CN1750221A - 等离子体显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种等离子体显示面板，具有：隔着放电空间对置的正面玻璃基板和背面玻璃基板；在正面玻璃基板的背面形成的行电极对；以及覆盖该行电极对的电介质层，在放电空间内形成放电单元，因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层在形成行电极对的正面玻璃基板侧的与放电空间对置的部分的一部分上形成。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体显示面板的构成。
背景技术
一般来说，面放电方式交流型等离子体显示面板(以下，称为PDP)是在夹持封入放电气体的放电空间而相互对置的二枚玻璃基板之中，在一枚玻璃基板上沿行方向延伸的行电极对在列方向并行设置，在另一枚玻璃基板上沿列方向延伸的列电极在行方向并行设置，在放电空间的行电极对与列电极分别交叉的部分，单位发光区域(放电单元)被形成为矩阵状。
而且，在该PDP中，在面向为覆盖行电极及列电极而形成的电介质层上的单位发光区域内的位置上，形成具有电介质层的保护功能和对单位发光区域内的2次电子发射功能的氧化镁(MgO)膜。
曾提出这样的现有PDP的氧化镁膜的形成是通过用丝网印刷法将混入了氧化镁粉末的膏涂敷在电介质层上而进行的。
这样的现有PDP例如被记述于特开平6-325696号公报中。
然而，这种现有的氧化镁膜是通过用丝网印刷法涂敷混入了多晶单叶形的氧化镁的膏而形成的膜，多晶单叶形的氧化镁系对氢氧化镁进行热处理精制而成，PDP的放电特性与用蒸镀法形成的氧化镁膜几乎相同，或不过达到稍许提高的程度而已。
因此，强烈要求在PDP上形成可更进一步提高放电特性的保护膜。
发明内容
本发明把解决形成上述现有的氧化镁膜的PDP中的问题作为其解决课题之一。
为了完成上述课题，本发明的等离子体显示面板具有隔着放电空间对置的一对基板、在该一对基板的某一个上形成的放电电极和覆盖该放电电极的电介质层，在放电空间内形成单位发光区域，其特征在于，因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层在形成上述放电电极的基板侧的与放电空间对置的部分的一部分上形成。
而且，本发明的PDP在正面玻璃基板与背面玻璃基板之间，设置沿行方向延伸的行电极对，以及沿列方向延伸并在与行电极对的交叉部分的放电空间内形成放电单元的列电极，与覆盖该行电极对或列电极的电介质层的放电单元对置一侧的至少包含与行电极或列电极对置的部分的一部分上，以形成因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层的PDP作为其最佳的实施方式。
在该实施方式的PDP中，因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层在与电介质层侧的与放电单元对置的部分之中包含至少与行电极或列电极对置的部分的一部分上形成，从而可谋求放电滞后等放电特性的改进，具备良好的放电特性。
而且，该结晶氧化镁层通过在包含与行电极或列电极对置的部分的任意的位置上形成，缩短放电滞后时间的效果大大增加，同时可将因形成结晶氧化镁层而导致的光透射率的降低抑制到最小限度。
在上述PDP中，结晶氧化镁层可以与覆盖电介质层的薄膜氧化镁层局部地层叠形成，或者，也可以不形成薄膜氧化镁层，而在电介质层上的所需部分直接形成。
当结晶氧化镁层在电介质层上局部地直接形成的情况下，放电区域受到该结晶氧化镁层限制，可以仅在电场强度强的部分发生放电，由此，可得到高发光效率。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的第1实施例的正视图。
图2是图1的V1-V1线的剖面图。
图3是图1的W1-W1线的剖面图。
图4是表示在该实施例中在薄膜镁层上形成结晶氧化镁层的状态的剖面图。
图5是表示在该实施例中在结晶氧化镁层上形成薄膜镁层的状态的剖面图。
图6是表示具有立方体的单晶结构的氧化镁单晶体的SEM照片像的图。
图7是表示具有立方体的多重晶体结构的氧化镁单晶体的SEM照片像的图。
图8是表示在该实施例中氧化镁单晶体粉末的粒径与CL发光的波长的关系的曲线图。
图9是表示在该实施例中氧化镁的粒径与235nm的CL发光的强度的关系的曲线图。
图10是表示来自用蒸镀法得到的氧化镁层的CL发光的波长的状态的曲线图。
图11是表示来自氧化镁单晶体的235nm的CL发光的峰值强度与放电滞后的关系的曲线图。
图12是表示仅由用蒸镀法得到的氧化镁层构成保护层的情况与形成包含氧化镁单晶体的结晶氧化镁层和用蒸镀法得到的薄膜镁层的二层结构的情况的放电滞后特性的比较的图。
图13是表示本发明的实施方式的第2实施例的正视图。
图14是表示本发明的实施方式的第3实施例的正视图。
图15是表示本发明的实施方式的第4实施例的正视图。
图16是表示本发明的实施方式的第5实施例的正视图。
图17是表示本发明的实施方式的第6实施例的正视图。
图18是表示本发明的实施方式的第7实施例的正视图。
图19是图18的V2-V2线的剖面图。
图20是图18的W2-W2线的剖面图。
图21是表示在该实施例中在电介质层上形成结晶氧化镁层的状态的剖面图。
图22是表示仅由用蒸镀法得到的氧化镁层构成保护层的情况与仅由包含氧化镁单晶体的结晶氧化镁层构成的情况的放电滞后特性的比较的图。
图23是表示本发明的实施方式的第8实施例的正视图。
图24是表示本发明的实施方式的第9实施例的侧剖面图。
图25是表示该实施例的立体图。
具体实施方式
[实施例1]
图1至3表示本发明的PDP的实施方式的第1实施例，图1是示意性地表示本实施例中的PDP的正视图。图2是图1的V1-V1线的剖面图。图3是图1的W1-W1线的剖面图。
本图1至3所示的PDP在作为显示面的正面玻璃基板1的背面，多个行电极对(X、Y)被平行地排列成沿正面玻璃基板1的行方向(图1的左右方向)延伸。
行电极X由透明电极Xa和总线电极Xb构成，其中，透明电极Xa由形成为“T”字形状的ITO等透明导电膜构成，总线电极Xb由沿正面玻璃基板1的行方向延伸且与透明电极Xa的宽度窄的基端部连接的金属膜构成。
行电极Y也同样地由透明电极Ya和总线电极Yb构成，其中，透明电极Ya由形成为“T”字形状的ITO等透明导电膜构成，总线电极Yb由沿正面玻璃基板1的行方向延伸且与透明电极Ya的宽度窄的基端部连接的金属膜构成。
该行电极X和Y沿正面玻璃基板1的列方向(图1的上下方向)交互排列，沿总线电极Ya和Yb并行排列的各自的透明电极Xa和Ya向互相成对的对方的行电极侧延伸，透明电极Xa和Ya的宽宽度部的顶边分别隔着所需宽度的放电隙g相互对置。
在正面玻璃基板1的背面，在列方向上邻接的行电极对(X、Y)的成为相互背靠背的总线电极Xb与Yb之间，形成沿着该总线电极Xb、Yb在行方向延伸的黑色或暗色的光吸收层(遮光层)2。
进而，在正面玻璃基板1的背面，形成电介质层3，用以覆盖行电极对(X、Y)，在该电介质层3的背面，在相互邻接的行电极对(X、Y)的与背靠背地相邻的总线电极Xb和Yb对置的位置上和与该相邻的总线电极Xb与Yb之间的区域部分对置的位置上，突出于电介质层3的背面侧的增高的电介质层3A被形成为与总线电极Xb、Yb平行地延伸。
在该电介质层3和增高的电介质层3A的背面侧，形成用蒸镀法或溅射法形成的薄膜的氧化镁层(以下，称为薄膜氧化镁层)4，覆盖电介质层3和增高的电介质层3A的背面的整个面。
然后，在该薄膜氧化镁层4的背面侧，在透明电极Xa与Ya的相互对置的部分(与透明电极Xa、Ya的各自的放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1的一部分)和与该透明电极Xa与Ya之间的放电隙g对置的方形部分，如后面将要述及的、因受电子束激发而进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的阴极发光(CL发光)的包含氧化镁晶体的氧化镁层(以下，称为结晶氧化镁层)5被层叠，分别形成为岛状。
另一方面，在与正面玻璃基板1平行地配置的背面玻璃基板6的显示侧的面上，列电极D相互隔开规定的间隔平行地排列，使得在各行电极对(X、Y)的与相互成对的透明电极Xa和Ya对置的位置上，沿着与行电极对(X、Y)正交的方向(列方向)延伸。
在背面玻璃基板6的显示侧的面上，进而形成覆盖列电极D的白色的列电极保护层(电介质层)7，在该列电极保护层7上形成间壁8。
该间壁8借助于在各行电极对(X、Y)的与总线电极Xb和Yb对置的位置上分别沿行方向延伸的一对横壁8A、以及在邻接的列电极D之间的中间位置上沿列方向在一对横壁8A间延伸的纵壁8B被形成为略呈梯形，各间壁8在邻接的另一间壁8的相互背靠背对置的横壁8A之间夹着沿行方向延伸的间隙SL，沿列方向并行设置。
利用该梯形的间壁8，正面玻璃基板1与背面玻璃基板6之间的放电空间S在各行电极对(X、Y)处与相互成对的透明电极Xa和Ya对置的部分所形成的每个放电单元C分别被区隔成方形。
然后，该间壁8的横壁8A的显示侧的面与覆盖增高的电介质层3A的薄膜氧化镁层4对接(参照图2)，分别封闭放电单元C与间隙SL之间，而不与纵壁8B的显示侧的面对接(参照图3)，在其间形成间隙r，在行方向上邻接的放电单元C之间通过该间隙r相互连通。
在面向放电空间S的间壁8的横壁8A和纵壁8B的侧面和列电极保护层7的表面上，形成荧光体层9，用以全部覆盖这五个面，该荧光体层9的颜色被排列成对每个放电单元C红、绿、蓝三原色沿行方向依次并行排列。
在放电空间S，封入含氙气的放电气体。
上述结晶氧化镁层5用下述方法形成：上述那样的氧化镁晶体用喷涂法或静电涂敷法等方法附着于覆盖电介质层3和增高的电介质层3A的薄膜氧化镁层4的背面侧的表面上。
图4示出了在电介质层3的背面形成薄膜氧化镁层4，在该薄膜氧化镁层4的背面用喷涂法或静电涂敷法等方法附着氧化镁晶体，形成结晶氧化镁层5的状态。
另外，图5示出了在该电介质层3的背面用喷涂法或静电涂敷法等方法附着氧化镁晶体，形成结晶氧化镁层5后，形成薄膜氧化镁层4的状态。
上述PDP的结晶氧化镁层5用下述材料和方法形成。
即，作为结晶氧化镁层5的形成材料，所谓因受电子束激发而进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)进行具有峰值的CL发光的氧化镁晶体，例如包含将加热镁而产生的镁蒸气进行气相氧化得到的镁单晶体(以下，将该镁的单晶体称为气相法氧化镁单晶体)，在该气相法氧化镁单晶体中，例如包含具有图6的SEM照片像所示那样的具有立方体的单晶结构的氧化镁单晶体与图7的SEM照片像所示那样的具有立方体的晶体相互嵌入的结构(即，立方体的多重晶体结构)的氧化镁单晶体。
后面将要述及，该气相法氧化镁单晶体有助于放电滞后的减少等放电特性的改善。
而且，该气相法氧化镁单晶体如果与用其它方法得到的氧化镁进行比较，则具备在得到高纯度的同时得到微粒，并且粒子的凝集少等的特征。
在本实施例中，使用用BET法测得的平均粒径为500埃以上(最好是2000埃以上)的气相法氧化镁单晶体。
再有，关于气相法氧化镁单晶体的合成，记载于“材料”昭和62年11月号，第36卷第410号的第1157～1161页的“用气相法进行的氧化镁粉末的合成及其性质”等论文中。
如上所述，该结晶氧化镁层5例如通过用喷涂法或静电涂敷法等方法附着气相法氧化镁单晶体而形成。
上述PDP在放电单元C内进行用于图像形成的复位放电和寻址放电、维持放电。
而且，在寻址放电前所进行的复位放电时，通过该复位放电从放电气体中的氙发射真空紫外线，利用该真空紫外线，从面向放电单元C形成的结晶氧化镁层5发射2次电子(启动粒子)，由此，在下面的寻址放电时，降低了该寻址放电开始电压，进而使该寻址放电实现高速化。
在上述PDP中，如图8和图9所示，结晶氧化镁层5利用上述那样的例如气相法氧化镁单晶体形成，由此通过由放电发生的电子束的照射，从结晶氧化镁层5中所含的粒径大的气相法氧化镁单晶体，除在300～400nm内具有峰值的CL发光外，还激发在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光。
如图10所示，在该235nm附近具有峰值的CL发光并不从用通常的蒸镀法所形成的氧化镁层(本实施例中的薄膜氧化镁层4)中被激发，仅激发在300～400nm内具有峰值的CL发光。
另外，从图8和图9可知，气相法氧化镁单晶体的粒径越大，在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的峰值强度就变得越大。
根据该波段200～300nm内具有峰值的CL发光的存在，推测出会进一步谋求放电特性的改善(放电滞后的减少，放电几率的提高)。
即，该结晶氧化镁层5的放电特性的改善据推测是通过下述方法进行的：进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的气相法氧化镁单晶体具有与其峰值波长对应的能级，该能级可长时间(数ms以上)俘获电子，通过用电场取出该电子，得到放电开始所需的初始电子。
而且，该气相法氧化镁单晶体的放电特性的改善效果因在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的强度越大而变得越大，这是因为CL发光强度与气相法氧化镁单晶体的粒径之间也有相关关系的缘故。
即，据认为在打算形成大粒径的气相法氧化镁单晶体的情况下，由于必须提高使镁蒸气发生时的加热温度，故镁与氧反应的火焰的长度变长，该火焰与周围的温度差变大，从而在粒径大的气相法氧化镁单晶体中形成了与上述那样的CL发光的峰值波长(例如，在235nm附近，在230～250nm内)对应的多个能级。
另外，立方体的多重晶体结构的气相法氧化镁单晶体包含许多晶面缺陷，据推测该面缺陷能级的存在也有助于放电几率的改善。
再有，形成结晶氧化镁层5的气相法氧化镁单晶体粉末的粒径(DBET)系用氮吸附法测定BET比表面积(s)，通过下式从该值算出。
DBET＝A/(s×ρ)
A：形状系数(A＝6)
ρ：镁的实际密度
图11是表示CL发光强度与放电滞后的相关关系的曲线图。
从该图11可知，利用从结晶氧化镁层5激发的235nm的CL发光，缩短了PDP中的放电滞后，进而可知，该235nm的CL发光强度越强，其放电滞后就越缩短。
图12对如上所述PDP具备薄膜氧化镁层4和结晶氧化镁层5的二层结构的情况(曲线a)与现有的PDP那样仅形成了用蒸镀法形成的氧化镁层的情况(曲线b)的放电滞后特性进行了比较。
从该图12可知，由于PDP具备薄膜氧化镁层4和结晶氧化镁层5的二层结构，与仅具备用现有的蒸镀法形成的氧化镁层的PDP相比，放电滞后特性得到显著的改善。
如上所述，上述PDP除用蒸镀法等形成的现有的薄膜氧化镁层4外，因受电子束激发进行在波段200～300nm内具有峰值的CL发光的由氧化镁晶体形成的结晶氧化镁层5系层叠于薄膜氧化镁层4上的透明电极Xa与Ya的相互对置的部分(与透明电极Xa、Ya的各自的放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1的一部分)和与该透明电极Xa与Ya之间的放电隙g对置的方形的部分上而形成，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
特别是，该结晶氧化镁层5不在薄膜氧化镁层的整个面上，而仅在放电强烈发生的区域部分形成，从而缩短放电滞后时间的效果非常显著。
形成该结晶氧化镁层5的气相法氧化镁单晶体使用按照BET法测得的其平均粒径为500埃以上的单晶体，最好使用2000～4000埃的单晶体。
进而，上述PDP系在薄膜氧化镁层4上的透明电极Xa与Ya的相互对置的部分(与透明电极Xa、Ya的各自的放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1的一部分)和与该透明电极Xa与Ya之间的放电隙g对置的方形的部分上分别形成岛状图形，从而可将因层叠薄膜氧化镁层4与结晶氧化镁层5造成的光透射率的降低抑制到最小限度。
进而，结晶氧化镁层5如上所述通过形成岛状图形，在放电单元C内因反复发生的放电而造成离子轰击(溅射)，从而结晶氧化镁飞散，在其再淀积而形成的结晶氧化镁的凝集部分中，可将放电特性的降低和透射率的降低的发生抑制到最小限度。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
另外，在上述情况中，对通过用喷涂法或静电涂敷法等方法使结晶氧化镁层5附着而形成的例子进行了说明，但结晶氧化镁层5也可通过用丝网印刷法或胶板印刷法、配制法、喷墨法、辊涂法等方法涂敷含有气相法氧化镁单晶体的膏而形成。
此外，在上述情况中，虽然示出了结晶氧化镁层5与透明电极Xa、Ya的与各自的放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1的一部分对置而形成的例子，但该结晶氧化镁层也可与透明电极Xa、Ya的前端部分Xa1、Ya1的几乎整个部分对置而形成。
[实施例2]
图13是表示本发明的PDP的实施方式的第2实施例的概略构成图。
上述的第1实施例中的结晶氧化镁层系在与薄膜氧化镁层上的放电隙和夹着该放电隙而对置的成对的透明电极的各自的前端宽宽度部对置的方形的部分形成为岛状图形，与此相对照，本第2实施例中的PDP的结晶氧化镁层15在与第1实施例的情况同样地形成的薄膜氧化镁层的背面侧，在包含与放电隙g和夹着该放电隙g而对置的成对的透明电极Xa、Ya的各自的前端宽宽度部Xa1、Ya1的前端部分对置的部分的沿行方向延伸的带状部分，形成条状图形。
在该图13中，其它部分的构成与第1实施例的情况相同，标以与第1实施例同样的符号。
进而，结晶氧化镁层15的构成和形成方法也与第1实施例的情况相同。
本第2实施例中的PDP除了用蒸镀法等形成的现有薄膜氧化镁层外，还因受电子束激发进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的由氧化镁晶体形成的结晶氧化镁层15被形成为包含放电隙g和与透明电极Xa、Ya的前端宽宽度部Xa1、Ya1的各自的前端部分对置的部分的带状图形，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
特别是，该结晶氧化镁层15不在薄膜氧化镁层的整个面上，而仅在放电强烈发生的区域部分形成，从而缩短放电滞后时间的效果非常显著。
而且，在上述PDP中结晶氧化镁层15仅在放电强烈发生的区域部分形成，从而可将因层叠薄膜氧化镁层与结晶氧化镁层15造成的光透射率的降低抑制到最小限度。
进而，结晶氧化镁层15如上所述通过形成图形，在放电单元内因反复发生的放电而造成离子轰击(溅射)，从而结晶氧化镁飞散，在其再淀积而形成的结晶氧化镁的凝集部分中，可将放电特性的降低和透射率的降低的发生抑制到最小限度。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
[实施例3]
图14是表示本发明的PDP的实施方式的第3实施例的概略构成图。
上述的第1实施例中的结晶氧化镁层系在与薄膜氧化镁层上的放电隙和夹着该放电隙而对置的成对的透明电极的各自的前端部分对置的方形的部分形成，与此相对照，本第3实施例中的PDP的结晶氧化镁层25在与第1实施例的情况同样地形成的薄膜氧化镁层的背面侧，在包含形成为“T”字形状的透明电极Xa、Ya的前端宽宽度部Xa1、Ya1和将该前端宽宽度部Xa1、Ya1与透明电极Xa、Ya连接的窄宽度的基端部Xa2、Ya2的连接部分的方形部分对置的位置上，分别形成岛状图形。
而且，该结晶氧化镁层25并不与第1实施例的结晶氧化镁层所对置的放电隙和夹着该放电隙g而对置的透明电极的前端部分对置。
在该图14中，其它部分的构成与第1实施例的情况相同，标以与第1实施例同样的符号。
进而，结晶氧化镁层25的构成和形成方法也与第1实施例的情况相同。
本第3实施例中的PDP除了用蒸镀法等形成的现有薄膜氧化镁层外，还因受电子束激发而进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的由氧化镁晶体形成的结晶氧化镁层25在与包含透明电极Xa、Ya的前端宽宽度部Xa1、Ya1与基端部Xa2、Ya2的连接部分的方形部分对置的位置上，分别形成岛状图形，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
而且，该结晶氧化镁层25通过在与放电强烈发生的区域部分邻接的区域部分形成，可取得缩短放电滞后时间的显著效果，同时通过在除了放电最强烈发生的区域部分外形成，可抑制在放电发生时因离子轰击(溅射)造成的结晶氧化镁的飞散和再淀积而引起的透射率的降低。
而且，上述PDP的结晶氧化镁层25并不在薄膜氧化镁层的整个面上，而仅在放电发生的区域部分形成，从而可将因层叠薄膜氧化镁层与结晶氧化镁层25造成的光透射率的降低抑制到最小限度。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
[实施例4]
图15是表示本发明的PDP的实施方式的第4实施例的概略构成图。
上述的第3实施例中的结晶氧化镁层系在包含“T”字形状的透明电极的前端宽宽度部与基端部的连接部分的方形部分对置的位置上，分别形成岛状图形，与此相对照，本第4实施例中的PDP的结晶氧化镁层35在与第1实施例的情况同样地形成的薄膜氧化镁层的背面侧，在包含与“T”字形状的透明电极Xa、Ya的前端宽宽度部Xa1、Ya1与基端部Xa2、Ya2的连接部分对置的部分的沿行方向延伸的带状部分，形成条状图形。
在该图15中，其它部分的构成与第1实施例的情况相同，标以与第1实施例同样的符号。
进而，结晶氧化镁层35的构成和形成方法也与第1实施例的情况相同。
本第4实施例中的PDP除了用蒸镀法等形成的现有薄膜氧化镁层外，还因受电子束激发而进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的由氧化镁晶体形成的结晶氧化镁层35形成包含透明电极Xa、Ya的前端宽宽度部Xa1、Ya1与基端部Xa2、Ya2的连接部分的条状图形，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
而且，该结晶氧化镁层35通过在与放电强烈发生的区域部分邻接的区域部分形成，可取得缩短放电滞后时间的显著效果，同时通过在除了放电最强烈发生的区域部分外形成，可抑制在放电发生时因离子轰击(溅射)造成的结晶氧化镁的飞散和再淀积而引起的透射率的降低。
而且，上述PDP的结晶氧化镁层35并不在薄膜氧化镁层的整个面上，而仅在放电发生的区域部分形成，从而可将因层叠薄膜氧化镁层与结晶氧化镁层35造成的光透射率的降低抑制到最小限度。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
[实施例5]
图16是表示本发明的PDP的实施方式的第5实施例的概略构成图。
上述的第1实施例中的结晶氧化镁层系在与薄膜氧化镁层上的放电隙和夹着该放电隙而对置的成对的透明电极的各自的前端部分对置的方形的部分形成，与此相对照，本第5实施例中的PDP的结晶氧化镁层45在与第1实施例的情况同样地形成的薄膜氧化镁层的背面侧，在包含形成为“T”字形的各行电极X、Y的与透明电极Xa、Ya的前端宽宽度部Xa1、Ya1的整个面对置的方形部分，以与前端宽宽度部Xa1、Ya1大致相同的大小分别形成岛状图形。
在该图16中，其它部分的构成与第1实施例的情况相同，标以与第1实施例同样的符号。
进而，结晶氧化镁层45的构成和形成方法也与第1实施例的情况相同。
本第5实施例中的PDP除了用蒸镀法等形成的现有薄膜氧化镁层外，还因受电子束激发而进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的由氧化镁晶体形成的结晶氧化镁层45在与透明电极Xa、Ya的前端宽宽度部Xa1、Ya1的整个面对置的方形部分，分别形成岛状图形，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
特别是，该结晶氧化镁层45通过在放电强烈发生的区域部分形成，缩短放电滞后时间的效果非常显著。
而且，上述PDP的结晶氧化镁层45并不在薄膜氧化镁层的整个面上，而仅在放电发生的区域部分形成，从而可将因层叠薄膜氧化镁层与结晶氧化镁层45造成的光透射率的降低抑制到最小限度。
进而，结晶氧化镁层45如上所述通过形成图形，在放电单元内因反复发生的放电而造成离子轰击(溅射)，从而结晶氧化镁飞散，在其再淀积而形成的结晶氧化镁的凝集部分中，可将放电特性的降低和透射率的降低的发生抑制到最小限度。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
[实施例6]
图17是表示本发明的PDP的实施方式的第6实施例的概略构成图。
上述第5实施例中的结晶氧化镁层在形成为“T”字形的各行电极的与透明电极的前端宽宽度部的整个面对置的方形部分，分别以与前端宽宽度部大致相同的面积形成为岛状图形，与此相对照，本第6实施例中的PDP的结晶氧化镁层55在与第1实施例的情况同样地形成的薄膜氧化镁层的背面侧，在行电极X、Y的整个面，即与透明电极Xa、Ya和透明电极Xb、Yb的整个面对置的部分，以与行电极X、Y大致相同的形状分别形成图形。
在该图17中，其它部分的构成与第1实施例的情况相同，标以与第1实施例同样的符号。
进而，结晶氧化镁层55的构成和形成方法也与第1实施例的情况相同。
本第6实施例中的PDP除了用蒸镀法等形成的现有薄膜氧化镁层外，还因受电子束激发而进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光的由氧化镁晶体形成的结晶氧化镁层55在与行电极X、Y的透明电极Xa、Ya和透明电极Xb、Yb对置的位置上形成图形，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
特别是，该结晶氧化镁层55通过在放电强烈发生的区域部分形成，缩短放电滞后时间的效果非常显著。
而且，上述PDP的结晶氧化镁层55并不在薄膜氧化镁层的整个面上，而仅在放电发生的区域部分形成，从而可将因层叠薄膜氧化镁层与结晶氧化镁层55造成的光透射率的降低抑制到最小限度。
进而，结晶氧化镁层55如上所述通过形成图形，在放电单元内因反复发生的放电而造成离子轰击(溅射)，从而结晶氧化镁飞散，在其再淀积而形成的结晶氧化镁的凝集部分中，可将放电特性的降低和透射率的降低的发生抑制到最小限度。
再有，如本实施例中的PDP那样，具备区隔放电空间的间壁(图1和2中的间壁8)，在利用行电极X、Y的透明电极Xb、Yb与间壁的横壁对置，覆盖该透明电极Xb、Yb的部分的电介质层不露出于放电空间的情况下，除了分别与透明电极Xb、Yb对置的部分，仅在与透明电极Xa、Ya对置的部分可形成结晶氧化镁层。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
[实施例7]
图18至20表示本发明的PDP的实施方式的第7实施例，图18是示意性地表示本实施例中的PDP的正视图，图19是图18的V2-V2线的剖面图，图20是图18的W2-W2线的剖面图。
再有，在以下的说明中，在图18至20中赋予与图1至图3相同的符号，说明与上述第1实施例的PDP相同的构成部分。
上述第1实施例的PDP的结晶氧化镁层系层叠于薄膜氧化镁层上而形成，与此相对照，本第7实施例的PDP却是在覆盖行电极对的电介质层上以单层形成结晶氧化镁层。
即，在图18至20中，在正面玻璃基板1的背面，与第1实施例同样地，多个行电极对(X、Y)被平行地排列成沿正面玻璃基板1的行方向(图18的左右方向)延伸，该行电极对(X、Y)被形成于正面玻璃基板1的背面的电介质层3覆盖。
然后，在该电介质层3的背面侧，形成增高的电介质层3A。
在该电介质层3和增高的电介质层3A的背面侧，在透明电极Xa与Ya相互对置的部分(透明电极Xa、Ya的分别与放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1的几乎全部)和与该透明电极Xa与Ya之间的放电隙g对置的方形的部分，层叠与第1实施例同样的因受电子束激发而进行在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的阴极发光(CL发光)的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层65，分别被形成为岛状。
背面玻璃基板6侧的构成与第1实施例的情况相同，在与正面玻璃基板1之间的放电空间S内，封入含氙的放电气体。
图21示出了在电介质层3的背面用喷涂法或静电涂敷法等方法附着氧化镁晶体而形成结晶氧化镁层65的状态。
形成该结晶氧化镁层65的材料及其形成方法与第1实施例的结晶氧化镁层65相同，在形成该结晶氧化镁层65的气相法氧化镁单晶体上，使用用BET法测得的其平均粒径为500埃以上、最好为2000～4000埃的结晶氧化镁层，另外，可用喷涂法或静电涂敷法、丝网印刷法、胶板印刷法、配制法、喷墨法、辊涂法等各种方法形成。
上述PDP在放电单元C内进行用于图像形成的复位放电和寻址放电、维持放电，在寻址放电前所进行的复位放电时，由该复位放电从放电气体中的氙发射真空紫外线，利用该真空紫外线，从面向放电单元C形成的结晶氧化镁层65发射2次电子(启动粒子)，据此在下面的寻址放电时，降低了该寻址放电开始电压，同时使该寻址放电高速化。
而且，结晶氧化镁层65通过例如由气相法氧化镁单晶体形成，借助于放电所发生的电子束的照射，从结晶氧化镁层65中所包含的粒径大的气相法氧化镁单晶体除了激发在300～400nm内具有峰值的CL发光外，还激发在波段200～300nm内(特别是在235nm附近，在230～250nm内)具有峰值的CL发光，由于在该波段200～300nm内具有峰值的CL发光的存在，可进一步谋求PDP的放电特性的改善(放电滞后的减少，放电几率的提高)。
图22是表示配备了包含气相法氧化镁单晶体的结晶氧化镁层65的PDP的放电滞后特性的曲线图，与配备了用现有的蒸镀法形成的薄膜氧化镁层的PDP相比，可知放电滞后特性与第1实施例的情况同样地得到显著改善。
而且，在上述第1实施例的PDP中，通过在电介质层3的背面的整个面上形成薄膜氧化镁层，有在放电强度弱的透明电极Xa、Ya的基端部分(与总线电极Xb、Yb连接的部分)或在总线电极Xb、Yb之间发生无效的放电、降低发光效率的可能性，但在上述PDP中，通过只有结晶氧化镁层65在与透明电极Xa、Ya的分别与放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1的几乎全部和与透明电极Xa、Ya之间的放电隙g对置的方形的部分形成，在透明电极Xa与Ya之间发生的维持放电的放电区域受到限制，仅在电场强度强的透明电极Xa、Ya的前端部分发生放电，从而可得到高的发光效率。
另外，由于结晶氧化镁层65用单晶的氧化镁晶体形成，从而可谋求PDP的超长寿命化。
如上所述，上述PDP因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的CL发光的由氧化镁晶体形成的结晶氧化镁层65在电介质层3上的透明电极Xa与Ya的相互对置的部分和与该透明电极Xa与Ya之间的放电隙g对置的方形的部分形成，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
[实施例8]
图23是示意性地表示本发明的实施方式中的第8实施例的PDP的正视图。
上述的第7实施例的PDP的结晶氧化镁层系在电介质层上的透明电极的相互对置的部分和与该透明电极的放电隙对置的方形部分形成为所谓岛状，与此相对照，本第8实施例的PDP的在图23中的结晶氧化镁层75在覆盖行电极对(X、Y)的电介质层的背面的透明电极Xa与Ya的相互对置的部分(与透明电极Xa、Ya的分别与放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1)和与该透明电极Xa与Ya之间的放电隙g对置的位置上，成形为沿行方向延伸的带状，使得在与行方向邻接的各放电单元C之间各自连续。
该PDP的其它部分的结构与第7实施例的情况大致相同，对与第7实施例的情况相同的构成部分，在图23中赋标以与图18相同的符号。
结晶氧化镁层75的形成材料和形成方法也与第7实施例的情况大致相同。
而且，上述PDP与第7实施例的情况几乎同样地，在透明电极Xa与Ya之间发生的维持放电的放电区域受到结晶氧化镁层75限制，仅在电场强度强的透明电极Xa、Ya的前端部分发生放电，从而可得到高的发光效率，与此同时，由于结晶氧化镁层75用单晶的氧化镁晶体形成，从而可谋求PDP的超长寿命化。
此外，上述PDP的结晶氧化镁层75由因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的CL发光的氧化镁晶体形成，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
[实施例9]
图24和25是示意性地表示本发明的实施方式中的第9实施例的PDP的正视图。
上述的第7实施例的PDP的结晶氧化镁层系在从电介质层外伸至放电空间侧的状态下形成，与此相对照，本第9实施例的PDP的结晶氧化镁层在覆盖行电极对的层叠于第1电介质层的背面而形成的第2电介质层的开口部内形成。
即，在图24和25中，在正面玻璃基板1的背面形成并覆盖行电极对(X、Y)的所需膜厚的第1电介质层83的背面，层叠所需膜厚的第2电介质层84而形成。
在该第2电介质层84上，经行电极X、Y的透明电极Xa与Ya的放电隙g而相互对置的部分(与透明电极Xa、Ya的分别与放电隙g邻接的前端宽宽度部Xa1、Ya1)和与该透明电极Xa与Ya之间的放电隙g对置的部分，形成方形的开口部84a。
然后，在第2电介质层84的开口部84a内，在第1电介质层83上形成结晶氧化镁层85，开口部84a内的第1电介质层83的整个表面被该结晶氧化镁层85覆盖。
该PDP的其它部分的构成与第7实施例的情况大致相同，对与第7实施例的情况相同的构成部分，在图23中标以与图18相同的符号。
结晶氧化镁层85的形成材料和形成方法也与第7实施例的情况大致相同。
而且，上述PDP与第7实施例的PDP几乎同样地，在透明电极Xa与Ya之间发生的维持放电的放电区域受到结晶氧化镁层85限制，仅在电场强度强的透明电极Xa、Ya的前端部分发生放电，从而可得到高的发光效率，与此同时，除了该第7实施例的PDP的技术效果外，由于结晶氧化镁层85在第2电介质层84的开口部84a内形成，从而可进一步抑制维持放电的放电区域的扩展。
此外，上述PDP的结晶氧化镁层85由因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的CL发光的单晶的氧化镁晶体形成，从而可谋求PDP的超长寿命化，与此同时，可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
再有，在上述情况中，对将本发明应用于在正面玻璃基板上形成行电极对并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层和列电极的反射型交流PDP的例子进行了说明，但本发明也可应用于在正面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖而在背面玻璃基板侧形成荧光体层的反射型交流PDP，或在正面玻璃基板侧形成荧光体层而在背面玻璃基板侧形成行电极对和列电极并用电介质层覆盖的透射型交流PDP，在放电空间的行电极对与列电极的交叉部分形成放电单元的三电极型交流PDP，在放电空间的行电极与列电极的交叉部分形成放电单元的二电极型交流PDP等各种形式的PDP。
上述各实施例的PDP具有隔着放电空间对置的一对基板、在该一对基板的某一个上形成的放电电极和覆盖该放电电极的电介质层，在放电空间内形成单位发光区域，因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层以在形成上述放电电极的基板侧的与放电空间对置的部分的一部分上形成的PDP作为其上位概念的实施方式。
构成该上位概念的PDP因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层在与电介质层侧的单位发光区域对置的部分之中，在至少包含与放电电极对置的部分的一部分上形成，从而可谋求放电滞后等放电特性的改善，具备良好的放电特性。
而且，该结晶氧化镁层在包含与放电电极对置的部分的任意位置上形成，从而缩短放电滞后时间的效果非常显著，同时可将因形成结晶氧化镁层而造成的光透射率的下降抑制到最小限度。
Claims (24)
1.一种等离子体显示面板，具有隔着放电空间对置的一对基板、在该一对基板的任一个上形成的放电电极和覆盖该放电电极的电介质层，在放电空间内形成单位发光区域，其特征在于，
因受电子束激发而进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光的包含氧化镁晶体的结晶氧化镁层在形成上述放电电极的基板侧的与放电空间对置的部分的一部分上形成。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
还具备用蒸镀或溅射形成、覆盖上述电介质层的薄膜氧化镁层，在与该薄膜氧化镁层上的放电空间对置的部分的一部分上，形成结晶氧化镁层。
3.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在电介质层上的与放电空间对置的部分的一部分上形成。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在与放电电极对置的位置上形成图形。
5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述放电电极是一对行电极夹着放电隙而对置的行电极对，该行电极对的各个行电极具有：电极主体部，其沿行方向延伸；以及电极突出部，其从该电极主体部向成对的另一行电极的方向突出，隔着放电隙相互对置。
6.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在与行电极的突出电极部对置的位置上形成。
7.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在与行电极对的放电隙和隔着该放电隙相互对置的突出电极部的各自的前端部分对置的位置上形成。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述突出电极部具有：宽度宽的前端部，其隔着放电隙与成对的另一突出电极部对置；以及宽度窄的基端部，其将电极主体部与该宽度宽的前端部连接，
结晶氧化镁层与突出电极部的宽度宽的前端部的一部分对置。
9.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在各单位发光区域单独形成。
10.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层形成为在邻接的单位发光区域之间连续的形状。
11.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在与隔着该放电隙相互对置的突出电极部的除了各自的前端部分的中间部分对置的位置上形成。
12.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述突出电极部具有：宽度宽的前端部，其隔着放电隙与成对的另一突出电极部对置；以及宽度窄的基端部，其将电极主体部与该宽度宽的前端部连接，
结晶氧化镁层与突出电极部的宽度宽的前端部和宽度窄的基端部的连接部分对置。
13.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在各单位发光区域单独形成。
14.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层形成为在邻接的单位发光区域之间连续的形状。
15.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述突出电极部具有：宽度宽的前端部，其隔着放电隙与成对的另一突出电极部对置；以及宽度窄的基端部，其将电极主体部与该宽度宽的前端部连接，
结晶氧化镁层在与突出电极部的宽度宽的前端部对置的位置上形成。
16.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层在电极主体部与突出电极部对置的位置上形成。
17.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层包含具有500埃以上的粒径的氧化镁晶体。
18.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层包含具有2000埃以上的粒径的氧化镁晶体。
19.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述氧化镁晶体通过镁加热后产生的镁蒸气被气相氧化而生成。
20.如权利要求19所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述氧化镁晶体是具有立方体的单晶结构的氧化镁单晶体。
21.如权利要求19所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述氧化镁晶体是具有立方体的多重晶体结构的氧化镁单晶体。
22.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层受电子束激发后进行在波段200～300nm内具有峰值的阴极发光。
23.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
上述结晶氧化镁层因受电子束激发而进行在波段230～250nm内具有峰值的阴极发光。
24.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征在于，
在与上述行电极对的放电隙和隔着该放电隙相互对置的突出电极部的包含各自的前端部分的区域部分对置的部分的电介质层的放电空间侧，形成凹部，在该凹部内形成结晶氧化镁层。
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