CN106104430A - 触控面板的制造设备、制造系统和制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种触控面板的制造设备、制造系统、以及制造方法，本发明使用具有传导性的透明第一氧化物形成桥，并且在此桥上形成对高温和高湿度稳固的第二氧化物。所述制造方法包括：在基板的显示区域中形成多个电极部，在所述基板的非显示区域中形成光阻挡层，在所述光阻挡层上形成电极线，通过使用具有传导性的透明的第一氧化物形成线桥，以及在第一氧化物上形成第二氧化物，用于保护第一氧化物。

Description

触控面板的制造设备、制造系统和制造方法
技术领域
本发明涉及一种触控面板的制造方法，并且特别地，涉及一种触控面板的制造设备、制造系统、以及制造方法，此触控面板附接至显示设备的面板的表面。
背景技术
平板显示(FPD)设备应用于各种电子设备，例如，便携式电话、平板个人计算机(PC)、笔记本电脑等。FPD设备的示例包括液晶显示(LCD)设备、等离子显示面板(PDP)、有机发光显示设备等。最近，电泳显示(EPD)设备广泛用作一种类型的FPD设备。
在这种FPD设备(以下简称为显示设备)中，因为LCD设备由于先进制造技术而容易制造，并且实现驱动程序的操作灵活性和高质量图像，因此LCD设备目前最广泛地被商业化。
在这种FPD设备中，有机发光显示设备具有1ms或更短的快速响应时间和低功耗，并且因此作为下一代FPD设备而备受关注。
代替常规应用于平板显示设备的鼠标或键盘，允许用户用手指或笔直接输入信息的触控屏最近应用于平板显示设备。
触控面板应用于显示图像的LCD设备的面板的类型的示例包括附加型(add-ontype)和内嵌型(in-cell type)。
附加型触控面板独立于面板制造，并且粘附到面板的平面上。另外，内嵌型触控面板与面板设置为一体。
图1是示意性示出现有技术的附加型触控面板的横截面的示例性视图，并且特别是示意性示出形成在触控面板的非显示区域中的光阻挡层以及形成在光阻挡层上的线的示例性视图。
如上所述，附加型触控面板附接至在显示设备中显示图像的面板。
首先，在触控面板的显示区域M中，X轴电极传感器图案(以下简称为驱动电极)和Y轴电极传感器图案(以下简称为接收电极)由氧化铟锡(ITO，透明电极)形成。形成触控面板的ITO可以应用于玻璃基板或膜(以下简称为基板11)。
在触控面板中，驱动电极通过绝缘体与接收电极分离，以使得驱动电极与接收电极电气地断开。在这种情况下，穿过绝缘体的上表面或下表面的线被称为电极桥。电极桥电连接彼此分离的多个驱动电极部分，或者电连接彼此分离的多个接收电极部分。
其次，如图1所示，连接至驱动电极的驱动电极线或连接至接收电极的接收电极线形成在触控面板的非显示区域N中。以下，图1中示出的线14是接收电极线的情况将被作为现有技术的触控面板的示例进行描述。
光阻挡层12形成在非显示区域N中，以便防止光泄漏，并且接收电极线14形成在光阻挡层12处。
在这种情况下，用于使接收电极13(形成在显示区域M中)电连接至形成在非显示区域N中的接收电极线14的线被称为接收线桥15。另外，用于使驱动电极(形成在显示区域M中)电连接至形成在非显示区域N中的驱动电极线的线被称为驱动线桥15。
驱动电极桥、接收电极桥、驱动线桥和接收线桥15的通用名称是桥，其中，驱动电极桥电连接多个驱动电极部分，这些驱动电极部分构成形成在显示区域M中的驱动电极，接收电极桥电连接多个接收电极部分，这些接收电极部分构成形成在显示区域M中的接收电极，驱动线桥使显示区域M中形成的驱动电极连接至非显示区域N中形成的驱动电极，以及接收线桥15使显示区域M中形成的接收电极连接至非显示区域N中形成的接收电极。
一般来讲，电极桥和线桥通过相同的工艺同时形成在基板11上。
具有上述结构的现有技术的触控面板存在以下问题。
一般来讲，通过物理气相沉积(PVD)工艺形成在基板上的ITO没有良好的台阶覆盖，并且由ITO形成的电极桥、驱动电极和接收电极13中的每一者的厚度为300nm。光阻挡层12的厚度B是20μm或更大，这比电极桥的厚度厚70倍。
因此，当线桥15由用于形成现有技术的触控面板的ITO形成时，线桥15不电连接至形成在光阻挡层12上的电极线14。
为了提供额外的描述，当通过PVD工艺溅射ITO以便形成线桥15时，如图1所示，线桥15形成为爬升至光阻挡层12的一侧，并且为此，难以稳定地实施线桥15。因此，在沿着光阻挡层12的一侧形成的线桥15中出现断开区域C。
特别地，由于光阻挡层12与基板11之间的台阶高度，因此使用掩模的曝光工艺的精度降低，并且为此，在线桥15中出现断开的可能性很高。
此外，由于在使用ITO用于形成线桥15的蚀刻工艺中，蚀刻溶液与光阻挡层12反应，所以线桥15的质量劣化。另外，在使用ITO的高温溅射工艺中，在光阻挡层12的表面上产生的气体会妨碍线桥15的形成，并且为此，难以实施具有均匀质量的线桥15。另外，光阻挡层12在高温溅射工艺中会氧化，从而导致由ITO形成的线桥15的质量劣化。
为此，现有技术的触控面板的误差率增大，并且因此，触控面板的制造成本增大。
特别地，形成在应用于使用白色边框的蜂窝手机的触控面板中的光阻挡层12的厚度为60μm或更大，并且为此，触控面板的生产率仅仅约20％。
发明内容
本发明的方面涉及提供一种触控面板的制造设备、制造系统、以及制造方法，本发明使用具有传导性的透明第一氧化物形成桥，并且在此桥上形成对高温和高湿度稳固的第二氧化物。
为了实现本发明的这些和其它优点以及根据本发明的目的，现对本发明作具体化和概括性的描述，提供了一种触控面板的制造方法，所述方法包括：在基板的显示区域中形成多个电极部；在所述基板的非显示区域中形成光阻挡层；在所述光阻挡层上形成电极线；通过使用第一氧化物形成第一氧化物层，用于形成使所述电极部连接至所述电极线的线桥；以及通过使用第二氧化物在所述第一氧化物层上形成第二氧化物层，所述第二氧化物具有相比较于所述第一氧化物的台阶覆盖更低的台阶覆盖，并且具有相比较于所述第一氧化物的电阻更低的电阻，用于保护所述第一氧化物。
在本发明的一方面，提供了一种触控面板的制造方法，所述方法包括：在基板的显示区域中形成多个电极部；在所述基板的非显示区域中形成光阻挡层；在所述光阻挡层上形成电极线；形成台阶覆盖增加层，所述台阶覆盖增加层用于形成使所述电极部连接至所述电极线的线桥；以及在所述台阶覆盖增加层上形成电阻减小层。
在本发明的另一方面，提供了一种触控面板制造设备，包括：腔室，所述腔室包括反应空间；基座，所述基座设于所述腔室中、供给有具有第一极性的电力，并且支撑包括在显示区域中形成的多个电极部的制造基板、在所述显示区域的外部形成的非显示区域中形成的光阻挡层、在所述光阻挡层上形成的电极线、以及通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺由第一氧化物形成并且使所述电极部连接至所述电极线的线桥；以及靶材支撑部，所述靶材支撑部配备有第二氧化物靶材并且供给有具有第二极性的电力，其中所述触控面板制造设备使放电的惰性气体的离子与所述第二氧化物靶材相碰撞，并且使与所述第二氧化物靶材分离的原子沉积在所述第一氧化物上，以在所述第一氧化物上形成第二氧化物。
在本发明的另一方面，提供了一种触控面板的制造系统，所述触控面板的制造系统包括：第一触控面板制造设备，所述第一触控面板制造设备在制造基板上喷射金属源材料和反应气体，以用于在所述制造基板上形成第一氧化物，所述第一氧化物用作使电极部连接至电极线的线桥，其中所述制造基板包括在显示区域中形成的多个电极部、在显示区域的外部形成的非显示区域中形成的光阻挡层、以及在所述光阻挡层上形成的所述电极线；以及第二触控面板制造设备，所述第二触控面板制造设备在从所述第一触控面板制造设备卸载的制造基板的第一氧化物上形成第二氧化物，所述第二氧化物相比较于所述第一氧化物对高温和高湿度更稳固。
根据本发明的实施例，由于桥由具有导电性的透明的第一氧化物形成，因此桥的台阶覆盖可以得到改善，并且触控面板的制造成本能够降低。
此外，根据本发明的实施例，由于在高温和高湿度下保护第一氧化物的第二氧化物形成于具有传导性的透明第一氧化物上，因此能够提高第一氧化物的特性。
附图说明
图1是示意性示出现有技术的附加型触控面板的横截面的示例性视图；
图2是示意性示出根据本发明实施例的触控面板制造方法制造的触控面板的示例性视图；
图3是详细示出图2的触控面板的示例性实施例；
图4是示出沿着图3的触控面板的线X-X'截取的剖视图的示例性视图；
图5是示出根据本发明的实施例的应用于触控面板制造方法的氧化物的特性的视图；
图6a至图6g是依次示出根据本发明实施例的触控面板制造方法的示例性视图；
图7是示出根据本发明实施例的触控面板制造系统的配置的示例性视图；
图8是示出图7的第一触控面板制造设备的示例性视图；以及
图9是示出图7的第二触控面板制造设备的示例性视图。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本发明的实施例。
图2是示意性示出根据本发明实施例的触控面板制造方法制造的触控面板的示例性视图。
触控面板驱动方法的示例包括电阻式和电容式。电容式可以分类成自电容式和互电容式。本发明可以应用于自电容式触控面板和互电容式触控面板。以下为了便于说明，将以互电容式触控面板作为本发明的示例进行描述。这里，互电容式触控面板包括多个驱动电极和多个接收电极，并且根据顺序供应到驱动电极的驱动脉冲使用从接收电极接收的多个感测信号确定是否存在触控。
此外，触控面板应用于在多种类型的显示设备，如LCD设备、OLED设备、PDP和EPD设备中显示图像的面板的方法的示例包括附加型、内嵌型、混合内嵌型和表嵌型(on-celltype)。本发明可以应用于多种类型的触控面板。以下为了便于说明，根据本发明的实施例的触控面板制造方法将以附加型触控面板作为示例进行描述。这里，附加型触控面板代表独立于面板制造并且然后附接至面板表面的触控面板。
通过根据本发明的实施例的触控面板制造方法制造的图2的触控面板100通过使用互电容式被制造成附加型，并且确定是否存在用户的触控。
触控面板100包括与面板中显示图像的区域对应的显示区域110以及与面板中不能够显示图像的区域对应的非显示区域160。
用于感测触控的多个驱动电极130和多个接收电极120形成在显示区域110中，并且从面板输出的光穿过显示区域110。
非显示区域160是由显示设备的外壳覆盖的区域，并且被称为边框(bezel)。如上所述，图像不显示在非显示区域160中，并且光不应当泄漏到非显示区域160。光阻挡层形成在非显示区域160中，用于防止光泄漏。
例如，附加型触控面板100可以设置在透明玻璃基板上，然后可以耦接至面板，并且因此可以传送通过面板输出的光。然而，通过面板输出的光不应穿过非显示区域160，并且因此，光阻挡层形成在非显示区域160中并且阻挡光。
在触控面板100的显示区域110中，多个接收电极(RX)120在一个方向(例如，图2的水平方向)上形成，并且多个接收电极(TX)130在另一个方向(例如，图2的竖向方向)上形成。以下为了便于说明，五个接收电极120和四个驱动电极130形成在其中的触控面板作为本发明的示例进行描述。然而，接收电极120的数量和驱动电极130的数量可以根据触控面板的尺寸多样化地变化。
分别连接至五个接收电极120的五个接收电极线140形成在非显示区域160的第一非显示区域160a中，例如，形成在图2所示的触控面板100左侧的非显示区域中。分别连接至四个驱动电极130的四个驱动电极线150形成在非显示区域160的第二非显示区域160a中，例如，形成在图2所示的触控面板100下侧的非显示区域中。五个接收电极线140延伸到第二非显示区域160b。
电连接至配备有触控驱动器集成电路(IC)300的柔性印刷电路板(FPCB)200的焊盘170设置于在第二非显示区域160b中形成的五个接收电极线140和四个驱动电极线150的每个端部。
例如，当制造触控面板100时，设置在第二非显示区域160b中的多个焊盘170电连接至柔性印刷电路板(FPCB)200，并且触控面板100耦接至面板。
触控驱动器集成电路(IC)300包括接收单元310以及驱动单元320。驱动单元320将驱动脉波顺序地提供给驱动电极130。接收单元310通过使用根据驱动脉波产生并从接收电极120接收的多个感测信号来确定触控面板100是否被触控。将参考图3详细描述触控面板100的详细结构。
上述术语和将在下面描述的术语定义如下。
首先，驱动电极130和接收电极120的通用名称是触控电极。因此，触控电极可以是驱动电极或接收电极。
其次，当需要区分接收电极和驱动电极时，接收电极和驱动电极可以定义为第一触控电极以及第二触控电极。在这种情况下，第一触控电极可以是接收电极，并且第二触控电极可以是驱动电极。可替代地，第一触控电极可以是驱动电极，并且第二触控电极可以是接收电极。下文中，为了便于说明，其中接收电极120为第一触控电极且驱动电极130为第二触控电极的情况将作为本发明的示例进行描述。
第三，接收电极线140和驱动电极线150的通用名称是电极线。因此，电极线可以是接收电极线140或驱动电极线150。
第四，配置作为第一触控电极的接收电极120的多个接收电极部121(参见图3)称为多个第一电极部，并且配置作为第二触控电极的驱动电极130的多个驱动电极部131(参见图3)称为多个第二电极部。此外，连接这些第一电极部的线(参见图3)称为接收电极桥，并且连接这些第二电极部的线(参见图3)称为驱动电极桥。
第五，桥表示从线桥和电极桥中选择的至少一者。线桥表示从接收线桥181(参见图4)和驱动线桥182(参见图4)中选择的至少一者。在图3所示的触控面板中，电极桥表示接收电极桥122(参见图3)，但是在具有另一种结构的触控面板中，电极桥可以是连接这些驱动电极部的驱动电极连接部。
第六，电极线表示接收电极线或驱动电极线，并且当接收电极线140为第一电极线时，驱动电极线150为第二电极线。
第七，第一氧化物为氧化锌(ZnO)或其中在氧化锌(ZnO)上掺杂硼的氧化硼锌(BZO)，并且由第一氧化物形成的薄层被称为第一氧化物层或台阶覆盖增加层。第一氧化物相比较于第二氧化物具有更好的台阶覆盖，并且因此可被称为台阶覆盖增加层。在以下的说明中，可选择性地使用第一氧化物层及第一氧化物。也就是说，第一氧化物可以表示材料本身，或表示形成在基板111上的薄层。
第八，第二氧化物可以是氧化铟锡(ITO)、包含铟的氧化物、或包含锡的氧化物。另外，第二氧化物可以是各种材料中的一种。第二氧化物为相比较于第一氧化物具有较低台阶覆盖且相比较于第一氧化物具有较低电阻的材料。因此，由第二氧化物形成的薄层称为第二氧化物层或低电阻层。在以下的说明中，可选择性地使用第二氧化物层及第二氧化物。也就是说，第二氧化物可以表示材料本身，或表示形成在基板111上的薄层。
图3为详细地示出了图2的触控面板的示例性实施例，并且图4为示出了沿图3的触控面板中的线X-X'截取的横截面的示例性实施例。图4的F指图3中所示F区域，并且图4的G指图3中所示的G区域。图5为示出了应用于根据本发明的实施例的触控面板的制造方法中的氧化物特性的图。图5(a)示出了用作第二氧化物的氧化铟锡(ITO)的特性图，以及图5(b)示出了用作第一氧化物的氧化硼锌(BZO)的特性图。
如以上参考图3所述，五个接收电极120和四个驱动电极130形成于触控面板100的显示区域110中，并且接收电极线140形成于第一非显示区域160a中。另外，驱动电极线150、接收电极线140、以及焊盘170设置于第二非显示区域160b中。
首先，现在将描述形成在显示区域110中的接收电极120和驱动电极130。
在触控面板100的水平方向上形成的接收电极120可以不电连接至在触控面板100的竖向方向上形成的驱动电极130。
因此，驱动电极130和接收电极120通过绝缘体彼此相分离。在这种情况下，在接收电极120与驱动电极130相交叉的区域中，电极桥设置在从接收电极120和驱动电极130中选择的至少一者中，以便接收电极120不与驱动电极130电连接。
电极桥可以设置于接收电极120中，并且电极桥称为接收电极桥。而且，电极桥可以设置于驱动电极130中，并且电极桥称为驱动电极桥。
在下文中，为了便于描述，如图3及图4中所示，其中接收电极桥122设置于接收电极120中的触控面板将作为本发明的示例进行描述。
当接收电极桥122设置于接收电极120中时，如图3所示，多个接收电极120中的每个包括五个接收电极部121以及四个接收电极桥122。一个接收电极120可以配置有五个接收电极部121，这五个接收电极部121由四个接收电极桥122电连接。
驱动电极130中的每个包括六个驱动电极部131以及五个驱动电极连接部132，驱动电极连接部132在交叉区域中电连接驱动电极部131。
这里，如图4所示，接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132设置于同一层上，并且接收电极桥122利用与接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132之间的绝缘层191而与接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132相分离。
接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132可由氧化铟锡(ITO)、含铟氧化物、或含锡氧化物形成。
此外，接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132可以由锌(Zn)基氧化物例如氧化锌(ZnO)或其中氧化锌(ZnO)上掺杂硼的氧化硼锌(BZO)形成。下文中，锌(Zn)基氧化物例如氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO)简称为第一氧化物。第一氧化物为具有传导性的透明材料。
当接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132由具有传导性的第一氧化物形成时，接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132可以在金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺中通过沉积氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO)形成。
当接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132由具有传导性的第一氧化物形成时，相比较于第一氧化物对高温和高湿度更加稳固的第二氧化物可形成于第一氧化物上。第二氧化物可通过物理气相沉积(PVD)工艺形成在第一氧化物上。
电极桥122由锌(Zn)基氧化物例如氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO)形成。也就是说，电极桥122由具有传导性的第一氧化物形成。下文中，为了便于说明，其中第一氧化物为氧化锌(ZnO)的情况将作为本发明的示例进行描述。
其次，现在将描述第一非显示区域160a和第二非显示区域160b中设置的接收电极线140、驱动电极线150、以及焊盘170。
如以上参考图4所述，用于阻挡光线透射的光阻挡层161涂覆在第一非显示区域160a和第二非显示区域160b上。光阻挡层161的厚度为大约20μm或以上。当接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132的每个的厚度为300nm时，光阻挡层161形成为相比较于接收电极部121更厚大约70倍。
连接至接收电极120的接收电极线140设置于第一非显示区域160a中形成的光阻挡层161上，并且连接至驱动电极130的驱动电极线150和连接至驱动电极线150的焊盘170设置于第二非显示区域160b中形成的光阻挡层161上。
这里，接收电极线140通过接收线桥181电连接至对应于接收电极线140的接收电极部121，其中接收电极部121配置为接收电极120。
举例而言，保护层192涂覆在接收电极线140和接收电极部121上，并且多个接触孔分别形成在与接收电极部121相对应的接收电极线140和保护层192中。接收线桥181可通过接触孔电连接至接收电极线140和接收电极部121，并且因此，接收电极线140可以电连接至接收电极部121。
驱动电极线150通过驱动线桥182电连接至对应于驱动电极线150的驱动电极部131，其中驱动电极部131配置为驱动电极130。例如，保护层192涂覆在驱动电极线150和驱动电极部131上，并且接触孔分别形成在与驱动电极部131相对应的驱动电极线150和保护层192中。驱动线桥182可通过接触孔电连接至驱动电极线150和驱动电极部131，并且因此，驱动电极线150可电连接至驱动电极部131。
焊盘170可以设置在驱动线桥182的端部。
接收线桥181和驱动线桥182的通用名称为线桥181(182)。在以下的说明中，线桥可以表示接收线桥181或驱动线桥182。在这种情况下，当接收线桥181是第一线桥时，则驱动线桥可以是第二线桥，并且反之亦然。
如图4中所示，线桥181及182设置在与电极桥122相同的层上。
因此，类似于电极桥122，线桥181及182通过将氢喷涂于利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺沉积的氧化锌(ZnO)层(第一氧化物)上来形成，并且第二氧化物涂覆于氧化锌(ZnO)层上。这种情况下，第二氧化物可以使用相比较于第一氧化物对高温和高湿度更加稳固的材料形成。
例如，氧化铟锡(ITO)可以用作第二氧化物。这种情况下，氧化铟锡(ITO)可通过物理气相沉积(PVD)工艺形成。此外，氧化铝(Al2O3)可以用作第二氧化物。此外，第二氧化物可以为用于保护第一氧化物的不同材料的一种。
将参考图5描述使用相比较于第一氧化物对高温和高湿度更加稳固的材料形成第二氧化物的原因。
例如，图5所示的曲线图分别表示通过将用作第一氧化物的氧化硼锌(BZO)的周围环境和用作第二氧化物的氧化铟锡(ITO)的周围环境改变为高温和高湿度，所测量的氧化硼锌(BZO)和氧化铟锡(ITO)的电阻变化。
参照曲线图，即使当氧化铟锡(ITO)周围的温度和湿度增加时，氧化铟锡(ITO)的电阻也不变化。
然而，当氧化硼锌(BZO)暴露于85℃的温度和85％RH的湿度下时，氧化硼锌(BZO)的电阻迅速增加。
也就是说，用作第一氧化物的锌(Zn)基氧化物——例如氧化硼锌(BZO)或具有类似于氧化硼锌(BZO)的电阻特性的氧化锌(ZnO)——可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺沉积，并且在常温下具有良好的电阻特性。因此，如上所述，锌(Zn)基氧化物可用作接收线桥181、驱动线桥182、以及接收电极桥122，并且可用作接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132。
然而，如图5(b)所示，用作第一氧化物的氧化硼锌(BZO)和氧化锌(ZnO)形成于触控面板上，并且然后，当触控面板的温度和湿度增加时，第一氧化物的电阻迅速增加。由于这个原因，由第一氧化物形成的接收电极桥122、接收线桥181、驱动线桥182、接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132的功能会劣化。
因此，根据本实施例，接收电极桥122、接收线桥181、驱动线桥182、接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132通过使用作为第一氧化物的锌(Zn)基氧化物——例如氧化硼锌(BZO)和氧化锌(ZnO)——形成，并且第二氧化物例如氧化铟锡(ITO)或氧化铝(Al2O3)形成在第一氧化物上，由此保护第一氧化物。也就是说，即使当温度和湿度增加时，第二氧化物的电阻也不改变，并且特别地，第二氧化物具有相比较于第一氧化物更低的电阻。因此，由第二氧化物构成的第二氧化物层称为低电阻层。
提供补充的说明，接收线桥181、驱动线桥182、以及接收电极桥122在金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺中由第一氧化物形成，其中第一氧化物具有良好的台阶覆盖及传导性且为透明的，并且对高温和高湿度比较稳固的第二氧化物形成于第一氧化物上，以便弥补第一氧化物容易受到高温和高湿度影响的缺点。在此，由第一氧化物形成的接收线桥181、驱动线桥182、或接收电极桥122如上所述具有良好的台阶覆盖，并且因此称为台阶覆盖增加层。
此外，除了接收线桥181、驱动线桥182、以及接收电极桥122之外，接收电极部121、驱动电极部131和驱动电极连接部132可由第一氧化物形成。在这种情况下，第二氧化物也可形成在接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132上。
在此，氧化硼锌(BZO)或氧化锌(ZnO)可以用作第一氧化物，并且第一氧化物通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺形成。另外，氧化铟锡(ITO)或氧化铝(Al2O3)可以用作第二氧化物，并且第二氧化物通过物理气相沉积(PVD)工艺形成在第一氧化物上。
下文中，将参考图6a至图6g和图7至图9详细描述触控面板100的制造方法。
图6a至图6g为顺序地示出了根据本发明的实施例的触控面板的制造方法的示意图。图7为示出了根据本发明的实施例的触控面板的制造系统的结构的示意图。图8为图7的第一触控面板制造设备的示意图。图9为图7的第二触控面板制造设备的示意图。
以下将要描述的触控面板的制造方法将作为根据本发明的实施例的触控面板的制造方法的示例进行描述。因此，根据本发明的实施例的触控面板制造方法可根据触控面板的结构而不同地改变。
首先，参考图6a，接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132设置于基板111上。
接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132的每个的厚度为大约300nm。
基板111可以为透明玻璃基板、透明塑料基板、或者透明合成树脂膜。
塑料基板或合成树脂膜可以由从聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、对硝基苯甲酸(PNB)、聚对苯二甲酸乙酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、以及聚醚砜(PES)中选择的至少一种形成。
接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132可以由氧化铟锡(ITO)形成。
在这种情况下，氧化铟锡(ITO)可以通过物理气相沉积(PVD)工艺形成于基板111上。
物理气相沉积(PVD)工艺的示例包括溅射工艺、电子束蒸镀工艺、热蒸镀工艺、激光分子束外延(L-MBE)工艺、以及脉冲激光沉积(PLD)工艺。特别地，接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132可通过溅射工艺形成在基板111上。
此外，接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132可以由具有传导性的透明第一氧化物——例如锌(Zn)基氧化物，诸如氧化锌(ZnO)——形成。在这种情况下，接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132可通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺的沉积形成。
特别地，当接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132由第一氧化物形成时，第二氧化物例如氧化铟锡(ITO)或氧化铝(Al2O3)形成于第一氧化物上。这种情况下，第二氧化物保护第一氧化物免于受到高温及高湿度的影响。
在金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺中形成第一氧化物的过程将在桥181、182以及122的形成工艺中进行详细说明。
接下来，参考图6b，光阻挡层161形成于非显示区域160中。光阻挡层161的厚度为大约20μm或以上。光阻挡层161的厚度形成为相比较于接收电极部121、驱动电极部131、以及驱动电极连接部132的每一个的厚度厚70倍或更多倍。
然后，参考图6c，接收电极线140和驱动电极线150形成于光阻挡层161上。
例如，五个接收电极线140形成在第一非显示区域160a中。接收电极线140延伸到第二非显示区域160b，并且四个驱动电极线150形成于第二非显示区域160b中。
由于接收电极线140和驱动电极线150形成于光阻挡层161上，其中光阻挡层161形成于光线不能够通过的非显示区域160中，因此接收电极线140和驱动电极线150可以由不透明材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)形成。因此，接收电极线140和驱动电极线150可以由具有良好传导性的不同类型的不透明金属材料形成。
接下来，参考图6d，绝缘层191涂覆在接收电极部121、驱动电极部131、驱动电极连接部132、接收电极线140、以及驱动电极线150上。绝缘层191可以由绝缘材料，例如聚合氯化铝(PAC)或聚合硫酸铝(PAS)形成。
多个接触孔通过使用掩模形成在绝缘层191中。
例如，在绝缘层191中，两个接触孔形成于分别与接收电极部121相对应的位置，一个接触孔形成在与接收电极线140和驱动电极线150的每一者相对应的位置，并且一个接触孔形成在与驱动电极部131中与光阻挡层161相邻的每个驱动电极部131相对应的位置。这些接触孔可通过光掩模工艺来形成。
然后，参考图6e，通过接触孔将彼此分离的两个接收电极部121相连接的接收电极桥122、通过接触孔将接收电极线140连接至接收电极部121的接收线桥181、以及通过接触孔将驱动电极线150连接至驱动电极部131的驱动线桥182设置于绝缘层191上。
接收电极桥122、接收线桥181、以及驱动线桥182的形成工艺在图7及图8中所示的第一触控面板制造设备620中执行。
第一触控面板制造设备620用于形成具有精细图案的桥181、182以及122，并且使用利用金属有机前体的化学气相沉积(CVD)工艺。也就是说，第一触控面板制造设备620通过在化学气相沉积(CVD)工艺中沉积具有传导性的透明第一氧化物(例如，锌(Zn)基氧化物，例如氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO)来形成这些桥。下文中，为了便于说明，具有传导性的透明第一氧化物为氧化锌(ZnO)的情况将作为本发明的实施例的示例进行描述。在这种情况下，这些电极部121及131可由氧化锌(ZnO)形成。
为了形成这些桥，如图8所示，第一触控面板制造设备620包括腔室621、基板支撑单元622、以及多个气体喷射装置626及623。气体喷射装置626和623包括气体喷射单元623以及气体供给单元626。气体供给单元626包括第一气体供给件624以及第二气体供给件625。
然而，除了图8中所示的类型之外，第一触控面板制造设备620可配置为不同的类型。
当绝缘层191通过执行图6a至图6d的上述工艺形成在基板111上时，基板100a转移至图8中所示的第一触控面板制造设备620的腔室621的内部，并且设置于基板支撑单元622上。
随后，金属源材料(锌(Zn)基金属前体)和反应气体通过气体喷射单元623喷射到基板100a上，并且因此，形成桥181、182以及122。
然后，参考图6f，用于保护第一氧化物免于受到高温和高湿度影响的第二氧化物123形成于桥181、182以及122上，其中桥181、182以及122由第一氧化物形成。
第二氧化物123的形成过程通过图7及图9中所示的第二触控面板制造设备630执行。
第二触控面板制造设备630通过使用物理气相沉积(PVD)工艺在桥181、182以及122上形成第二氧化物，其中，第二氧化物保护桥181、182以及122以免于受到高温和高湿度的影响。
为了形成第二氧化物，如图9所示，第二触控面板制造设备630包括腔室631、基座632、以及靶材支撑部633。
然而，除了图9中所示的类型之外，第二触控面板制造设备630可设置为不同的类型。
当由第一氧化物形成的桥181、182以及122通过执行图6e的上述工艺形成在基板100b上时，基板100b转移至图9中所示的第二触控面板制造设备630的腔室631的内部，并且设置于基座632上。
随后，第二触控面板制造设备630使放电的惰性气体的离子635与靶材支撑部633中配备的第二氧化物靶材634碰撞，并且使从第二氧化物靶材634分离的原子沉积于第一氧化物181、182以及122上，由此在第一氧化物181、182以及122上形成第二氧化物123。
最后，参考图6g，保护层192形成为遍布包括第二氧化物123的基板。在这种情况下，保护层192形成为使得驱动线桥182的端部暴露于外部。暴露于外部而不由保护层192覆盖的部分成为焊盘170。配备有触控驱动器集成电路(IC)300的柔性印刷电路板(FPCB)200电连接至焊盘170。
通过这些工艺结束触控面板100的制造过程。
连接到柔性印刷电路板(FPCB)200的触控面板100利用粘结剂例如光学透明树脂(OCR)或胶带例如光学透明粘结剂(OCA)附接至面板的顶端，并且因此，制成包括触控面板100的显示设备。
以下，将简要地总结根据本发明的实施例的上述触控面板的制造方法。
根据本发明实施例的触控面板的制造方法包括：在基板的显示区域110中形成电极部121及131的操作，在基板的第一及第二非显示区域160a及160b中形成光阻挡层161的操作，在光阻挡层161上形成电极线140及150的操作，形成线桥181及182的操作，其中线桥181及182通过使用具有传导性的透明的第一氧化物将电极部121及131连接至电极线，以及在第一氧化物181及182上形成第二氧化物123的操作，其中第二氧化物123用于保护第一氧化物。
这里，第二氧化物具有相比较于第一氧化物对高温和高湿度更稳固的特性。
例如，第一氧化物的线桥181及182中的每一个为氧化锌(ZnO)或其中硼掺杂于氧化锌(ZnO)上的氧化硼锌(BZO)，并且第二氧化物123可为氧化铟锡(ITO)或氧化铝(Al2O3)。
此外，在根据本发明的一实施例的触控面板的制造方法中，线桥181及182通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺形成。
另外，在根据本发明的一实施例的触控面板的制造方法中，在第一氧化物上形成第二氧化物的操作通过使用物理气相沉积(PVD)工艺执行。
此外，电极部121及131包括配置第一触控电极且彼此电断开的第一电极部，以及配置第二触控电极且彼此电连接的第二电极部。在根据本发明的实施例的触控面板的制造方法中，与第一电极部电连接的电极桥122可通过使用与形成线桥181及182相同的工艺、由与线桥181及182相同的材料形成。
此外，在本实施例中，电极部121和131可由具有传导性且透明的第一氧化物形成。在这种情况下，第二氧化物123可沉积于由第一氧化物形成的电极部121及131上。
下文中，将详细描述根据本发明的实施例的触控面板制造系统600。在下面的描述中，将简要描述或省略上述的细节。
如图7所示，根据本发明的实施例的触控面板制造系统600包括第一触控面板制造设备620以及第二触控面板制造设备630。
首先，如图8中所示，第一触控面板制造设备620包括：腔室621，所述腔室621具有一反应空间；基板支撑单元622，所述基板支撑单元622设置在腔室621中，并支撑制造基板100a，所述制造基板100a包括多个电极部、光阻挡层和电极线，其中，所述多个电极部在显示区域中形成，所述光阻挡层在显示区域的外部形成的非显示区域中形成，以及所述电极线在光阻挡层上形成；以及气体喷射装置623，所述气体喷射装置623在制造基板100a上喷射金属源材料和反应气体，以便在制造基板100a上形成具有传导性的透明的第一氧化物(ZnO或BZO)，其中此透明的第一氧化物用于形成将电极部连接至电极线的线桥。在这种情况下，制造基板100a表示已经过图6a至图6d的工艺的基板。
图6a至图6d的上述工艺可通过用于沉积氧化铟锡(ITO)的溅射装置、用于形成绝缘层191的装置、以及用于形成绝缘层191中的接触孔的装置来分别执行。这些装置是通常用于制造触控面板100的装置，并且因此，不提供它们的详细描述。
气体喷射装置包括气体喷射单元623以及气体供给单元626。气体供给单元626包含第一气体供给件624以及第二气体供给件625。
气体喷射装置的气体供给单元626可喷射锌(Zn)基金属前体作为金属源材料，并且喷射含氧气体作为反应气体。为此，第一气体供给件624可将金属源材料供给到气体喷射单元623，并且第二气体供给件625可将反应气体供给到气体喷射单元623。
此外，气体喷射装置将金属源材料和反应气体喷射至制造基板100a上，以便与线桥181及182一起形成电连接第二电极部的电极桥122。
第一触控面板制造设备620通过使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在制造基板100a上形成线桥122。因此，第一触控面板制造设备620基本上包括：在执行金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺的设备中包括的元件。
其次，如图9中所示，第二触控面板制造设备630包括：腔室631，所述腔室631具有反应空间；基座632，所述基座632设于腔室631中、配备有具有第一极性的电力，并且支撑制造基板100b，所述制造基板包括多个电极部、光阻挡层、电极线和线桥，其中，所述多个电极部在显示区域中形成，所述光阻挡层在显示区域的外部形成的非显示区域中形成，所述电极线在光阻挡层上形成，所述线桥通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺由具有传导性的透明第一氧化物形成且将电极部连接至电极线；以及靶材支撑部633，所述靶材支撑部633配备有第二氧化物靶材634，并且供给有具有第二极性的电力。
第二触控面板制造设备630使放电的惰性气体的离子635与第二氧化物靶材634碰撞，并且使从第二氧化物靶材634分离的原子沉积于制造基板110b上形成的第一氧化物上，由此在第一氧化物上形成第二氧化物。
在这种情况下，制造基板100b表示已经过第一触控面板制造设备620的基板。因此，线桥122形成于装载到第二触控面板制造设备630中的制造基板100b上。
第二触控面板制造设备630使得流入腔室631中的惰性气体(例如氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)等)辉光放电，以产生正离子635，并且然后正离子635与供给有第二极性(例如，负(-)极性)的第二氧化物靶材634碰撞。
通过碰撞操作从第二氧化物靶材634发射出的原子移向供给有第一极性(例如，正(+)极性)的基座632，并且沉积在制造基板100b上。
也就是说，第二触控面板制造设备630通过物理气相沉积(PVD)工艺，在形成于制造基板100b上的第一氧化物181和182上形成第二氧化物123。
因此，第二触控面板制造设备630基本上包括：在执行物理气相沉积(PVD)工艺的设备中包括的元件。
上述的细节将总结如下。
本发明涉及触控面板的制造，并且特别地，桥122、181以及182由第一氧化物(例如，锌(Zn)基氧化物，诸如氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO))形成，并且对高温和高湿度比较稳固的第二氧化物形成于第一氧化物上，以便保护容易受到高温和高湿度影响的第一氧化物。
根据本发明的实施例，配置触控面板的接收电极和驱动电极的桥可由锌(Zn)基氧化物(第一氧化物)——例如氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO)——代替氧化铟锡(ITO)形成，并且这些接收电极和驱动电极可以由第一氧化物形成。特别地，由于第一氧化物使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺而通过第一触控面板制造设备620制造，因此桥的台阶覆盖得到提高，并且因此，触控面板的生产率得到提高。另外，触控面板的制造成本通过使用相比较氧化铟锡(ITO)更便宜的氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO)而降低。根据基于本发明制造的触控面板的模拟结果和实验结果，当桥(特别地，线桥181及182)接触光阻挡层161时，台阶覆盖得到提高，并且因此，能够保证90％或更高的生产率。
此外，根据本发明的实施例，由于对高温和高湿度比较稳固的第二氧化物形成于易受高温和高湿度影响的第一氧化物上，因此第一氧化物的特性在高温和高湿度下不改变。因此，由第一氧化物制造的触控面板的性能可以得到提高。
此外，在使用氧化铟锡(ITO)的现有技术的触控面板制造方法中，当发生错误时，不可能执行再工作的过程。然而，根据本发明的实施例，再工作的过程很容易通过使用锌基氧化物执行，并且因此，提高了生产率。
在上文中，已经描述了第二氧化物形成于用作桥的第一氧化物上。然而，第二氧化物可形成为多层结构，用于在高温和高湿度下保护第一氧化物。也就是说，根据本发明的实施例，用作触控面板的电极的每个元件可基本上由第一氧化物(例如，氧化锌(ZnO)或氧化硼锌(BZO))形成，并且用于在高温和高湿度下保护第一氧化物的第二氧化物可通过使用氧化锌(ITO)或另一种材料(例如，氧化铝(Al2O3))形成为多层。
由于这种多层结构，触控面板可使用第一氧化物的良好特性，例如台阶覆盖较好的特性，并且能够防止第一氧化物的特性由高温和高湿度而破坏。
本领域的技术人员将容易理解可以在不脱离本发明的技术思想的范围内进行各种变化和修改。因此，本发明涵盖这些修改和变型，只要它们落在所附权利要求书及其等同范围内。本发明的范围由权利要求的范围体现，由权利要求的定义以及范围及其等同概念导出的所有变更或变形均包含在本发明的保护范围中。

Claims (15)

1.一种触控面板的制造方法，所述方法包括：
在基板的显示区域中形成多个电极部；
在所述基板的非显示区域中形成光阻挡层；
在所述光阻挡层上形成电极线；
通过使用第一氧化物形成第一氧化物层，用于形成使所述电极部连接至所述电极线的线桥；以及
通过使用第二氧化物在所述第一氧化物层上形成第二氧化物层，所述第二氧化物具有相比较于所述第一氧化物的台阶覆盖更低的台阶覆盖并且具有相比较于所述第一氧化物的电阻更低的电阻，用于保护所述第一氧化物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述线桥使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二氧化物相比较于所述第一氧化物对高温和高湿度更加稳固。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一氧化物为氧化锌(ZnO)或在氧化锌上掺杂硼的氧化硼锌BZO，并且
所述第二氧化物为包含铟的氧化物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一氧化物为氧化锌(ZnO)或在氧化锌上掺杂硼的氧化硼锌BZO，并且
所述第二氧化物为包含锡的氧化物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述多个电极部包括多个第一电极部以及多个第二电极部，所述第一电极部配置第一触控电极且彼此电分离，并且所述第二电极部彼此电连接以配置第二触控电极，并且
形成所述线桥包括通过使用与所述线桥的材料相同的材料以及与形成所述线桥的工艺相同的工艺形成电连接所述多个第一电极部的多个电极桥。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个电极部由所述第一氧化物形成。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在由所述第一氧化物形成的所述多个电极部上沉积所述第二氧化物。
9.一种触控面板制造设备，包括：
腔室，所述腔室包括反应空间；
基座，所述基座设置于所述腔室中、供给有具有第一极性的电力并且支撑制造基板，所述制造基板包括多个电极部、光阻挡层、电极线以及线桥，其中所述多个电极部在显示区域中形成，所述光阻挡层在所述显示区域的外部形成的非显示区域中形成，所述电极线在所述光阻挡层上形成，所述线桥通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺由第一氧化物形成并且使所述电极部连接至所述电极线；以及
靶材支撑部，所述靶材支撑部配备有第二氧化物靶材，并且供给有具有第二极性的电力，
其中，所述触控面板制造设备使放电的惰性气体的离子与所述第二氧化物靶材相碰撞，并且使从所述第二氧化物靶材分离的原子沉积在所述第一氧化物上，以在所述第一氧化物上形成第二氧化物。
10.根据权利要求9所述的触控面板制造设备，其中，所述第一氧化物为氧化锌(ZnO)或在氧化锌上掺杂硼的氧化硼锌BZO，并且所述第二氧化物为相比较于所述第一氧化物对高温和高湿度更稳固的包含铟的氧化物，或包含锡的氧化物。
11.根据权利要求9所述的触控面板制造设备，其中，所述第二氧化物通过物理气相沉积(PVD)工艺沉积在所述第一氧化物上。
12.一种触控面板的制造系统，包括：
第一触控面板制造设备，所述第一触控面板制造设备在制造基板上喷射金属源材料和反应气体，以用于在所述制造基板上形成第一氧化物，其中所述第一氧化物用作使电极部连接至电极线的线桥，其中所述制造基板包括多个电极部、光阻挡层以及电极线，其中所述多个电极部在显示区域中形成，所述光阻挡层在显示区域的外部形成的非显示区域中形成，所述电极线在所述光阻挡层上形成；以及
第二触控面板制造设备，所述第二触控面板制造设备在从所述第一触控面板制造设备卸载的制造基板的第一氧化物上形成第二氧化物，所述第二氧化物相比较于所述第一氧化物对高温和高湿度更稳固。
13.根据权利要求12所述的触控面板的制造系统，其中，
所述第一氧化物为氧化锌(ZnO)或在氧化锌上掺杂硼的氧化硼锌BZO，并且所述第二氧化物为包含铟或包含锡的氧化物。
14.根据权利要求12所述的触控面板的制造系统，其中，
所述第一触控面板制造设备通过使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺形成线桥，并且
所述第二触控面板制造设备通过使用物理气相沉积(PVD)工艺在所述第一氧化物上形成所述第二氧化物。
15.一种触控面板的制造方法，所述方法包括：
在基板的显示区域中形成多个电极部；
在所述基板的非显示区域中形成光阻挡层；
在所述光阻挡层上形成电极线；
形成台阶覆盖增加层，用于形成使所述电极部连接至所述电极线的线桥；以及
在所述台阶覆盖增加层上形成电阻减小层。
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