CN1460299A - 具有柔性衬底的矩阵阵列器件 - Google Patents
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Abstract
一种矩阵阵列器件，例如有源矩阵显示器件、图象传感器等，它包含承载在柔性衬底(20)上的矩阵电路(12、14、16、18)，此电路包括诸如TFT的占据分立区域的半导体器件(12)。离开半导体器件(12)的衬底(20)有选择的区域，被形成为低强度区域，以便当器件弯曲时促进衬底在这些区域处择优发生弯折，从而减少半导体器件被损伤的危险。这些区域例如可以包含延伸在半导体器件之间的低强度的线(50，52)，并可以借助于对衬底进行局部减薄或借助于对衬底材料进行处理以便修正其在预定区域处的刚度来形成。
Description
本发明涉及到包含薄膜矩阵电路的矩阵阵列器件，此薄膜矩阵电路包括承载在柔性衬底上的半导体器件。此器件可以是图象传感器，或例如液晶显示器的平板显示器，或诸如薄膜数据存储器件、热成像器件、或触摸或指纹读出传感阵列器件之类的其它类型的大面积矩阵电子器件。
当前，在为大面积电子应用而开发在廉价衬底上具有薄膜晶体管(TFT)、薄膜光电二极管、或其它半导体电路元件的薄膜矩阵电路，存在着很大的兴趣。在开发采用诸如绝缘聚合物材料或金属箔而不是常规的玻璃的柔性衬底的柔性器件，以提供例如弯曲的显示器或其它矩阵阵列器件，为工效学设计、审美学、或其它的理由而代替简单的平坦器件，也存在着兴趣，例如在采用非常规外壳形状的时髦电视接收机、便携式显示设备、儿童玩具、以及车辆显示器中，其中可能希望器件与它被组合在其中的物体的形状一致。为了这些目的，可以例如用成型工艺将器件永久地形成为所要求的形状。作为变通，器件可以是柔性的，致使能够反复地折叠或卷起来，在便携式产品中，为了节省空间，这是特别有吸引力的。在论文N.D.Young等人，“聚合物衬底上的AMLCD和电子器件(AMLCDs and Electronics on PolymerSubstrates)”，SID Proceedings Euro Display 1996，555-558页中，描述了柔性衬底上矩阵阵列器件的例子及其制造方法，此处将其内容列为参考。
例如US-A-5130829所述的典型有源矩阵液晶(LC)显示器件包含一对衬底，至少其中之一是由透明材料制成的，沿其周边被密封在一起，LC材料置于其间，二个衬底之间分布有间隔元件以保持所希望的分隔。一个衬底在其内表面上承载着有源矩阵薄膜电路，确定可单独访问的象素的行和列的矩阵，象素各包含半导体开关元件，典型为TFT(薄膜晶体管)，以及透明或反射性象素电极。各个象素被置于延伸在象素行和列之间的各组行地址线和列地址线之间的各个交叉点处，而TFT连接在相关的行和列线与其象素电极之间。另一衬底通常在其内表面上承载着阵列中所有象素共用的透明电极，以及彩色显示情况下的滤色元件阵列。借助于对淀积在衬底上的连续半导体层进行图形化，以留下排列成行和列矩阵的分立的半导体材料区域，形成单元矩阵中的半导体开关元件的各个TFT通常被制造成各自分隔开的由非晶或多晶硅材料或塑料有机材料组成的半导体小岛。
当制造柔性器件时，聚合物材料由于成本低、重量轻、以及物理柔性而一般被用作衬底。在US-A-5776803中描述了采用这种材料的有源矩阵阵列器件的例子。这种矩阵阵列器件能够绕轴，亦即沿柱面方向永久或暂时弯曲，例如当不使用时能够被卷起来以节省空间。若半导体小岛与弯曲半径相比足够小，使得基本上不受这种弯曲的影响，则通常能够相当可靠地进行这种弯曲，而很少有损伤的危险。当由金属制成时，互连地址线和象素电极能够承受这种方式的弯曲。借助于以弹性形式来印制金属线以及象素电极，能够改善金属线以及包含诸如ITO之类的透明导电材料情况下的象素电极承受这种弯曲作用的能力。
然而，当弯曲或弯折器件时，特别是当不是绕单个轴弯曲时，例如当使器件成为部分球形时，常常会引起损伤。这种情况下会引起较大形变，并已经发现，即使当被图形化成比较小的小岛时，也能够在薄膜层中，特别是用作半导体元件的半导体层和电介质层中，出现损伤，特别是应变诱导的破裂。
根据本发明的一个方面，提供了一种柔性矩阵阵列器件，它包含承载在柔性衬底表面上的薄膜矩阵电路，此矩阵电路包括排列成规则阵列的并占据衬底的各个分立区域的半导体器件，其中离开半导体器件所占据的区域的有选择的衬底区域包含更容易发生衬底弯折的低强度区域。
根据本发明的另一个方面，提供了一种弯曲的矩阵阵列器件，它包含承载在衬底表面上的薄膜矩阵电路，此矩阵电路包括排列成规则阵列的并占据衬底的各个分立区域的半导体器件，其中衬底包含离开半导体器件的有选择的衬底区域处的低强度区域，且器件的曲率基本上由在这些有选择的区域处的衬底变形调节。例如可以借助于将原来平坦的器件永久造型成弯曲的形状，来制作这种器件。
借助于有意安排衬底的有选择的从而预定的区域为低强度，则衬底在这些区域处，比其它部分更容易从原来的平坦形式弯曲或弯折，且由于这些区域被安排在离开形成半导体器件的半导体小岛的区域处，故这些小岛处的形变以及对其元件层的损伤在弯曲或弯折衬底时比较不容易发生。因而源自弯曲引起的衬底尺寸改变，各向异性地在能够承受的区域中，例如仅仅在比较空白的衬底区域中，而不是在存在半导体器件的区域中发生。
借助于例如用腐蚀之类的方法局部地减薄衬底，可以产生低强度区域。在另一个例子中，利用多层(双层或更多层)衬底结构，其中之一最好在制造矩阵电路之后被图形化，可以方便地达到减薄。或者，特别是当采用聚合物衬底时，可以在这些区域内有意修正衬底材料的机械或热性质。例如，在衬底包含聚合物材料的情况下，可以借助于暴露于溶剂的方法，在涉及到的区域处软化聚合物。相反，可以例如借助于暴露于辐照的方法，在不是要成为比较薄弱的区域处，特别是其上承载半导体器件的区域处，有意地硬化聚合物材料，以便协助差动弯曲。或者，借助于辐照暴露可以提高聚合物材料在这些区域之外的软化点，以协助差动造型。
低强度区域可以包含延伸在半导体器件之间的衬底区域上的低强度线。其中，半导体器件被排列成例如行和列的阵列，这些线可以延伸在各行和/或列的半导体器件之间，并与之分隔开。沿一个方向例如在各行之间延伸的线，可能有助于器件的柱面卷曲。沿正交方向在各行和各列之间延伸的线，可能有助于更复杂的弯曲，如球形造型例子要求的那样。
借助于局部减小这些区域处的衬底厚度，能够方便地形成低强度的线。
或者，可以例如借助于使半导体小岛下方的区域处的衬底厚度大于衬底其它区域的厚度，将半导体小岛下方的衬底区域形成为具有比较大的刚度。
在器件包含具有另一个分隔开的衬底的显示器件的情况下，则此另一个衬底能够相似地配备有低强度的线。这些低强度连线最好延伸重叠在第一次提到的衬底上的象素电极行和/或列之间的区域。
下面用举例的方法，参照附图来描述根据本发明的矩阵阵列器件，确切地说是有源矩阵液晶显示器件的实施方案，在这些附图中：
图1示意地示出了典型有源矩阵液晶显示器件部分的电路图；
图2是通过熟知有源矩阵液晶显示器件部分的示意剖面图；
图3是采用本发明的有源矩阵液晶显示器件一个实施方案中的有源矩阵衬底部分的示意平面图；
图4和5是分别沿图3中A-A线和B-B线的示意剖面图；
图6是采用本发明的有源矩阵液晶显示器件第二实施方案中的有源矩阵衬底部分的示意平面图；而
图7是沿图6中C-C线的剖面图。
应该理解的是，这些图仅仅是示意性的，未按比例绘制。相同的参考号在所有图中被用来表示相同的或相似的部分。
参照图1，有源矩阵液晶显示器件(AMLCD)包含显示象素10的行和列规则阵列，各个显示象素10包含液晶显示元件11和相关的薄膜晶体管TFT12。各个象素被排列成邻近各组行和列地址导体14和16的交叉点，在使用过程中，选择(栅)信号和数据信号分别被外围驱动电路(未示出)馈送到地址导体14和16，以便驱动象素并使其显示元件产生所需的显示输出。
参照图2，各组地址导体14和16、TFT12、以及各个象素(显示元件)电极18，一起构成薄膜有源矩阵电路，它被承载在柔性而柔顺的聚合物材料的衬底20的平坦表面上，并借助于淀积和图形化适当的导电层、绝缘层、以及半导体材料层而制成。表示行导体14的特定的剖面是看不到的。通常，金属被用于地址导体14和16，而电极18可以由金属或诸如ITO或PEDOT聚合物之类的透明导电材料制成，分别依赖于象素是反射性的还是透射性的。相同的柔性聚合物材料组成的反衬底22承载着阵列中所有显示元件共用的连续透明电极23，并被间隔物(未示出)与衬底20分隔开。LC定向膜26和27被提供作为覆盖衬底22和23上分别承载的结构的连续层。二个衬底绕其周边被密封在一起，液晶材料24被包含在二个衬底之间。前述N.Young等人的论文描述了用聚合物衬底来制造AMLCD的典型工艺和材料，对于这方面的进一步细节，可参考此论文。
如在该论文中所述那样，承载有源矩阵电路的典型衬底可以包含诸如聚酰亚胺、聚醚砜、聚多芳基化合物、高温聚酯碳酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、以及聚对苯二甲酸乙二酯之类的聚合物材料，其薄膜厚度可以约为100-200微米。论文中还描述了，分布TFT的半导体层被提供成借助于对连续层进行图形化而形成的分立小岛，各个小岛占据邻近相关行和列地址导体交叉点的比较小的面积。
这种显示器件一开始被制作成平坦的平面结构，通常可以沿柱面方向绕线形轴永久或暂时弯曲，以形成平缓弯曲的显示器，倘若涉及到的曲率半径不太小，则一般没有不适当的问题。但可能出现损伤。若要求更复杂的形状，例如部分球形形状，其中的器件需要绕一个以上的轴弯曲，则引起衬底更大的变形。对衬底特别是对承载有源矩阵电路的衬底引起的大的尺寸变化，能够导致其表面上的薄膜涂层破裂，特别是TFT的半导体材料虽然被图形化成了小岛，也会破裂。这同样适用于绝缘膜和介质膜，虽然金属层通常更可延展，能够承受这种更大程度的弯曲，且更不容易损伤。若有需要，则能够以弹性方式印制金属层和倘若ITO材料用于象素电极的ITO层，可以更加能够承受衬底弯曲的影响。
为了缓解这种问题，承载有源矩阵电路的柔性聚合物衬底20被设计成使源自衬底从其原来的平坦形式的弯曲或弯折引起的尺寸变化各向异性地发生，更具体地说使这种变化择优出现在离开承载有源半导体器件区域的有选择的衬底区域中。衬底的其它区域，更确切地说是其上安置TFT器件的区域则形变较小，在衬底弯曲或弯折时的应变较小。
为此目的，可以用各种不同的方法来修正或构成衬底。特别优选的技术包含局部减薄能够更好地承受形变和尺寸变化的有选择的区域处的衬底聚合物材料，借助于改变该区域聚合物材料的热性质或机械性质，或用此二种方法组合的方法。例如，可以借助于暴露到辐照例如紫外线辐照或离子束，(为差动弯曲而)硬化聚合物，或(为差动造型而)提高其软化点。相反，可以有意地用溶剂来软化有选择的区域的聚合物。
利用氧等离子体或湿法腐蚀工艺，可以容易地完成聚合物的减薄。或者，利用具有双层叠层结构的衬底，其中一层被图形化以确定比较薄的区域，能够得到相似的结果。
图3、4、5示意地说明了采用具有借助于减薄方法特别得到的低强度局部区域的聚合物衬底的显示器件的第一示例性实施方案，它们分别示出了有源矩阵衬底代表性部分的平面图、各自在TFT区域处沿A-A线的剖面图和沿B-B线的剖面图。
如图3所示，典型的象素10包含位于交叉的行和列地址导体14和16的相邻部分之间的象素电极18。象素电极18被连接到制作在象素的相关行和列地址导体之间的跨越区域处的相关象素TFT12的漏，而栅电极和源电极被分别连接到行和列地址导体。在此特例中，TFT12主要位于列导体下方，从而提供了紧凑的安排，并使得能够增大象素窗口，但若有需要，也能够采用其它的安排，例如将TFT横向安置但紧靠行和列导体跨越处。
图5示出了沿B-B线的剖面图，说明了TFT12的一般结构。在例如氧化硅或氮化硅的绝缘层36的表面上，制作图形化的物理上分立的小岛形式的半导体层30，此半导体层30包含具有构成沟道区的中间本征区34的掺杂(n+)的源和漏接触区32和33，此绝缘层36相似地被图形化成小岛。在半导体层30上延伸的是例如由氮化硅组成的栅介质层37。随后制作的例如由铝或铬之类的金属组成的行地址导体14，延伸在本征区34上方的此层上，用作栅。
仍然是氮化硅或氧化硅的绝缘层39被排列在栅和暴露的部分栅介质层37上。仍然是诸如铝的金属的列地址导体16延伸在此结构上，并经由形成在层37和39中的接触通道被连接到源接触区32。这样，TFT就包含一系列被图形化成小岛并占据象素的相关行和列地址导体之间的跨越区处的分立区域的重叠的薄膜层。
TFT的漏接触区30包括连接到象素电极18的整个横向突出的扩展区30’。象素电极18可以由金属(对于反射性显示器)或ITO(对于透射性显示器)组成。
如在制造形成大面积绝缘衬底上的有源矩阵电路的薄膜电子元件领域中熟知的那样，用常规PECVD方法和光刻工艺，从淀积在衬底20上的共用薄膜层，与各组地址导体一起，同时制造象素阵列的各个TFT。在此例子中，如熟练人员可以理解的那样，TFT包含多晶硅TFT，虽然诸如非晶硅的其它半导体材料或塑料有机材料也可以代用。聚合物介质材料可以被用来代替绝缘层和介质层，且PEDOT材料可以被用作ITO之外的透明导电材料。
衬底20的结构被用来方便衬底的机械弯曲或弯折，更确切地说是使衬底在离开半导体器件小岛的有选择的区域处择优弯折。再次参照图3和4，为此目的，离开小岛的衬底20的有选择的区域被有意地制作得强度较低。在此实施方案中，有选择的物理上低强度的区域包含一组形成低强度线的条50，这些条是这样形成的：借助于局部地减薄衬底20以便在衬底外侧产生具有倾斜侧壁51的沟槽形线状凹陷，它一般平行于列地址导体16完全跨越衬底延伸且位于象素电极18的列下方的相邻成对列地址导体之间大约中部处。包括侧壁的沟槽50的总宽度稍微小于象素电极18的宽度，因而可以理解的是，沟槽的边沿横向分隔于构成其下方衬底部分为全厚度的TFT12的薄膜小岛。
以这种方式提供在相邻的成对导体16之间的各系列平行沟槽50，使得其上具有有源矩阵电路的衬底20能够绕通常平行于列的轴沿柱面方向卷起来，而很少有对半导体器件12引起损伤的危险。当以这种方式卷起来时，衬底20将倾向于沿比较薄弱的区域弯折，亦即在低强度线处弯折。在这些区域处仅仅存在着象素电极18和行地址导体部分，且由于这些元件更能够承受这种弯曲的影响而不容易发生剥离或破裂。另一方面，构成TFT的薄膜层被支持在全厚度的衬底区上，因而将承受小得多的弯折。
或者，若要求显示器件绕一般平行于行地址导体14的轴沿柱面方向弯曲，则可以在衬底20中提供各系列沟槽，如图3中52所示，代之以相似的方式沿行方向完全延伸通过衬底，以各个沟槽位于离开TFT小岛处，最好大约在相邻的成对行地址导体14的中间。当沿柱面方向卷起来时，衬底20再次倾向于在低强度区域处择优弯折，而不在TFT位置处弯折，电路从而基本上能够适应这种弯曲而不受损害，因为仅仅电路元件可能受到影响，亦即象素电极和列地址导体部分能够容忍一定量的弯折。
以二个系列沟槽50和52一起提供，则衬底更能够被形成为更加复杂的形状，而没有TFT结构被损伤的危险。确切地说，沿垂直方向延伸的二组沟槽，使其上具有电路的衬底能够更容易沿二个方向弯曲，以便例如造型或暂时弯曲成部分球形形状。当造型或弯折成这种形状时，得到的衬底变形引起的较大的尺寸变化将倾向于被限制在离开TFT结构的薄膜小岛的比较空白的衬底区，致使避免了特别是对这些结构的半导体和介质层的损伤。
将淀积的绝缘材料和介质材料图形化成TFT区域处的小岛，避免了若这些层被保留延伸得更普遍而由于它们在衬底弯曲时倾向于破裂所可能发生的问题。若要求更大的覆盖，则可以适用聚合物介质材料来代替以提供更大的柔性。
此处，用光刻图形化和腐蚀工艺，在衬底20上制造薄膜有源矩阵电路之后，制作沟槽50和52。
图6示出了有源矩阵显示器件的第二示例性实施方案，以平面图示出了器件的部分有源矩阵衬底，而图7是沿图6中C-C线的剖面图。衬底20上承载的有源矩阵电路结构完全相同于前述的实施方案结构，主要的差别在于修正衬底20的方式，使得衬底仅仅在离开TFT结构的位置处以及比较空白的衬底区域在弯曲时易于弯折。为此目的，利用对除了直接位于TFT下方的那些区域之外的所有区域的衬底20进行减薄的方法，有意地使衬底在这些区域之外的所有区域变得强度更低。因此，如从图7可见，在构成TFT的薄膜层小岛直接下方的区域60处，衬底20的厚度大于其它各处的衬底厚度。如图6中虚线所示，较厚区域60最好基本上是圆形，而不是与薄膜小岛的实际形状共形，这有助于当弯曲时获得周围衬底更均匀的形变，例如成为部分球形形状。较厚区域的尺寸稍微大于TFT结构，使之稍微延伸超过半导体小岛占据的区域并具有倾斜的(锥形)侧壁62，这有助于防止金属地址导体在衬底弯折时发生断裂。
衬底20在区域62之外的厚度可以相似于正常用于常规聚合物衬底的厚度，在区域60处具有增大的厚度，起硬化功能以便使衬底在这些区域内不容易弯折。或者，区域60处的厚度可以相似于正常适用的厚度。举例来说，聚合物衬底20的总厚度可以约为100-200微米，减薄区例如区域50和52约为50-100微米。
在二个上述实施方案中，用来形成TFT的淀积的半导体和介质薄膜层部分，被从除了TFT区域处之外的衬底清除。但这可以不是关键的，或许是为了简化器件的制造，不是TFT所要求的这些层区可以被保留，虽然这些区域当然可能在衬底弯曲时发生破裂。
承载连续的共用电极23的器件的第二衬底22，其厚度最好小于衬底20的厚度，使之一般呈现较大的柔性。对于采用与象素电极阵列相关的滤色片元件阵列的彩色显示器件，滤色片元件阵列可以被承载在衬底22上，但最好被提供在衬底20上。相似的技术可以被应用于衬底22，以便沿行和/或列方向形成低强度线，这些线被安置成重叠衬底20上的象素电极18的相邻行和/或列之间的区域。
虽然在上述实施方案中，TFT被用作矩阵阵列的有源器件，但可以理解的是，如前述N.D.Young等人的论文所述，也可以采用其它的有源器件，例如半导体薄膜二极管来代替。利用这种二端非线性类型有源器件，则仅仅一组地址导体，例如行导体被提供在有源矩阵衬底上，而第二衬底以各重叠于象素电极的相应列的透明导电材料的平行条的形式承载另一组。在此情况下，当提供二组低强度的垂直线时，一组可以被安排成平行于行导体延伸大致在中间处跨越象素电极，而另一组可以根据有源器件的位置被安排成延伸在象素电极相邻列之间，或向着象素电极列的中间延伸。
如上所述，衬底20可以被修正成将弯曲时任何明显的弯折或形变限制到离开有源器件的区域，而不是如上述实施方案中那样借助于局部减薄或加厚。衬底的聚合物材料区域的机械或热性质可以被改变，来代替减薄或加厚或其组合。于是，例如衬底20的聚合物材料的机械性质可以被修正，使之在有选择的区域处边得更坚硬，以便有助于差动弯曲。参照前述的实施方案，则这种硬化可以被应用于延伸在象素电极的行和/或列上且通常对应于凹陷50和/或52的位置(图3)的条形部分之外的聚合物衬底材料区，或应用于位于有源器件下方的对应于部分60的聚合物衬底材料部分(图6)。
在另一个例子中，借助于使材料的软化点相对于衬底的其它部分提高，可以修正聚合物衬底20的有选择的区域，以便在将衬底形成为弯曲形状时有助于差动造型。以这种方式被处理的衬底区域可以再次对应于加厚的区域60(图6)，或可以是对应于凹陷50和/或52位置的条形部分之外的区域(图3)。
如本技术领域所知，借助于用例如紫外线交联方法或离子束轰击方法对聚合物衬底进行选择性辐照处理，能够影响硬化即软化点的提高。
代替对有选择的区域的聚合物材料进行硬化，可以对要促进弯折的区域例如对应于凹陷50和52以及部分60的区域处的聚合物材料进行处理，使之比有源器件下方的部分更软，从而更可弯折。以这种方法被处理的部分则将倾向于更容易弯折和形变。
作为借助于清除单个聚合物膜的部分厚度而对衬底进行减薄的方法的一种变通，能够采用包含二个或更多个键合在一起的层的叠层聚合物衬底，其中一层在制造薄膜电路之后被图形化，以便清除有选择的部分，从而形成薄的区域和厚的区域。在此结构的一种修正中，被图形化了(减薄了)的层可以由比较坚硬的聚合物组成，而其它层由弹性高的聚合物组成。
诸如地址导体14和16以及象素电极18的承载在衬底20上的薄膜电路的某些元件，在被弯曲时被要求能够承受下方衬底的一些形变。适当的材料，特别是像地址导体这样比较长的图形的适当材料，包括特别可延展的铝以及低铝合金。这些材料能够被用来连接非常薄的钼和/或铬，如薄膜电子电路制造领域熟知的那样，由于它们作为湿法腐蚀停止层和作为接触层的能力，这是有好处的。这些延展性较差的金属可以被用于诸如有源器件接触区之类的特定局部区域，并以相似于有源器件的半导体和介质薄膜层的方式制作成小岛。
可以预计，弹性较大的导电材料，例如导电聚合物甩涂材料或可印制的胶，能够被用来代替地址导体的金属。
虽然在上述各个实施方案中，聚合物材料已经被用来提供衬底，但可以预计，能够采用柔性金属箔，以替代由例如用腐蚀方法进行局部减薄而确定的低强度区域。
虽然特别参照有源矩阵液晶显示器件已经描述了本发明，但可以理解的是，能够适用于采用不同显示材料例如电致发光材料的矩阵显示器件以及具有包括有源半导体器件的矩阵元件的规则阵列的其它类型的矩阵阵列器件中的相似优点。后者的例子包括采用包含光电二极管等的光敏象素的大面积图象传感器、有源矩阵触摸传感器阵列、薄膜数据存储器件。这些不同类型的薄膜电子阵列器件仅仅需要使用一个衬底。
总之，本公开的矩阵阵列器件，例如有源矩阵显示器件、图象传感器之类，包含承载在柔性衬底上的矩阵电路，此电路包括占据分立区域的诸如TFT的半导体器件阵列。离开半导体器件的有选择的衬底区域被形成为低强度区域，以便在器件弯曲时促进这些区域处择优发生衬底的弯折，从而减少半导体器件被损伤的危险。这些区域例如可以包含延伸在半导体器件之间的低强度的线，并可以借助于局部减薄衬底或借助于对衬底材料进行处理以修正其预定区域处的硬度来形成。
对于本技术领域的熟练人员来说，阅读本公开之后，其它的修正是显而易见的。这种修正可能涉及到其它的一些特点，在采用柔顺衬底及其组成部分的矩阵阵列器件领域中，这些特点已经众所周知，这些特点可以被用来代替或增加此处已经描述了的特点。
Claims (15)
1.一种柔性矩阵阵列器件，它包含承载在柔性衬底表面上的薄膜矩阵电路，此矩阵电路包括排列成规则阵列的并占据衬底的各个分立区域的半导体器件，其中离开半导体器件所占据的区域的有选择的衬底区域包含更容易发生衬底弯折的低强度区域。
2.一种弯曲的矩阵阵列器件，它包含承载在衬底表面上的薄膜矩阵电路，此矩阵电路包括排列成规则阵列的并占据衬底的各个分立区域的半导体器件，其中衬底包含离开半导体器件的在有选择的区域处的低强度区域，且器件的曲率基本上由这些区域处衬底的变形调节。
3.根据权利要求1或权利要求2的器件，其中低强度区域包含衬底的局部较薄的区域。
4.根据权利要求3的器件，其中借助于对衬底的选择性腐蚀来形成局部较薄的区域。
5.根据权利要求3的器件，其中衬底包含具有至少二层的叠层结构，且其中一层被图形化，以形成局部较薄的区域。
6.根据权利要求1或权利要求2的器件，其中低强度区域包含衬底材料的刚度被降低到比半导体器件所占据的衬底区域更低的衬底区域。
7.根据权利要求1-6中任何一个的器件，其中衬底包含聚合物材料。
8.根据权利要求1-7中任何一个的器件，其中低强度区域成为在承载半导体器件的衬底区域之间延伸的低强度线。
9.根据权利要求8的器件，其中半导体器件被排列在行和列的阵列中，且其中低强度区域包含延伸跨越半导体器件阵列的在行和/或列之间的低强度线。
10.根据权利要求1-7中任何一个的器件，其中承载半导体器件的衬底分立区域比衬底的其它区域更厚。
11.根据前述权利要求中任何一个的器件，其中半导体器件各包含制作成小岛的半导体膜。
12.根据前述权利要求中任何一个的器件，其中半导体器件包含薄膜晶体管。
13.根据前述权利要求中任何一个的器件，其中器件包含具有显示象素阵列的有源矩阵显示器件，且其中各半导体器件被连接到承载在衬底上的各个象素电极。
14.根据权利要求13的器件，其中器件包含有源矩阵液晶显示器件，它包括安装在承载矩阵电路的衬底上的另一个柔性衬底，液晶材料被置于衬底之间。
15.根据权利要求14的器件，其中另一个衬底中制作有低强度的线。
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