KR101124135B1

KR101124135B1 - 플라즈마 디스플레이 패널

Info

Publication number: KR101124135B1
Application number: KR1020050086052A
Authority: KR
Inventors: 아츠시 히로타; 에이시로 오타니; 하이 린; 구니모토 즈치야
Original assignee: 파나소닉 주식회사
Priority date: 2004-09-16
Filing date: 2005-09-15
Publication date: 2012-03-21
Also published as: KR20060051319A; JP2006114484A; EP1638127A8; JP4683547B2; EP1638127A2; CN1750221A; US7474055B2; CN1750221B; US20060055325A1; EP1638127A3

Abstract

방전 공간을 사이에 두고 대향하는 전면 유리 기판 및 배면 유리 기판과, 전면 유리 기판의 배면에 형성된 행 전극쌍과, 이 행 전극쌍을 피복하는 유전체층을 가지며, 방전 공간 내에 방전 셀이 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 전자선에 의해 여기(勵起)됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층이 행 전극쌍이 형성되어 있는 전면 유리 기판측의 방전 공간에 대향하는 부분의 일부에 형성되어 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}

도 1은 본 발명의 실시 형태의 제1 실시예를 나타낸 정면도.

도 2는 도 1의 V1-V1선에 있어서의 단면도.

도 3은 도 1의 W1-W1선에 있어서의 단면도.

도 4는 제1 실시예에 있어서 박막 마그네슘층 상에 결정 산화마그네슘층이 형성되어 있는 상태를 나타낸 단면도.

도 5는 제1 실시예에 있어서 결정 산화마그네슘층 상에 박막 마그네슘층이 형성되어 있는 상태를 나타낸 단면도.

도 6은 입방체의 단결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체의 SEM 사진상을 나타낸 도면.

도 7은 입방체의 다중 결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체의 SEM 사진상을 나타낸 도면.

도 8은 제1 실시예에 있어서 산화마그네슘 단결정체 분말의 입자 지름과 CL 발광 파장과의 관계를 나타낸 그래프.

도 9는 제1 실시예에 있어서 산화마그네슘의 입자 지름과 235 ㎚의 CL 발광 강도와의 관계를 나타낸 그래프.

도 10은 증착법에 의한 산화마그네슘층으로부터의 CL 발광 파장 상태를 나타 낸 그래프.

도 11은 산화마그네슘 단결정체로부터의 235 ㎚의 CL 발광의 피크 강도와 방전 지연과의 관계를 나타낸 그래프.

도 12는 보호층이 증착법에 의한 산화마그네슘층만으로 구성되어 있는 경우와 산화마그네슘 단결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층과 증착법에 의한 박막 마그네슘층의 2층 구조로 되어 있는 경우와의 방전 지연 특성의 비교를 나타낸 도면.

도 13은 본 발명의 실시 형태의 제2 실시예를 나타낸 정면도.

도 14는 본 발명의 실시 형태의 제3 실시예를 나타낸 정면도.

도 15는 본 발명의 실시 형태의 제4 실시예를 나타낸 정면도.

도 16은 본 발명의 실시 형태의 제5 실시예를 나타낸 정면도.

도 17은 본 발명의 실시 형태의 제6 실시예를 나타낸 정면도.

도 18은 본 발명의 실시 형태의 제7 실시예를 나타낸 정면도.

도 19는 도 18의 V2-V2선에 있어서의 단면도.

도 20은 도 18의 W2-W2선에 있어서의 단면도.

도 21은 제7 실시예에 있어서 유전체층 상에 결정 산화마그네슘층이 형성되어 있는 상태를 나타낸 단면도.

도 22는 보호층이 증착법에 의한 산화마그네슘층만으로 구성되어 있는 경우와 산화마그네슘 단결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층만으로 구성되어 있는 경우와의 방전 지연 특성의 비교를 나타낸 도면.

도 23은 본 발명의 실시 형태의 제8 실시예를 나타낸 정면도.

도 24는 본 발명의 실시 형태의 제9 실시예를 나타낸 측단면도.

도 25는 제9 실시예의 사시도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 전면 유리 기판(전면 기판)

3 : 유전체층

4 : 박막 산화마그네슘층

5, 15, 25, 35, 45, 55, 65, 75, 85 : 결정 산화마그네슘층

6 : 배면 유리 기판(배면 기판)

7 : 열 전극 보호층(유전체층)

83 : 제1 유전체층

84 : 제2 유전체층

84a : 개구부

C : 방전 셀(단위 발광 영역)

X, Y : 행 전극(방전 전극)

Xa, Ya : 투명 전극(돌출 전극부)

Xa1, Ya1 : 선단 광폭부(폭이 넓은 선단부)

Xa2, Ya2 : 기단부(폭이 좁은 기단부)

Xb, Yb : 버스 전극(전극 본체부)

D : 열 전극(방전 전극)

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 구성에 관한 것이다.

면 방전 방식 교류형 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라 함)은 일반적으로 방전 가스가 봉입되어 있는 방전 공간을 사이에 두고 서로 대향하는 2장의 유리 기판 중 한쪽 유리 기판에 행 방향으로 연장되는 행 전극쌍이 열 방향으로 병설되고, 다른 쪽 유리 기판에 열 방향으로 연장되는 열 전극이 행 방향으로 병설되어 있으며, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극이 각각 교차하는 부분에 매트릭스형으로 단위 발광 영역(방전 셀)이 형성되어 있다.

그리고, 이 PDP에는 행 전극이나 열 전극을 피복하기 위해서 형성된 유전체층 상의 단위 발광 영역 내에 면하는 위치에 유전체층의 보호 기능과 단위 발광 영역 내로의 2차 전자 방출 기능을 갖는 산화마그네슘(MgO)막이 형성되어 있다.

이러한 종래의 PDP 산화마그네슘막의 형성은 스크린 인쇄법에 의해 산화마그네슘 분말을 혼입한 페이스트를 유전체층 상에 도포함으로써 행하는 것이 제안되어 있다.

이러한 종래의 PDP는 예컨대 일본 특허 공개 평성 제6-325696호 공보에 기재되어 있다.

그러나, 이러한 종래의 산화마그네슘막은 수산화마그네슘이 열처리되어 정제된 다결정 편엽형(片葉形)의 산화마그네슘이 혼입된 페이스트가 스크린 인쇄법에 의해 도포됨으로써 형성되는 것으로서, PDP의 방전 특성을 증착법에 의해 형성된 산화마그네슘막과 거의 동일하게 하거나 또는 약간 향상시키는 정도에 불과한 것이다.

이 때문에, 방전 특성을 한층 더 향상시킬 수 있는 보호막을 PDP에 형성하도록 하는 것이 강하게 요망되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 산화마그네슘막이 형성되는 PDP에서의 문제점을 해결하는 것을 그 해결 과제의 하나로 하고 있다.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 과제를 달성하기 위해서 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 이 한 쌍의 기판 중 어느 하나에 형성된 방전 전극과, 이 방전 전극을 피복하는 유전체층을 가지며, 방전 공간 내에 단위 발광 영역이 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스(Cathode Luminescence: CL) 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층이, 상기 방전 전극이 형성되어 있는 기판측의 방전 공간에 대향하는 부분의 일부에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

그리고, 본 발명에 따른 PDP는 전면 유리 기판과 배면 유리 기판 사이에 행 방향으로 연장되는 행 전극쌍과, 열 방향으로 연장되어 행 전극쌍과의 교차 부분의 방전 공간에 방전 셀을 형성하는 열 전극이 마련되고, 이 행 전극쌍 또는 열 전극을 피복하는 유전체층의 방전 셀에 대향하는 쪽의 적어도 행 전극 또는 열 전극에 대향하는 부분을 포함하는 일부에 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층이 형성되어 있는 PDP를 그 최량의 실시 형태로 하고 있다.

이 실시 형태에 있어서의 PDP는 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층이 유전체층측의 방전 셀에 대향하는 부분 중에서 적어도 행 전극 또는 열 전극에 대향하는 부분을 포함하는 일부에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

그리고, 이 결정 산화마그네슘층이 행 전극 또는 열 전극에 대향하는 부분을 포함하는 임의의 위치에 형성됨으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 효과가 매우 커지고, 결정 산화마그네슘층이 형성됨에 따른 광 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

상기 PDP에 있어서, 결정 산화마그네슘층은 유전체층을 피복하는 박막 산화마그네슘층에 부분적으로 적층되어 형성되어도 좋거나 또는 박막 산화마그네슘층이 형성되는 일없이 유전체층 상의 소정 부분에 직접 형성되도록 하여도 좋다.

결정 산화마그네슘층이 유전체층 상에 부분적으로 직접 형성되는 경우에는 이 결정 산화마그네슘층에 의해 방전 영역이 제한되어 전계 강도가 강한 부분에서만 방전을 발생시킬 수 있게 되고, 이것에 의해, 높은 발광 효율을 얻을 수 있게 된다.

(실시예)

[실시예 1]

도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 PDP의 실시 형태인 제1 실시예를 나타내고 있고, 도 1은 이 실시예에 있어서의 PDP를 모식적으로 도시한 정면도, 도 2는 도 1의 V1-V1선에 있어서의 단면도, 도 3은 도 1의 W1-W1선에 있어서의 단면도이다.

이 도 1 내지 도 3에 도시된 PDP는 표시면인 전면 유리 기판(1)의 배면에 복수의 행 전극쌍(X, Y)이 전면 유리 기판(1)의 행 방향(도 1의 좌우 방향)으로 연장되도록 평행하게 배열되어 있다.

행 전극(X)은 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극(Xa)과, 전면 유리 기판(1)의 행 방향으로 연장되어 투명 전극(Xa)의 좁은 폭의 기단부에 접속된 금속막으로 이루어진 버스 전극(Xb)에 의해 구성되어 있다.

행 전극(Y)도 마찬가지로 T자 형상으로 형성된 ITO 등의 투명 도전막으로 이루어진 투명 전극(Ya)과, 전면 유리 기판(1)의 행 방향으로 연장되어 투명 전극(Ya)의 좁은 폭의 기단부에 접속된 금속막으로 이루어진 버스 전극(Yb)에 의해 구성되어 있다.

이 행 전극(X, Y)은 전면 유리 기판(1)의 열 방향(도 1의 상하 방향)으로 교대로 배열되어 있고, 버스 전극(Xb, Yb)을 따라 병렬된 각각의 투명 전극(Xa, Ya)이 서로 쌍을 이루는 상대의 행 전극측으로 연장되어 투명 전극(Xa, Ya)의 광폭부 의 정상변이 각각 소정 폭의 방전 갭(g)을 사이에 두고 서로 대향되어 있다.

전면 유리 기판(1)의 배면에는 열 방향에 있어서 인접하는 행 전극쌍(X, Y)의 서로 등을 맞대고 반대 방향을 향해진 버스 전극(Xb, Yb) 사이에 이 버스 전극 (Xb, Yb)을 따라 행 방향으로 연장되는 흑색 또는 암색의 광 흡수층(차광층)(2)이 형성되어 있다.

또한, 전면 유리 기판(1)의 배면에는 행 전극쌍(X, Y)을 피복하도록 유전체층(3)이 형성되어 있고, 이 유전체층(3)의 배면에는 서로 인접하는 행 전극쌍(X, Y)의 등을 맞대고 반대 방향을 향해 인접하는 버스 전극(Xb, Yb)에 대향하는 위치 및 이 인접하는 버스 전극(Xb, Yb) 사이의 영역 부분에 대향하는 위치에 유전체층(3)의 배면측으로 돌출되는 추가의 유전체층(3A)이 버스 전극(Xb, Yb)과 평행하게 연장되도록 형성되어 있다.

이 유전체층(3)과 추가의 유전체층(3A)의 배면측에는 증착법 또는 스퍼터링에 의해 형성된 박막의 산화마그네슘(이하, 박막 산화마그네슘층이라 함)(4)이 형성되어 있고, 유전체층(3)과 추가의 유전체층(3A)의 배면 전면이 피복되어 있다.

그리고, 이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면측에 있어서, 투명 전극(Xa, Ya)의 서로 대향하는 부분[투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 일부] 및 이 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 사각형 부분에 후에 상세히 설명하는 바와 같은 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광(CL 발광)을 행하는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 산화마그네슘층(이하, 결정 산화마그네슘층이라 함)(5)이 적층되어 각각 섬 형상으로 형성되어 있다.

한편, 전면 유리 기판(1)과 평행하게 배치된 배면 유리 기판(6)의 표시측 면상에는 열 전극(D)이 각 행 전극쌍(X, Y)의 서로 쌍을 이룬 투명 전극(Xa, Ya)에 대향하는 위치에 있어서 행 전극쌍(X, Y)과 직교하는 방향(열 방향)으로 연장되도록 서로 소정의 간격을 두고 평행하게 배열되어 있다.

배면 유리 기판(6)의 표시측 면상에는 또한, 열 전극(D)을 피복하는 백색의 열 전극 보호층(유전체층)(7)이 형성되고, 이 열 전극 보호층(7) 상에 격벽(8)이 형성되어 있다.

이 격벽(8)은 각 행 전극쌍(X, Y)의 버스 전극(Xb, Yb)에 대향하는 위치에 있어서 각각 행 방향으로 연장되는 한 쌍의 횡벽(8A)과, 인접하는 열 전극(D) 사이의 중간 위치에 있어서 한 쌍의 횡벽(8A) 사이에서 열 방향으로 연장되는 종벽(8B)에 의해 거의 사다리 형상으로 형성되어 있고, 각 격벽(8)이 인접하는 다른 격벽(8)의 서로 등을 맞대고 반대 방향을 향해 대향하는 횡벽(8A) 사이에서 행 방향으로 연장되는 간극(SL)을 사이에 두고, 열 방향으로 병설되어 있다.

이 사다리형의 격벽(8)에 의해 전면 유리 기판(1)과 배면 유리 기판(6) 사이의 방전 공간(S)이 각 행 전극쌍(X, Y)에 있어서 서로 쌍을 이루고 있는 투명 전극(Xa, Ya)에 대향하는 부분에 형성되는 방전 셀(C)마다 각각 사각형으로 구획되어 있다.

그리고, 이 격벽(8)의 횡벽(8A)의 표시측 면이 추가의 유전체층(3A)을 피복하고 있는 박막 산화마그네슘층(4)에 접촉되어(도 2 참조) 방전 셀(C)과 간극(SL) 사이를 각각 폐쇄하고 있지만, 종벽(8B)의 표시측 면에는 접촉되어 있지 않고 (도 3 참조), 그 사이에 간극(r)이 형성되어 행 방향에서 인접하는 방전 셀(C) 사이가 이 간극(r)을 통해 서로 연통되어 있다.

방전 공간(S)에 면하는 격벽(8)의 횡벽(8A) 및 종벽(8B)의 측면과 열 전극 보호층(7)의 표면에는 이들 다섯 면을 전부 덮도록 형광체층(9)이 형성되어 있고, 이 형광체층(9)의 색은 각 방전 셀(C)마다 적, 녹, 청의 삼원색이 행 방향으로 차례로 늘어서도록 배열되어 있다.

방전 공간(S) 내에는 크세논 가스를 함유하는 방전 가스가 봉입되어 있다.

상기 결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같은 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 유전체층(3) 및 추가의 유전체층(3A)을 피복하고 있는 박막 산화마그네슘층(4)의 배면측 표면에 부착됨으로써 형성된다.

도 4는 유전체층(3)의 배면에 박막 산화마그네슘층(4)이 형성되고, 이 박막 산화마그네슘층(4)의 배면에 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착되어 결정 산화마그네슘층(5)이 형성되어 있는 상태를 나타내고 있다.

또한, 도 5는 유전체층(3)의 배면에 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착되어 결정 산화마그네슘층(5)이 형성된 후, 박 막 산화마그네슘층(4)이 형성되어 있는 상태를 나타내고 있다.

상기 PDP의 결정 산화마그네슘층(5)은 하기 재료 및 방법에 의해 형성되어 있다.

즉, 결정 산화마그네슘층(5)의 형성 재료가 되는 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체란, 예컨대 마그네슘을 가열하여 발생하는 마그네슘 증기를 기상 산화하여 얻어지는 마그네슘의 단결정체(이하, 이 마그네슘의 단결정체를 기상법 산화마그네슘 단결정체라 함)를 포함하고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체에는 예컨대 도 6의 SEM 사진상으로 보여지는 바와 같은 입방체의 단결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체와, 도 7의 SEM 사진상으로 보여지는 바와 같은 입방체의 결정체가 서로 결합한 구조(즉, 입방체의 다중 결정 구조)를 갖는 산화마그네슘 단결정체가 포함된다.

이 기상법 산화마그네슘 단결정체는 후술하는 바와 같이 방전 지연 감소 등의 방전 특성의 개선에 기여한다.

그리고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체는 다른 방법에 의해 얻어지는 산화마그네슘과 비교하면, 고순도이면서 미립자가 얻어지고, 또한 입자의 응집이 적은 등의 특징을 갖고 있다.

이 실시예에 있어서는, BET법에 의해 측정한 평균 입자 지름이 500 Å 이상(바람직하게는, 2000 Å 이상)의 기상법 산화마그네슘 단결정체가 이용된다.

또한, 기상법 산화마그네슘 단결정체의 합성에 대해서는 『재료』 1987년 11 월호, 제36권 제410호의 제1157～1161페이지의『기상법에 의한 마그네시아 분말의 합성과 그 성질』 등에 기재되어 있다.

이 결정 산화마그네슘층(5)은 전술한 바와 같이, 예컨대 기상법 산화마그네슘 단결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착됨으로써 형성된다.

상기 PDP는 화상 형성을 위한 리셋 방전 및 어드레스 방전, 유지 방전이 방전 셀(C) 내에서 행해진다.

그리고, 어드레스 방전 전에 행해지는 리셋 방전시에, 이 리셋 방전에 의해 방전 가스중의 크세논으로부터 진공 자외선이 방사되어, 이 진공 자외선에 의해 방전 셀(C)에 면하도록 형성되어 있는 결정 산화마그네슘층(5)으로부터 2차 전자[프라이밍(priming) 입자]가 방출됨으로써, 다음 어드레스 방전시에 그 어드레스 방전 개시 전압이 저하되고, 또한, 그 어드레스 방전이 고속화된다.

상기 PDP는 도 8 및 9에 도시된 바와 같이, 결정 산화마그네슘층(5)이 전술한 바와 같은 예컨대 기상법 산화마그네슘 단결정체에 의해 형성되어 있음으로써, 방전에 의해 발생하는 전자선의 조사에 의해 결정 산화마그네슘층(5)에 함유되는 입자 지름이 큰 기상법 산화마그네슘 단결정체로부터 300～400 ㎚로 피크를 갖는 CL 발광에 부가하여 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광이 여기된다.

이 235 ㎚ 부근에 피크를 갖는 CL 발광은, 도 10에 도시된 바와 같이, 통상의 증착법에 의해 형성되는 산화마그네슘층[이 실시예에 있어서의 박막 산화마그네 슘층(4)]으로부터는 여기되지 않고, 300～400 ㎚로 피크를 갖는 CL 발광만이 여기된다.

또한, 도 8 및 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광은 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입자 지름이 커질수록 그 피크 강도가 커진다.

이 파장 영역 200～300 ㎚로 피크를 갖는 CL 발광의 존재에 의해 방전 특성의 개선(방전 지연의 감소, 방전 확률의 향상)이 더욱 도모되는 것으로 추측된다.

즉, 이 결정 산화마그네슘층(5)에 의한 방전 특성의 개선은 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 기상법 산화마그네슘 단결정체가 그 피크 파장에 대응한 에너지 준위를 가지며, 그 에너지 준위에 의해 전자를 장시간(수 msec 이상) 트랩할 수 있고, 이 전자가 전계에 의해 추출됨으로써 방전 개시에 필요한 초기 전자가 얻어짐에 따라 행해지는 것으로 추측된다.

그리고, 이 기상법 산화마그네슘 단결정체에 의한 방전 특성의 개선 효과가 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광 강도가 커질수록 커지는 것은 CL 발광 강도와 기상법 산화마그네슘 단결정체의 입자 지름 사이에도 상관 관계가 있기 때문이다.

즉, 큰 입자 지름의 기상법 산화마그네슘 단결정체를 형성하고자 하는 경우에는 마그네슘 증기를 발생시킬 때의 가열 온도를 높일 필요가 있기 때문에, 마그네슘과 산소가 반응하는 화염의 길이가 길어지고, 이 화염과 주위의 온도차가 커짐 으로써, 입자 지름이 큰 기상법 산화마그네슘 단결정체일수록 전술한 바와 같은 CL 발광의 피크 파장(예컨대, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 대응한 에너지 준위가 다수 형성되는 것으로 생각된다.

또한, 입방체의 다중 결정 구조의 기상법 산화마그네슘 단결정체에 대해서는 결정면 결함을 많이 포함하고 있어, 그 면 결함 에너지 준위의 존재가 방전 확률의 개선에 기여하고 있다고도 추측된다.

또한, 결정 산화마그네슘층(5)을 형성하는 기상법 산화마그네슘 단결정체 분말의 입자 지름(D_BET)은 질소 흡착법에 의해 BET 비표면적(s)이 측정되며, 이 값으로부터 다음 수학식 1에 의해 산출된다.

A : 형상 계수(A＝6)

p : 마그네슘의 실제 밀도

도 11은 CL 발광 강도와 방전 지연과의 상관 관계를 나타낸 그래프이다.

이 도 11로부터, 결정 산화마그네슘층(5)으로부터 여기되는 235 ㎚의 CL 발광에 의해 PDP에서의 방전 지연이 단축되는 것을 알 수 있고, 또한, 이 235 ㎚의 CL 발광 강도가 강할수록 이 방전 지연이 단축되는 것을 알 수 있다.

도 12는 상기한 바와 같이 PDP가 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)의 2층 구조를 구비하고 있는 경우(그래프 a)와, 종래의 PDP와 같이 증착법 에 의해 형성된 산화마그네슘층만이 형성되어 있는 경우(그래프 b)의 방전 지연 특성을 비교한 것이다.

이 도 12로부터 알 수 있는 바와 같이, PDP가 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)의 2층 구조를 구비하고 있음으로써, 방전 지연 특성이 종래의 증착법에 의해 형성된 박막 산화마그네슘층만을 구비하고 있는 PDP에 비하여 현저히 개선되어 있는 것을 알 수 있다.

이상과 같이, 상기 PDP는 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층(4)에 부가하여 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성된 결정 산화마그네슘층(5)이 박막 산화마그네슘층(4) 상의 투명 전극(Xa, Ya)의 서로 대향하는 부분[투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 일부] 및 이 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 사각형 부분에 적층하여 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

특히, 이 결정 산화마그네슘층(5)이 박막 산화마그네슘층의 전면이 아니라 방전이 강하게 발생하는 영역 부분에만 형성되어 있음으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 효과가 매우 크다.

이 결정 산화마그네슘층(5)을 형성하는 기상법 산화마그네슘 단결정체에는 BET법에 의해 측정한 그 평균 입자 지름이 500 Å 이상인 것이 사용되고, 바람직하게는 2000～4000 Å인 것이 사용된다.

또한, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(5)이 박막 산화마그네슘층(4) 상의 투명 전극(Xa, Ya)의 서로 대향하는 부분[투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 일부] 및 이 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 사각형 부분에 각각 섬 형상으로 패턴화되어 형성되어 있음으로써, 박막 산화마그네슘층(4)과 결정 산화마그네슘층(5)이 적층됨에 따른 광 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 결정 산화마그네슘층(5)이 상기한 바와 같이 섬 형상으로 패턴화되어 형성되어 있음으로써, 방전 셀(C) 내에서 반복하여 발생되는 방전에 의한 이온 충격(스퍼터)에 의해 결정 산화마그네슘이 비산(飛散)되고, 이것이 다시 퇴적되어 형성되는 결정 산화마그네슘의 응집 부분에 있어서, 방전 특성의 저하와 투과율의 저하가 발생하는 것을 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 상기에 있어서는, 본 발명을, 전면 유리 기판에 행 전극쌍을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고 배면 유리 기판측에 형광체층과 열 전극을 형성한 반사형 교류 PDP에 적용한 예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은, 전면 유리 기판측에 행 전극쌍과 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고, 배면 유리 기판측에 형광체층을 형성한 반사형 교류 PDP나 전면 유리 기판측에 형광체층을 형성하고 배면 유리 기판측에 행 전극쌍 및 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복한 투과형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 3전극형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 2전극형 교류 PDP 등의 여러 가지 형식의 PDP에 적용할 수 있다.

또한, 상기에 있어서는 결정 산화마그네슘층(5)을 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착시킴으로써 형성하는 예에 대해서 설명하였지만, 결정 산화마그네슘층(5)은 기상법 산화마그네슘 단결정체를 함유하는 페이스트를 스크린 인쇄법 또는 오프셋 인쇄법, 디스펜서법, 잉크젯법, 롤코팅법 등의 방법에 의해 도포함으로써 형성하도록 하여도 좋다.

게다가, 상기에 있어서는, 결정 산화마그네슘층(5)이 투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 일부에 대향하도록 형성되어 있는 예가 도시되어 있지만, 이 결정 산화마그네슘층은 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 부분(Xa1, Ya1)의 거의 전부분에 대향하도록 형성되어 있어도 좋다.

[실시예 2]

도 13은 본 발명에 따른 PDP의 실시 형태의 제2 실시예를 나타낸 개략 구성도이다.

전술한 제1 실시예에 있어서의 결정 산화마그네슘층이 박막 산화마그네슘층 상의 방전 갭과 이 방전 갭을 사이에 두고 대향하는 쌍을 이룬 투명 전극의 각각의 선단 광폭부에 대향하는 사각형 부분에 섬 형상으로 패턴 형성되어 있는 데 반하여, 이 제2 실시예에 있어서의 PDP의 결정 산화마그네슘층(15)은 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 형성된 박막 산화마그네슘층의 배면측에 있어서, 방전 갭(g)과 이 방전 갭(g)을 사이에 두고 대향하는 쌍을 이룬 투명 전극(Xa, Ya)의 각각의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 선단 부분에 대향하는 부분을 포함하는 행 방향으로 연장되는 띠 형상 부분에 스트라이프 형상으로 패턴 형성되어 있다.

이 도 13에 있어서, 다른 부분의 구성은 제1 실시예의 경우와 동일하며, 제1 실시예와 동일한 부호가 붙여지고 있다.

또한, 결정 산화마그네슘층(15)의 구성 및 형성 방법도 제1 실시예의 경우 와 동일하다.

이 제2 실시예에 있어서의 PDP도 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층에 부가하여 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성된 결정 산화마그네슘층(15)이 방전 갭(g)과 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 각각의 선단 부분에 대향하는 부분을 포함하는 스트라이프 형상으로 패턴 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

특히, 이 결정 산화마그네슘층(15)이 박막 산화마그네슘층의 전면이 아니라 방전이 강하게 발생하는 영역 부분에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 효과가 매우 크다.

그리고, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(15)이 방전이 강하게 발생하는 영역 부분에만 형성되어 있음으로써, 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층(15)이 적층되는 것에 의한 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 결정 산화마그네슘층(15)이 상기한 바와 같이 패턴화되어 형성되어 있음으로써, 방전 셀 내에서 반복 발생되는 방전에 의한 이온 충격(스퍼터)에 의해 결정 산화마그네슘이 비산되고, 이것이 다시 퇴적되어 형성되는 결정 산화마그네슘 의 응집 부분에 있어서, 방전 특성의 저하와 투과율의 저하가 발생하는 것을 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 상기에 있어서는, 본 발명을 전면 유리 기판에 행 전극쌍을 형성하여 유전체층에 의해 피복하여 배면 유리 기판측에 형광체층과 열 전극을 형성한 반사형 교류 PDP에 적용한 예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 전면 유리 기판측에 행 전극쌍과 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고, 배면 유리 기판측에 형광체층을 형성한 반사형 교류 PDP나 전면 유리 기판측에 형광체층을 형성하여 배면 유리 기판측에 행 전극쌍 및 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복한 투과형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 3전극형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 2전극형 교류 PDP 등의 여러 가지 형식의 PDP에 적용할 수 있다.

[실시예 3]

도 14는 본 발명에 따른 PDP의 실시 형태의 제3 실시예를 나타낸 개략 구성도이다.

전술한 제1 실시예에 있어서의 결정 산화마그네슘층이 박막 산화마그네슘층 상의 방전 갭 및 이 방전 갭을 사이에 두고 대향하는 쌍을 이룬 투명 전극의 각각의 선단 부분에 대향하는 사각형 부분에 형성되어 있는 데 반하여, 이 제3 실시예에 있어서의 PDP는 결정 산화마그네슘층(25)이 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 형성된 박막 산화마그네슘층의 배면측에 있어서, T자 형상으로 형성되어 있는 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)와 이 선단 광폭부(Xa1, Ya1)를 투명 전극(Xb, Yb)에 접속하는 좁은 폭의 기단부(Xa2, Ya2)와의 연결 부분을 포함하는 사각형 부분에 대향하는 위치에 각각 섬 형상으로 패턴 형성되어 있다.

그리고, 이 결정 산화마그네슘층(25)은 제1 실시예의 결정 산화마그네슘층이 대향하고 있었던 방전 갭 및 이 방전 갭을 사이에 두고 대향하는 투명 전극의 선단 부분에는 대향되어 있지 않다.

이 도 14에 있어서, 다른 부분의 구성은 제1 실시예의 경우와 마찬가지로서 제1 실시예와 동일한 부호가 붙여져 있다.

또한, 결정 산화마그네슘층(25)의 구성 및 형성 방법도 제1 실시예의 경우와 동일하다.

이 제3 실시예에 있어서의 PDP도 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층에 부가하여 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성된 결정 산화마그네슘층(25)이 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)와 기단부(Xa2, Ya2)의 연결 부분을 포함하는 사각형 부분에 대향하는 위치에 각각 섬 형상으로 패턴 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

그리고, 이 결정 산화마그네슘층(25)이 방전이 강하게 발생하는 영역 부분에 인접하는 영역 부분에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 큰 효과를 얻을 수 있으며, 방전이 가장 강하게 발생하는 영역 부분을 제외하고 형성되어 있음으로써, 방전 발생시의 이온 충격(스퍼터)에 의한 결정 산화마그네슘의 비산 및 재퇴적에 의한 투과율의 저하를 억제할 수 있다.

그리고, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(25)이 박막 산화마그네슘층의 전면이 아니라 방전이 발생하는 영역 부분에만 형성되어 있음으로써, 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층(25)이 적층됨에 따른 광 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 상기에 있어서는, 본 발명을 전면 유리 기판에 행 전극쌍을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고 배면 유리 기판측에 형광체층과 열 전극을 형성한 반사형 교류 PDP에 적용한 예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 전면 유리 기판측에 행 전극쌍과 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고, 배면 유리 기판측에 형광체층을 형성한 반사형 교류 PDP나 전면 유리 기판측에 형광체층을 형성하고 배면 유리 기판측에 행 전극쌍 및 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복한 투과형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 3전극형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 2전극형 교류 PDP 등의 여러 가지 형식의 PDP에 적용할 수 있다.

[실시예 4]

도 15는 본 발명에 따른 PDP의 실시 형태의 제4 실시예를 나타낸 개략 구성도이다.

전술한 제3 실시예에 있어서의 결정 산화마그네슘층이 T자 형상의 투명 전극의 선단 광폭부와 기단부의 연결 부분을 포함하는 사각형 부분에 대향하는 위치에 각각 섬 형상으로 패턴 형성되어 있는 데 반하여, 이 제4 실시예에 있어서의 PDP의 결정 산화마그네슘층(35)은 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 형성된 박막 산화마그네슘층의 배면측에 있어서, T자 형상의 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)와 기단부(Xa2, Ya2)의 연결 부분에 대향하는 부분을 포함하는 행 방향으로 연장되는 띠 형상 부분에 스트라이프 형상으로 패턴 형성되어 있다.

이 도 15에 있어서, 다른 부분의 구성은 제1 실시예의 경우와 동일하며, 제1 실시예와 동일한 부호가 붙여져 있다.

또한, 결정 산화마그네슘층(35)의 구성 및 형성 방법도 제1 실시예의 경우 와 동일하다.

이 제4 실시예에 있어서의 PDP도 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층에 부가하여 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성된 결정 산화마그네슘층(35)이 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)와 기단부(Xa2, Ya2)의 연결 부분을 포함하는 스트라이프 형상으로 패턴 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

그리고, 이 결정 산화마그네슘층(35)이 방전이 강하게 발생하는 영역 부분에 인접하는 영역 부분에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 큰 효과를 얻을 수 있고, 방전이 가장 강하게 발생하는 영역 부분을 제외하고 형성되어 있음으로써, 방전 발생시의 이온 충격(스퍼터)에 의한 결정 산화마그네슘의 비산 및 재퇴적에 의한 투과율의 저하를 억제할 수 있다.

그리고, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(35)이 박막 산화마그네슘층의 전면이 아니라, 방전이 발생하는 영역 부분에만 형성되어 있음으로써, 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층(35)이 적층됨에 따른 광 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 상기에 있어서는, 본 발명을, 전면 유리 기판에 행 전극쌍을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고 배면 유리 기판측에 형광체층과 열 전극을 형성한 반사형 교류 PDP에 적용한 예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 전면 유리 기판측에 행 전극쌍과 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고, 배면 유리 기판측에 형광체층을 형성한 반사형 교류 PDP나 전면 유리 기판측에 형광체층을 형성하여 배면 유리 기판측에 행 전극쌍 및 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복한 투과형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 3전극형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 2전극형 교류 PDP 등의 여러 가지 형식의 PDP에 적용할 수 있다.

[실시예 5]

도 16은 본 발명에 따른 PDP의 실시 형태의 제5 실시예를 나타낸 개략 구성도이다.

전술한 제1 실시예에 있어서의 결정 산화마그네슘층이 박막 산화마그네슘층 상의 방전 갭 및 이 방전 갭을 사이에 두고 대향하는 쌍을 이룬 투명 전극의 각각의 선단 부분에 대향하는 사각형 부분에 형성되어 있는 데 반하여, 이 제5 실시예에 있어서의 PDP는 결정 산화마그네슘층(45)이 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 형성된 박막 산화마그네슘층의 배면측에 있어서, T자형으로 형성된 각 행 전극(X, Y)의 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 전면에 대향하는 사각형 부분에 각각 선단 광폭부(Xa1, Ya1)와 거의 같은 크기로 섬 형상으로 패턴 형성되어 있다.

이 도 16에 있어서, 다른 부분의 구성은 제1 실시예의 경우와 동일하며, 제1 실시예와 동일한 부호가 붙여져 있다.

또한, 결정 산화마그네슘층(45)의 구성 및 형성 방법도 제1 실시예의 경우 와 동일하다.

이 제5 실시예에 있어서의 PDP도 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층에 부가하여 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성된 결정 산화마그네슘층(45)이 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 전면에 대향하는 사각형 부분에 각각 섬 형상으로 패턴 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

특히, 이 결정 산화마그네슘층(45)이 방전이 강하게 발생하는 영역 부분에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 효과가 매우 크다.

그리고, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(45)이 박막 산화마그네슘층의 전면이 아니라 방전이 발생하는 영역 부분에만 형성되어 있음으로써, 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층(45)이 적층됨에 따른 광 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 결정 산화마그네슘층(45)이 상기한 바와 같이 패턴화되어 형성되어 있음으로써, 방전 셀 내에서 반복하여 발생되는 방전에 의한 이온 충격(스퍼터)에 의해 결정 산화마그네슘이 비산되고, 이것이 다시 퇴적하여 형성되는 결정 산화마그네슘의 응집 부분에 있어서, 방전 특성의 저하와 투과율의 저하가 발생하는 것을 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 상기에 있어서는, 본 발명을, 전면 유리 기판에 행 전극쌍을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고 배면 유리 기판측에 형광체층과 열 전극을 형성한 반사형 교류 PDP에 적용한 예에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 전면 유리 기판측에 행 전극쌍과 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복하고, 배면 유리 기판측에 형광체층을 형성한 반사형 교류 PDP나 전면 유리 기판측에 형광체층을 형성하고 배면 유리 기판측에 행 전극쌍 및 열 전극을 형성하여 유전체층에 의해 피복한 투과형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극쌍과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 3전극형 교류 PDP, 방전 공간의 행 전극과 열 전극의 교차 부분에 방전 셀이 형성되는 2전극형 교류 PDP 등의 여러 가지 형식의 PDP에 적용할 수 있다.

[실시예 6]

도 17은 본 발명에 따른 PDP의 실시 형태의 제6 실시예를 나타낸 개략 구성도이다.

전술한 제5 실시예에 있어서의 결정 산화마그네슘층이 T자형으로 형성된 각 행 전극의 투명 전극의 선단 광폭부의 전면에 대향하는 사각형 부분에 각각 선단 광폭부와 거의 동일 면적에서 섬 형상으로 패턴 형성되어 있는 데 반하여, 이 제6 실시예에 있어서의 PDP의 결정 산화마그네슘층(55)은 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 형성된 박막 산화마그네슘층의 배면측에 있어서, 각각 행 전극((X, Y)의 전면, 즉 투명 전극(Xa, Ya)과 투명 전극(Xb, Yb)의 전면에 대향하는 부분에 행 전극(X, Y)과 거의 동일 형상으로 패턴 형성되어 있다.

이 도 17에 있어서, 다른 부분의 구성은 제1 실시예의 경우와 동일하며, 제1 실시예와 동일한 부호가 붙여져 있다.

또한, 결정 산화마그네슘층(55)의 구성 및 형성 방법도 제1 실시예의 경우와 동일하다.

이 제6 실시예에 있어서의 PDP도 증착법 등에 의해 형성된 종래의 박막 산화마그네슘층에 부가하여 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성된 결정 산화마그네슘층(55)이 행 전극(X, Y)의 투명 전극(Xa, Ya) 및 투명 전극(Xb, Yb)에 대향하는 위치에 패턴 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

특히, 이 결정 산화마그네슘층(55)이 방전이 강하게 발생하는 영역 부분에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 효과가 매우 크다.

그리고, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(55)이 박막 산화마그네슘층의 전면이 아니라, 방전이 발생하는 영역 부분에만 형성되어 있음으로써, 박막 산화마그네슘층과 결정 산화마그네슘층(55)이 적층됨에 따른 광 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 결정 산화마그네슘층(55)이 상기한 바와 같이 패턴화되어 형성되어 있음으로써, 방전 셀 내에서 반복하여 발생되는 방전에 의한 이온 충격(스퍼터)에 의해 결정 산화마그네슘이 비산되고, 이것이 다시 퇴적되어 형성되는 결정 산화마그네슘의 응집 부분에 있어서, 방전 특성의 저하와 투과율의 저하가 발생하는 것을 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

또한, 이 실시예에 있어서의 PDP와 같이, 방전 공간을 구획하는 격벽[도 1 및 2에 있어서의 격벽(8)]을 구비하고 있어, 행 전극(X, Y)의 투명 전극(Xb, Yb)이 격벽의 횡벽에 대향하고 있음으로써 이 투명 전극(Xb, Yb) 부분을 피복하고 있는 유전체층이 방전 공간에 대하여 노출되어 있지 않은 경우에는 투명 전극(Xb, Yb)에 각각 대향하는 부분을 제외하고 투명 전극(Xa, Ya)에 대향하는 부분에만 결정 산화마그네슘층을 형성하도록 하여도 좋다.

[실시예 7]

도 18 내지 도 20은 본 발명에 따른 PDP의 실시 형태의 제7 실시예를 나타내고 있고, 도 18은 이 실시예에 있어서의 PDP를 모식적으로 도시한 정면도, 도 19는 도 18의 V2-V2선에 있어서의 단면도, 도 20은 도 18의 W2-W2선에 있어서의 단면도이다.

또한, 이하의 설명에 있어서, 전술한 제1 실시예의 PDP와 동일한 구성 부분에 대해서는 도 18 내지 도 20에 있어서 도 1 내지 도 3과 동일한 부호를 붙여서 설명한다.

전술한 제1 실시예의 PDP의 결정 산화마그네슘층이 박막 산화마그네슘층에 적층하여 형성되어 있는 데 반하여, 이 제7 실시예의 PDP는 결정 산화마그네슘층이 행 전극쌍을 피복하는 유전체층 상에 단층으로 형성되어 있다.

즉, 도 18 내지 도 20에 있어서, 전면 유리 기판(1)의 배면에 제1 실시예와 마찬가지로 복수의 행 전극쌍(X, Y)이 전면 유리 기판(1)의 행 방향(도 18의 좌우 방향)으로 연장되도록 평행하게 배열되고, 이 행 전극쌍(X, Y)은 전면 유리 기판(1)의 배면에 형성된 유전체층(3)에 의해 피복되어 있다.

그리고, 이 유전체층(3)의 배면측에는 추가의 유전체층(3A)이 형성되어 있다.

이 유전체층(3)과 추가의 유전체층(3A)의 배면측에 있어서, 투명 전극(Xa, Ya)의 서로 대향하는 부분[투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 거의 전부분] 및 이 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 사각형 부분에 제1 실시예와 동일한 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광(CL 발광)을 행하는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층이라 함)(65)가 적층되어 각각 섬 형상으로 형성되어 있다.

배면 유리 기판(6)측의 구성은 제1 실시예의 경우와 동일하며, 전면 유리 기판(1) 사이의 방전 공간(S) 내에는 크세논을 함유하는 방전 가스가 봉입되어 있다.

도 21은 유전체층(3)의 배면에 산화마그네슘 결정체가 스프레이법이나 정전 도포법 등의 방법에 의해 부착되어 결정 산화마그네슘층(65)이 형성되어 있는 상태를 나타내고 있다.

이 결정 산화마그네슘층(65)을 형성하는 재료 및 그 형성 방법은 제1 실시예의 결정 산화마그네슘층과 동일하며, 이 결정 산화마그네슘층(65)을 형성하는 기상법 산화마그네슘 단결정체에는 BET법에 의해 측정한 그 평균 입자 지름이 500 Å 이상, 바람직하게는, 2000～4000 Å인 것이 사용되고, 또한, 스프레이법이나 정전 도포법, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 디스펜서법, 잉크젯법, 롤코팅법 등의 여러 가지 방법에 의해 형성된다.

상기한 PDP는 화상 형성을 위한 리셋 방전 및 어드레스 방전, 유지 방전이 방전 셀(C) 내에서 행해지고, 어드레스 방전 전에 행해지는 리셋 방전시에, 이 리셋 방전에 의해 방전 가스중의 크세논으로부터 진공 자외선이 방사되어, 이 진공 자외선에 의해 방전 셀(C)에 면하도록 형성되어 있는 결정 산화마그네슘층(65)으로부터 2차 전자(프라이밍 입자)가 방출됨으로써, 다음 어드레스 방전시에, 그 어드레스 방전 개시 전압이 저하되며, 그 어드레스 방전이 고속화된다.

그리고, 결정 산화마그네슘층(65)이 예컨대 기상법 산화마그네슘 단결정체에 의해 형성되어 있음으로써, 방전에 의해 발생하는 전자선의 조사에 의해 결정 산화마그네슘층(65)에 함유되는 입자 지름이 큰 기상법 산화마그네슘 단결정체로부터, 300～400 ㎚로 피크를 갖는 CL 발광에 부가하여 파장 영역 200～300 ㎚ 내(특히, 235 ㎚ 부근, 230～250 ㎚ 내)에 피크를 갖는 CL 발광이 여기되고, 이 파장 영역200～300 ㎚로 피크를 갖는 CL 발광의 존재에 의해 PDP의 방전 특성의 개선(방전 지연 감소, 방전 확률의 향상)이 더욱 도모된다.

도 22는 기상법 산화마그네슘 단결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층(65)을 구비한 PDP의 방전 지연 특성을 나타낸 그래프로서, 종래의 증착법에 의해 형성된 박막 산화마그네슘층을 구비한 PDP에 비하여, 방전 지연 특성이 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 현저히 개선되어 있는 것을 알 수 있다.

그리고, 전술한 제1 실시예의 PDP에서는, 유전체층(3)의 배면 전면에 박막 산화마그네슘층이 형성되어 있음으로써 방전 강도가 약한 투명 전극(Xa, Ya)의 기단 부분[버스 전극(Xb, Yb)에 접속되어 있는 부분]이나 버스 전극(Xb, Yb) 사이에 있어서 쓸데없는 방전이 발생하여 발광 효율이 저하될 우려가 있지만, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(65)만이 투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)의 거의 전부분과 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 사각형 부분에 형성되어 있음으로써, 투명 전극(Xa, Ya) 사이에서 발생되는 서스테인 방전의 방전 영역이 제한되어 전계 강도가 강한 투명 전극(Xa, Ya)의 선 단 부분에서만 방전이 발생함으로써, 높은 발광 효율을 얻을 수 있게 된다.

또한, 결정 산화마그네슘층(65)이 단결정의 산화마그네슘 결정체에 의해 형성되어 있음으로써, PDP의 초수명화를 도모할 수 있게 된다.

이상과 같이, 상기 PDP는 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성된 결정 산화마그네슘층(65)이 유전체층(3) 상의 투명 전극(Xa, Ya)의 서로 대향하는 부분 및 이 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 사각형 부분에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

[실시예 8]

도 23은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 제8 실시예의 PDP를 모식적으로 도 시한 정면도이다.

전술한 제7 실시예의 PDP의 결정 산화마그네슘층이 유전체층 상의 투명 전극의 서로 대향하는 부분 및 이 투명 전극 사이의 방전 갭에 대향하는 사각형 부분에 소위 섬 형상으로 형성되어 있는 데 반하여, 이 제8 실시예의 PDP는 도 3에 있어서, 결정 산화마그네슘층(75)이 행 전극쌍(X, Y)을 피복하는 유전체층 배면의 투명 전극(Xa, Ya)의 서로 대향하는 부분[투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)] 및 이 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 위치에 있어서, 행 방향으로 인접하는 각 방전 셀(C) 사이에서 각각 연속하도록 행 방향으로 연장되는 띠 형상으로 성형되어 있다.

이 PDP의 다른 부분의 구성은 제7 실시예의 경우와 거의 동일하며, 제7 실시예의 경우와 동일한 구성 부분에 대해서는 도 23에 있어서 도 18과 동일한 부호가 붙여져 있다.

결정 산화마그네슘층(75)의 형성 재료 및 형성 방법도 제7 실시예의 경우와 거의 동일하다.

그리고, 상기 PDP는 제7 실시예의 경우와 거의 마찬가지로 결정 산화마그네슘층(75)에 의해 투명 전극(Xa, Ya) 사이에서 발생되는 서스테인 방전의 방전 영역이 제한되어 전계 강도가 강한 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 부분에서만 방전이 발생함으로써, 높은 발광 효율을 얻을 수 있게 되며, 결정 산화마그네슘층(75)이 단결정의 산화마그네슘 결정체에 의해 형성되어 있음으로써, PDP의 초수명화를 도모할 수 있게 된다.

또한, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(75)이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체에 의해 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

[실시예 9]

도 24 및 도 25는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 제9 실시예의 PDP를 모식적으로 도시한 정면도이다.

전술한 제7 실시예의 PDP의 결정 산화마그네슘층이 유전체층으로부터 방전 공간측으로 돌출한 상태로 형성되어 있는 데 반하여, 이 제9 실시예의 PDP는 결정 산화마그네슘층이 행 전극쌍을 피복하는 제1 유전체층의 배면에 적층하여 형성된 제2 유전체층의 개구부 내에 형성되어 있다.

즉, 도 24 및 도 25에 있어서, 전면 유리 기판(1)의 배면에 형성되어 행 전극쌍(X, Y)을 피복하는 소정 막 두께의 제1 유전체층(83)의 배면에 소정 막 두께의 제2 유전체층(84)이 적층되어 형성되어 있다.

이 제2 유전체층(84)에는 행 전극(X, Y)의 투명 전극(Xa, Ya)의 방전 갭(g)을 사이에 두고 서로 대향하는 부분[투명 전극(Xa, Ya)의 각각 방전 갭(g)에 인접하는 선단 광폭부(Xa1, Ya1)] 및 이 투명 전극(Xa, Ya) 사이의 방전 갭(g)에 대향하는 부분에 사각형 개구부(84a)가 형성되어 있다.

그리고, 이 제2 유전체층(84)의 개구부(84a) 내에 있어서, 제1 유전체층(83) 상에 결정 산화마그네슘층(85)이 형성되고, 이 결정 산화마그네슘층(85)에 의해 개구부(84a) 내의 제1 유전체층(83)의 전 표면이 피복되어 있다.

이 PDP의 다른 부분의 구성은 제7 실시예의 경우와 거의 동일하며, 제7실시예의 경우와 동일한 구성 부분에 대해서는 도 23에 있어서 도 18과 동일한 부호가 붙여져 있다.

결정 산화마그네슘층(85)의 형성 재료 및 형성 방법도 제7 실시예의 경우와 거의 동일하다.

그리고, 상기 PDP는 제7 실시예의 PDP와 거의 마찬가지로 결정 산화마그네슘층(85)에 의해 투명 전극(Xa, Ya) 사이에서 발생되는 서스테인 방전의 방전 영역이 제한되어 전계 강도가 강한 투명 전극(Xa, Ya)의 선단 부분에서만 방전이 발생함으로써, 높은 발광 효율을 얻을 수 있게 되며, 이 제7 실시예의 PDP의 기술적 효과에 부가하여 결정 산화마그네슘층(85)이 제2 유전체층(84)의 개구부(84a) 내에 형성됨으로써, 서스테인 방전의 방전 영역의 확대를 더욱 억제할 수 있게 된다.

또한, 상기 PDP는 결정 산화마그네슘층(85)이 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 CL 발광을 행하는 단결정 산화마그네슘 결정체에 의해 형성되어 있음으로써, PDP의 초수명화를 도모할 수 있게 되며, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

상기 각 실시예의 PDP는 방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 이 한 쌍의 기판 중 어느 하나에 형성된 방전 전극과, 이 방전 전극을 피복하는 유전체층을 가지며, 방전 공간 내에 단위 발광 영역이 형성되고, 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하 는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층이 상기 방전 전극이 형성되어 있는 기판측의 방전 공간에 대향하는 부분의 일부에 형성되어 있는 PDP를 그 상위 개념의 실시 형태로 하고 있는 것이다.

이 상위 개념을 구성하는 PDP는 전자선에 의해 여기됨으로써 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하는 산화마그네슘 결정체를 함유하는 결정 산화마그네슘층이 유전체층측의 단위 발광 영역에 대향하는 부분 중, 적어도 방전 전극에 대향하는 부분을 포함하는 일부에 형성되어 있음으로써, 방전 지연 등의 방전 특성의 개선이 도모되어 양호한 방전 특성을 갖출 수 있다.

그리고, 이 결정 산화마그네슘층이 방전 전극에 대향하는 부분을 포함하는 임의의 위치에 형성됨으로써, 방전 지연 시간을 단축하는 효과가 매우 커지고, 결정 산화마그네슘층이 형성됨에 따른 광 투과율의 저하를 최소한으로 억제할 수 있게 된다.

Claims

방전 공간을 사이에 두고 대향하는 한 쌍의 기판과, 상기 한 쌍의 기판 중 어느 하나에 형성된 방전 전극과, 상기 방전 전극을 피복하는 유전체층을 포함하며, 방전 공간 내에 단위 발광 영역이 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,

산화마그네슘 결정체를 포함하며, 상기 산화마그네슘 결정체가 전자선에 의해 여기됨으로써, 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하는 결정 산화마그네슘층은, 상기 방전 전극이 형성되어 있는 기판측의 방전 공간을 향하는 부분의 상기 방전 전극의 적어도 일부에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되어 상기 유전체층을 피복하는 박막 산화마그네슘층을 더 포함하고, 상기 박막 산화마그네슘층 상의 방전 공간을 향하는 부분의 상기 방전 전극의 적어도 일부에 대응하는 위치에 결정 산화마그네슘층이 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 유전체층 상의 방전 공간을 향하는 부분의 상기 방전 전극의 적어도 일부에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 방전 전극에 대응하는 위치에 패턴화되어 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 방전 전극은, 한 쌍의 행 전극이 방전 갭을 사이에 두고 대향하는 행 전극쌍이며, 상기 행 전극쌍의 각각의 행 전극은 행 방향으로 연장되는 전극 본체부와 상기 전극 본체부로부터 쌍을 이루고 있는 다른 행 전극의 방향으로 돌출하여 방전 갭을 사이에 두고 서로 대향되는 전극 돌출부를 갖고 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제5항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은, 행 전극의 돌출 전극부에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제6항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은, 행 전극쌍의 방전 갭과 상기 방전 갭을 사이에 두고 서로 대향되는 돌출 전극부의 각각의 선단 부분에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제7항에 있어서, 상기 돌출 전극부는, 쌍을 이루고 있는 다른 돌출 전극부와 방전 갭을 사이에 두고 대향되는 넓은 폭의 선단부와, 상기 넓은 폭의 선단부와 전극 본체부를 접속하는 좁은 폭의 기단부를 가지며, 결정 산화마그네슘층은 돌출 전극부의 넓은 폭의 선단부의 일부에 대응하고 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제7항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 각 단위 발광 영역마다 개별로 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제7항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 인접하는 단위 발광 영역 사이에서 연속하는 형상으로 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제6항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 방전 갭을 사이에 두고 서로 대향되는 돌출 전극부의 각각의 선단 부분을 제외한 중간 부분에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제11항에 있어서, 상기 돌출 전극부는, 쌍을 이루고 있는 다른 돌출 전극부와 방전 갭을 사이에 두고 대향되는 넓은 폭의 선단부와, 상기 넓은 폭의 선단부와 전극 본체부를 접속하는 좁은 폭의 기단부를 가지며, 결정 산화마그네슘층은 돌출 전극부의 넓은 폭의 선단부와 좁은 폭의 기단부의 접속 부분에 대응하고 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제11항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 각 단위 발광 영역마다 개별로 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제11항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 인접하는 단위 발광 영역 사 이에서 연속하는 형상으로 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제6항에 있어서, 상기 돌출 전극부는, 쌍을 이루고 있는 다른 돌출 전극부와 방전 갭을 사이에 두고 대향되는 넓은 폭의 선단부와, 상기 넓은 폭의 선단부와 전극 본체부를 접속하는 좁은 폭의 기단부를 가지며, 결정 산화마그네슘층은 돌출 전극부의 넓은 폭의 선단부에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제5항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 전극 본체부와 돌출 전극부에 대응하는 위치에 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 500 Å 이상의 입자 지름을 갖는 산화마그네슘 결정체를 함유하고 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 2000 Å 이상의 입자 지름을 갖는 산화마그네슘 결정체를 함유하고 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는, 마그네슘이 가열되어 발생된 마그네슘 증기가 기상 산화됨으로써 생성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제19항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 입방체의 단결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제19항에 있어서, 상기 산화마그네슘 결정체는 입방체의 다중 결정 구조를 갖는 산화마그네슘 단결정체인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 전자선에 의해 여기되어 파장 영역 200～300 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제1항에 있어서, 상기 결정 산화마그네슘층은 전자선에 의해 여기되어 파장 영역 230～250 ㎚ 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 발광을 행하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
제5항에 있어서, 상기 행 전극쌍의 방전 갭과 상기 방전 갭을 사이에 두고 서로 대향하는 돌출 전극부의 각각의 선단 부분을 포함하는 영역 부분에 대응하는 부분의 유전체층의 방전 공간측에 오목부가 형성되고, 상기 오목부 내에 결정 산화마그네슘층이 형성되어 있는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.