附之專利申請範圍及其等同範圍內。
100‧‧‧觸控面板
110‧‧‧顯示區域
120‧‧‧接收電極
130‧‧‧驅動電極
140‧‧‧接收電極線
150‧‧‧驅動電極線
160‧‧‧非顯示區域
160a‧‧‧第一非顯示區域
160b‧‧‧第二非顯示區域
170‧‧‧焊墊
200‧‧‧可撓性印刷電路板
300‧‧‧觸控驅動器積體電路
310‧‧‧接收單元
320‧‧‧驅動單元

Claims (15)

  1. 一種觸控面板的製造方法，包含：形成複數個電極部於一面板的一顯示區域中；形成一光阻擋層於該基板的一非顯示區域中；形成一電極線於該光阻擋層上；透過使用第一氧化物形成一第一氧化物層，該第一氧化物用於形成將該電極部連接至該電極線的一線橋；以及透過使用第二氧化物在該第一氧化物層上形成一第二氧化物層，該第二氧化物具有相比較於該第一氧化物的一台階覆蓋更低的一台階覆蓋，並且具有相比較於該第一氧化物的一電阻更低的一電阻，該第二氧化物用於保護該第一氧化物。
  2. 如請求項1所述之觸控面板的製造方法，其中形成該線橋使用一金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程。
  3. 如請求項1所述之觸控面板的製造方法，其中該第二氧化物相比較於該第一氧化物對一高溫和高濕度更加穩固。
  4. 如請求項1所述之觸控面板的製造方法，其中該第一氧化物係為氧化鋅(ZnO)或其中在氧化鋅(ZnO)上摻雜硼的氧化硼鋅(BZO)，以及該第二氧化物係為包含銦的氧化物。
  5. 如請求項1所述之觸控面板的製造方法，其中該第一氧化物係為氧化鋅(ZnO)或其中在氧化鋅 (ZnO)上摻雜硼的氧化硼鋅(BZO)，以及該第二氧化物係為包含錫的氧化物。
  6. 如請求項1所述之觸控面板的製造方法，其中，該些電極部包含複數個第一電極部以及複數個第二電極部，該些第一電極部配置一第一觸控電極且彼此電分離，並且該些第二電極部彼此電連接以配置一第二觸控電極，以及形成該線橋包含透過使用於與該線橋的一材料相同的材料和與形成該線橋的一製程相同的製程形成複數個電極橋，該些電極橋電連接該些第一電極部。
  7. 如請求項1所述之觸控面板的製造方法，其中該些電極部係由該第一氧化物形成。
  8. 如請求項7所述之觸控面板的製造方法，進一步包含沉積該第二氧化物於由該第一氧化物形成的該些電極部上。
  9. 一種觸控面板的製造裝置，包含：一腔室，具有一反應空間；一基座，設於該腔室中，供給有具有一第一極性的電源，並且支撐具有在一顯示區域中形成的複數個電極部的一製造基板，在該顯示區域之外部形成的一非顯示區域中形成的一光阻擋層，在該光阻擋層上形成的一電極線，以及透過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程由第一氧化物形成並且將該電極部連接至該電極線的一線橋；以及 一對象支撐部，配備有一第二氧化物對象，並且供給有具有一第二極性的電源，其中該觸控面板的製造裝置將從惰性氣體釋放的離子與該第二氧化物對象相碰撞，並且將從該第二氧化物對象分離的原子沉積於該第一氧化物上，以在該第一氧化物上形成第二氧化物。
  10. 如請求項9所述之觸控面板的製造裝置，其中，該第一氧化物係為氧化鋅(ZnO)或其中在氧化鋅(ZnO)上摻雜硼的氧化硼鋅(BZO)，以及該第二氧化物係為相比較於該第一氧化物對一高溫和高濕度更穩固的包含銦的氧化物，或包含錫的氧化物。
  11. 如請求項9所述之觸控面板的製造裝置，其中該第二氧化物透過一物理氣相沉積(PVD)製程沉積於該第一氧化物上。
  12. 一種觸控面板的製造系統，包含：一第一觸控面板製造裝置，在一製造基板上噴射一金屬源材料和一反應氣體，用於在該製造基板上形成第一氧化物，其中該第一氧化物用作將複數個電極部連接至一電極線的一線橋，其中該製造基板包含在一顯示區域中形成的該些電極部，在顯示區域之外部形成的一非顯示區域中形成的一光阻擋層，以及在該光阻擋層上形成的該電極線；以及 一第二觸控面板製造裝置，在從該第一觸控面板製造裝置卸載的該製造基板的該第一氧化物上形成第二氧化物，該第二氧化物相比較於該第一氧化物對一高溫和高濕度更穩固。
  13. 如請求項12所述之觸控面板的製造系統，其中，該第一氧化物係為氧化鋅(ZnO)或其中在氧化鋅(ZnO)上摻雜硼的氧化硼鋅(BZO)，以及該第二氧化物係為包含銦或包含錫的氧化物。
  14. 如請求項12所述之觸控面板的製造系統，其中，該第一觸控面板製造裝置透過使用一金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程形成線橋，以及該第二觸控面板製造裝置透過使用一物理氣相沉積(PVD)製程在該第一氧化物上形成該第二氧化物。
  15. 一種觸控面板的製造方法，包含：形成複數個電極部於一面板的一顯示區域中；形成一光阻擋層於該基板的一非顯示區域中；形成一電極線於該光阻擋層上；形成一台階覆蓋增加層，用於形成將該電極部連接至該電極線的一線橋；以及形成一電阻減少層於該台階覆蓋增加層上。
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