CN1533581A - 等离子体显示面板及其制造方法和等离子体显示面板显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种比现有技术的放电稳定性优异的等离子体显示面板。为此，在电介质层上形成保护层时，设置为了提高构成保护层的柱状结晶的取向性用的中间层。借此，由于在形成于中间层上的柱状结晶选择性地取向的同时，所形成的粒径比现有技术的大，所以，与现有技术相比，整个保护层露出的面积减少，降低被保护层吸附的杂质的量。从而，可以抑制PDP放电中放出柱状结晶吸附的杂质的量，所以，提高PDP放电特性。

Description

等离子体显示面板及其制造方法 和等离子体显示面板显示装置
技术领域
本发明涉及等离子体显示面板及其制造方法和等离子体显示面板显示装置，特别是，涉及提高其放电特性的技术。
背景技术
近年来，在用于计算机、电视机等的图象显示的彩色显示器件中，等离子体显示面板(Plasma Display Panel下面称之为“PDP”)作为可以实现薄型面板的显示器件受到人们的注意，特别是，由于它具有高速的响应特性和大的视野角等优异的特征，所以在各个企业和研究机关积极地进行面向其普及的开发。
在这种PDP中，其结构为，排列设置多个线状电极的前玻璃基板和后玻璃基板，中间经由间隔件，以各基板的电极垂直的方式对向地配置，在各基板之间的空间内封接入放电气体。在前面玻璃基板上，在与其背面的玻璃基板对向侧的面上被覆覆盖各电极的电介质层，进而，在该电介质层上被覆由MgO构成的保护层。
在PDP驱动时，通过在前面玻璃基板和背面玻璃基板的电极之间进行寻址放电，在想要点亮的单元的保护层的表面上形成电荷，在形成该电荷的单元的前面玻璃基板的邻接的电极之间进行持续放电。通过这种寻址放电形成电荷的保护层，起着保护电介质层和电极的作用，使之不受寻址放电和持续放电时产生的离子轰击(溅射)，还具有保持在寻址放电时发射二次电子的电荷的所谓记忆功能。因此，保护层一般使用耐溅射性能和二次电子发射性能优异的氧化镁(MgO)。
不过，在近年的PDP中，对长寿命化的要求越来越高，作为对应于这种要求的技术，公开了在含有水蒸气的气氛中蒸镀保护层的技术(特开平10-106441号公报)。根据这种技术，所形成的保护层，由于其厚度方向为<110>取向，即，构成在保护层的厚度方向为耐溅射性优异的(110)面取向的膜，所以，由于溅射对保护层的削蚀少，可延长PDP的寿命。
但是，在上述现有技术中，由于在蒸镀保护层时的气氛中含有水蒸气，所以，水进入所形成的保护层内的可能性很大。因此，会从随着PDP的驱动时间被削掉的保护层中，逐渐地放出作为杂质的水，所以，PDP的放电特性会随着驱动时间而变化，很难使放电特性稳定。
发明的概述
本发明鉴于上述课题，其目的是提供一种与现有技术相比放电特性相对于驱动时间是稳定的，并且耐溅射性能优异的PDP在及其制造方法，以及，利用该PDP的PDP显示装置。
为了达到上述目的，根据本发明的PDP，在第一面板和第二面板中间经由间隔件对向配置，在前述第一面板和第二面板其中之一上，排列设置多个电极，并且，以覆盖所述多个电极的方式依次叠层电介质层和保护层的等离子体面板中，其特征为，前述保护层由籽晶形成的第一层和在该第一层的籽晶上成长的多个柱状结晶形成的第二层构成，其中，前述第一层，由在其形成的初期将附着在前述电介质层表面上的多个粒状结晶合成一个整体的籽晶构成，或者在其形成的初期将附着在前述电介质层上的非晶质层多晶化形成的籽晶构成。
借此，形成保护层的柱状结晶，与使保护层材料在保持粒状结晶不变的层上成长的现有技术的情况相比，可以形成得比较粗大，减少整个保护层露出的面积，所以，可以减少吸附到保护层上的杂质量。从而，可以使因杂质引起的PDP放电特性的变动稳定化。进而，由于基本上没有粒状结晶，提高保护层的致密性，所以，耐溅射性能优异。
该保护层可以使用碱土类金属氧化物，碱土类金属氟化物，或者它们的混合物，特别是，优选地，由电子发射特性及耐溅射性优异的MgO构成，如果构成该保护层的柱状结晶，其厚度方向为(111)面取向的话，电子发射性能优异。
此外，根据本发明的等离子体显示面板，在第一面板和第二面板中间经由间隔件对向配置，于前述第一面板和第二面板的其中之一上排列设置多个电极，并且以覆盖所述多个电极的方式叠层电介质层，且在所述电介质层的上方配置保护层的等离子体显示面板中，其特征为，在前述电介质层和保护层之间，配置成为构成前述保护层的柱状结晶成长的基体材料的中间层。
借此，由于在中间层上形成比现有技术粗大的柱状结晶，所以，减少在整个保护层上露出的面积，与现有技术相比，可以减少杂质的吸附量。从而，可以使因为杂质引起的PDP的放电特性的变动稳定化。
这里，前述中间层如果具有面心立方结构，密堆积六方结构，纤维锌矿结构，闪锌矿结构中的任何一种结构的话，可以很容易使在其上形成的保护层的柱状结晶比现有技术的粗大。
此外，具体地说，作为构成中间层的物质，可以采用，从Ag，Al，Au，Be，Cd，Co，Cu，Ga，Hf，In，Ir，Mg，Ni，Os，Pd，Pt，Re，Rh，Tc，Ti，Zn，Zr构成的第一元素组选择出来的元素的单体的结晶，或者从前述第一元素组中选择出来的两种以上的元素构成的合金，以及从前述第一元素组选择出来的一种以上的元素与从As，N，O，P，S，Sb，Se，Te构成的第二组元素组中选择出来的一种以上的元素构成的化合物结晶中之一。
作为使柱状结晶粗大化的最佳的中间层，优选地，在构成它的物质与构成前述保护层的物质中的错配(misfit)在15％以下。
这里，如果构成前述保护层的柱状结晶是沿该层的厚度方向(111)面取向的MgO的话，构成电子发射性能优异的保护层。
此外，根据本发明的等离子体显示面板，在第一面板和第二面板中间经由间隔件对向配置，在前述第一面板和第二面板其中之一上，排列设置多个电极，并且，以覆盖所述多个电极的方式依次叠层电介质层和保护层的等离子体面板中，其特征为，前述电介质层在前述保护层侧的主面上，设置将所述保护层成长为单晶状用的槽。
借此，保护层的单晶状，即，构成保护层的柱状结晶比现有技术中的粗大，因此，与现有技术相比被保护层吸附的杂质量少，可以使PDP的放电特性稳定。
实际上，通过并列地将前述槽设置成条带状，可以使整个保护层接近于单晶状，在槽的宽度约为160～3800nm的范围内，确认保护层为单晶状。
这里，前述保护层，作为构成它的物质，优选地为以沿其厚度方向为(100)面或者(111)面取向地形成的电子发射特性、耐溅射性能优异的MgO。
采用上述PDP的PDP显示装置，耐溅射性能优异，且放电特性稳定。
根据本发明的等离子体显示面板的制造方法，在包括于基板上形成电极的第一工序，以覆盖在前述第一工序中形成的电极上的方式形成电介质层的第二工序，形成被覆在前述第二工序中所形成的电介质层上的保护层的第三工序的等离子体显示面板的制造方法中，其特征为，前述第三工序具有：使保护层材料附着在前述电介质层上的保护层材料附着步骤，对在前述保护层附着步骤中附着的保护层材料加热处理、形成籽晶的加热处理步骤，使保护层材料在前述加热处理步骤中形成的籽晶上成长的保护层形成步骤。
一般地，由于用于保护层的MgO是离子结晶性强的材料、具有Na-Cl型的结晶结构，所以，在形成于非晶质电介质层上时，在理论上表面应当是(100)面取向。但是，实际上的保护层的表面是(111)面取向，可以认为，由于某种影响取向面发生变化。因此，在MgO的柱状结晶中，存在着伴随着取向的不连续性引起的结晶缺陷的可能性，柱状结晶变得很粗大，常常使表面面积加大，吸附杂质气体的量增多。
但是，根据上述制造方法，由于可以使柱状结晶的粗大程度比现有技术的结晶粗大，减少柱状结晶的露出面积，可以减少吸附到保护层内的杂质的量，所以，可以使PDP的放电特性稳定化。
这里，如果在前述保护层材料附着步骤中附着的是粒状结晶，如果在前述加热处理步骤中，一直加热到所述粒状结晶的熔点T(K)以上的温度(K)的话，使多个粒状结晶合成为一个整体，可以增大柱状结晶的粗大程度。此外，在保护层材料附着步骤中附着非晶质层的情况下，由于在所述物质的结晶熔点T(K)的2/3以上的温度(K)形成结晶，所以可以加热到比较低的温度。
具体地说，前述加热处理步骤，可以利用激光照射装置，灯照射柱状，以及离子照射装置中的任何一个中射出的能量束一面扫描前述保护层材料，一面进行照射，进行加热处理。
这里，如果前述加热处理步骤在包含氧的减压气氛中进行的话，可以抑制在保护层中产生氧缺陷。
这里，在从前述保护层材料附着步骤通过前述加热处理步骤的期间，在不连通大气的情况下进行处理的话，或者从前述加热处理步骤通过前述保护层形成步骤的期间，在不连通大气的情况下进行的话，可以抑制在形成保护层时水分等杂质的附着，可以使PDP放电稳定化。此外，通过并行地进行保护层材料附着步骤和加热处理步骤，可以保持附着在保护层材料的表面上的活性状态，所以，可以容易加大籽晶的大小。进而，当原封不动保持加热处理步骤中的籽晶的活性状态、转移到保护层形成步骤时，为了容易外延生长，提高保护层的结晶性能，优选地，将籽晶保持在室温以上的温度。
此外，根据本发明的等离子体显示面板的制造方法，在包括于基板上形成电极的第一工序，以覆盖在前述第一工序中形成的电极上的方式形成电介质层的第二工序，在前述第二工序中形成的电介质层上方形成保护层的第三工序的等离子体显示面板的制造方法中，其特征为，前述面板形成工序在前述第二工序和第三工序之间，具有在前述电介质层上被覆成为使前述保护层材料成长为柱状结晶的基体材料的中间层的第四工序。
借此，不进行上述加热处理，可以使保护层的柱状结晶比现有技术粗大，使PDP的放电特性稳定化。
这里，在前述第三工序中，如果在含有氧的减压气氛下使保护层材料蒸镀的话，很容易形成粗大的构成保护层的柱状结晶的粗度。并且，在第四工序中，优选地在减压气氛下被覆前述中间层，根据中间层的材料的不同，优选地为含O2或N2等减压气氛下。
此外，如果在从前述第四工序直到前述第三工序结束的期间内，不与大气连通地进行处理的话，可以抑制形成保护层时水分等杂质的附着，可以使PDP的放电特性稳定化。
此外，根据本发明的等离子体显示面板的制造方法，在包括于基板上形成电极的第一工序，以覆盖在前述第一工序中形成的电极上的方式形成电介质层的第二工序，形成被覆在前述第二工序中形成的电介质层的保护层的第三工序的等离子体显示面板的制造方法中，其特征为，前述第二工序具有在前述第一工序中形成的电极上被覆电介质层的电介质层被覆步骤，在前述电介质层被覆步骤中被覆的电介质层的表面上形成为了使在前述第三工序中被覆的保护层材料成长为单晶状用的槽的槽形成设置步骤。
借此，由于可以将保护层形成单晶状，与现有技术相比，在减少保护层的露出面积的同时，可以减少保护层吸附的杂质量，可以将等离子体显示面板的放电特性稳定化。
具体地说，为了在电介质层上形成槽，在前述槽形成设置步骤中，可以利用机械切削法，化学腐蚀法，或者准分子激光器法形成设置槽。
此外，如果前述第三工序包括：使由保护层材料构成的多个粒状结晶或者非晶质层附着在前述电介质层上的保护层材料附着步骤，将在前述保护层材料附着步骤中附着的粒状结晶或者非晶质层加热、将多个粒状结晶结合成整体的加热处理步骤，使保护层材料在前述加热处理步骤中结合成整体的粒状结晶或者非晶质层多晶化的结晶上成长的保护层形成步骤的话，可以将保护层进一步形成单晶状。
前述加热处理步骤，在前述保护层材料附着步骤中附着的是粒状结晶的情况下，加热到所述结晶熔点T(K)以上，在非晶质层的情况下，加热到所述物质的熔点T(K)的2/3以上的温度(K)即可。
具体地说，前述加热处理步骤，可以利用激光照射装置，灯照射装置，以及离子照射装置中的任何一种射出的能量束照射到前述保护层材料上，进行加热处理。
这里，在前述加热处理步骤，如果在含有氧的减压气氛下进行的话，可以抑制保护层中产生氧缺陷。
此外，由于通过并行进行保护层材料附着步骤和加热处理步骤，可以把附着的保护层材料的表面保持在活性状态，所以，可以很容易地加大籽晶的大小。
此外，在从前述加热处理步骤通过前述保护层形成步骤的期间内，不连通大气，或者在减压气氛下进行处理的话，可以抑制形成保护层时水分等杂质的附着，可以使PDP的放电特性稳定化。进而，如果在从前述保护层材料附着步骤通过前述保护层形成步骤期间，不连通大气进行处理的话，可以进一步降低吸附着到保护层中的杂质量，使PDP放电特性进一步稳定化。
进而，在原封不动保持加热处理步骤中的籽晶的活性状态下，转移到保护层形成步骤时，为了容易进行外延生长，提高保护层的结晶性能，优选地将籽晶保持在室温以上的温度。
附图的简单说明
图1、是卸下根据第一种实施形式的PDP的前面玻璃基板的平面图。
图2、是图1中的PDP的部分简略剖面透视图。
图3、是表示根据第一种实施形式的PDP显示装置的结构的图示。
图4、是现有技术的PDP的前面板的主要部分剖面图。
图5、是从y轴方向观察图2的PDP时看到的前面板的主要部分的剖面图。
图6(a)～(e)是表示在根据第一种实施形式的前面板的各个制造阶段的主要被覆的剖面图，按标号的顺序进行。
图7、是将寻址电压相对于根据本发明的PDP以及现有技术的PDP的驱动时间绘制的曲线图。
图8、是表示根据第二种实施形式的PDP显示装置的结构的图示。
图9(a)～(c)是表示在根据第二种实施形式的前面板的各个制造阶段的主要部分的剖面图，按标号的顺序进行。
图10、是表示可以用于中间层的物质的晶格常数及计算出来的相对于MgO的错配值。
图11、是表示根据第三种实施形式的PDP前面板的主要部分的图示。
图12、(a)～(d)是表示在根据第三种实施形式的前面板的各个制造阶段的主要部分的剖面图，按标号的顺序进行。
图13、是示意地表示根据第三种实施形式的前面板的主要部分的剖面透视图。
实施发明的最佳形式
(第一种实施形式)
下面参照附图说明根据第一种实施形式的PDP及PDP显示装置。
<PDP10的结构>
图1是卸下PDP10中的前面玻璃基板11的简略平面图，图2是PDP10的部分剖面透视图。此外，在图1中，为了容易理解，部分地省略了显示电极13，显示扫描电极14，寻址电极17的条数。下面边参照两个图边说明PDP10的结构。
如图1所示，PDP10备有：前面玻璃基板11(图中未示出)，背面玻璃基板12，n条显示电极13，n条显示扫描电极14，m条寻址电极17，以及用斜线表示的气密性密封层21等，各电极13，14，17形成三电极结构的电极阵列，在显示电极13和显示扫描电极14与寻址电极17的交点形成单元。
该PDP10，如图2所示，作为前面板的前面玻璃基板11和作为后面板的背面玻璃基板12，中间经由排列配置成条带状的间隔壁19相互平行地配置。
前面板在前面玻璃基板11的一个主面上，备有显示电极13，显示扫描电极14，电介质层15，以及保护层16。
显示电极13和显示扫描电极14，在前面玻璃基板11上交替地相互平行并列地配置成条带状，它们都是由银等导电性物质构成的电极。
保护层16由被覆在电介质层15表面上的二次电子发射性能及耐溅射性能优异的、沿层的厚度方向(111)面取向的氧化镁(MgO)构成。作为构成该保护层16的物质，只要是形成结晶的话，也可以使用具有电子发射性能的碱土类金属(Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Ra)的氧化物及氟化物，或者它们的混合物。
另一方面，在背面板上，于背面玻璃基板12的一个主面上，配置寻址电极17，衬底电介质层18，间隔壁19，荧光体层20R，G，B。
寻址电极17是平行地排列配置在背面玻璃基板12、由银等导电性物质构成的电极。
以衬底电介质层18覆盖寻址电极17的方式形成的，例如，是由含有氧化钛的电介质玻璃构成的层，同时起着反射由各荧光体层20R，G，B产生的可见光的作用和作为电介质层的作用。
间隔壁19与寻址电极17平行地并列设置在衬底电介质层18的表面上。在该间隔壁19和间隔壁19中间的凹部和间隔壁19的侧壁上，依次形成各荧光体层20R，G，B。
荧光体层20R，G，B，是分别发出红色(R)，绿色(G)，蓝色(B)的光的荧光体粒子的粘结层。
PDP10通过将上述前面板和背面板粘贴在一起，利用气密性密封层21将该面板周围密封，以一定的压力(例如66.5kPa左右)将放电气体(例如氖95体积％和氙5体积％的混合气体)封入到形成于它们之间的放电空间22内构成。
图3是表示PDP显示装置40的结构的图示。
PDP显示装置40备有PDP10，PDP驱动装置30，具有PDP10连接到PDP驱动装置30上的结构。
PDP驱动装置30，备有：连接到PDP10的显示电极13上并且将其驱动的显示驱动回路31，接到显示扫描电极14上、并且将其驱动的显示扫描驱动回路32，连接到寻址电极17上并且将其驱动的寻址驱动回路33，以及控制各驱动回路31，32，33的驱动的控制器34。
在PDP显示装置40驱动时，根据控制器34的控制，通过在要点亮的单元的显示扫描电极14和寻址电极17上外加大于等于放电开始电压的电压，在该电极间进行寻址放电，储存壁电荷后，通过一起向显示电极13和显示扫描电极14上外加脉冲电压，在储存壁电荷的单元上进行持续放电。在进行这种持续放电时，从放电空间22(图2)内的放电气体发出紫外线，由该紫外线激发的各荧光体层20R，20G，20B(图2)发光，点亮单元。通过所述各色单元的点亮和不点亮的组合，可以显示图象。
<前面板的结构>
(关于现有技术的前面板)
在对作为本发明的特征的前面板的保护层进行说明之前，先说明现有技术的前面板的保护层的结构。
图4是现有技术的前面板的主要部分的剖面图。此外，这种现有技术的前面板，与用上述图1～图3说明的前面板具有基本上相同的结构，只有保护层26的结构不同，所以对于赋予相同标号的部分省略其说明。
如该图所示，现有技术的前面板，以覆盖排列设置在前面玻璃基板11上的显示电极13、显示扫描电极14的方式叠层电介质层15，在其上形成由MgO构成的保护层26。
保护层26，由相对于电介质层15的表面向垂直的方向延伸的柱状结晶261(约15nm)形成的层以及附着在电介质层15的表面上的粒状结晶262形成的层构成，通过真空蒸镀法将MgO被覆在电介质层15上形成。由于该柱状结晶261是在被称为死层的粒状结晶262上成长的，所以不会成长得很粗大，并且，由于粒状结晶262的存在而露出到外面，所以，在各柱状结晶261中露出的面积比较大。从而，在该柱状结晶261的露出面上，吸附水分等杂质的几率高，保护层26成为容易含有水分等杂质的结构。
这种杂质气体、特别是水分，对PDP放电特性产生恶劣影响。即，在PDP驱动时，从等离子体溅射活化的保护层26的结晶界面上依次地放出水等杂质，随着放电空间内水分的增加，寻址放电所需的电压提高，即使进行寻址也容易产生不点亮的单元。因此，在PDP中放电特性难以稳定。
为了提高这种放电特性，最好是在加大柱状结晶261的粒径的同时，通过抑制粒状结晶262的产生，缩小柱状结晶261的露出面积，为此，有人提出蒸镀时提高前面板的温度的方法。但是，在这种方法中，柱状结晶的粒径的增大是有限度的，不可能完全没有粒状结晶，当前面板的温度在350℃以上过高时，难以获得化学计量组分的保护层，并且，形成氧缺陷多的层，所以，在现有技术中，难以使PDP的放电特性稳定化。
此外，在保护层26中，如果柱状结晶261的粒径小，存在粒状结晶262的话，保护层26致密度小，所以，耐溅射性能差，可以说还有将其提高的余地。
(本实施形式的前面板)
下面，对于作为根据本实施形式的PDP的特征的前面板的结构进行说明。
图5是根据本实施形式的前面板的主要部分的剖面图。
如该图所示，在前面板上，以覆盖排列设置在前面玻璃基板11的一个主面上的显示电极13和显示扫描电极14的方式叠层电介质层15，在其上形成保护层16。
保护层16由形成籽晶163的层和将其作为基体材料相对于电介质层15的表面垂直方向延伸的多个柱状结晶161(在保护层16的厚度方向以(111)面取向)形成的层构成，不形成在现有技术的保护层中看到的粒状结晶构成的死层。
这里，籽晶163，起着促进配置在其上的柱状结晶161的结晶取向用的基体材料的作用，由于籽晶163和柱状结晶161是由相同的MgO构成的，所以难以区别，形成约为200nm的厚度。
另一方面，该柱状结晶161的宽度W，约为30～45nm左右，与现有技术的柱状结晶(15nm)相比，约变粗大2～3倍以上。借此，在保护层16中露出的面积比现有技术的保护层26(图4)小。进而，由于不存在现有技术那种粒状结晶262(图4)，所以，柱状结晶161露出的面积也减少。因此，保护层16吸附的杂质的量也比现有技术的少。从而，在本实施形式中PDP，由于持续放电时放出的杂质量也比现有技术的低，所以放电特性稳定。此外，由于不形成死层，形成的柱状结晶161也粗大，所以，提高保护层16的致密度，提高耐溅射性能。
<PDP10的制造方法>
下面，对上述PDP10的制造方法进行说明。
首先，利用图6(a)～(e)说明其前面板的制造方法的一个例子。
图6(a)～(e)是在各个制造阶段的前面板的主要部分的剖面图，按标号的顺序进行。
①前面板的制作
前面板这样制作：通过首先在前面玻璃基板11上交替且平行地形成条带状的各n条显示电极13和显示扫描电极14之后，用电介质层15被覆于其上，进而，在其表面上形成保护层16。
显示电极13和显示扫描电极14，例如分别是由银构成的电极，利用丝网印刷法以一定的间隔(例如约80μm)将电极用银膏涂布到前面玻璃基板11上之后，通过烧结，如图6(a)所示的那样形成。
其次，将含有电介质层15构成的氧化铅(PbO)的涂膏，通过丝网印刷法涂布，干燥后，烧结，形成如6(b)所示的厚度约为20μm电介质层。
其次，对在本实施形式中，作为其特征的保护层16的形成方法进行说明。
如图6(c)所示，利用真空蒸镀法，例如EB蒸镀法，在电介质层15的表面上，例如附着由保护层材料构成的粒状结晶162直到200nm的厚度。在这种蒸镀的初期阶段，在电介质层15的表面上形成保护层的物质一会儿附着在电介质层15上一会儿剥离，所以只能形成像粒状结晶162这样的粒径小的结晶。此外，在这里，图中没有示出，有时不形成粒状结晶162，形成非晶质层状物。
其次，为了水分等吸附到这种覆膜的粒状结晶162上，将其不连通大气进行加热处理。借此，邻接的粒状结晶162彼此结合成一体，如图6(d)所示，形成多个具有比粒状结晶162大的粒径的籽晶163。在形成上述非晶质层的情况下，通过加热处理引起多晶化，在该层的面内形成存在多个籽晶的状态。在这种加热处理中，例如，优选地，采用氩激光等激光照射装置，加热灯照射装置，或者离子照射装置，使从它们出射的能量束聚焦，一面使之相对于前面板相对移动，一面进行照射进行加热的方法。如果将整个前面板加热到接近其1273K的话，前面玻璃基板有可能发生畸变，但是，如果进行点式加热的话，就不容易发生这样的问题，可以用少量的能量进行处理。
下面对这种加热处理进行简单的说明。当激光等照射到粒状结晶162的表面上时，在粒状结晶162上生成高能电子，空穴，激发晶格振动。所述电子，空穴一面放出声子，一面失去能量再次结合。在这种过程中，引起温度上升，粒状结晶162熔融，并且，邻接的粒状结晶162结合成一体，当停止激光的照射时，引起再结晶。通过这种再结晶化，多个粒状结晶162结合成一体，形成扩大了结晶粒径的籽晶163，这种籽晶163具有沿保护层16的厚度方向(111)面取向的MgO单晶结构。
在对粒状结晶162进行这种加热处理的场合，在作为高于所述物质的结晶熔点的1273(K)以上的高温下进行加热处理，因此，优选地使用可以照射高温、并且可以提高再结晶化的进行速度的短时间(nsec数量级)的激光的脉冲激光器作为加热源。此外，在对上述非晶质层借此加热处理的情况下，由于能够在比所述物质的结晶熔点T(K)低的温度(2/3T(K)以上的温度)熔融，所以，可以在更低的温度下进行处理。
这里，如果在减压气氛下进行加热处理的话，气体中吸收的热量受抑制而降低，进而，如果，在含有氧的减压气氛下进行加热处理的话，在减少氧缺陷的同时，再结晶化的物质选择性地形成电子发射性能优异的(111)面取向，所以，优选地在该条件下进行加热处理。此外，如果将保护层材料附着到电介质层15的表面上的处理和加热处理并行的话，由于在原封不动保持附着的保护层材料的表面上的活性状态进行加热处理，所以，可以提高处理效果。
这样，由于籽晶163成为面取向的单晶，容易引起以该单晶作为基板的结晶成长(沿保护层16的厚度方向(111)面取向)。因此，通过再次利用真空蒸镀法在籽晶163上将整个保护层16的厚度蒸镀到1000nm，如图6(e)所示，获得不残留粒状结晶、比现有技术的柱状结晶成长得粗大的柱状结晶161。这里，由于通过保持加热处理后的籽晶163的活性状态容易引起结晶成长，所以，优选地将形成籽晶163的前面板保持在室温以上。
此外，在利用上述各真空蒸镀法时，优选地，在含有氧的减压气氛下进行。如果在气氛中含有氧的话，在蒸镀的物质的结晶结构中，可以抑制氧缺陷的发生。此外，在从附着粒状结晶的EB蒸镀通过加热处理的期间，以及在通过它们的整个期间，如果不将前面板连通大气地进行处理的话，可以抑制含在大气中的水分(杂质)被吸附到保护层16中，从使PDP的放电稳定化的角度出发，是优选地。
②背面板的制作
下面，参照图1、2说明背面板的制造方法的一个例子。
首先，通过丝网印刷电极用银膏并进行烧结，将背面板形成在背面玻璃基板12上并列设置m条寻址电极17的状态。通过在其上利用丝网印刷法涂布含有TiO2粒子和电介质材料的涂膏，形成衬底电介质层18。然后，通过利用丝网印刷法将含有同样的电介质玻璃材料的涂膏以规定的间距反复涂布后烧结，形成间隔壁19。由该间隔壁19将放电空间22沿x轴方向划分成各个单元(单位发光区域)。
同时，在该间隔壁19和间隔壁19之间的槽内，涂布由红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各种荧光体粒子和有机粘结剂构成的膏状的荧光体墨。通过将其在400～590℃的温度下烧结，将有机成分烧掉，形成各荧光体粒子结合构成的荧光体层20R，20G，20B。
③通过将面板粘贴制作PDP
将这样制作的前面板和背面板以前面板的各电极和背面板的寻址电极相互垂直的方式重叠的同时，通过将密封用玻璃插入到面板的周缘，例如，将其在450℃烧结10～20分钟，形成气密性密封层21(图1)，将其密封。同时，一旦将放电空间22(图2)内抽成真空(例如，1.1×10-4Pa)之后，通过以一定的压力(例如，66.5kPa)封入放电气体(例如，He-Xe系，Ne-Xe系等惰性气体)，制作PDP10。
<效果>
如上面所述，在本第一种实施形式中，在形成保护层16时，首先，利用真空蒸镀附着粒状结晶162后，通过对其进行加热处理，使之加大直径的同时，形成单晶化的籽晶163。其次，通过在该籽晶163上进行真空蒸镀，在形成比现有技术的粒径大的柱状结晶16的同时，不容易形成由粒状结晶构成的死层。因此，可以获得耐溅射性能优异，放电特性稳定的保护层16。
即，利用这种方法获得的保护层16，是单晶性优异的柱状结晶161密集的层，保护层16中的致密度比现有技术的高，所以，可以认为与现有技术相比，其耐溅射性能性能优异。另一方面，形成保护层16的柱状结晶161比现有技术的粗大，全体保护层16中露出的面积小，与现有技术相比保护层16中吸附的杂质量少，所以，可以使PDP中的放电特性稳定化。
此外，在上述实施形式中，利用真空蒸镀法形成由成为保护层材料的MgO构成的粒状结晶，对其进行加热处理形成籽晶，但在附着保护层材料的工序中，不仅可用真空蒸镀的在减压气氛中的气相生长法，而且可通过旋转涂布法涂布含有MgO的涂膏，对其进行加热处理，也可以获得和上述实施形式同样的效果。如果利用这种方法，可以用更简便的方法涂布保护层材料。
<实施例>
(1)实施例样品S1
利用上述实施形式中说明的EB蒸镀法，形成由MgO构成的保护层(100nm)，进行加热处理后，再次用EB蒸镀法形成使由MgO构成的保护层成长到1000nm的前面板。用该前面板制作等离子体显示面板。作为实施例的样品。这里，作为放电气体，利用Ne的含量为95体积％，Xe的含量为5体积％，封入压力66.5kPa。
(2)比较例样品R1
用由上述现有技术的保护层形成方法形成的前面板制作等离子体显示面板，作为比较例样品。这里，保护层的厚度，放电气体的种类，封入压力等与形成实施例样品时的情况相同。
(3)实验
实验方法
将上述实施例样品S1和比较例样品R1连接到上述图3说明的PDP驱动装置30上，连续地进行白显示，随着驱动时间变化，测定寻址电压(Vdata)。此外，作为寻址电压，是为了选择想要显示的放电单元外加在寻址电极上的电压，这里，表示为了引起寻址放电所必须的电压的最小值。
(4)结果和讨论
实验结果示于图7。
图7表示寻址电压(Vdata)相对于实施例样品S1和比较例样品R1的驱动时间的关系。
如该图所示，在实施例样品S1中，寻址电压(Vdata)相对于驱动时间基本上是稳定的，但在比较例样品R1中，当驱动时间超过4000小时时，寻址电压急剧增高。可以认为，这是由于对于实施例样品S1，在保护层的形成过程中，通过进行加热处理形成保护层的柱状结晶比现有技术的柱状结晶粗大，整个保护层露出的面积减少，保护层不容易吸附水分等杂质，伴随着驱动放出的杂质量比现有技术中的少的缘故。
(第二种实施形式)
下面，对作为本发明的一个应用例的PDP和PDP显示装置的第二种实施形式进行说明。此外，由于根据第二种实施形式的PDP和PDP显示装置，与利用图1、2、3说明第一种实施形式的情况，除中间层和保护层的结构不同之外，其结构基本上相同，所以，对于相同的结构省略其说明。
在上述第一种实施形式中，形成由MgO构成的粒状结晶，通过对其进行加热处理，形成构成在其上形成的柱状结晶的基体材料的籽晶，但作为基体材料，也可以由MgO以外的物质构成。
图8是根据该第二种实施形式的前面板的主要部分的剖面图。
如该图所示，根据第二种实施形式的前面板，覆盖排列设置在前面玻璃基板11的一个主面上的显示电极13和显示扫描电极14的方式叠层电介质层15，在该电介质层15上形成中间层362和保护层36。
中间层362是由氧化锌(ZnO)构成的层。当利用X射线衍射法对该氧化锌构成的中间层362进行分析时，该层具有纤维锌矿型的结构，同时，沿该膜的厚度方向进行(100)面取向。保护层36在该中间层362表面上外延生长形成，利用TEM(透射式电子显微镜)观察确认，该界面是晶格耦合的。
一般地，在外延生长中，将形成基板的结晶和形成于其上的另外一种结晶中的原子间距之差的绝对值与作为基板的结晶的原子间距之比用百分率表示的值，称之为错配(misfit)，根据经验，该值必须在10～15％以内。因此，如果构成中间层362的物质与构成保护层36的物质(MgO)的错配是大致在15％以下，优选地在10％以下的物质的话，就可以使构成保护层36的物质外延生长。此外，在该第二种实施形式中使用的氧化锌的错配在12％。
保护层36是沿相对于中间层362的表面基本上垂直的方向外延生长的多个MgO构成的柱状结晶361形成的层，基本上和第一种实施形式中所述的柱状结晶161(图3)是相同的，比现有技术的柱状结晶粗大。借此，由于和上述第一种实施形式相同的理由，与现有技术相比，抑制了保护层36中的杂质的吸附量。从而，可以使PDP放电特性稳定。
但对于该MgO的柱状结晶361用X射线衍射法进行分析时，发现它具有Na-Cl型结构，并且，在保护层36的厚度方向，从与中间层362的界面直到保护层36的表面，均一地进行(111)面取向。此外，作为保护层36，也可以使用上述第一种实施形式中所述的碱土类金属氧化物，碱土类金属氟化物以及它们的混合物。
<前面板的形成方法>
该第二种实施形式的PDP的制造方法，和上面的第一种实施形式中说明的方法基本上相同，只有前面板的形成方法不同，因此，主要对前面板的形成方法进行说明。
图9表示根据第二种实施形式的前面板的形成方法。
图9(a)～(c)是前面板的各制造阶段中的主要部分的剖面图，各制造阶段按各标号的顺序进行。此外，对于在前面玻璃基板11上形成显示电极13，显示扫描电极14以及电介质层15的方法，是和在上述第一种实施形式中的图6(a)、(b)说明的方法相同的方法，所以省略对它们的说明。
通过在覆盖排列设置在前面玻璃基板11上的显示电极13和显示扫描电极14的电介质层15上形成中间层362和保护层36制作前面板。
首先，如图9(a)所示，加热形成电介质层15的基板，在含氧的减压气氛下利用真空蒸镀法，例如EB蒸镀法，使厚度约为100nm的氧化锌(ZnO)附着在电介质层15的表面上，形成如图9(b)所示的沿层的厚度方向(100)面取向的中间层362。
为了防止杂质向中间层362上的附着，在保持减压状态不变的情况下，利用真空蒸镀法，例如EB蒸镀法相对于形成中间层362的基板外延生长厚度900nm的MgO。借此，形成如图9(c)所示的由比现有技术的柱状结晶粗大、沿其厚度方向均匀地沿(111)面取向的柱状结晶361构成的保护层36。
<粗大地形成柱状结晶361的原因>
这里，为了说明粗大地形成柱状结晶361的原因，对其成长速度进行说明。
由于柱状结晶361的结晶面的表面能具有各向异性，所以，在各结晶面上的成长速度不同。所谓结晶面的表面能，是表示结晶面的稳定性的一个物理量，它表示，其数值越大，在该结晶面上的单位面积的原子间的结合数越多，该结晶面吸附原子的能力越大。
这里，对于MgO，其表面能(相对值)为
(100)面：1.000
(111)面：1.732
由此可以看出，对于MgO，(111)面比(100)面更容易吸附原子。
但在实际上，在利用真空蒸镀进行MgO保护层的制膜时，为了抑制在结晶中氧缺陷的发生，在含O2的气氛下使结晶成长，而O2容易被MgO的结晶的(111)面吸附，一旦被吸附，该(111)面稳定化，同时，表面能减少。其结果是，在MgO中，(100)面的表面能相对增加，作为蒸镀源使用的MgO，变的容易被MgO的结晶(100)面吸附，从而使(100)面的结晶成长速度增高。
这里，如果在中间层362的表面上的晶核沿保护层36的厚度方向进行(111)面取向的话，通过晶核的(100)面成长，结晶向与保护层36的厚度方向垂直的<100>方向成长，结果，形成粗大的柱状结晶361。从而，通过使形成在中间层362的表面上的晶核沿保护层36的厚度方向沿(111)面取向，可以形成粗大的柱状结晶361。因此，优选地，采用以下的方法。
由于MgO是Na-Cl结构，当利用真空蒸镀在非晶质电介质膜上形成时，通常最密集的原子面(100)与电介质膜的面平行，沿膜厚方向进行(100)面取向成长。但是，当在结晶基板上真空蒸镀MgO时，利用与该结晶基板的结构的不同，可以控制MgO的结晶取向面。
作为该结晶基板的结晶结构，利用列举出面心立方晶格及密堆积六方晶格。该面心立方晶格，其最密集的原子面是(111)面，密堆积六方晶格，其最密集原子面是(001)面。在各晶格结构中，各(111)面、(001)面具有容易相对于基板成平行的性质，在这些面上，成为所有的原子排列在正三角形的顶点上的结构。
另一方面，在Na-Cl结构的(111)面上，具有同样的结构，Na-Cl结构的(111)面与面心立方晶格的(111)面及核密堆积六方晶格的(001)面具有相同的排列。从而，如果构成中间层362的结晶，在其厚度方向取面心六方晶格的(111)面取向，或者取密堆积六方晶格的(001)面取向的话，具有Na-Cl结构的MgO容易保持(111)面取向不变进行结晶成长。
这样，在使MgO保持(111)面取向进行结晶成长的情况下，除面心立方晶格和密堆积六方晶格之外，也可以利用闪锌矿型结构，以及纤维锌矿结构的二元系化合物，或者多元素的混晶化合物。
这里，对上面说明的保护层(MgO)的结晶成长作一归纳。
如现有技术那样，在把MgO蒸镀到非晶质电介质层上的情况下，其晶核较多地形成与电介质层平行的最密积的原子面(100)的面取向。然后，当在O2气氛中制造MgO的膜时，只选择性地成长(111)，最终，获得成长初期层为死层的(111)面取向的膜。
另一方面，如本发明的第二种实施形式所述，当用沿其厚度方向(111)面取向结晶形成在电介质层15上形成的中间层362时，它起着晶核的作用，通过在其上制成MgO膜，获得不形成死层的单一取向的(111)面的大直径的柱状结晶361。
由于该柱状结晶361借助外延生长形成，所以，如果满足有关与构成中间层362的物质的错配的条件的话，很容易形成大直径的柱状结晶。
这里，对求错配的方法进行说明。
在对构成中间层362的物质采用具有面心立方晶格及闪锌矿型结构的结晶的情况下，由于两者都是基于面心立方晶格的结构，利用晶格常数作为最接近的原子间的距离，可以求出与柱状结晶361的错配。
另一方面，在用具有密堆积六方晶格以及纤维锌矿晶格的结晶作为中间层362的情况下，当今晶格常数为a时，最接近原子间距变为，可以用它求出与柱状结晶361的错配。为了能够借此外延，该错配的数值越低越好，作为允许量，大致在15％以内，更优选地在10％以内。
这里，可以用于中间层362的具有面心立方晶格，密堆积六方晶格，闪锌矿型晶格和纤维锌矿型结构的物质，可以列举出如下的物质。
图10表示可以用于中间层362的物质的名称以及与MgO的错配的值。
如该图所示，作为可以用于中间层362的物质，可以考虑使用：从Ag，Al，Au，Be，Cd，Co，Cu，Ga，Hf，In，Ir，Mg，Ni，Os，Pd，Pt，Re，Rh，Tc，Ti，Zn，Zr构成的第一组元素中选择出来的元素的单体结晶，以及，从上述第一组元素中选择出来的两种以上的元素构成的合金，由从上述第一组元素中选择出来的一种以上的元素和从As，N，O，P，S，Sb，Se，Te构成的第二组元素选择出来的一种以上的元素构成的化合物结晶。具体地说，可以列举出：形成面心立方晶格的Ag，Al，Au，Ca，Ce，Cu，Ir，Ni，Pb，Pd，Pr，Pt，Rh，Sc，Th，Yb，形成密堆积六方晶格的Be，Cd，Co，Cp，Dy，Er，Gd，Hf，Ho，La，Mg，Nd，Os，Re，Tb，Tc，Ti，Tl，Tm，Y，Zn，Zr，形成闪锌矿的ZnS，ZnSe，ZnTe，CdTe，BeS，AlAs，AlP，AlSb，GaAs，GaP，GaSb，InAs，InP，InSb，形成纤维锌矿的ZnO，BeO，CdS，CdSe，ALN，GaN等。其中，对于MgO的错配在15％以下的物质用下划线表示，其中，从外延生长的观点出发，Ag，Al，Au，Cu，Ir，Ni，Pd，Pt，Rh，Cd，Co，Hf，Mg，Os，Re，Tc，Ti，Zn，Zr，ZnO，BeO，AlN，GaN等物质特别适合于中间层362。此外，从可以构成上述中间层362的物质中选择出来的两种以上的合金或者多元素化合物的结晶也适合于中间层。
如上所述，通过形成沿厚度方向(111)面取向的中间层362，在其上蒸镀构成保护层36的MgO，形成比现有技术的柱状结晶粗大的由MgO构成的柱状结晶361。借此，与现有技术的保护层相比，可以减少整个保护层36露出的面积，抑制保护层36上吸附的水等杂质。从而，可以使PDP中的放电特性稳定化。
此外，为了外延生长，在将具有不同晶格常数的结晶异型结合时，在该异型结合面上的各个结晶上，有时以相互之间接近其它晶格常数的方式产生结晶晶格的畸变。该畸变的量依赖于各结晶的膜厚，当变得不能吸收结晶晶格的变化而使错配增大时，在结晶内部产生原子转移。当产生这种转移时，MgO的柱状结晶361，结晶晶格变得不均匀，但能量状态也发生一定程度的变化，保护层的功能，即，电子发射性能等不会受到太大的影响。
此外，在形成保护层时，当真空蒸镀时O2分压过大时，反而使晶核的成长速度降低，并且，增加核的形成密度，有柱状结晶变小，或者成为粒状结晶的倾向。从而，对于O2分压，最好是选择最佳分压。
(第三种实施形式)
下面，对作为本发明的一个应用例的PDP及PDP显示装置的第三种实施形式进行说明。此外，该第三种实施形式的PDP及PDP显示装置，与在第一种实施形式中用图1、2、3所说明的，除电介质层和保护层的结构不同之外，其它结构基本上相同，所以对相同的结构省略其说明。
在上述第一种实施形式中，形成由MgO构成的粒状结晶，通过对其进行加热处理，形成决定形成于其上的柱状结晶的取向面的方向的籽晶，但，也可以代替这种籽晶，通过改变电介质层的形状，决定形成于其上的柱状结晶的取向面。
图11是根据该第三种实施形式的前面板的主要部分的剖面图。
如该图所示，根据第三种实施形式的前面板，以覆盖排列设置在前面玻璃基板11的一个主面上的显示电极13和显示扫描电极14的方式叠层电介质层45，在其上形成保护层46。
电介质层45与上述第一种实施形式一样，由铅玻璃等非晶质物质构成，在连接到保护层46侧的主面上，以条带状的形式并行地排列设置多个槽451。这里，所形成的槽451的周期W：3800nm(槽的宽度：1900nm)，深度H：100nm。利用该槽，蒸镀在电介质层45上的保护层46，形成单晶状，即，柱状结晶的数目少，各柱状结晶的结晶粒径大。这里，槽451，其宽度在160～3800nm的范围内，可以确认，将保护层46形成单晶状。
保护层46，是由MgO构成的多个柱状结晶461形成的层，基本上和第一种实施形式中所述的柱状结晶161(图3)相同，比第一种实施形式和第二种实施形式中的柱状结晶的粒径大。借此，根据和上述第一种实施形式的同样的原因，与现有技术相比，抑制了在保护层46中杂质的吸附量。从而，可以使PDP的放电特性稳定。
对于柱状结晶461用X射线衍射法分析的结果，柱状结晶461具有Na-Cl型结构的同时，在保护层46的厚度方向，具有(100)方向的面取向。此外，作为构成柱状结晶461的物质，可以利用碱土类金属氧化物，碱土类金属的氟化物，以及它们的混合物。
<前面板的形成方法>
根据第三种实施形式的PDP的制造方法，与上述第一种实施形式中说明的方法基本上相同，只有形成前面板的方法不同，所以，主要说明该形成方法。
图12(a)～(d)是表示根据该第三种实施形式的前面板的形成方法用的前面板的各制造阶段的主要部分的剖面图，制造阶段按标号顺序进行。此外，在前面玻璃基板11上形成显示电极13，显示扫描电极14，以及电介质层15的方法，是与用图6(a)、(b)说明的方法相同的方法，省略其说明。
前面板通过在覆盖排列设置在前面玻璃基板11上的显示电极13和显示扫描电极14的电介质层15上形成保护层36制作。
首先，相对于如图12(a)所示的形成电介质层15的基板，如图12(b)所示，形成多个条带状槽451。作为该槽451的形成方法，包括：利用化学蚀刻法等腐蚀法，或者利用准分子激光器，使电介质层15的一部分熔化、熔融形成槽，或者利用前端尖锐的针状切削工具压紧到电介质层15上，使之相对移动，机械地将电介质层15表面上的一部分削掉的方法。
其次，加热形成该槽的基板，利用真空蒸镀法，例如BB蒸镀法，使作为保护层材料的MgO附着在整个电介质层15表面上。
图13是根据第三种实施形式的前面板的主要部分的剖面透视图，为了方便起见，只在图中表示出一个柱状结晶461。
电介质层45，其本身是非晶质物质，如图13所示，蒸镀在其上面的MgO，理论上在<100>方向成长。因此，不言而喻，凸出部452的表面在槽451的底面和侧面上，在与各面基本垂直的方向一面进行<100>取向一面成长。从而，在槽451的内部，MgO一面沿着槽的方向进行<001>取向一面成长，结果，成为沿槽451双轴取向的单晶状的保护层前驱体460(图12)。通过在该保护层前驱体460上，进一步连续蒸镀，获得沿其厚度方向(100)面取向的柱状结晶461。该柱状结晶461的粒径，大到基本上可以把保护层46看作一个单晶的程度。(此外，在图11和图12(d)中，表示出形成三个柱状结晶461的情况。)
这里，保护层前驱体460，在MgO蒸镀的初期阶段，即使MgO成为粒状结晶，或者成为非晶质层，如果利用和第一种实施形式一样的加热装置在含氧的减压气氛下进行加热处理的话，和第一种实施形式一样多晶化的同时，形成籽晶的保护层前驱体460的粒径可以比现有技术的进一步加大。作为加热处理，采用能够以约380μm的点径照射的6～7W左右的氩离子激光器，一面以12μm的间距将其错开一面扫描，升温至结晶熔点T(K)以上(在非晶质的情况下，2/3T(K)以上)，并适于将其进行多次反复的方法。
同时，最终的保护层46沿其厚度方向(100)面取向的同时，由具有比上述各实施形式大的粒径的柱状结晶461构成，接近于单晶。对于这种处理后的保护层前驱体460的结晶特性，可以利用电子射线衍射加以确认。
如上所述，将该保护层前驱体460作为籽晶，通过使MgO结晶成长，如图12(d)所示，不存在由粒状结晶构成的死层，可以获得由比上述各实施形式更粗大的柱状结晶461形成的前面板。因此，由于和上述各实施形式同样的理由，可以使PDP放电特性稳定化。
此外，在第三种实施形式中，形成(100)面取向的保护层46，但在第一、第二种实施形式中，形成(111)面取向的保护层。这样，即使形成的保护层的取向面不同，从放电特性的稳定性的角度两者没有太大的区别。但是，从电子发射特性的角度出发，(111)面取向稍好，从这点出发，优选地为(111)取向。通过在电介质层上形成槽，形成(111)面取向的保护层的情况下，如果将槽的形状制成三角锥的话，可以形成沿保护层的厚度方向(111)面取向的保护层。
此外，在第三种实施形式中，由于和上述第一种实施形式同样的原因，优选地，在从附着保护层材料直至形成保护层的期间，不连通大气地进行处理，以及从加热处理到保护层形成的期间，将前面板保持在室温以上的温度。
工业上的可利用性
根据本发明的PDP，用于计算机和电视机、特别是对于要求长寿命的PDP是有效的。

Claims (51)

1.一种等离子体显示面板，在第一面板和第二面板中间经由间隔件对向配置，在前述第一面板和第二面板其中之一上，排列设置多个电极，并且，以覆盖所述多个电极的方式依次叠层电介质层和保护层的等离子体面板中，其特征为，
前述保护层由籽晶形成的第一层和在该第一层的籽晶上成长的多个柱状结晶形成的第二层构成，
前述第一层，由在其形成的初期将附着在前述电介质层表面上的多个粒状结晶合成一个整体的籽晶构成，或者在其形成的初期将附着在前述电介质层上的非晶质层多晶化的籽晶构成。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征为，前述保护层由碱土类金属氧化物，碱土类金属氟化物，或者它们的混合物构成。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其特征为，前述保护层由MgO构成。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征为，前述保护层中的柱状结晶，沿其厚度方向(111)面取向。
5.一种等离子体显示面板，在第一面板和第二面板中间经由间隔件对向配置，在前述第一面板和第二面板其中之一上，排列设置多个电极，并且，以覆盖所述多个电极的方式依次叠层电介质层和保护层的等离子体面板中，其特征为，
在前述电介质层和保护层之间，配置成为构成前述保护层的柱状结晶成长的基体材料的中间层。
6.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征为，前述中间层具有面心立方结构，密堆积六方结构，纤维锌矿型结构，闪锌矿型结构中的任何一种结晶构造。
7.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其特征为，前述中间层，由从Ag，Al，Au，Be，Cd，Co，Cu，Ga，Hf，In，Ir，Mg，Ni，Os，Pd，Pt，Re，Rh，Tc，Ti，Zn，Zr构成的第一元素组选择出来的元素的单体结晶，或者从前述第一元素组中选择出来的两种以上的元素构成的合金，以及从前述第一元素组选择出来的一种以上的元素与从As，N，O，P，S，Sb，Se，Te构成的第二组元素组中选择出来的一种以上的元素构成的化合物结晶中之一构成。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其特征为，构成前述中间层的物质，与构成前述保护层的物质的错配约在15％以下。
9.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征为，构成前述保护层的柱状结晶，沿其层的厚度方向(111)面取向。
10.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征为，前述柱状结晶由MgO构成。
11.一种等离子体显示面板，在第一面板和第二面板中间经由间隔件对向配置，在前述第一面板和第二面板其中之一上，排列设置多个电极，并且，以覆盖所述多个电极的方式依次叠层电介质层和保护层的等离子体面板中，其特征为，
前述电介质层，在前述保护层侧的主面上，形成设置使所述保护层成长为单晶状用的槽。
12.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征为，前述槽在前述电介质层的保护层侧的主面上，呈条带状平行地排列设置。
13.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征为，前述槽的宽度约在160～3800nm的范围内。
14.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征为，前述保护层沿其厚度方向(100)面取向。
15.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征为，前述保护层沿其厚度方向(111)面取向。
16.如权利要求11所述的等离子体显示面板，其特征为，前述保护层由碱土类金属氧化物，碱土类金属氟化物，或者它们的混合物构成。
17.如权利要求16所述的等离子体显示面板，其特征为，前述保护层由MgO构成。
18.一种等离子体面板显示装置，其特征为，它具有如权利要求1、5、11中任一项所述的等离子体显示面板，以及驱动该等离子体面板用的驱动回路。
19.一种等离子体显示面板的制造方法，在包括于基板上形成电极的第一工序，以覆盖在前述第一工序中形成的电极上的方式形成电介质层的第二工序，形成被覆在前述第二工序中所形成的电介质层上的保护层的第三工序的面板形成工序的等离子体显示面板的制造方法中，其特征为，
前述第三工序具有：
使保护层材料附着在前述电介质层上的保护层材料附着步骤，
对在前述保护层材料附着步骤中附着的保护层材料进行加热处理、形成籽晶的加热处理步骤，
使保护层材料在前述加热处理步骤中形成的籽晶上成长的保护层形成步骤。
20.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述保护层材料附着步骤，在使由多个保护层材料构成的粒状结晶附着在前述电介质层上的同时，前述加热处理步骤，通过加热在前述保护层材料附着步骤中附着的粒状结晶，使多个粒状结晶结合成一体，形成前述籽晶。
21.如权利要求20所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述加热处理步骤，将在前述保护层材料附着步骤中附着的粒状结晶加热到该粒状结晶的熔点T(K)以上的温度(K)。
22.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，在前述保护层材料附着步骤中，在使由保护层材料构成的非晶质层附着在前述电介质层上的同时，前述加热处理步骤中，通过加热处理在前述保护层材料附着步骤中附着的非晶质层使之多晶化，形成前述籽晶。
23.如权利要求22所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，在前述加热处理步骤中，将在前述保护层材料附着步骤中附着的非晶质层加热到所述物质的熔点T(K)的2/3以上的温度(K)。
24.如权利要求19至23中任一项所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述加热处理步骤通过将从激光照射装置，灯照射装置，以及离子照射装置的任何一个中射出的能量束照射到前述保护层材料上进行加热处理。
25.如权利要求24所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述加热处理步骤，一面相对于附着前述保护层材料的基板相对移动前述能量束一面进行照射。
26.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述加热处理步骤在减压气氛下进行。
27.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述加热处理步骤在含氧的减压气氛下进行。
28.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述保护层材料附着步骤和前述加热处理步骤并行地进行。
29.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，从前述加热处理步骤通过前述保护层形成步骤的期间内，在不连通大气的情况下进行处理。
30.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，从前述保护层附着步骤通过前述保护层形成步骤的期间内，在不连通大气的情况下进行处理。
31.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，从前述加热处理步骤通过前述保护层形成步骤的期间内，在减压气氛下进行处理。
32.如权利要求19所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，从前述加热处理步骤至整个前述保护层形成步骤的过程中将前述籽晶保持在室温以上的温度。
33.一种等离子体显示面板的制造方法，在包括于基板上形成电极的第一工序，以覆盖在前述第一工序中形成的电极上的方式形成电介质层的第二工序，形成被覆在前述第二工序中所形成的电介质层上的保护层的第三工序的面板形成工序的等离子体显示面板的制造方法中，其特征为，
前述面板形成工序，在前述第二工序和第三工序之间，具有在前述电介质层上被覆成为使前述保护层材料成长为柱状结晶的基体材料的中间层的第四工序。
34.如权利要求33所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，在前述第三工序中，在含氧的减压气氛下使保护层材料蒸镀。
35.如权利要求33所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述第四工序在减压气氛下被覆前述中间层。
36.如权利要求33所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，在从前述第四工序至第三工序结束的期间，在不连通大气的状态下进行处理。
37.一种等离子体显示面板的制造方法，在包括于基板上形成电极的第一工序，以覆盖在前述第一工序中形成的电极上的方式形成电介质层的第二工序，形成被覆在前述第二工序中所形成的电介质层上的保护层的第三工序的面板形成工序的等离子体显示面板的制造方法中，其特征为，
前述第二工序具有：
在前述第一工序中形成的电极上被覆电介质材料的电介质层被覆步骤，
在前述电介质层被覆工序中被覆的电介质层的表面上，形成设置用于使在前述第三工序中被覆的保护层材料成长为单晶状用的槽的槽形成设置步骤。
38.如权利要求37所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述槽形成设置步骤，利用机械切削法，化学腐蚀法，或者准分子激光法形成设置槽。
39.如权利要求37所述的等离子体显示面板的制造方法，其特征为，前述第三工序具有：
使由保护层材料构成的多个粒状结晶附着在前述电介质层上的保护层材料附着步骤，
对在前述保护层附着步骤中附着的粒状结晶进行加热、将多个粒状结晶结合成一体的加热处理步骤，
使保护层材料在前述加热处理步骤中结合成一体的粒状结晶上成长的保护层形成步骤。
40.如权利要求39所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述加热处理步骤，将在前述保护层材料附着步骤中附着的粒状结晶加热到所述粒状结晶的熔点T(K)以上的温度(K)。
41.如权利要求37所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述第三工序包括：
使由保护层材料构成的非晶质层附着在前述电介质层上的保护层材料附着步骤，
对在前述保护层材料附着步骤中附着的非晶质层进行加热处理，使之多晶化的加热处理步骤，
使保护层材料在前述加热处理步骤中多晶化的结晶上成长的保护层形成步骤。
42.如权利要求41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述加热处理步骤，将前述保护层材料附着步骤中附着的非晶质层加热到所述物质的熔点T(K)的2/3以上的温度(K)。
43.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述加热处理步骤将从激光照射装置，灯照射装置，离子照射装置中的任何一个中射出的能量束照射到前述保护层材料上，进行加热处理。
44.如权利要求43所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述加热处理步骤，一面使前述能量束相对于附着前述保护层材料的基板相对移动，一面对其进行照射。
45.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述加热处理步骤在减压气氛下进行。
46.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述加热处理步骤在含氧的减压气氛下进行。
47.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，前述保护层材料附着步骤和前述加热处理步骤并行地进行。
48.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，从前述加热处理步骤通过前述保护层形成步骤的期间，在不连通大气的状态下进行处理。
49.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，从前述加热处理步骤通过前述保护层形成步骤的期间，在减压气氛下进行处理。
50.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，从前述保护层材料附着步骤通过前述保护层形成步骤的期间，在不连通大气的状态下进行处理。
51.如权利要求39或41所述的等离子体显示面板制造方法，其特征为，从前述加热处理步骤通过前述保护层形成步骤的整个过程中，将进行过加热处理的保护层材料保持在室温以上的温度。
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Granted publication date: 20080827

Termination date: 20130828