JPH08236028A - プラズマディスプレイ用二次電子放出材料及びプラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイ用二次電子放出材料及びプラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH08236028A JPH08236028A JP3887495A JP3887495A JPH08236028A JP H08236028 A JPH08236028 A JP H08236028A JP 3887495 A JP3887495 A JP 3887495A JP 3887495 A JP3887495 A JP 3887495A JP H08236028 A JPH08236028 A JP H08236028A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＰＤＰにおいて誘電体層の保護層を形成する
２次電子放出材料の改良に関し、放電開始電圧を低く
し、かつ放電マージン電圧を広くする。 【構成】 ＭｇＯを構成するＭｇの一部が少なくともＦ
ｅ，Ｃｒ及びＶのうちいずれか一つの元素で置換された
ことを含む。
２次電子放出材料の改良に関し、放電開始電圧を低く
し、かつ放電マージン電圧を広くする。 【構成】 ＭｇＯを構成するＭｇの一部が少なくともＦ
ｅ，Ｃｒ及びＶのうちいずれか一つの元素で置換された
ことを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマディスプレイパ
ネル（以下、ＰＤＰと称する。）における２次電子放出
材料及びＰＤＰに関し、より詳しくは、ＰＤＰにおいて
誘電体層の保護層を形成する２次電子放出材料の改良及
びこれを用いたＰＤＰに関する。ＰＤＰには直接放電型
（ＤＣ型ＰＤＰ）と面放電型を採る間接放電型（ＡＣ型
ＰＤＰ）があり、ＰＤＰは大画面化が容易なこと、自発
光型で表示品質が良いこと、応答速度が速いことなどの
特長がある。また、薄型化が可能なことから液晶表示デ
バイス（ＬＣＤ）などとともに壁掛け用のディスプレイ
として注目されている。将来、より高精彩化が望まれて
いる。
ネル（以下、ＰＤＰと称する。）における２次電子放出
材料及びＰＤＰに関し、より詳しくは、ＰＤＰにおいて
誘電体層の保護層を形成する２次電子放出材料の改良及
びこれを用いたＰＤＰに関する。ＰＤＰには直接放電型
（ＤＣ型ＰＤＰ）と面放電型を採る間接放電型（ＡＣ型
ＰＤＰ）があり、ＰＤＰは大画面化が容易なこと、自発
光型で表示品質が良いこと、応答速度が速いことなどの
特長がある。また、薄型化が可能なことから液晶表示デ
バイス（ＬＣＤ）などとともに壁掛け用のディスプレイ
として注目されている。将来、より高精彩化が望まれて
いる。
【０００２】ＤＣ型ＰＤＰ，ＡＣ型ＰＤＰのいずれの場
合も誘電体層の保護層としてＭｇＯが用いられている
が、より高精彩化するためには現在の放電開始電圧（Ｖ
ｆ）を下げるとともに、動作の安定性を維持するため放
電維持最小電圧と放電維持最大電圧間の幅を広げる必要
がある。
合も誘電体層の保護層としてＭｇＯが用いられている
が、より高精彩化するためには現在の放電開始電圧（Ｖ
ｆ）を下げるとともに、動作の安定性を維持するため放
電維持最小電圧と放電維持最大電圧間の幅を広げる必要
がある。
【０００３】
【従来の技術】図８は、従来例の面放電型のＡＣ型ＰＤ
Ｐの断面図である。図８に示すように、背面ガラス基板
１の上には並行する帯状の２つの表示電極２，３を一組
とする放電維持電極対が形成されている。表示電極２，
３は誘電体層４で被覆され、更に、誘電体層４上にＭｇ
Ｏからなる薄い保護層５が形成されている。ここで、誘
電体層４は表示電極への電圧印加により生じた電荷を蓄
積するために設けられ、保護層５は放電により生じたイ
オンの衝突による誘電体層４の破壊を防ぐために設けら
れる。
Ｐの断面図である。図８に示すように、背面ガラス基板
１の上には並行する帯状の２つの表示電極２，３を一組
とする放電維持電極対が形成されている。表示電極２，
３は誘電体層４で被覆され、更に、誘電体層４上にＭｇ
Ｏからなる薄い保護層５が形成されている。ここで、誘
電体層４は表示電極への電圧印加により生じた電荷を蓄
積するために設けられ、保護層５は放電により生じたイ
オンの衝突による誘電体層４の破壊を防ぐために設けら
れる。
【０００４】一方、前面ガラス基板６の上には帯状のア
ドレス電極７と蛍光体層８が形成されている。上記の背
面ガラス基板１と前面ガラス基板６は、保護層５と蛍光
体層８が対向し、かつ表示電極２，３とアドレス電極７
が交差するように重ね合わされる。保護層５と蛍光体層
８の間には隙間９が形成され、その隙間９に放電を起こ
させる不活性ガスが封入される。
ドレス電極７と蛍光体層８が形成されている。上記の背
面ガラス基板１と前面ガラス基板６は、保護層５と蛍光
体層８が対向し、かつ表示電極２，３とアドレス電極７
が交差するように重ね合わされる。保護層５と蛍光体層
８の間には隙間９が形成され、その隙間９に放電を起こ
させる不活性ガスが封入される。
【０００５】次に、上記のＰＤＰの動作について説明す
る。表示電極２，３間に放電維持電圧に相当するＡＣ電
圧を印加して誘電体層４に電荷を蓄積しておく。次に、
アドレス電極７に放電開始電圧に達するようなＡＣ電圧
を印加すると、間隙に生ずる高電界により不活性ガスが
電子とイオンに分離し、プラズマ化する。そして、電子
とイオンが再結合する際に発生する紫外線を受けて蛍光
体層８が発色する。以降は、誘電体層４に蓄積された電
荷により放電維持電圧に相当するＡＣ電圧を表示電極
２，３間に印加するだけで不活性ガスが放電し、蛍光体
層８が発色する。
る。表示電極２，３間に放電維持電圧に相当するＡＣ電
圧を印加して誘電体層４に電荷を蓄積しておく。次に、
アドレス電極７に放電開始電圧に達するようなＡＣ電圧
を印加すると、間隙に生ずる高電界により不活性ガスが
電子とイオンに分離し、プラズマ化する。そして、電子
とイオンが再結合する際に発生する紫外線を受けて蛍光
体層８が発色する。以降は、誘電体層４に蓄積された電
荷により放電維持電圧に相当するＡＣ電圧を表示電極
２，３間に印加するだけで不活性ガスが放電し、蛍光体
層８が発色する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＡＣ型
ＰＤＰの高精彩化の要求により表示電極２，３間の距離
を狭くしようとすると、放電開始電圧が増大し、又は、
誘電体層４の静電破壊を招く。このため、放電開始電圧
を低下させなければならない。また、放電開始電圧が増
大するとともに放電維持最小電圧も増大すると考えられ
る。更に、表示電極２，３間が狭くなった分だけそれら
の間に発生する電界が増大し、誘電体層４の静電破壊電
圧が低下するため、放電維持最大電圧の上限が制限を受
ける。以上のように、ＰＤＰの高精彩化に伴い、放電維
持最小電圧と放電維持最大電圧の差（放電マージン電
圧）が小さくなる傾向がある。ＰＤＰを余裕をもって動
作させ、その動作の安定化を図るためには、放電マージ
ン電圧を広くしておくことが望ましい。
ＰＤＰの高精彩化の要求により表示電極２，３間の距離
を狭くしようとすると、放電開始電圧が増大し、又は、
誘電体層４の静電破壊を招く。このため、放電開始電圧
を低下させなければならない。また、放電開始電圧が増
大するとともに放電維持最小電圧も増大すると考えられ
る。更に、表示電極２，３間が狭くなった分だけそれら
の間に発生する電界が増大し、誘電体層４の静電破壊電
圧が低下するため、放電維持最大電圧の上限が制限を受
ける。以上のように、ＰＤＰの高精彩化に伴い、放電維
持最小電圧と放電維持最大電圧の差（放電マージン電
圧）が小さくなる傾向がある。ＰＤＰを余裕をもって動
作させ、その動作の安定化を図るためには、放電マージ
ン電圧を広くしておくことが望ましい。
【０００７】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、放電開始電圧を低くし、かつ放
電マージン電圧を広くすることができるＰＤＰにおける
２次電子放出材料を提供することを目的とするものであ
る。
創作されたものであり、放電開始電圧を低くし、かつ放
電マージン電圧を広くすることができるＰＤＰにおける
２次電子放出材料を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、Ｍ
ｇＯを構成するＭｇの一部が少なくともＦｅ，Ｃｒ及び
Ｖのうちいずれか一つの元素で置換されたプラズマディ
スプレイ用二次電子放出材料によって達成され、第２
に、前記ＭｇＯを構成するＭｇの一部がそれぞれ前記Ｆ
ｅ，Ｃｒ及びＶで置換され、かつ、前記Ｖの量は前記Ｆ
ｅと前記Ｃｒの総量よりも少ないことを特徴とする第１
の発明に記載のプラズマディスプレイ用二次電子放出材
料によって達成され、第３に、２つの基板が間隙を挟ん
で対向し、該間隙に放電させるべき不活性ガスを封入し
てなるプラズマディスプレイパネルにおいて、少なくと
も一つの前記基板の前記不活性ガスと接する側の表面に
請求項１又は請求項２記載の二次電子放出材料からなる
保護層が形成されていることを特徴とするプラズマディ
スプレイパネルによって達成され，第４に、前記２つの
基板はそれぞれガラス基板上に帯状の電極と誘電体層と
前記保護層とが順に積層されてなり、前記保護層同士が
対面し、かつそれぞれの前記電極が交差するように前記
２つの基板が重ねられてなることを特徴とする第３の発
明に記載のプラズマディスプレイパネルによって達成さ
れ、第５に、前記２つの基板のうち、一方の前記基板は
ガラス基板上に互いに並行する帯状の放電維持電極対と
誘電体層と前記保護層とが順に積層されてなり、他方の
前記基板はガラス基板上に帯状の書き込み電極と蛍光体
層とが順に積層されてなり、前記保護層と前記蛍光体層
とが対面し、かつ前記電極対と前記書き込み電極とが交
差するように前記２つの基板が重ねられてなることを特
徴とする第３の発明に記載のプラズマディスプレイパネ
ルによって達成される。
ｇＯを構成するＭｇの一部が少なくともＦｅ，Ｃｒ及び
Ｖのうちいずれか一つの元素で置換されたプラズマディ
スプレイ用二次電子放出材料によって達成され、第２
に、前記ＭｇＯを構成するＭｇの一部がそれぞれ前記Ｆ
ｅ，Ｃｒ及びＶで置換され、かつ、前記Ｖの量は前記Ｆ
ｅと前記Ｃｒの総量よりも少ないことを特徴とする第１
の発明に記載のプラズマディスプレイ用二次電子放出材
料によって達成され、第３に、２つの基板が間隙を挟ん
で対向し、該間隙に放電させるべき不活性ガスを封入し
てなるプラズマディスプレイパネルにおいて、少なくと
も一つの前記基板の前記不活性ガスと接する側の表面に
請求項１又は請求項２記載の二次電子放出材料からなる
保護層が形成されていることを特徴とするプラズマディ
スプレイパネルによって達成され，第４に、前記２つの
基板はそれぞれガラス基板上に帯状の電極と誘電体層と
前記保護層とが順に積層されてなり、前記保護層同士が
対面し、かつそれぞれの前記電極が交差するように前記
２つの基板が重ねられてなることを特徴とする第３の発
明に記載のプラズマディスプレイパネルによって達成さ
れ、第５に、前記２つの基板のうち、一方の前記基板は
ガラス基板上に互いに並行する帯状の放電維持電極対と
誘電体層と前記保護層とが順に積層されてなり、他方の
前記基板はガラス基板上に帯状の書き込み電極と蛍光体
層とが順に積層されてなり、前記保護層と前記蛍光体層
とが対面し、かつ前記電極対と前記書き込み電極とが交
差するように前記２つの基板が重ねられてなることを特
徴とする第３の発明に記載のプラズマディスプレイパネ
ルによって達成される。
【０００９】
【作用】プラズマディスプレイパネルの放電開始電圧は
保護層からの２次電子放出量により大きな影響を受け
る。即ち、不活性ガスが電離して生じたイオンは保護層
に衝突して内部に進入する。この運動エネルギを受け
て、保護層から２次電子が発生し、さらに電離を促進す
る。従って、放電開始電圧を下げるためには保護層から
の２次電子放出量を大きくすることが必要である。
保護層からの２次電子放出量により大きな影響を受け
る。即ち、不活性ガスが電離して生じたイオンは保護層
に衝突して内部に進入する。この運動エネルギを受け
て、保護層から２次電子が発生し、さらに電離を促進す
る。従って、放電開始電圧を下げるためには保護層から
の２次電子放出量を大きくすることが必要である。
【００１０】また、２次電子放出量を大きくすることに
より、放電維持最小電圧が下がると考えられるので、放
電マージン電圧を広くするためにも２次電子放出量を大
きくする方がよいと考えられる。本願発明者は、イオン
衝撃に強いＭｇＯを用いるとともに、そのＭｇの一部を
鉄（Ｆｅ）及びクロム（Ｃｒ）のうち少なくともいずれ
かで置換することにより、放電マージン電圧を広くする
ことができることを、実験により見いだした。特に、鉄
及びクロムに加えて、鉄及びクロムの総量と比べて少量
のバナジウム（Ｖ）を置換すれば、その効果が大きくな
ることを見いだした。
より、放電維持最小電圧が下がると考えられるので、放
電マージン電圧を広くするためにも２次電子放出量を大
きくする方がよいと考えられる。本願発明者は、イオン
衝撃に強いＭｇＯを用いるとともに、そのＭｇの一部を
鉄（Ｆｅ）及びクロム（Ｃｒ）のうち少なくともいずれ
かで置換することにより、放電マージン電圧を広くする
ことができることを、実験により見いだした。特に、鉄
及びクロムに加えて、鉄及びクロムの総量と比べて少量
のバナジウム（Ｖ）を置換すれば、その効果が大きくな
ることを見いだした。
【００１１】また、上記置換により保護層からの２次電
子放出量が大きくなると考えられるため、放電開始電圧
を低くすることも可能である。
子放出量が大きくなると考えられるため、放電開始電圧
を低くすることも可能である。
【００１２】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料 第１の実施例に係る二次電子放出材料について実験した
結果を以下に説明する。
ついて説明する。 （１）本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料 第１の実施例に係る二次電子放出材料について実験した
結果を以下に説明する。
【００１３】(i) 試料の作成 図１に示す構造の調査用試料を作成した。調査用試料と
して、２つの基板１１，１２間の隙間１３に不活性ガス
を封じてプラズマディスプレイパネルを形成したものを
用い、モノクロタイプのＰＤＰの構成となっている。そ
して、保護層として用いられるＭｇＯ中のＭｇを置換す
る元素に鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ）及びバナジウム
（Ｖ）を用い、これらの含有量を種々変えたものを６種
類（＃１〜＃６）作成した。
して、２つの基板１１，１２間の隙間１３に不活性ガス
を封じてプラズマディスプレイパネルを形成したものを
用い、モノクロタイプのＰＤＰの構成となっている。そ
して、保護層として用いられるＭｇＯ中のＭｇを置換す
る元素に鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ）及びバナジウム
（Ｖ）を用い、これらの含有量を種々変えたものを６種
類（＃１〜＃６）作成した。
【００１４】以下、調査用試料の構造について説明す
る。即ち、一方の基板１１はガラス基板21ａ上に帯状の
第１の表示電極22ａと誘電体層23ａと保護層24ａとを順
に積層し、他方の基板１２はガラス基板21ｂ上に帯状の
第２の表示電極22ｂと誘電体層23ｂと保護層24ｂとを順
に積層した。なお、第１の表示電極22ａと第２の表示電
極22ｂにはそれぞれ引出配線25ａ，25ｂが接続されてい
る。
る。即ち、一方の基板１１はガラス基板21ａ上に帯状の
第１の表示電極22ａと誘電体層23ａと保護層24ａとを順
に積層し、他方の基板１２はガラス基板21ｂ上に帯状の
第２の表示電極22ｂと誘電体層23ｂと保護層24ｂとを順
に積層した。なお、第１の表示電極22ａと第２の表示電
極22ｂにはそれぞれ引出配線25ａ，25ｂが接続されてい
る。
【００１５】そして、保護層24ａ，24ｂ同士が対面し、
第１の表示電極22ａと第２の表示電極22ｂとが交差する
ように２つの基板１１，１２が重ねられるとともに、基
板１１，１２間に放電用の不活性ガスを封入するための
３０μｍの隙間１３が形成される。第１及び第２の表示
電極22ａ，22ｂとしてスパッタ法により形成されたＣｒ
膜／Ｃｕ膜／Ｃｒ膜の３層の導電膜を用い、誘電体層23
ａとして塗布法等により形成された膜厚約２０μｍの酸
化鉛系（ＰｂＯ系）のガラス膜を用いた。
第１の表示電極22ａと第２の表示電極22ｂとが交差する
ように２つの基板１１，１２が重ねられるとともに、基
板１１，１２間に放電用の不活性ガスを封入するための
３０μｍの隙間１３が形成される。第１及び第２の表示
電極22ａ，22ｂとしてスパッタ法により形成されたＣｒ
膜／Ｃｕ膜／Ｃｒ膜の３層の導電膜を用い、誘電体層23
ａとして塗布法等により形成された膜厚約２０μｍの酸
化鉛系（ＰｂＯ系）のガラス膜を用いた。
【００１６】また、保護層24ａ，24ｂとして遷移金属で
ある鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ）及びバナジウム（Ｖ）
でマグネシウム（Ｍｇ）を置換した膜厚約０．５μｍの
ＭｇＯ膜を用いた。ＭｇＯ膜24ａ，24ｂは、含有量を種
々変えて鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ）及びバナジウム
（Ｖ）を混合したＭｇＯ単結晶をるつぼに入れて溶融
し、これを電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）することにより
形成された。
ある鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ）及びバナジウム（Ｖ）
でマグネシウム（Ｍｇ）を置換した膜厚約０．５μｍの
ＭｇＯ膜を用いた。ＭｇＯ膜24ａ，24ｂは、含有量を種
々変えて鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ）及びバナジウム
（Ｖ）を混合したＭｇＯ単結晶をるつぼに入れて溶融
し、これを電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）することにより
形成された。
【００１７】(ii)実験方法 （ａ）フォトルミネッセンスの測定方法 ＭｇＯ単結晶を用いたＥＢ蒸着により得られた保護層24
ａ，24ｂ中のＭｇと置換している元素を特定し、Ｆｅ，
Ｃｒ及びＶの量を検出するため、フォトルミネッセンス
測定を行った。
ａ，24ｂ中のＭｇと置換している元素を特定し、Ｆｅ，
Ｃｒ及びＶの量を検出するため、フォトルミネッセンス
測定を行った。
【００１８】フォトルミネッセンス測定は、光励起され
た電子が不純物イオンの準位に落ちるときに発生する光
を観測するものである。その光は不純物イオンに特有の
波長を有し、存在量に比例した強度を有するので、不純
物の種類や量を特定することができる。光源として波長
４８８ｎｍ及び５１４．５ｎｍのＡｒレーザを用い、そ
れぞれパワー５０ｍＷ，３６ｍＷで保護層24ａ，24ｂを
励起した。なお、励起波長４８８ｎｍ，５１４．５ｎｍ
の光はエネルギにすると、それぞれ２．５４ｅＶ，２．
４１ｅＶに相当し、ＭｇＯのバンドギャップ７．７５ｅ
Ｖの約１／３のエネルギしかないため、価電子帯（vale
nce band）の電子を伝導帯（conduction band ）にまで
励起することはできない。それにもかかわらず、ルミネ
ッセンスが観測されるのは、図７に示すように、ＭｇＯ
のバンドギャップ内に酸素欠陥などの幾つかの局在準位
が存在し、これらから伝導帯に電子が励起されるためで
あると考えられる。
た電子が不純物イオンの準位に落ちるときに発生する光
を観測するものである。その光は不純物イオンに特有の
波長を有し、存在量に比例した強度を有するので、不純
物の種類や量を特定することができる。光源として波長
４８８ｎｍ及び５１４．５ｎｍのＡｒレーザを用い、そ
れぞれパワー５０ｍＷ，３６ｍＷで保護層24ａ，24ｂを
励起した。なお、励起波長４８８ｎｍ，５１４．５ｎｍ
の光はエネルギにすると、それぞれ２．５４ｅＶ，２．
４１ｅＶに相当し、ＭｇＯのバンドギャップ７．７５ｅ
Ｖの約１／３のエネルギしかないため、価電子帯（vale
nce band）の電子を伝導帯（conduction band ）にまで
励起することはできない。それにもかかわらず、ルミネ
ッセンスが観測されるのは、図７に示すように、ＭｇＯ
のバンドギャップ内に酸素欠陥などの幾つかの局在準位
が存在し、これらから伝導帯に電子が励起されるためで
あると考えられる。
【００１９】（ｂ）放電維持最小電圧，放電維持最大電
圧及び放電マージン電圧の測定方法 第１及び第２の表示電極22ａ，22ｂに周波数２ＫＨｚの
交流電源を接続して徐々に電圧を増加していき、放電が
開始する電圧（放電開始電圧；Ｖf ）を測定した。ま
た、放電の開始後に電圧を下げていき、放電が消滅する
ときの電圧（放電維持最小電圧；Ｖｓｍｉｎ）を測定し
た。更に、電圧を上げていき、放電が消滅するとき、或
いは誘電体層23ａ，23ｂが破壊するときの電圧（放電維
持最大電圧；Ｖｓｍａｘ）を測定した。
圧及び放電マージン電圧の測定方法 第１及び第２の表示電極22ａ，22ｂに周波数２ＫＨｚの
交流電源を接続して徐々に電圧を増加していき、放電が
開始する電圧（放電開始電圧；Ｖf ）を測定した。ま
た、放電の開始後に電圧を下げていき、放電が消滅する
ときの電圧（放電維持最小電圧；Ｖｓｍｉｎ）を測定し
た。更に、電圧を上げていき、放電が消滅するとき、或
いは誘電体層23ａ，23ｂが破壊するときの電圧（放電維
持最大電圧；Ｖｓｍａｘ）を測定した。
【００２０】また、放電維持最大電圧と放電維持最小電
圧とから放電マージン電圧（Ｖｓｍａｘ−Ｖｓｍｉｎ）
を計算した。 (iii) 実験結果について （ａ）フォトルミネッセンスの測定結果 図３（ａ），（ｂ）に測定結果を示す。図３（ａ）は測
定波長に対する発光強度を示す特性図であり、図３
（ｂ）は測定波長７００ｎｍ付近の拡大図である。とも
に、縦軸は任意単位で表した発光強度を示し、横軸は線
形目盛りで表した測定波長〔ｎｍ〕を示す。なお、図３
（ａ）において、図の上部に示す横軸は測定波長に対応
する光子のエネルギ〔ｅＶ〕を示す。
圧とから放電マージン電圧（Ｖｓｍａｘ−Ｖｓｍｉｎ）
を計算した。 (iii) 実験結果について （ａ）フォトルミネッセンスの測定結果 図３（ａ），（ｂ）に測定結果を示す。図３（ａ）は測
定波長に対する発光強度を示す特性図であり、図３
（ｂ）は測定波長７００ｎｍ付近の拡大図である。とも
に、縦軸は任意単位で表した発光強度を示し、横軸は線
形目盛りで表した測定波長〔ｎｍ〕を示す。なお、図３
（ａ）において、図の上部に示す横軸は測定波長に対応
する光子のエネルギ〔ｅＶ〕を示す。
【００２１】図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、
幾つかの特徴的なピークが観測された。ピーク位置を示
す測定波長は光源の励起波長４８８ｎｍ，５１４．５ｎ
ｍによって変化しないことから、ラマン効果でなく、ル
ミネッセンスにより出現しているものだと判断すること
ができる。なぜなら、ラマン効果によるピークは光とフ
ォノンとの相互作用によるものであるため、励起波長が
変化すると、ラマン散乱のピーク位置も励起波長の変化
量だけシフトするからである。
幾つかの特徴的なピークが観測された。ピーク位置を示
す測定波長は光源の励起波長４８８ｎｍ，５１４．５ｎ
ｍによって変化しないことから、ラマン効果でなく、ル
ミネッセンスにより出現しているものだと判断すること
ができる。なぜなら、ラマン効果によるピークは光とフ
ォノンとの相互作用によるものであるため、励起波長が
変化すると、ラマン散乱のピーク位置も励起波長の変化
量だけシフトするからである。
【００２２】以下、ピークに対応する不純物の種類を特
定する。凡そ６５０〜９２０ｎｍの測定波長の範囲で観
測されるルミネッセンスは過去に観測されているので、
これらのデータを基にした。文献〔S.Datta,K.E.Aeberl
i,I.M.Boswarva,and D.B.Holt,J.Microscopy 118(1980)
367 によれば、２００〜２５０ｐｐｍのＦｅをドープし
たＭｇＯのカソードルミネッセンス測定結果が記載され
ており、６８８，７０６，７２３，７４７ｎｍの明瞭な
ピークが観測されている。従って、図中、これらに近い
位置にあるピークがＦｅ元素の存在を示していると考え
られる。
定する。凡そ６５０〜９２０ｎｍの測定波長の範囲で観
測されるルミネッセンスは過去に観測されているので、
これらのデータを基にした。文献〔S.Datta,K.E.Aeberl
i,I.M.Boswarva,and D.B.Holt,J.Microscopy 118(1980)
367 によれば、２００〜２５０ｐｐｍのＦｅをドープし
たＭｇＯのカソードルミネッセンス測定結果が記載され
ており、６８８，７０６，７２３，７４７ｎｍの明瞭な
ピークが観測されている。従って、図中、これらに近い
位置にあるピークがＦｅ元素の存在を示していると考え
られる。
【００２３】更に、文献〔C.C.Chao,J.Phys.Chem.Solid
s,32(1971)2517 によるＭｇＯ中のＣｒ3 + からのルミ
ネッセンス測定結果は、６９８，７１２，７２０，７２
５ｎｍの発光を観測していると考えられる。従って、図
中、これらに近い位置にあるピークがＣｒ元素の存在を
示していると考えられる。また、６５９．５〜６８０ｎ
ｍの領域の発光はＭｎ4 + からのものであるとの報告
〔K.Dunphy,and W.W.Duley,J,Phys.Chem.Solids,51(199
0)1077 があり、６６０ｎｍのルミネッセンスがそれに
対応していると考えられる。従って、図中、これらに近
い位置にあるピークがＭｎ元素の存在を示していると考
えられる。
s,32(1971)2517 によるＭｇＯ中のＣｒ3 + からのルミ
ネッセンス測定結果は、６９８，７１２，７２０，７２
５ｎｍの発光を観測していると考えられる。従って、図
中、これらに近い位置にあるピークがＣｒ元素の存在を
示していると考えられる。また、６５９．５〜６８０ｎ
ｍの領域の発光はＭｎ4 + からのものであるとの報告
〔K.Dunphy,and W.W.Duley,J,Phys.Chem.Solids,51(199
0)1077 があり、６６０ｎｍのルミネッセンスがそれに
対応していると考えられる。従って、図中、これらに近
い位置にあるピークがＭｎ元素の存在を示していると考
えられる。
【００２４】更に、８８０〜９２０ｎｍに見られる発光
に関して、文献〔I.Femandez and J.Llopis,Phys.stat.
sol.(a)108(1988)K163 によれば、図中、特に８７０ｎ
ｍの強い発光は、Ｖ2 + からのルミネッセンスであると
考えられる。 （ｂ）放電維持最小電圧，放電維持最大電圧及び放電マ
ージン電圧の測定結果 測定波長７００，７２０，８７０ｎｍの発光強度〔ｃｐ
ｓ〕と放電維持最小電圧（Ｖｓｍｉｎ）、放電維持最大
電圧（Ｖｓｍａｘ）〔Ｖ〕との関係を図４（ａ）に示
す。Ｖｓｍｉｎ，Ｖｓｍａｘの値は、試料を１時間エー
ジングした後の測定値である。図４（ａ）からＶｓｍａ
ｘは７２０ｎｍの発光強度とほぼ比例関係にあることが
分かる。
に関して、文献〔I.Femandez and J.Llopis,Phys.stat.
sol.(a)108(1988)K163 によれば、図中、特に８７０ｎ
ｍの強い発光は、Ｖ2 + からのルミネッセンスであると
考えられる。 （ｂ）放電維持最小電圧，放電維持最大電圧及び放電マ
ージン電圧の測定結果 測定波長７００，７２０，８７０ｎｍの発光強度〔ｃｐ
ｓ〕と放電維持最小電圧（Ｖｓｍｉｎ）、放電維持最大
電圧（Ｖｓｍａｘ）〔Ｖ〕との関係を図４（ａ）に示
す。Ｖｓｍｉｎ，Ｖｓｍａｘの値は、試料を１時間エー
ジングした後の測定値である。図４（ａ）からＶｓｍａ
ｘは７２０ｎｍの発光強度とほぼ比例関係にあることが
分かる。
【００２５】また、放電マージン電圧（Ｖｓｍａｘ−Ｖ
ｓｍｉｎ）と各発光強度との関係を図４（ｂ）に示す。
放電マージン電圧は８７０ｎｍの発光強度とほぼ反比例
の関係にあることが分かる。これらの間の相関をより明
確にするため、各発光強度に対するＶｓｍｉｎ，Ｖｓｍ
ａｘ，Ｖｓｍａｘ−Ｖｓｍｉｎの依存性をそれぞれ図５
（ａ），（ｂ），図６に示す。各図中、データの傾向を
実線で示した。
ｓｍｉｎ）と各発光強度との関係を図４（ｂ）に示す。
放電マージン電圧は８７０ｎｍの発光強度とほぼ反比例
の関係にあることが分かる。これらの間の相関をより明
確にするため、各発光強度に対するＶｓｍｉｎ，Ｖｓｍ
ａｘ，Ｖｓｍａｘ−Ｖｓｍｉｎの依存性をそれぞれ図５
（ａ），（ｂ），図６に示す。各図中、データの傾向を
実線で示した。
【００２６】図６の放電マージン電圧については、興味
ある結果が得られた。即ち、測定波長７００ｎｍの発光
強度は、放電マージン電圧に対してほぼ一定であるのに
対して、測定波長７２０ｎｍ，８７０ｎｍの発光強度は
大きく変化している。放電マージン電圧が１１Ｖを境に
して高くなると測定波長７２０ｎｍの発光強度が急速に
増加する。これは、少なくともＦｅ及びＣｒのうちいず
れかのＭｇ置換量が増加するほど、バンドギャップ内に
不純物準位が多数形成されること、そこに高いエネルギ
を持った電子がトラップされて不純物準位の基底状態に
遷移すること、それにより、ＭｇＯの表面から２次電子
が多数発生することを示していると考えられる。
ある結果が得られた。即ち、測定波長７００ｎｍの発光
強度は、放電マージン電圧に対してほぼ一定であるのに
対して、測定波長７２０ｎｍ，８７０ｎｍの発光強度は
大きく変化している。放電マージン電圧が１１Ｖを境に
して高くなると測定波長７２０ｎｍの発光強度が急速に
増加する。これは、少なくともＦｅ及びＣｒのうちいず
れかのＭｇ置換量が増加するほど、バンドギャップ内に
不純物準位が多数形成されること、そこに高いエネルギ
を持った電子がトラップされて不純物準位の基底状態に
遷移すること、それにより、ＭｇＯの表面から２次電子
が多数発生することを示していると考えられる。
【００２７】一方、放電マージン電圧が１１Ｖを境にし
て高くなると測定波長８７０ｎｍの発光強度は減少す
る。以上から、ＰＤＰの保護層に用いられるＭｇＯ膜中
のＦｅ及びＣｒからの発光強度が強く、或いはＶからの
発光が弱い場合に、放電マージン電圧が高くなることが
わかった。これは、少なくともＦｅ及びＣｒのうちいず
れかでＭｇを置換したことによるため、或いはこれにＶ
添加の効果が加わったことによるためと考えられる。
て高くなると測定波長８７０ｎｍの発光強度は減少す
る。以上から、ＰＤＰの保護層に用いられるＭｇＯ膜中
のＦｅ及びＣｒからの発光強度が強く、或いはＶからの
発光が弱い場合に、放電マージン電圧が高くなることが
わかった。これは、少なくともＦｅ及びＣｒのうちいず
れかでＭｇを置換したことによるため、或いはこれにＶ
添加の効果が加わったことによるためと考えられる。
【００２８】なお、放電開始電圧（Ｖf ）については、
データを取得していないが、ＭｇＯの表面から２次電子
が多数発生していると予想されるため、保護層に接する
不活性ガスの放電が促進されるため、放電開始電圧（Ｖ
f ）も下がると考えられる。 （２）本発明の第２の実施例に係るプラズマディスプレ
イパネル 以下に、第２の実施例に係るカラーＰＤＰについて図２
（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。保護層３８と
して上記の二次電子放出材料を用いている。図２
（ａ），（ｂ）は、それぞれカラー表示が可能な面放電
型ＰＤＰの構成を示す斜視図及び部分断面図である。
データを取得していないが、ＭｇＯの表面から２次電子
が多数発生していると予想されるため、保護層に接する
不活性ガスの放電が促進されるため、放電開始電圧（Ｖ
f ）も下がると考えられる。 （２）本発明の第２の実施例に係るプラズマディスプレ
イパネル 以下に、第２の実施例に係るカラーＰＤＰについて図２
（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。保護層３８と
して上記の二次電子放出材料を用いている。図２
（ａ），（ｂ）は、それぞれカラー表示が可能な面放電
型ＰＤＰの構成を示す斜視図及び部分断面図である。
【００２９】図中、３１は前面ガラス基板、32ａ，32ｂ
は前面ガラス基板３１表面に形成され、一方向に並行し
て延びる２つ一組の帯状の表示電極対で、それぞれＣｒ
膜／Ｃｕ膜／Ｃｒ膜の三層の導電膜からなる。３３は表
示電極32ａ，32ｂを被覆して形成された厚さ約２０μｍ
の酸化鉛系（ＰｂＯ系）のガラス層（誘電体層）であ
る。
は前面ガラス基板３１表面に形成され、一方向に並行し
て延びる２つ一組の帯状の表示電極対で、それぞれＣｒ
膜／Ｃｕ膜／Ｃｒ膜の三層の導電膜からなる。３３は表
示電極32ａ，32ｂを被覆して形成された厚さ約２０μｍ
の酸化鉛系（ＰｂＯ系）のガラス層（誘電体層）であ
る。
【００３０】３４は第１の実施例に示した二次電子放出
材料からなる保護層である。以上が一方の基板１４を構
成する。３５は前面ガラス基板３１と対向するように形
成される背面ガラス基板、36ａ，36ｂは背面ガラス基板
３５上に形成され、一方向に互いに並行する帯状の仕切
り壁、３７は仕切り壁36ａ，36ｂ間の凹部に仕切り壁36
ａ，36ｂに沿って形成されたアドレス電極（書き込み電
極）、３８はアドレス電極３７を被覆する蛍光体で、ア
ドレス電極３７と蛍光体３８は、例えば、赤を表示す。
なお、符号を付けていないが、赤の表示部の隣には横並
びに緑、青、赤・・の表示が順に並んでいる。各色の蛍
光体は互いに異なる材料からなる。青の場合、例えばBa
MgAl14O23:En2+が用いられ、緑の場合、例えばBaAl12O
19:Mnが用いられ、赤の場合、例えばY0.65Gd0.35BO3:En
3+ が用いられる。各アドレス電極３７及び蛍光体３８
間は仕切り壁36ａ，36ｂにより仕切られている。
材料からなる保護層である。以上が一方の基板１４を構
成する。３５は前面ガラス基板３１と対向するように形
成される背面ガラス基板、36ａ，36ｂは背面ガラス基板
３５上に形成され、一方向に互いに並行する帯状の仕切
り壁、３７は仕切り壁36ａ，36ｂ間の凹部に仕切り壁36
ａ，36ｂに沿って形成されたアドレス電極（書き込み電
極）、３８はアドレス電極３７を被覆する蛍光体で、ア
ドレス電極３７と蛍光体３８は、例えば、赤を表示す。
なお、符号を付けていないが、赤の表示部の隣には横並
びに緑、青、赤・・の表示が順に並んでいる。各色の蛍
光体は互いに異なる材料からなる。青の場合、例えばBa
MgAl14O23:En2+が用いられ、緑の場合、例えばBaAl12O
19:Mnが用いられ、赤の場合、例えばY0.65Gd0.35BO3:En
3+ が用いられる。各アドレス電極３７及び蛍光体３８
間は仕切り壁36ａ，36ｂにより仕切られている。
【００３１】以上が他方の基板１５を構成する。なお、
実際のＰＤＰでは、仕切り壁，アドレス電極，蛍光体及
び表示電極は上記説明したのと同様な構成で多数形成さ
れているが、上記の説明では、簡単のため、１組しか説
明していない。背面ガラス基板３５の蛍光体３８と前面
ガラス基板３１の表示電極32ａ，32ｂとが数十μｍの隙
間３９をあけて対面し、かつ表示電極32ａ，32ｂと背面
ガラス基板３５のアドレス電極３７とが交差するように
基板１４，１５は重ね合わされる。
実際のＰＤＰでは、仕切り壁，アドレス電極，蛍光体及
び表示電極は上記説明したのと同様な構成で多数形成さ
れているが、上記の説明では、簡単のため、１組しか説
明していない。背面ガラス基板３５の蛍光体３８と前面
ガラス基板３１の表示電極32ａ，32ｂとが数十μｍの隙
間３９をあけて対面し、かつ表示電極32ａ，32ｂと背面
ガラス基板３５のアドレス電極３７とが交差するように
基板１４，１５は重ね合わされる。
【００３２】図２（ｂ）は仕切り壁36ａと仕切り壁36ｂ
との間の凹部の隙間３９を示す部分断面図で、凹部にネ
オン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスやヘリウム
（Ｈｅ）とＸｅの混合ガス等の不活性ガスを減圧封入し
ている。上記のＰＤＰを動作させる場合、表示電極32ａ
及び32ｂの間に放電開始前の放電維持電圧（交流又は直
流）を印加して誘電体層３３に電荷を蓄積しておく。こ
の状態で、アドレス電極３７に放電開始電圧に達するよ
うに電圧（交流又は直流）を印加することにより放電を
起こさせる。これにより、凹部の隙間３９にプラズマを
発生させ、そのプラズマから発する励起光により蛍光体
３８が発光し、カラー表示がなされる。
との間の凹部の隙間３９を示す部分断面図で、凹部にネ
オン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスやヘリウム
（Ｈｅ）とＸｅの混合ガス等の不活性ガスを減圧封入し
ている。上記のＰＤＰを動作させる場合、表示電極32ａ
及び32ｂの間に放電開始前の放電維持電圧（交流又は直
流）を印加して誘電体層３３に電荷を蓄積しておく。こ
の状態で、アドレス電極３７に放電開始電圧に達するよ
うに電圧（交流又は直流）を印加することにより放電を
起こさせる。これにより、凹部の隙間３９にプラズマを
発生させ、そのプラズマから発する励起光により蛍光体
３８が発光し、カラー表示がなされる。
【００３３】上記の第２の実施例に係るカラーＰＤＰに
よれば、保護層３４の材料として第１の実施例に係る二
次電子放出材料を用いているので、二次電子放出量が増
え、封入された不活性ガスの電離が促進される。これに
より、放電開始電圧を下げることができるので、放電維
持電極間の間隔を狭くし、カラーＰＤＰの高精彩化を図
ることができる。
よれば、保護層３４の材料として第１の実施例に係る二
次電子放出材料を用いているので、二次電子放出量が増
え、封入された不活性ガスの電離が促進される。これに
より、放電開始電圧を下げることができるので、放電維
持電極間の間隔を狭くし、カラーＰＤＰの高精彩化を図
ることができる。
【００３４】また、放電マージン電圧を広くすることが
できるので、ＰＤＰを安定に動作させることができる。
なお、第２の実施例では、面放電型ＰＤＰに本発明を適
用しているが、これに限らず、不活性ガスが封入され、
不活性ガスに接する保護層からの二次電子放出を利用し
て不活性ガスの放電を促進する構成のＰＤＰに本発明を
適用することができる。
できるので、ＰＤＰを安定に動作させることができる。
なお、第２の実施例では、面放電型ＰＤＰに本発明を適
用しているが、これに限らず、不活性ガスが封入され、
不活性ガスに接する保護層からの二次電子放出を利用し
て不活性ガスの放電を促進する構成のＰＤＰに本発明を
適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るプラズマデ
ィスプレイ用二次電子放出材料によれば、ＭｇＯを構成
するＭｇの一部が少なくともＦｅ，Ｃｒ及びＶのうちい
ずれか一つの元素で置換されている。このため、２次電
子放出量が増えるので、放電が促進され、放電開始電圧
が下がり、かつ放電マージン電圧が広くなる。特にＶの
量はＦｅとＣｒの総量よりも少なくすることにより、そ
の効果を高めることができる。
ィスプレイ用二次電子放出材料によれば、ＭｇＯを構成
するＭｇの一部が少なくともＦｅ，Ｃｒ及びＶのうちい
ずれか一つの元素で置換されている。このため、２次電
子放出量が増えるので、放電が促進され、放電開始電圧
が下がり、かつ放電マージン電圧が広くなる。特にＶの
量はＦｅとＣｒの総量よりも少なくすることにより、そ
の効果を高めることができる。
【００３６】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルによれば、放電開始電圧を下げることができるの
で、放電維持電極間の間隔を狭くし、プラズマディスプ
レイパネルの高精彩化を図ることができる。しかも、放
電マージン電圧を広くすることができるので、プラズマ
ディスプレイパネルを安定に動作させることができる。
パネルによれば、放電開始電圧を下げることができるの
で、放電維持電極間の間隔を狭くし、プラズマディスプ
レイパネルの高精彩化を図ることができる。しかも、放
電マージン電圧を広くすることができるので、プラズマ
ディスプレイパネルを安定に動作させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料
を調査するためのＰＤＰについて示す断面図である。
を調査するためのＰＤＰについて示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る面放電型ＰＤＰに
ついて示す斜視図及び断面図である。
ついて示す斜視図及び断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料
のフォトルミネッセンスの調査結果について示す特性図
である。
のフォトルミネッセンスの調査結果について示す特性図
である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料
の放電維持最小電圧，放電維持最大電圧及び放電マージ
ン電圧の調査結果について示す特性図である。
の放電維持最小電圧，放電維持最大電圧及び放電マージ
ン電圧の調査結果について示す特性図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料
の発光強度に対する放電維持最小電圧及び放電維持最大
電圧依存性の調査結果について示す特性図である。
の発光強度に対する放電維持最小電圧及び放電維持最大
電圧依存性の調査結果について示す特性図である。
【図６】本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料
の発光強度に対する放電マージン電圧依存性の調査結果
について示す特性図である。
の発光強度に対する放電マージン電圧依存性の調査結果
について示す特性図である。
【図７】本発明の第１の実施例に係る二次電子放出材料
のバンド構造について示す図である。
のバンド構造について示す図である。
【図８】従来例に係るＰＤＰについて示す断面図であ
る。
る。
１１，１２，１４，１５ 基板、 １３，３９ 隙間、 21ａ，21ｂ，３１，３５ ガラス基板、 22ａ，32ａ 第１の表示電極、 22ｂ，32ｂ 第２の表示電極、 23ａ，23ｂ，３３ 誘電体層、 24ａ，24ｂ，３４ 保護層、 25ａ，25ｂ 引出し配線、 36ａ，36ｂ 仕切り壁、 ３７ アドレス電極（書き込み電極）、 ３８ 蛍光体層。
Claims (5)
- 【請求項１】 ＭｇＯを構成するＭｇの一部が少なくと
もＦｅ，Ｃｒ及びＶのうちいずれか一つの元素で置換さ
れたことを特徴とするプラズマディスプレイ用二次電子
放出材料。 - 【請求項２】 前記ＭｇＯを構成するＭｇの一部がそれ
ぞれ前記Ｆｅ，Ｃｒ及びＶで置換され、かつ、前記Ｖの
量は前記Ｆｅと前記Ｃｒの総量よりも少ないことを特徴
とする請求項１記載のプラズマディスプレイ用二次電子
放出材料。 - 【請求項３】 ２つの基板が間隙を挟んで対向し、該間
隙に放電させるべき不活性ガスを封入してなるプラズマ
ディスプレイパネルにおいて、 少なくとも一つの前記基板の前記不活性ガスと接する側
の表面に請求項１又は請求項２記載の二次電子放出材料
からなる保護層が形成されていることを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記２つの基板はそれぞれガラス基板上
に帯状の電極と誘電体層と前記保護層とが順に積層され
てなり、前記保護層同士が対面し、かつそれぞれの前記
電極が交差するように前記２つの基板が重ねられてなる
ことを特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項５】 前記２つの基板のうち、一方の前記基板
はガラス基板上に互いに並行する帯状の放電維持電極対
と誘電体層と前記保護層とが順に積層されてなり、他方
の前記基板はガラス基板上に帯状の書き込み電極と蛍光
体層とが順に積層されてなり、前記保護層と前記蛍光体
層とが対面し、かつ前記電極対と前記書き込み電極とが
交差するように前記２つの基板が重ねられてなることを
特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレイパネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3887495A JP3918879B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | プラズマディスプレイ用二次電子放出材料及びプラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3887495A JP3918879B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | プラズマディスプレイ用二次電子放出材料及びプラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236028A true JPH08236028A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3918879B2 JP3918879B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=12537368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3887495A Expired - Fee Related JP3918879B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | プラズマディスプレイ用二次電子放出材料及びプラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3918879B2 (ja) |
Cited By (20)
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|---|---|---|---|---|
| KR19990043635A (ko) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | 교류형 플라즈마 표시소자의 보호층 형성방법 |
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| JP2003109511A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
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| WO2008047911A1 (fr) | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Panasonic Corporation | Écran à plasma et procédé de fabrication de celui-ci |
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| WO2008132776A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Tateho Chemical Industries Co., Ltd. | 酸化物発光体 |
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| WO2010070847A1 (ja) | 2008-12-15 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
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| US8162710B2 (en) | 2009-08-26 | 2012-04-24 | Panasonic Corporation | Method for producing plasma display panel with a bright display and a low operating voltage |
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| US8294366B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having a plurality of aggregated particles attached to a protective layer at a face confronting a discharge space formed between a first substrate and a second substrate |
| US8405296B2 (en) | 2010-03-15 | 2013-03-26 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US8427053B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-04-23 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having high luminance display and capable of being driven with low voltage |
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| US8513888B2 (en) | 2010-03-15 | 2013-08-20 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP3887495A patent/JP3918879B2/ja not_active Expired - Fee Related
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