CN1165942C - 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法 - Google Patents

适用于显示器的等离子显示板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1165942C
CN1165942C CNB011452641A CN01145264A CN1165942C CN 1165942 C CN1165942 C CN 1165942C CN B011452641 A CNB011452641 A CN B011452641A CN 01145264 A CN01145264 A CN 01145264A CN 1165942 C CN1165942 C CN 1165942C
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
mentioned
dielectric layer
plasma display
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB011452641A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1362720A (zh
Inventor
в
田中博由
����һ
村井隆一
安井秀明
佐佐木良树
盐川晃
工藤真寿
小寺宏一
青木正树
大谷光弘
铃木茂夫
野野村钦造
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1362720A publication Critical patent/CN1362720A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1165942C publication Critical patent/CN1165942C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133524—Light-guides, e.g. fibre-optic bundles, louvered or jalousie light-guides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/0045—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it by shaping at least a portion of the light guide
    • G02B6/0046—Tapered light guide, e.g. wedge-shaped light guide
    • G02B6/0048—Tapered light guide, e.g. wedge-shaped light guide with stepwise taper
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0055—Reflecting element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/007—Incandescent lamp or gas discharge lamp
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明涉及用于显示器等装置中的等离子显示板及其制作方法，特别涉及适用于高质量显示器的等离子显示板。一种等离子显示板，在该等离子显示板中，第1板和第2板在使第1电极和第2电极相对的状态下相互保持平行地设置；上述第1板在其表面设置有第1电极、并以覆盖上述第1电极的方式敷设有第1电介质层；上述第2板在其表面设置有第2电极；在上述两块板之间形成有放电空间，其特征在于：上述第1电介质层为由通过真空处理法形成的金属氧化物构成的层。

Description

适用于显示器的等离子显示板及其制造方法
本申请是申请号为97120816.6、申请日为1997年11月26日的原案申请的分案申请，该原案的在先申请为JP96-315955，在先申请日为1996年11月27日。
技术领域
本发明涉及用于显示器等装置中的等离子显示板及其制作方法，特别涉及适用于高质量显示器的等离子显示板。
背景技术
近年来，在人们对以高清晰度为首的高质量的大画面电视机的期望值不断增加的过程中，在称为阴极射线管、液晶显示器(下面简称为LCD)、等离子显示板(下面简称为PDP)的各种显示器领域中，人们正在开发与之相对应的显示器。
过去虽然作为电视机中的显示器而广泛使用的阴极射线管具有优良的解像度、图像质量，但是在长度和重量会随着图像尺寸的加大而增加的方面，上述阴极射线管不适合40英寸以上的大画面。
等离子显示板则可适合上述情况。另外，虽然液晶显示器具有耗电量较小、驱动电压也较低的优良性能，但是为了制作大画面，技术上存在有困难，另外其视角也受到限制。
与此相对，等离子显示板即使在长度较小的情况下仍可实现大画面，目前人们已经开发出了40英寸级的产品。
虽然等离子显示板大体上划分为直流型(DC型)与交流型(AC型)，但是目前适合大尺寸的AC型成为主流。
图1为已有的交流面放电型等离子显示板的一个例子的主要部分的透视图。
在图1中，标号101表示前面玻璃基板(前面板)，标号105表示后面玻璃基板(后面板)，其为由碱石灰玻璃构成的基板。
在前面玻璃基板101的表面上设置有显示电极102，在其上覆盖有可使电容器工作的电介质层103，此外还覆盖有由氧化镁(MgO)构成的电介质保护层104。
另一方面，在后面玻璃基板105上设置有寻址电极106，在其上覆盖有电介质层107，在其上设置有隔壁108与荧光体层109，在隔壁108的间隙中以密封方式充入放电气体，从而构成放电空间110。
显示电极102与寻址电极106普遍采用银电极或Cr-Cu-Cr电极等，银电极可通过印刷法很容易形成。
在人们对显示器的高质量的要求不断增加的过程中，人们希望等离子显示板也具有细微的单元结构。
比如，按照已有的NTSC，单元的数量为640×480，在40英寸级中，单元间距为0.43mm×1.29mm，1个单元的面积约为0.55mm2，在全规格的高清晰度电视机的像素水平中，像素数量为1920×1125，42英寸级的单元间距为0.15mm×0.45mm，1个单元的面积为0.072mm2这样小。
如果单元结构很微小，则不仅放电电极(显示电极)之间的间距较小，而且由于放电空间也较窄，如果要确保电介质层中的电容器的容量刚好与已有的相同，还必需相对已有技术，使电介质层的膜厚更薄。
但是，由于电介质层中所采用的玻璃(氧化铅系玻璃或氧化铋系玻璃)中的用于电极的金属材料的润湿性较差，这样很难在这些电极上均匀并且较薄地涂敷电介质层，从而会产生绝缘强度的问题。特别是，由于在银电极的场合，与Cr-Cu-Cr电极等相比较，电极表面上的凹凸部较大，这样很难在电极上均匀并且较薄地涂敷电介质层，从而绝缘强度的问题也会很严重。
为了对付上述的问题，在JP特开昭62-194225号文献中描述了一种技术，即在形成有电极的基板上，在形成电介质层之前涂敷SiO2或Al2O3，从而在电极与电介质层之间形成中间膜，由此可均匀并且较薄地涂敷电介质层。
在上述文献中描述了具体的中间膜的形成方法，即通过旋转镀膜法或浸渍法，按照500～10000的厚度涂敷二氧化硅液，对其进行焙烧，另外上述文献还指出上述中间膜的成形方法还可采用通过蒸镀法或溅射法涂敷中间膜材料。
虽然可期望通过上述的技术，一定程度地提高耐绝缘性，但是人们希望获得可进一步提高上述特性的方法。
另外，在制作具有图1所示结构的等离子显示板时，一般在由碱石灰玻璃构成的玻璃基板上按顺序形成电极、电介质、隔壁等，但是在其每一步骤中，采用的是涂敷材料、并对其焙烧的方法。
比如，电介质层103按照下述方式形成(比如参照JP平7-105855号文献)，该方式为：按照20～30μm的厚度，涂敷下述的氧化铅系玻璃材料，并对其进行焙烧，上述氧化铅系玻璃材料由氧化铅(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铝(Al2O3)构成，其具有较低的熔点(熔点为500～600℃)，其热膨胀系数为80～83×(10-7/℃)。
此外，隔壁也按照下述方式形成，该方式为：通过丝网印刷法等涂敷玻璃材料，并对其进行焙烧。
但是，如果玻璃基板的厚度较小，则在对电极、隔壁、电介质层、荧光体层等进行焙烧(热处理温度为500～600℃)时，则玻璃基板会受到热变形的作用，从而会产生开裂，或在玻璃基板中产生翘曲或收缩。此外，由于材料的热膨胀系数的差异而造成的热变形的作用，还会产生电介质层或隔壁容易出现裂缝的问题。于是，当电介质层中产生裂缝时，会使绝缘强度降低。
因此，玻璃基板必需采用一定厚度的基板，为此在制作大型的等离子显示板的场合，会产生重量很大的问题。
比如在42英寸级的场合，玻璃基板的尺寸约为97cm×57cm左右，但是为了防止产生翘曲或收缩，玻璃基板的厚度设定在2.6～2.8mm的范围内。
当上述玻璃的比重为2.49g/cm3，其厚度为2.7mm时，则前面与后面玻璃的重量约为7.4Kg，包括电路的板的重量会超过10Kg(比如，显示与图象，1996年14卷，96～98页)。
考虑到上述的问题，人们还开发了具有较高变形点的玻璃基板[比如，PD-200旭玻璃(株)制变形点为570℃左右]，如果采用该产品，则可使由热处理步骤而造成的玻璃基板的变形(翘曲或收缩)降低(比如，显示与图象，1996年14卷，99～100页)。
但是，上述PD-200的玻璃的比重为2.77g/cm3，大于碱石灰玻璃的比重2.49g/cm3。此外，其拉伸弹性模量大于碱石灰玻璃，其热膨胀系数为84×10-7/℃，与碱石灰玻璃没有差别。于是，实际上即使采用上述具有较高变形点的玻璃，仍不能期望获得较低板重量的很大效果(参照电子显示论坛97，1997年4月16～18，6～8页)。
发明内容
本发明的第1目的在于提供一种等离子显示板及其制造方法，该等离子显示板即使在形成较薄的电介质层的情况下，仍很难产生绝缘破坏，从而即使在具有较微小的单元结构的等离子显示板的情况下，仍可确保高亮度和高可靠性。
此外，本发明的第2目的在于提供一种等离子显示板及其制造方法，该等离子显示板即使在相对已有技术，玻璃基板的厚度薄的情况下，仍可防止在制造等离子显示板时玻璃基板产生开裂和弯曲，或电介质层和隔壁产生裂缝。
上述第1目的是通过下述方式实现的，该方式为：在等离子显示板中，在前面板或后面板的表面的银电极上涂敷电介质层时，首先以下述的层覆盖银电极表面，该层的厚度在0.1～10μm的范围内、其由“在表面形成有氢氧根的金属氧化物”构成，之后在其上涂敷电介质层。
在这里，上述“在表面形成有氢氧根的金属氧化物”为ZnO、ZrO2、MgO、TiO2、SiO2、Al2O3、Cr2O3等，其可采用CVD(化学汽相淀积)法，以0.1～2μm的范围的较薄地涂敷于电极的表面上。
按照上述方式，通过CVD法形成的金属氧化物层具有良好的电极润湿性(紧密度良好)、并且致密。此外，由于在层的表面形成氢氧根，还与构成电介质层的材料的氧化铅系玻璃或氧化铋系玻璃具有良好的润湿性(比如，参照色材69卷9号1996年P55～63)
于是，即使在其表面具有凹凸部的银电极上，仍可较薄且良好地形成均匀致密的电介质层，从而即使在电介质层的厚度相对已有技术较薄，而设定在小于15μm的情况下，仍可获得难于产生绝缘破坏的效果。
于是按照上述结构，可使电介质层的厚度减小，降低放电电压，提高板的亮度，并且可提高板的可靠性。
此外，上述第1目的还可通过下述方式实现，该方式为：在等离子显示板中，在于前面板或后面板的表面的金属电极上涂敷电介质层时，首先对该金属电极的表面进行氧化处理，形成金属氧化膜，在其上涂敷电介质层。
再有，上述第1目的也可通过下述方式实现，该方式为：在等离子显示板中，在于前面板或后面板的表面的电极上涂敷电介质层时，采用真空处理法通过金属氧化物形成该电介质层，或采用等离子喷镀法形成上述电介质层。
在这里，所谓“真空处理法”是指在真空状态下形成薄膜的方法，具体来说指CVD(化学汽相淀积)、溅射、或蒸镀等方式。
即使在此过程中，如果通过CVD法形成金属氧化物层，则仍可在电极上形成较薄的并且无气泡等缺陷的电介质层。
另外，如果通过真空处理法或喷镀法形成电介质层，由于无需下述的对电介质层进行焙烧的步骤，而该步骤对于通过已有的印刷法形成电介质层的场合是必需的，则不会产生对电介质层进行焙烧而造成板的翘曲或开裂现象，另外还可实现第2目的。此外，即使在通过喷镀法形成隔壁的场合，由于无需对隔壁进行焙烧，从而也可实现第2目的。
还有，在上述的等离子显示板中，如果用于前面板和后面板的玻璃基板的材料采用其碱成分按重量计在6.5％以下的硼硅酸玻璃，特别采用其变形点在535℃以上、热膨胀系数在51×10-7/℃以下的硼硅酸玻璃，则即使在板的厚度设定在比已有技术还小的2mm以下的情况下，在制造等离子显示板时，由于几乎不会出现在焙烧时产生的玻璃基板的开裂等损伤，从而对第2目的来说可获得更好的效果。
本发明的上述及其它目的、优点和特征容易从下面的结合附图进行的描述中得出，该附图表示本发明的实施形式。
附图说明
图1为已有的交流面放电型等离子显示板的一个例子的主要部分的透视图；
图2为本发明实施形式的交流面放电型等离子显示板的主要部分的透视图；
图3为沿图2中的X-X线的剖面图；
图4为沿图2中的Y-Y线的剖面图；
图5为采用光敏抗蚀剂法形成放电电极的步骤的说明图；
图6为形成金属氧化物层与保护层时用的CVD装置的示意图；
图7A，图7B分别为第3实施形式的等离子显示板的前面板的剖面图；
图8A，图8B分别为第4实施形式的等离子显示板的前面板的剖面图；
图9A，图9B分别为第5实施形式的等离子显示板的概略剖面图；
图10为第5实施形式中形成电介质层和隔壁时用的等离子喷镀装置的示意图。
具体实施方式
下面对本发明实施形式进行说明。
[第1实施形式]
图2为本实施形式的交流面放电型等离子显示板的主要部分的透视图，图3为沿图2中的X-X线的剖面图，图4为沿图2中的Y-Y线的剖面图。
另外，虽然在这些附图中，为了便于说明仅仅示出3个单元，但是实际上等离子显示板按照下述构成，该方式为：设置有多个可发出红(R)、绿(G)、蓝(B)中的每一种颜色的光的单元。
如上述每个附图所示，该等离子显示板按照下述方式构成，该方式为：在前面玻璃基板(前面板)11的上面以对置方式粘接有前面板10，在后面玻璃基板(后面板)21的表面上粘接有后面板20，在该前面板10中设置有由银构成的放电电极(显示电极)12、金属氧化物层13a及电介质玻璃层13，在上述后面板20中设置有寻址电极22、金属氧化物层23a、电介质玻璃层23、隔壁24、红、绿、蓝中的每一种颜色的荧光体层25，在位于前面板10与后面板20之间形成的放电空间30内密封有放电气体，该等离子显示板按照下述方式制作。
前面板10的制作：
前面板10按照下述方式形成，该方式为：在前面玻璃基板11的表面上呈带状形成放电电极(显示电极)12，在其上通过CVD法形成金属氧化物层13a。在其上采用其介电常数ε大于10的玻璃材料形成电介质玻璃层13，另外在电介质玻璃层13的表面上形成保护层14。
下面参照图5对通过光敏抗蚀剂法形成放电电极12的步骤进行说明。
首先，在前面玻璃基板11的表面上涂敷厚度为5μm的光敏抗蚀剂(图中的步骤II)。
仅仅对上述光敏抗蚀剂中要形成放电电极的部位进行曝光(图中的步骤III)。之后，对其进行显影处理，将光敏抗蚀剂中经曝光的部分去除(图中的步骤IV)。
通过丝网印刷法，将银电极用浆料埋入上述玻璃基板11上的除去抗蚀剂的部分(图中的步骤V)。
经干燥后，采用剥离液等方式仅仅将抗蚀剂剥离掉。之后，通过对所涂敷的Ag焙烧，形成银电极(放电电极)12(图中的步骤VI)。
(金属氧化物层、电介质玻璃层、保护层的形成)。
下面参照图6对借助CVD法形成金属氧化物层的方法进行说明。
图6为形成金属氧化物层13a，23a与保护层14时用的CVD装置的示意图。
该CVD装置可进行热CVD与等离子体CVD中的任何一种，在CVD装置主体45中设置有加热部46，该加热部46对玻璃基板47(形成有图2放电电极12，电介质层13的前面玻璃基板11)进行加热，通过排气装置49可降低CVD装置主体45内部的压力。另外在CVD装置主体45中设置有用于产生等离子的高频电源48。
氩气高压储存瓶41a、]41b通过气化器(起泡器)42、43，将作为载体的氩(Ar)气供给CVD装置主体45。
在气化器42中作为用于形成金属氧化物层的原料的金属螯合物或烷氧化物化合物以加热的方式储存，通过氩气高压储存瓶41a将氩气吹入，可使上述金属原料产生蒸发，从而将其送入CVD装置主体45中。
作为储存于气化器42中的化合物的具体例子可采用乙酰丙酮锌(ZincAcetylacetone)[Zn(C5H7O2)2]、乙酰丙酮锆(Ziron Acetylacetone)[Zr(C5H7O2)4]、乙酰丙酮镁(Magnesium Acetylacetone)[Mg(C5H7O2)2]、乙酰丙酮钛(Titanium Acetylacetone)[Ti(C5H7O2)4]、四乙氧基硅烷(TEOS)[Si(O·C2H5)4]、二新戊酰基甲烷铝(Aluminum Dipivaloyl Metane)[Al(C11H19O2)3]、乙酰丙酮铝(Aluminum Acetylacetone)[Al(C5H7O2)3]、乙酰丙酮铬(Chromium Acetylacetone)[Cr(C5H7O2)3]。即，从锌、锆、镁、钛、硅、铝、铬构成的组中选择出的元素的化合物作为CVD的原料使用。
另一方面，在气化器43中储存有作为用于形成保护层的原料的镁化合物。作为该材料的具体例子，即可采用乙酰丙酮镁(Magnesium Acetylacetone)[Mg(C5H7O2)2]、环戊二烯基镁(Cyclotentadienyl Magnesium)[Mg(C5H5O2)2]。
氧气高压储存瓶44将作为反应气体的氧气[O2]供给CVD装置主体45。
在采用上述CVD装置、通过热CVD法形成金属氧化物层13a的场合，以形成有电极的面作为顶面将玻璃基板47放置在加热部46上，将其加热到规定温度(250℃)，并且通过排气装置49降低反应容器内部的压力(数十个Torr)。
另外。在气化器42中将构成原料的金属螯合物(或烷氧化物化合物)加热到规定气化温度，同时从氩气高压储存瓶送入氩气。另外，与此同时从氧气高压储存瓶44供给氧气。
由此送入CVD装置主体45内部的螯合物(或烷氧化物化合物)与氧气发生反应，从而在设置有玻璃基板47的电极的表面上形成金属氧化物层13a。
另一方面，在采用CVD装置、通过等离子CVD法形成金属氧化物层13a的场合，虽然可采用与上述热CVD场合相同的操作，但是也可通过驱动高频电源48施加高频电场(13.56MHz)，在CVD装置主体45内部产生等离子体，同时形成金属氧化物层13a。
按照上述方式，可形成由下述金属氧化物构成的金属氧化物层13a，该金属氧化物为氧化锌(ZnO，ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化铬(Cr2O3)，但是由于当采用热CVD法或等离子CVD法时，金属氧化物会在玻璃基板与电极表面上缓慢地形成，这样即使在电极的表面为凹凸状的情况下，仍可沿表面的凹凸部形成致密的金属氧化物层13a。于是，由于上述金属氧化物层13a还与作为放电电极12的材料的Ag具有良好的粘接性以及润湿性，从而不会在膜中产生气泡等缺陷。
另外，由于上述金属氧化物具有在其表面上形成氢氧根的性质，这样在金属氧化物层13a的表面会形成氢氧根。因此，在其上形成的电介质玻璃层13具有良好的润湿性。
另外，最好上述金属氧化物层13a的厚度在0.1～10μm的范围，其中以0.1～2μm的较薄范围为最佳。此外上述金属氧化物层13a最好按照膜为非结晶结构(非晶形)的方式形成。
之后，在上述金属氧化物层13a上形成由其介电常数ε大于10的玻璃材料构成的电介质玻璃层13。
上述玻璃材料可采用氧化铅系玻璃或氧化铋系玻璃等材料。
作为氧化铅系玻璃的成分，例如可采用氧化铅(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)的混合物，作为氧化铋系玻璃的成分，例如可采用氧化铋(Bi2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化钙(CaO)的混合物。
另外，如果在上述玻璃成分中添加TiO2，则可进一步提高介电常数ε。
在这里，如果所添加的TiO2的量按重量计超过5％，则可显著提高介电常数ε，另外可以很容易使介电常数ε超过13(参照下面的表1)，但是由于当TiO2的含量按重量计超过10％时，电解质玻璃层的透光率会降低，因此最好TiO2的含量按重量计在5～10％的范围内。
上述电介质玻璃层13可通过下述方式形成，将上述的玻璃材料粉末与有机粘接剂混合，形成电介质玻璃浆料，通过丝网印刷法在金属氧化物层13a的表面上涂敷上述浆料，对其进行焙烧(燃烧温度比如为540℃)。
按照上述方式，由于放电电极12由金属氧化物层13a覆盖，在其表面上形成有氢氧根，这样玻璃具有良好的润湿性，从而即使在其上很薄地涂敷电介质玻璃层的情况下，几乎不会在膜中产生气泡等缺陷，可形成平直的电介质玻璃层。
在本实施形式中，电介质玻璃层13的厚度小于已有技术中的厚度，该层13的厚度小于15μm。之所以是这样做是因为：由于按照下面所描述的方式，电介质玻璃层13的厚度越小，则提高板的亮度和降低放电电压的效果越好，这样当绝缘强度在未降低的范围内时，尽可能使上述层13的厚度较薄。
当显示电极12的面积设定为S，电介质玻璃层13的厚度设定为d，电介质玻璃层13的介电常数设定为ε，电介质玻璃层13上的电荷设定为Q时，则显示电极12与寻址电极22之间的静电电容C按下述公式1表示：
【公式1】
C＝εS/d
另外当显示电极12与寻址电极22之间所施加的电压设定为V、显示电极12上的电介质玻璃层13上所积累的电荷设定为Q时，则V与Q之间满足下述公式2：
【公式2】
V＝d Q/εS
(但是由于放电空间在放电过程中，处于等离子状态，从而形成导电体)
在上述公式1中，如果厚度d减小，则静电电容C增加，在上述公式2中，如果厚度d减小，则放电电压V降低。
也就是说，通过减小电介质玻璃层的厚度，可提高电容量，并降低放电电压。
之后采用CVD法(热CVD法或等离子CVD法)，在电介质玻璃层13上形成由氧化镁构成的保护层14。
即，采用上述CVD装置通过与上述金属氧化物层的形成方法相同的方法，使用气化器43中的原料形成由氧化镁(MgO)构成的保护层。
由此，形成沿(100)面定向(还包括(200)面定向或(300)面定向)，或(110)面定向的氧化镁构成的保护层。
后面板20的制作：
首先，按照与形成上述放电电极12相同的光敏抗蚀剂法，在后面玻璃基板21的表面上形成寻址电极22。
之后，与前面板10中的场合相同，在其上，通过CVD法形成金属氧化物层23a，接着，在其上通过丝网印刷法涂敷与电介质玻璃层13相同的玻璃，对其进行焙烧，从而形成电介质玻璃层23。
然后，在电介质玻璃层23上按照规定的间距设置玻璃形成的隔壁24。
之后，在由隔壁24所分隔形成的每个空间内分别设置红色(R)荧光体、绿色(G)荧光体、蓝色(B)荧光体中的一种，从而形成荧光体层25，虽然每种颜色R、G、B的荧光体一般可采用等离子显示板中所采用的荧光体，但是在这里其采用下述的荧光体。
红色荧光体：(YxGd1-x)BO3:Eu3+
绿色荧光体：Zn2SiO4:Mn
蓝色荧光体：BaMgAl10O17:Eu2+
        或：BaMgAl14O23:Eu2+
通过粘接前面板10和后面板20制作等离子显示板：
采用密封用玻璃，对按照上述方式制作的前面板10和后面板20粘接，对由隔壁24分隔开的放电空间30内部抽真空，使其保持较高的真空度(8×10-7Torr)，之后以规定的压力在上述空间内部按照密封方式充入规定成分的放电气体，从而形成等离子显示板。
此外，在本实施形式中，等离子显示板中的单元尺寸按照下述方式设定，该方式为：其适合用于40英寸的高清晰度电视机，隔壁24的间距小于0.2mm，放电电极12的电极之间的间距小于0.1mm。
还有，虽然以密封方式充入的放电气体的成分为过去所采用的He…Xe系，但是为了提高单元的发光亮度，Xe的含量按体积计在5％以上，密封充入压力在500～760Torr的范围内。
由于按照上述方式制成的等离子显示板中的电介质玻璃层13的厚度较小，故放电电压降低，在动作时作用于板的每个组成部位上的负荷减小。
再有，每个电极(显示电极12与寻址电极22)与电介质玻璃层13，23是通过金属氧化物层13a，23a以致密方式连接成的结构，这样很少会在电介质玻璃层13，23中产生气泡。
于是，由于即使在电介质玻璃层13的厚度较薄的情况下，绝缘强度仍较高，从而即使在反复使用的情况下，仍可长期维持较高的板的亮度或较低的放电电压的良好的初期性能，可使等离子显示板具有良好的可靠性。
另外，虽然在本实施形式中，给出的是在前面板10和后面板20两侧形成金属氧化物层、并在其上形成电介质玻璃层的例子，但是也可在前面板10或后面板20一侧采用上述方式。此外，在于后面板20一侧未形成电介质玻璃层的等离子显示板中，可仅仅在前面板10一侧采用上述方式。
还有，由于本来在银电极上很难较薄地形成电介质玻璃层，而采用CVD法形成金属氧化物层的效果较好，本实施形式是针对银电极的场合对放电电极12和寻址电极22进行描述的，但是在Cr-Cu-Cr电极等的场合，可按照同样方式实施。
此外，虽然在本实施形式中，在玻璃基板11，21的一个整个侧面上涂敷金属氧化物层13a，23a，但是也可仅仅在电极12，22表面附近涂敷上述金属氧化物层，并且可产生相同的效果。
(第2实施形式)
本实施形式的等离子显示板虽然与第1实施形式的相同，但是未设置有电介质玻璃层13，23，并且金属氧化物层13a，23a同时用作电介质层。
即，在该等离子显示板中，虽然金属氧化物层13a，23a具有电介质层的性能，但是如果金属氧化物层13a，23a过薄，则难于发挥电介质层的作用，从而金属氧化物层13a，23a的厚度设定在3～50μm的范围内。最好，上述厚度设定在3～6μm的范围内。
上述金属氧化物除了可采用第1实施形式中所列举的氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化铬以外，还可采用氧化铋、氧化铯、氧化锑等。
此外，放电电极与寻址电极可首选上述的银电极或Cr-Cu-Cr电极，一般可采用等离子显示板中所采用的金属电极。
按照本实施形式，如果通过CVD法形成由金属氧化物构成的电介质层，则即使对于具有凹凸部的电极表面，仍可形成致密并且均匀的层。
于是，如果采用上述方法，即使在电介质层的厚度设定在3～6μm的范围内，从而小于已有的厚度(20～30μm)的情况下，仍可形成其中的膜无缺陷的电介质层，这样很难产生绝缘破坏。
另外，在按照已有的方式，通过涂敷电介质玻璃材料之后对其焙烧，从而形成电介质层的场合，采用的是其燃烧温度不过高的，包括氧化锌的玻璃，但是如果按照本实施形式，采用的是金属氧化物层13a，23a同时用作电介质层的结构，从而可形成不含有氧化铅的电介质层。
还有，由于金属氧化物层13a，23a是通过所谓的CVD的真空法形成的，这样可在无需焙烧的步骤的情况下形成电介质层。于是，即使在所采用的玻璃基板较薄的情况下，在对电介质层进行焙烧时，仍减少由于热变形作用而造成的玻璃基板翘曲或开裂的现象。
再有，按照上述方式，在通过CVD法形成同时用作电介质层的金属氧化物层后，也可通过CVD法再在该金属氧化物层的表面上形成氧化镁保护层。在此场合，如果采用在第1实施形式中所描述的CVD装置，连续地形成同时用作电介质层的金属氧化物层和保护层，则由于在不与外部大气相接触的状态下形成两层边界面，这样可形成高质量的保护层。
[实施例1]
表1(A)
  试样编号   电极材料 电极上的金属化物   电介质玻璃组成(重量％) 玻璃的介质常ε   玻璃厚度 在150V，30KH2条件下经老化处理后的耐压不良(20   板亮度cd/m2
  PbO   B2O3   SiO2   Al2O3   TiO2
  1   Ag 通过CVD法ZnO(0.5μm)   78   11   10   1   0 10   13μm 0   515
  2   Ag 通过CVD法ZrO2(0.1μm)   65   19   12   3   0 11   14μm 0   512
  3   Ag 通过CVD法MgO(0.2μm)   73   10   5   2   10 20   13μm 0   516
  4   Ag 通过CVD法TiO2(0.5μm)   74   10   5   10   5 13   13μm 0   513
  5   Ag 通过CVD法SiO2(2.0μm)   74   10   5   10   5 13   5μm 0   526
  6   Ag 通过CVD法Al2O3(1.5μm)   74   10   5   10   5 13   8μm 0   520
  8   Ag 通过CVD法Cr2O3(1.0μm)   74   10   5   10   5 13   10μm 0   520
  9   Cr-Cu-Cr 通过CVD法SiO2(5.0μm)   0   0   0   0   0 -   0μm 1   535
  10   Cr-Cu-Cr 通过CVD法Al2O3(3.0μm)   0   0   0   0   0 -   0μm 1   540
  11   Cr-Cu-Cr 通过CVD法ZnO(6μm)   0   0   0   0   0 -   0μm 1   530
  12   Ag 通过CVD法Al2O3(0.1μm)SiO2(0.3μm)   74   10   5   10   5 13   12μm 0   520
  13*   Ag 无   74   10   5   10   5 13   20μm 10   475
表1(B)
  试样编号   电极材料 电极上的金属化物                  电介质玻璃组成(重量％) 玻璃的介质常ε   玻璃厚度 在150V，30KH2条件下经老化处理后的耐压不良(20枚中)   板亮度cd/m2
  Bl2O3     ZnO     B2O3   SiO2   CaO   TiO2
  14   Ag 通过CVD法ZnO(0.1μm)   45     23     22   5   5   0 12   14μm 0   510
  15   Ag 通过CVD法ZrO2(0.3μm)   45     20     20   5   5   5 18   13μm 0   512
  16   Ag 通过CVD法MgO(0.5μm)   30     37     10   3   10   10 24   13μm 0   513
  17   Ag 通过CVD法TiO2(1.0μm)   40     25     23   2   3   7 20   12μm 0   515
  18   Ag 通过CVD法SiO2(1.0μm)   40     25     23   2   3   7 20   11μm 0   515
  19   Ag 通过CVD法Al2O3(0.5μm)   40     25     23   2   3   7 20   12μm 0   514
  20   Ag 通过CVD法Cr2O3(0.3μm)   40     25     23   2   3   7 20   12μm 0   514
  21   Cr-Cu-Cr 通过CVD法ZnO(6μm)   0     0     0   0   0   0 -   0 1   520
  22   Cr-Cu-Cr 通过CVD法Cr2O3(5μm)   0     0     0   0   0   0 -   0 2   519
  23   Ag SiO2(0.5μm)TiO2(0.2μm)   40     25     23   2   3   7 20   10μm 0   520
  24*   Ag 无   40     25     23   2   3   7 20   15μm 8   480
*试样编号No.13，24为比较例
根据第1实施形式和第2实施形式，形成表1所示的等离子显示板。
No.1～8，No.12和No.14～20是根据第1实施形式的实施例，放电电极和寻址电极为银电极。No.9～11和No.21，22为根据第2实施形式的实施例，放电电极和寻址电极为Cr-Cu-Cr电极。
如表1所示，No.1～8和No.12中的等离子显示板是采用由PbO-B2O3-SiO2-TiO2-Al2O3系的玻璃形成电介质玻璃层13，23的。其介电常数ε随着玻璃成分的不同，而在10～20的范围内变化。此外，电介质玻璃层13，23的厚度设定在5～14μm的范围内。
放电气体为其Xe的含量按体积计为5％的He-Xe系混合气体，其是在600Torr的密封压力下以密封方式充入的。
No.14～20中的等离子显示板中的电介质玻璃层13和电介质玻璃层23为Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-CaO-TiO2系玻璃，其介电常数ε设定在12～24的范围内。此外，放电气体采用其中的Xe含量按体积计为7％的He-Xe系混合气体，其是在600Torr的密封压力下以密封方式充入的。
No.1～24中的全部等离子显示板共同采用下述的条件。
对于荧光体层，蓝色荧光体采用BaMgAl10O17:Eu2+，绿色荧光体采用Zn2SiO4:Mn，红色荧光体采用(YxCd1-x)BO3:Eu3+粒子(平均粒径为2.0μm)。
单元尺寸与42英寸的高清晰度电视机用的显示器相对应，隔壁24的高度为0.15mm，隔壁24的间距(单元间距)为0.15mm，放电电极12中的电极间距离为0.05mm。
MgO保护层14通过等离子CVD法形成，其原料采用乙酰丙酮镁(MagnesiumAcetylacetone)[Mg(C5H7O2)2]。
等离子CVD法的条件是：气化器的温度为125℃，玻璃基板47的加热温度为250℃。氩气的流量为1L/分，氧气的流量为2L/分，上述气体在玻璃基板47上流动的时间为1分钟，压力降低到10Torr，以300W的功率施加13.56MHz的高频电场20秒。
此外，MgO保护层14的膜形成速度为0.1μm/分，所形成的厚度为1.0μm。
对按照上述方式形成的MgO保护层，通过X射线解析分析其晶粒定向，全部的试样中的晶粒均沿(100)面定向。
[比较例1]
表1中的No.13，24的等离子显示板为比较例，其除了在电极上未涂敷金属氧化物层以外，其它方面均按照与No12，23的等离子显示板相同的方式设定。
[实验]
实验1：
按照放电维持电压为150V、频率为30KHz的方式对按照上述方式形成的No.1～24的等离子显示板进行放电，测定板的亮度(初始值)。
上述实验结果同时记录在上述表1中。
实验2：
每种制作20个No.1～24的等离子显示板，将其供给加速寿命实验使用。
在该加速寿命实验中，在比一般的使用条件更加恶劣的条件(放电维持电压200V，频率50KHz)下，连续放电4个小时。此后，对板内的电介质玻璃层等情况(板的绝缘强度缺陷)进行分析，对在20个中产生不良的板的数量进行测定。其结果也同时记录于表1中。
考察：
与已有的等离子显示板的板亮度为400cd/m2(参照：日经电子设备，1997年Vol.5-5，106页)的情况相对，当观察表1中的No.1～24的等离子显示板的亮度测定结果时，则该结果表示全部具有良好的板亮度。
可认为上述情况是由于与已有技术相比较，电介质玻璃层较薄，并且放电气体的压力较高等原因造成的。
此外，No.13的等离子显示板的亮度比其它编号的等离子显示板低，可认为这是由于下述原因造成的，该原因为：相对于No.13的等离子显示板的电介质层厚度为20μm的情况，其它的编号的等离子显示板的相应厚度小于15μm。
此外，No.1～12和No14～23的等离子显示板与No.13，24相比较，尽管其电介质玻璃层的厚度较小，但是如果观察其加速寿命实验的结果，则其具有良好的绝缘强度。
上述结果表明，如果通过CVD法以金属氧化物涂敷电极，则电介质玻璃层的厚度设定在小于已有技术的值(小于15μm)，可提高亮度，并且可提高绝缘强度。
(第3实施形式)
图7A和图7B分别为本实施形式的等离子显示板的前面板的剖面图。
在图7A中，标号51表示前面玻璃基板，标号52表示显示电极，该显示电极52由透明电极53和金属电极54构成。金属电极54的宽度小于透明电极53，该金属电极54叠置于透明电极53上。此外，标号55表示下侧的电介质层，标号56表示上侧的电介质层，标号57表示保护层，在显示电极52上涂敷电介质层55，56。
此外，虽然图7A中省略了后面侧，但是在本实施形式的等离子显示板是按照下述方式构成的，其采用下述的公知的后面板，即在后面玻璃基板上设置有寻址电极、隔壁、荧光体层，粘接前面板和后面板，在位于这两块板之间的放电空间内以密封方式充入放电气体(95％的氖与5％的氙)。
图7A中的前面板按照下述方式形成，该方式为：采用氧化锡或ITO(IndiumTin Oxide)等氧化金属材料，在玻璃基板51的表面上形成透明电极53，在其上印刷Ag材料，或按顺序叠置Cr-Cu-Cr，对其进行蒸镀，从而形成金属电极54，在其上按照下面描述的方式，按顺序涂敷电介质层55、电介质层56、保护层57。
通过涂敷玻璃料(铅玻璃)并对其焙烧，从而形成下侧的电介质层55。
上侧的电介质层56为氧化锆、二氧化钛、氧化锌、氧化铋、氧化铯、氧化锑等金属氧化物构成的层，其采用蒸镀、溅射、CVD法等真空法形成。
在这里，考虑到安全性、材料的成本、与基层的反应性方面，下侧的电介质层55按照下述方式形成，该方式为：采用在第1实施形式中所描述的CVD法，以钛螯合物作为原料，从而形成氧化钛构成的层。
此外，对于保护层57，也按照相同方式采用CVD法，形成氧化镁构成的层。
在这里，电介质层56和保护层57是采用CVD法连续形成的。即，将形成有显示电极52的前面玻璃基板51放置于CVD装置中，首先在显示电极52上形成电介质层56，接着形成保护层57。
由于采用上述的连续的CVD方法，不仅可控制混入大气中的灰尘，而且还可控制电介质层56的表面上吸附油脂成分或氮等，从而电介质层56与保护层57之间的界面可很好实现连接，从而可获得难于产生剥离或开裂等现象的优质膜。
此外，在上述的等离子显示板中，如图7B所示，也可不设置下侧的电介质层55，而是在金属电极54上直接通过真空法(CVD)形成其厚度为数个μm的电介质层56，在此场合，板的结构与上述的第2实施形式的相同。
由于通过按照上述方式，以真空法形成电介质层，与在大气中形成电介质层的场合相比较，可使用的材料的选择范围增加，这样可选择折射率、透光率良好的材料。
比如，将氧化镁的保护层57的厚度设定为500nm，采用下述材料形成其厚度大于5μm的电介质层56，该材料是选自氧化铝、氧化硅、氧化镁，从而可使前面板的透光率大于90％。
(第4实施形式)
图8A和图8B分别为本实施形式的等离子显示板的前面板的剖面图，与图7A、7B相同，该附图也省略了后面板一侧。在该图中，标号61表示玻璃基板，标号62表示显示电极，标号65表示由玻璃料构成的电介质层，标号66表示由MgO构成的保护层。
在图8A的前面板中，显示电极62为在金属电极63的表面上形成有氧化膜64的结构，在该显示电极62上涂敷电介质层65。
具有图8A中的结构的前面板可按照下述方式形成，该方式为：以其表面可形成氧化膜的金属作为电极材料，在玻璃基板61的表面形成金属电极63，对其进行氧化处理，在金属电极63的表面上形成氧化膜64，另外通过印刷并焙烧玻璃料而形成电介质层65。
在这里，如果金属电极63的材料采用铝或钽，以金属电极63作为阳极，通过可进行电解的阳极氧化法对其进行氧化处理，则可形成致密的氧化膜64。
此外，由于钽的电阻率较高，这样在具有较大面积的显示器中形成钽的金属电极的场合，上述金属电极可形成在钽之间嵌入有铜等具有高导电性金属的三层结构。该钽-铜-钽的三层结构的电极可按照下述方式形成，该方式为：通过溅射法按顺序形成钽层、铜层、钽层，之后通过刻蚀法将除了作为电极而保留的部分的其它部分去除。
图8B中的前面板按照下述方式构成，该方式为：显示电极62由透明电极62a和金属电极63构成，在该金属电极63的表面上形成氧化膜64，在上述显示电极62上涂敷电介质层65。在这里金属电极63是按照下述方式形成的，该方式为：按照将透明电极64的一侧覆盖住的方式将金属电极63叠置于透明电极64上。
具有图8B中的结构的前面板可按照下述方式形成，该方式为：采用氧化锡或ITO(Indium Tin Oxide)等氧化金属材料，在玻璃基板61的表面上形成透明电极62a；以铝或钽作为电极材料，在其上形成金属电极63，按照与上述相同的方式对其进行氧化处理，在金属电极63的表面形成氧化膜64，此外还可形成电介质层65。
如果采用上述的图8A和图8B中的前面板，由于致密的氧化膜64将金属电极63的表面覆盖住，这样电介质层65的润湿性较好，很少产生因气泡等原因导致膜不良的现象。因此即使在电介质层65以较薄的方式形成的情况下，仍可防止绝缘破坏的情况。即不仅可实现高的抵抗电压，而且还可减少因抵抗电压不良而造成的成品率降低。
另外，虽然在本实施形式中，是针对在电介质层上形成有保护层的等离子显示板进行描述的，但是作为同时用作电介质层和保护层的层，也可通过真空法形成氧化镁层，此场合的膜的厚度可在3～5μm的范围内。
(第5实施形式)
(等离子显示板整体的结构和制作方法)
图9A为本实施形式的交流面放电型等离子显示板的剖面示意图。虽然在图9A中仅仅表示了一个单元，但是等离子显示板是按照将多个可发出红、绿、蓝每种颜色的单元进行排列构成的。
此外，虽然在第1实施形式中在背面板一侧还设置有电介质层，但是在本实施形式中在背面板一侧未设置电介质层。
上述等离子显示板是按照下述方式构成的，即在由具有低碱含量(碱含量按重量计6.5％以下)的硼硅酸玻璃构成的前面玻璃基板71上，粘接形成有放电电极(显示电极)72与电介质层73的前面板，同样在有由碱含量少的硼硅酸玻璃构成的后面玻璃基板75上粘接形成有寻址电极76、隔壁77、荧光体层78的后面板，在上述两块板之间所形成的放电空间79的内部以密封方式充入放电气体。
具有低碱含量的硼硅酸玻璃在用于液晶方面已大量使用，例如在用于液晶时其具有高的变形点(520～670℃)，并且具有低热膨胀系数(45～51×10-7/℃)，其尺寸为550mm×650mm，其厚度为1.1～0.7mm[比如，新陶瓷学(1995)No.3，电子陶瓷学26[126]P1～10，1995年]。
如果按照上述方式，将具有低碱含量的硼硅酸玻璃用于玻璃基板中，则即使在与已有技术相比较、板的厚度减薄到2mm以下的情况下，仍可减小在等离子显示板制造过程中的玻璃基板热变形造成的翘曲。
下面对等离子显示板的制作方法进行描述。
前面板的制作：
前面板按照下述方式制作，该方式为：在前面玻璃基板71上形成放电电极72，通过CVD法或等离子喷镀法在其上涂敷电介质层73，此外在该电介质层73的表面上形成保护层74。
放电电极72为银电极，其是通过丝网印刷银电极用的浆料后并对其进行焙烧的方法形成的。
在通过CVD法形成电介质层73的场合，采用在第1实施形式中所描述的热CVD法以及等离子CVD法，形成Al2O3或SiO2构成的层。
在采用等离子喷镀法形成电介质层73的场合，形成铅系或磷酸系玻璃层，这一点将在下面详细描述。
对于保护层74，与第1实施形式相同采用CVD法形成沿(110)面或(100)面定向的致密的晶粒结构的氧化镁层。
如果按照上述方式采用CVD法或等离子喷镀法，则可使玻璃基板保持比较低的温度(小于350℃)，同时形成电介质层73。即，由于未按照已有的印刷并焙烧玻璃材料的场合的方式，使玻璃基板处于500℃以上的高温的条件下，这样可防止玻璃基板因热变形造成的翘曲等损伤。
后面板的制作：
在后面玻璃基板75上丝网印刷银电极用的浆料之后，对其进行焙烧，从而形成寻址电极76。
接着，形成隔壁77。在本实施形式中，按照下面将要描述的方式，通过等离子喷镀法形成隔壁77。
然后，在由隔壁77分隔形成的每个空间内设置每种颜色的荧光体，从而形成荧光体层78。
通过粘接板制作等离子显示板：
与第1实施形式相同，粘接前面板和后面板，并且对放电空间79内部抽真空，使其具有较高的真空度，之后以规定的压力按密封方式充入放电气体，从而制成等离子显示板。
在本实施形式中，放电气体采用采用Ne-Xe系的气体。
(有关通过等离子喷镀法的电介质层和隔壁的形成方法)
图10为在本实施形式的等离子显示板中形成电介质层和隔壁时用的等离子喷镀装置的示意图；
在图10所示的等离子喷镀装置中，标号81表示阴极，标号82表示阳极，标号83表示电源，标号84表示直流电弧，标号85表示动作气体，标号86表示电弧等离子流，标号87表示喷嘴，标号88表示被喷镀的电介质材料或隔壁材料，标号89表示电介质材料供给口。
此外，图10表示的是下述的情况，即为了形成隔壁，在其表面上形成有电极等的玻璃基板90上放置干膜91的状态下进行等离子喷镀，但是在形成电介质层时，则是在不采用干膜91的情况下，在其表面上形成有电极的玻璃基板的整个表面上进行等离子喷镀。
在采用上述等离子喷镀装置形成电介质层时，首先将其表面上形成有放电电极的玻璃基板放置于等离子喷镀装置中，降低该装置内部的压力(0.2Torr)。
接着，采用电源83在阴极81与阳极82之间施加电场，同时产生直流电弧84。与此同时，在它们之间流过动作气体(氩气)85，形成电弧等离子流。
然后，由粉末供给口89提供电介质材料88，使喷镀喷嘴87沿玻璃基板走过，同时进行喷镀，从而形成电介质层。
电介质材料88采用铅系玻璃或磷酸系玻璃粉末(其热膨胀系数为45～50-7/℃，软化点为700～720℃)。
下面对采用上述等离子喷镀装置形成隔壁的方法进行说明。
如图10所示，在其表面形成有电极的玻璃基板90的表面上叠置下述干膜(感光性干膜)91(或具有相同开口的掩模)，该干膜91在待形成隔壁的部分具有开口92，将上述基板放置于等离子喷镀装置中，按照上述相同的方式，形成电弧等离子流。
接着，由粉末供给口89提供隔壁材料88，使喷镀喷嘴87沿玻璃基板上的开口92走过，同时进行喷镀，从而形成隔壁，之后将干膜91(或掩模)剥离掉。
上述隔壁材料88采用氧化铝(Al2O3)或富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)的粉末。
另外，虽然在本实施形式中给出的是通过等离子喷镀法以与寻址电极76相平行的方式形成隔壁77的例子，但是同样还可采用等离子喷镀法以与寻址电极相垂直的方式形成隔壁。
此外，虽然在本实施形式中，未在后面板一侧形成电介质层，但是与第2实施形式相同，也可在后面板一侧形成电介质层。在此场合，由于在形成后面板时，可以非焙烧的方式形成电介质层和隔壁，从而即使在采用较薄的后面玻璃基板的情况下，也很难产生翘曲。
还有，在制作后面板时，也可在采用等离子喷镀法形成隔壁77后，通过CVD法或等离子喷镀法形成电介质层80，从而如图9B所示，形成电介质层80覆盖隔壁77的表面这样的板结构。
由于当通过等离子喷镀法形成隔壁时，与已有的制作方法形成的隔壁相比较，很容易形成具有多孔性的隔壁，这样由隔壁形成的放电空间会产生气体(排气)，可认为上述情况也是造成等离子显示板性能变差的原因，但是如果按照图9B所示的方式，采用以电介质层覆盖隔壁的表面的板结构，则可防止上述排气。
(本实施形式的制作方法与已有制作方法的效果比较)
按照已有方式，在通过印刷并焙烧铅系玻璃(其热膨胀系数为80～83×10-7/℃)(燃烧温度为500～600℃)的方法形成电介质层的场合，由于膨胀系数差造成的热变形的作用，很容易在电介质层中产生裂缝。此外，当隔壁也通过已有的涂敷玻璃材料并对其焙烧的方法形成时，由于热变形的作用，在电介质层中很容易产生裂缝。
另外，即使在电介质层或隔壁材料采用热膨胀系数低的玻璃的情况下，由于其热膨胀系数低(50×10-7/℃以下)的玻璃软化点高(700℃以上)，必须设定高的燃烧温度，其结果是，很容易在焙烧时使玻璃基板产生翘曲，或在电介质层、隔壁中产生裂缝等情况。
与上述情况相对，如果按照本实施形式，通过CVD法或喷镀法形成电介质层，通过喷镀法形成隔壁，则在形成电介质层和隔壁时，无需按照已有印刷法的方式进行焙烧。因此，在等离子显示板的制造过程中，玻璃基板或电介质层或隔壁可避免经受500℃以上的高温，这样可大大减小玻璃基板或电介质层或隔壁产生的热变形。于是，即使在所采用的玻璃基板的厚度较小的情况下，仍可防止玻璃基板产生翘曲，或在电介质层、隔壁中产生裂缝。
此外，如果玻璃基板采用具有低碱含量的硼硅酸玻璃，则与已有的碱石灰玻璃相比较，由于热膨胀系数较低，从而可获得更好的效果。
再有，由于燃烧炉也不使用大量的能量，从而还可节省能量。
此外，由于无需进行焙烧，这样电介质层或隔壁的材料不必含有铅，从而还可获得形成不含有铅的电介质层或隔壁。
[实施例2]
表2
试样编号 玻璃基板
商品名称 制造公司名称 变动点(℃) 玻璃比重(g/cm3) 热膨胀系数(X10-1/℃) 玻璃的组成(重量％)：RO(MgO2CaO2SrO2BaO:R2O(Na2O2K2O) 玻璃基板
SiO2 Al2O3 B2O3 RO*(碱土类) R2O**(碱土类) 的厚度(mm)
25 OA-2 日本ガラス(株) 650 2.73 47 56 15 2 27 0 1.0
26 OA-2 日本ガラス(株) 650 2.73 47 56 15 2 27 0 0.7
27 BLC 日本ガラス(株) 535 2.36 51 72 5 9 7.5 6.5 1.5
28 BLC 日本ガラス(株) 535 2.36 51 72 5 9 7.5 6.5 1.0
29 NA45 NHテクノクラス(株) 610 2.78 46 49 11 15 25 0 1.0
30 NA45 NHテクノクラス(株) 610 2.78 46 49 11 15 25 0 0.5
31 NA-35 NHテクノクラス(株) 650 2.50 39 56 15 2 27 0 1.5
32 NA-35 NHテクノクラス(株) 650 2.50 39 56 15 2 27 0 0.1
33* ソ-タライムカラス(AS) 旭ガラス(株) 511 2.49 85 72.5 2 0 12 13.5 2.7
34* ソ-タライムカラス(AS) 旭ガラス(株) 511 85 72.5 2 0 12 13.5 1.5
35* PD-200 旭ガラス(株) 570 2.77 84 58 7 0 21 14 2.7
36* PD-200 旭ガラス(株) 570 2.77 84 58 7 0 21 14 1.5
*试样编号No.9～12为比较例
表3
试样编号 电介质层 保护层(形成方法和定向面) 隔壁(形成方法和材料) 板的重量(不含电路) 板形成时的状态 200V，5000干后板的亮度变化率(％)
形成方法 电介质组成()内重量％ 热膨胀系数(X10-1/℃)
25 喷镀法 PbO(30，B2O3(20)SiO2(45)，Al2O3(5) 45 热CVD法(100)面配向MgO 喷镀法Al2O3(アルミナ) 3.0Kg 电介质层玻璃未开裂 -2.9
26 热CVD法 Al2O3 70 热CVD法(100)面配向MgO 喷镀法Al2O3(アルミナ) 2.1Kg 电介质层玻璃未开裂 -2.5
27 喷镀法 P2O5(45)，ZnO(34)Al2O3(18)，C2O(3) 50 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 3.9Kg 电介质层玻璃未开裂 -2.8
28 导离子CVD法 3Al2O3·251O2 50 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 2.6Kg 电介质层玻璃未开裂 -2.7
29 喷镀法 PbO(30)，B2O3(20)SiO2(45)，Al2O3(5) 45 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 3.1Kg 电介质层玻璃未开裂 -2.7
30 喷镀法 P2O5(45)，ZnO34)Al2O3(18)，CaO(3) 50 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 1.54Kg 电介质层玻璃未开裂 -2.6
31 导离子CVD法 SiO2 30 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 4.1Kg 电介质层玻璃未开裂 -2.9
32 导离子CVD法 SiO2 30 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 0.28Kg 电介质层玻璃未开裂 -3.0
33* 喷镀法 PbO(30)，B2O3(20)SiO2(45)，Al2O3(5) 45 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 7.4Kg 电介质中产生裂缝 板产生开裂
34* 导离子CVD法 Al2O3 70 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 4.1Kg 板开裂 ——
35* 喷镀法 P2O3(45)，ZnO34)Al2O3(18)，CaO(3) 50 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 8.3Kg 电介质中产生裂缝 板产生开裂
36* 导离子CVD法 SiO2 30 导离子CVD法(100)定向面MgO 喷镀法富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2) 5.0Kg 板开裂 ——
*试料编号No.9～12为比较例
表2、表3所示的No.25～32的等离子显示板是根据上述第5实施形式形成的，表2表示每个等离子显示板的玻璃基板的特性，表3表示电介质层、保护层、隔壁的形成条件和实验结果。
作为玻璃基板，如表2所示，No.25、26采用无碱玻璃的OA-2[日本电气硝子(株)的商品名称]，No.27、28采用其碱成分按重量计6.5％的BLC[日本电气硝子(株)的商品名称]，No.29、30采用无碱玻璃的NA45[NHテクノグラス(株)的商品名称]，No.31、32采用无碱玻璃的NA35[NHテクノグラス(株)的商品名称]。
每个玻璃基板的厚度设定在0.1～1.5mm的范围内，如表2所示。
电介质层的形成：
电介质层的厚度全部设定为20μm。
在No.25，27，28，30中，通过等离子喷镀法形成电介质层。
No.25按照下述方式形成，该方式为：动作气体为氩气(Ar)，作为电介质材料，其以下述的玻璃粉末作为原料，该玻璃粉末由其软化点为720℃、热膨胀系数为45×10-7/℃的PbO(30)-B2O3(20)-SiO2(45)-Al2O3(5)构成，以5KW的电力形成等离子流，喷镀10分钟。
No.27按照下述方式形成，该方式为：采用下述的玻璃粉末作为原料、在相同的条件下形成，该玻璃粉末由其软化点为700℃、热膨胀系数为50×10-7/℃的P2O5(45)-ZnO(34)-Al2O3(18)-CaO(3)构成。同样No.28、30也在与No.25、No.27相同的条件下形成，但是在这里玻璃的材料成分是不同的。
在No.26中，通过热CVD法形成电介质层。采用二新戊酰基甲烷铝(AluminumDipivaloyl Methane)[Al(C11H19O2)3]作为原料，气化器的温度为125℃，玻璃基板的加热温度为250℃。
此外，氩气的流量为1L/分，氧气的流量为2L/分，上述气体的流动时间为20分钟，膜形成速度调整到1.0μm/分，形成由Al2O3构成的电介质层。
在No.28、31、32中，通过等离子CVD法形成电介质层。采用乙酰丙酮铝(Aluminum Acetylacetone)[Al(C5H7O2)3]或TEOS作为原料，玻璃基板的加热温度设定为250℃，使反应容器内部的压力降低到10Torr，同时施加13.56MHz的高频电场，从而形成Al2O3，SiO2，或3Al2O3·2SiO2的电介质层。
保护层的形成方法：
保护层的厚度全部设定为1μm。
在No.25、26中，通过热CVD法，采用环戊二烯基镁(CyclopentadienylMagnesium)[Mg(C5H5)2]作为原料，气化器23的温度为100℃，玻璃基板27的加热温度为250℃，氩气的流量为1L/分，氧气的流量为2L/分，上述气体的流动时间为1分钟，从而形成保护层。
在No.27～32中，通过等离子CVD法，采用Mg(C5H5)2作为原料，通过等离子CVD法，将玻璃基板的加热温度设定在250℃，使压力降低到10Torr，施加13.56Mhz的高频电场，从而形成保护层。
隔壁的形成方法：
隔壁按照下述方式制作，该方式为：通过等离子喷镀法，用干膜将基板掩盖，动作气体采用氩气(Ar)，通过5KW的电力形成等离子流，喷镀隔壁材料10分钟。与42英寸的高清晰度电视机用的显示器相对应，隔壁的高度为0.12mm，隔壁的间距(单元间距)设定为0.15mm。
在No.25，26中，隔壁材料采用平均粒径为5μm的氧化铝(Al2O3)。
在No.27～32中，隔壁材料采用平均粒径为5μm的富铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)。
下面列出其它的条件，这些条件为No.25～32共同采用。
玻璃基板的尺寸为对形成42英寸的面板所必需的97cm×57cm。
对于荧光体层，蓝色荧光体采用BaMgAl2O2:Eu2+，绿色荧光体采用Zn2SiO2:Mn，红色荧光体采用(YxGd1-x)BO3:Eu3+粒子(平均粒径为2.0μm)。
将每个荧光体与包含10％的乙基纤维素的α-萜品醇混合，通过3个压辊形成丝网印刷用浆料，通过丝网印刷法在隔壁内部进行印刷，在500℃的条件下进行焙烧，从而形成荧光体层。
放电气体采用包含5％的Xe气的氖(Ne)气，在600Torr的密封压力下，以密封方式充入上述气体。
对按照上述方式制成的等离子显示板，测定在放电维持电压为200V、频率为30KHz的条件下进行放电时的紫外线的波长，其中以173nm为中心的Xe分子线产生的激发波长为主。
[比较例2]
No.33的等离子显示板除了下述方面以外，其它方面与按照No.25相同的方式形成，该下述方面指：玻璃基板为碱石灰玻璃，其厚度为2.7mm。
No.34的等离子显示板除了下述方面以外，其它方面与按照No.26相同的方式形成，该下述方面指：玻璃基板也为碱石灰玻璃，其厚度为1.5mm。
No.35的等离子显示板除了下述方面以外，其它方面与按照No.27相同的方式形成，该下述方面指：玻璃基板为等离子显示板用高变形点玻璃(PD-200)，其厚度为2.7mm。
No.36的等离子显示板除了下述方面以外，其它方面与按照No.31相同的方式形成，该下述方面指：玻璃基板为等离子显示板用高变形点玻璃(PD-200)，其厚度为1.5mm。
[实验]
对所制成的No.25～36的等离子显示板，按照下述方式观察形成板时的开裂或产生裂缝的情况。
为了进行老化处理，在放电维持电压为200V、频率为30KHz的条件下对板进行放电，测定板的亮度，之后对上述板驱动5000小时后的板的亮度变化率(相对初始值在驱动5000小时后亮度的变化率)和板的缺陷进行分析。
上述观察和判断结果如表3所示。
从表2、表3所示的结果显然可知，与No.33～36的等离子显示板相比较，No.25～32的等离子显示板中的玻璃厚度薄，板的重量轻，并且在板的电介质层中没有裂缝，或者板未产生开裂。特别是，在No.25，26和No.29～32中，采用其变形点为610℃以上的无碱玻璃基板，可获得良好的结果。
可认为上述情况是由于下述原因造成的，该原因指：由于在No.25～32的等离子显示板中，采用其热膨胀系数小的低碱成分的玻璃基板，从而即使在基板薄的情况下，在进行焙烧时仍很难于产生翘曲，此外为了形成电介质层或隔壁，采用与基板的热膨胀系数相适合的电介质材料或隔壁材料，由于采用CVD法或喷镀法，可减少在等离子显示板制作时产生的热变形。
(其它事项)
此外，虽然在上述第1～5实施形式中，在玻璃基板的一侧整体表面上涂敷电介质层，但是也可仅在电极表面附近涂敷上述电介质层。
还有，虽然在上述第1～5实施形式中，给出的是通过将隔壁固定于玻璃基板上的方式构成后面板的例子，但是本发明不必限于该例子，例如本发明也可采用将隔壁设置于前面板一侧的结构等，从而可用于一般的AC型等离子显示板。
再有，虽然上述第1～5实施形式是针对交流面放电型等离子显示板进行描述的，但是本发明不必限于该情况，本发明也可用于对置电极型等离子显示板。
虽然参照附图通过实施形式对本发明进行了全面的描述，但是应注意到，对该领域普通技术人员来说容易得出各种变换和改进。于是，如果上述变换和改进不离开本发明的请求保护范围，则它们应当落入上述范围内。

Claims (11)

1.一种等离子显示板，在该等离子显示板中，第1板和第2板在使第1电极和第2电极相对的状态下相互保持平行地设置；上述第1板在其表面设置有第1电极、并以覆盖上述第1电极的方式敷设有第1电介质层；上述第2板在其表面设置有第2电极；在上述两块板之间形成有放电空间，其特征在于：
上述第1板由其碱成分按重量计在6.5％以下的硼硅酸玻璃构成；
上述第1电介质层为由通过真空处理法形成的金属氧化物构成的层。
2.根据权利要求1所述的等离子显示板，其特征在于，上述金属氧化物是从下述的一组成分中选出的，该组成分包括：氧化锆、氧化钛、氧化锌、氧化铋、氧化铯、氧化锑、氧化铝、氧化硅、氧化镁。
3.根据权利要求1所述的等离子显示板，其特征在于，上述第1电介质层为由通过化学汽相淀积法形成的且厚度在3～6μm范围内的金属氧化物构成的层。
4.根据权利要求1所述的等离子显示板，其特征在于，上述第1电介质层的表面由氧化镁构成的保护层覆盖。
5.根据权利要求1所述的等离子显示板，其特征在于，上述第1板的厚度在0.1～1.5mm的范围内。
6.根据权利要求1所述的等离子显示板，其特征在于，上述第1板的厚度在2mm以下，上述硼硅酸玻璃的变形点大于535℃，其热膨胀系数小于51×10-7/℃。
7.一种等离子显示板的制造方法，其包括下述步骤：
第1步：对于在其表面设置有第1电极、由碱成分按重量计在6.5％以下的硼硅酸玻璃构成的第1板，通过真空处理法，形成覆盖该第1电极的电介质层；
第2步：在上述第1步后，将第1板和在其表面设置有第2电极的第2板在使第1电极和第2电极相对的状态下相互保持平行地设置，在两块板之间形成由隔壁分隔成的放电空间。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，采用从锆、钛、锌、铋、铯、硅、铝、锑、镁构成的组中选择出的元素化合物形成电介质层。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步和第2步之间还包括下述步骤：即在通过第1步形成电介质层后，接着通过真空处理法形成由氧化镁构成的保护层。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，上述第1步中所采用的真空处理法为化学汽相淀积法。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，把从锆、钛、锌、铋、、铯、硅、铝、锑、镁构成的组中选择出的元素化合物作为化学汽相淀积的原料使用。
CNB011452641A 1996-11-27 1997-11-26 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法 Expired - Fee Related CN1165942C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP315955/96 1996-11-27
JP315955/1996 1996-11-27
JP31595596 1996-11-27
JP14363597 1997-06-02
JP143635/97 1997-06-02
JP143635/1997 1997-06-02

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN97120816A Division CN1104022C (zh) 1996-11-27 1997-11-26 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1362720A CN1362720A (zh) 2002-08-07
CN1165942C true CN1165942C (zh) 2004-09-08

Family

ID=26475312

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011452641A Expired - Fee Related CN1165942C (zh) 1996-11-27 1997-11-26 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法
CN97120816A Expired - Fee Related CN1104022C (zh) 1996-11-27 1997-11-26 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法
CNB011452722A Expired - Fee Related CN100409395C (zh) 1996-11-27 1997-11-26 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN97120816A Expired - Fee Related CN1104022C (zh) 1996-11-27 1997-11-26 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法
CNB011452722A Expired - Fee Related CN100409395C (zh) 1996-11-27 1997-11-26 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US6160345A (zh)
KR (2) KR19980065367A (zh)
CN (3) CN1165942C (zh)

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3339554B2 (ja) 1995-12-15 2002-10-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR19980065367A (ko) * 1996-06-02 1998-10-15 오평희 액정표시소자용 백라이트
CN1147906C (zh) * 1996-12-16 2004-04-28 松下电器产业株式会社 气体放电屏及其制造方法
WO1999021208A1 (fr) * 1997-10-16 1999-04-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ecran plat a plasma, et production
KR19990043634A (ko) * 1997-11-29 1999-06-15 김영남 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층
KR100263850B1 (ko) * 1998-01-14 2000-08-16 김순택 플라즈마 표시소자
US6555956B1 (en) * 1998-03-04 2003-04-29 Lg Electronics Inc. Method for forming electrode in plasma display panel and structure thereof
EP1119015A4 (en) * 1998-09-29 2007-08-22 Hitachi Hppl METHOD FOR MANUFACTURING A PLASMA SCREEN AND SUBSTRATE STRUCTURE
US6605834B1 (en) * 1999-02-08 2003-08-12 Lg Electronics Inc. Dielectric for plasma display panel and composition thereof
KR100322071B1 (ko) * 1999-03-31 2002-02-04 김순택 플라즈마 표시장치 및 그의 전계집중부를 가진 유전체층 제조방법
WO2000067283A1 (fr) * 1999-04-28 2000-11-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ecran a plasma
KR100747207B1 (ko) * 1999-05-18 2007-08-07 엘지전자 주식회사 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물
JP2000331617A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Olympus Optical Co Ltd プラズマディスプレイ装置の隔壁製造装置
JP2001015038A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Fujitsu Ltd プラズマディスプレィパネル
TW452812B (en) * 1999-08-04 2001-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv Plasma display panel
JP2001189136A (ja) 1999-10-19 2001-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイ表示装置とその製造方法
TW470996B (en) * 2000-01-07 2002-01-01 Dar Chyi Ind Co Ltd Front panel structure and manufacturing method of plasma display
CN101090054B (zh) * 2000-01-26 2010-05-26 松下电器产业株式会社 消耗功率抑制效果良好的面放电型显示器件
KR100784558B1 (ko) * 2000-02-02 2007-12-11 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100448663B1 (ko) * 2000-03-16 2004-09-13 캐논 가부시끼가이샤 화상표시장치의 제조방법 및 제조장치
US6642637B1 (en) * 2000-03-28 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Parallel plate electron multiplier
JP4111416B2 (ja) * 2000-08-03 2008-07-02 パイオニア株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
CN101303951B (zh) * 2000-08-18 2012-02-29 松下电器产业株式会社 气体放电屏
KR20020047882A (ko) * 2000-12-14 2002-06-22 엘지전자 주식회사 플라즈마 표시 장치의 혼합 방전가스
KR100683147B1 (ko) * 2000-12-29 2007-02-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정 표시장치의 제조방법
CN1498413A (zh) * 2001-01-23 2004-05-19 松下电器产业株式会社 气体放电面板的制造方法
TWI284345B (en) * 2001-02-06 2007-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma display panel apparatus and production method thereof
JP3770194B2 (ja) * 2001-04-27 2006-04-26 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
DE10122718C2 (de) * 2001-05-10 2003-04-17 Schott Glas Verfahren zur Erzeugung einer Streulichtschicht auf einer transparenten Kochplatte sowie dessen Verwendung
JP4073201B2 (ja) * 2001-11-09 2008-04-09 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイパネル及びそれを備えた画像表示装置
JP3870818B2 (ja) * 2002-04-04 2007-01-24 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4251816B2 (ja) * 2002-04-18 2009-04-08 日立プラズマディスプレイ株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP2003331743A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル
US7548984B2 (en) * 2002-05-27 2009-06-16 Panasonic Corporation Stream distribution system, stream server device, cache server device, stream record/playback device, related methods and computer programs
JP3942166B2 (ja) * 2002-07-23 2007-07-11 株式会社日立プラズマパテントライセンシング ガス放電パネルの基板構体の製造方法
US6987358B2 (en) * 2002-08-08 2006-01-17 Asahi Glass Company, Limited Glass for covering electrodes, colored powder for covering electrodes and plasma display device
JP4325244B2 (ja) * 2003-03-27 2009-09-02 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
KR100533723B1 (ko) * 2003-04-25 2005-12-06 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR100515323B1 (ko) * 2003-07-30 2005-09-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100528924B1 (ko) * 2003-09-08 2005-11-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US7466079B2 (en) * 2003-09-18 2008-12-16 Lg Electronics Inc. Plasma display panel and method for manufacturing the same
EP2360710B1 (en) * 2003-09-26 2013-05-22 Panasonic Corporation Plasma display panel and method of manufacturing same
KR100615180B1 (ko) * 2003-10-28 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 다층 배면 유전층을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널
US7449220B2 (en) * 2004-04-30 2008-11-11 Oc Oerlikon Blazers Ag Method for manufacturing a plate-shaped workpiece
US6992326B1 (en) 2004-08-03 2006-01-31 Dupont Displays, Inc. Electronic device and process for forming same
WO2006019031A1 (ja) * 2004-08-17 2006-02-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネルとその製造方法
KR20070055499A (ko) * 2004-08-17 2007-05-30 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 플라즈마 디스플레이 패널과 그 제조방법
KR100647618B1 (ko) * 2004-10-06 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP4215700B2 (ja) * 2004-10-06 2009-01-28 東京応化工業株式会社 プラズマディスプレイパネル用の前面板及び背面板
KR20060042293A (ko) * 2004-11-09 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP2006147584A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Lg Electronics Inc プラズマディスプレイパネル
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
JP4650829B2 (ja) * 2005-03-22 2011-03-16 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2006286324A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネル
US7830077B2 (en) * 2005-04-07 2010-11-09 Panasonic Corporation Light-emitting device configured to emit light by a creeping discharge of an emitter
JP4640006B2 (ja) * 2005-07-13 2011-03-02 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
KR101097927B1 (ko) * 2005-08-18 2011-12-23 재단법인서울대학교산학협력재단 액정 표시장치 제조 방법
JPWO2007023658A1 (ja) * 2005-08-25 2009-03-26 パナソニック株式会社 ガラス膜およびその製造方法、ならびに光学電子デバイス
JP5040217B2 (ja) * 2005-09-13 2012-10-03 パナソニック株式会社 保護膜形成方法および保護膜形成装置
JP4910558B2 (ja) * 2005-10-03 2012-04-04 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4089739B2 (ja) 2005-10-03 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4089740B2 (ja) * 2005-10-03 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP2007157517A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイ装置
JPWO2007069333A1 (ja) * 2005-12-16 2009-05-21 日立プラズマディスプレイ株式会社 フラットパネルディスプレイの製造方法およびフラットパネルディスプレイ用のパネル
US20090230862A1 (en) * 2005-12-19 2009-09-17 Fijitsu Hitachi Plasma Display Limited Substrate Assembly for Plasma Display Panel and Display Panel
JP4089732B2 (ja) * 2006-02-14 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4089733B2 (ja) * 2006-02-14 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
CN101322211B (zh) * 2006-02-14 2010-12-22 松下电器产业株式会社 等离子显示面板的制造方法和用于该方法的基板的支撑台
JP2007305528A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR100762249B1 (ko) * 2006-05-30 2007-10-01 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치
KR100762251B1 (ko) 2006-05-30 2007-10-01 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치
US7612502B2 (en) * 2006-06-01 2009-11-03 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Planar light source
KR100829746B1 (ko) * 2006-11-01 2008-05-19 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR100863960B1 (ko) * 2006-12-01 2008-10-16 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널, 및 이의 제조 방법
KR100850900B1 (ko) * 2006-12-14 2008-08-07 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20080157668A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Lg Electronics Inc. Plasma display panel and method of manufacturing the same
KR100838080B1 (ko) * 2007-03-05 2008-06-13 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP4591478B2 (ja) * 2007-05-28 2010-12-01 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
KR20090017266A (ko) * 2007-08-14 2009-02-18 엘지전자 주식회사 ＭｇＯ 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용상부패널
KR20090046022A (ko) * 2007-11-05 2009-05-11 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치
US8049423B2 (en) * 2008-07-25 2011-11-01 Samsung Sdi Co., Ltd. Plasma display panel with improved luminance and low power consumption
KR101644856B1 (ko) * 2015-06-09 2016-08-02 국민대학교산학협력단 편광 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4794308A (en) * 1970-08-06 1988-12-27 Owens-Illinois Television Products Inc. Multiple gaseous discharge display/memory panel having improved operating life
JPS53125760A (en) 1977-04-08 1978-11-02 Fujitsu Ltd Manufacture for gas discharging panel
US4393326A (en) * 1980-02-22 1983-07-12 Okaya Electric Industries Co., Ltd. DC Plasma display panel
US4454449A (en) * 1980-06-30 1984-06-12 Ncr Corporation Protected electrodes for plasma panels
GB2095470B (en) 1981-01-26 1985-07-03 Sharp Kk Thin-film electroluminescent display panel with a heat-resisting glass substrate
JPS57124884A (en) 1981-01-27 1982-08-03 Sharp Kk Method of producing thin film el element
JPS57180046A (en) * 1981-04-28 1982-11-05 Okaya Denki Sangyo Kk Panel for displaying dc gas discharge
US4803402A (en) * 1984-08-22 1989-02-07 United Technologies Corporation Reflection-enhanced flat panel display
JPS62194225A (ja) * 1986-02-20 1987-08-26 Fujitsu Ltd 表示パネル用電極基板の製造方法
US5326298A (en) * 1988-07-14 1994-07-05 Minolta Camera Co., Ltd. Light emitter for giving plasma light emission
JPH0744002B2 (ja) 1988-10-31 1995-05-15 日本電気株式会社 ガス放電表示板
JPH02281533A (ja) 1989-04-20 1990-11-19 Fujitsu Ltd フラット形表示装置
JPH05159877A (ja) 1990-08-07 1993-06-25 Showa Shell Sekiyu Kk 平面型電気光学的素子
JP2964716B2 (ja) 1991-08-05 1999-10-18 日本電気株式会社 ガス放電表示板
US5116787A (en) * 1991-08-12 1992-05-26 Corning Incorporated High alumina, alkaline earth borosilicate glasses for flat panel displays
JP3260797B2 (ja) * 1992-02-25 2002-02-25 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
US5457356A (en) * 1993-08-11 1995-10-10 Spire Corporation Flat panel displays and process
JP3476224B2 (ja) 1993-10-06 2003-12-10 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO1995027303A1 (fr) * 1994-03-31 1995-10-12 Orion Electric Company Ltd. Afficheur plat et son procede de fabrication
EP0689083A3 (en) * 1994-06-24 1997-05-14 Sony Corp Display device addressed by plasma
SG64844A1 (en) * 1994-07-21 1999-05-25 Sony Corp Plasma-addressed display device
JP3442876B2 (ja) * 1994-08-31 2003-09-02 パイオニア株式会社 交流型プラズマディスプレイ装置
US5818168A (en) * 1994-09-07 1998-10-06 Hitachi, Ltd. Gas discharge display panel having communicable main and auxiliary discharge spaces and manufacturing method therefor
JPH0896718A (ja) * 1994-09-26 1996-04-12 Oki Electric Ind Co Ltd ガス放電パネルの保護膜およびその形成方法、ガス放電パネルおよびその製造方法
US5929464A (en) * 1995-01-20 1999-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-optical device
US5851939A (en) * 1995-09-28 1998-12-22 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass substrate
JP3339554B2 (ja) * 1995-12-15 2002-10-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR19980065367A (ko) * 1996-06-02 1998-10-15 오평희 액정표시소자용 백라이트
JP3299888B2 (ja) * 1996-07-10 2002-07-08 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
WO1999021208A1 (fr) * 1997-10-16 1999-04-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ecran plat a plasma, et production

Also Published As

Publication number Publication date
US20020034917A1 (en) 2002-03-21
CN1362721A (zh) 2002-08-07
CN1362720A (zh) 2002-08-07
US6419540B1 (en) 2002-07-16
KR19980042822A (ko) 1998-08-17
US20020036466A1 (en) 2002-03-28
CN100409395C (zh) 2008-08-06
CN1104022C (zh) 2003-03-26
CN1200554A (zh) 1998-12-02
KR19980065367A (ko) 1998-10-15
US6160345A (en) 2000-12-12
KR100516715B1 (ko) 2005-12-21
US6761608B2 (en) 2004-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1165942C (zh) 适用于显示器的等离子显示板及其制造方法
CN1230857C (zh) 等离子体显示面板及其制造方法
CN1243335C (zh) 生产性优良的等离子体显示屏的制法
CN1171815C (zh) 模压的等离子体显示器底板
CN1286753C (zh) 铋系玻璃组合物、使用它作为密封部件的磁头和等离子显示板
CN1476039A (zh) 交流电驱动型等离子体显示装置及其生产方法
CN1259447C (zh) 透明导电性薄膜及其制造方法和制造用烧结体靶及透明导电性基体材料或有机电发光元件
CN1309407A (zh) 电子发射器件、冷阴极场发射器件和显示器及其制造方法
CN1260579A (zh) 平板型等离子体放电显示装置和驱动方法
CN100350541C (zh) 发光特性良好的等离子体显示面板
CN1319868A (zh) 消耗功率抑制效果良好的面放电型显示器件
CN101040362A (zh) 等离子体显示面板及其制造方法
CN1420520A (zh) 等离子显示板
CN1582484A (zh) 制造等离子体显示板的方法和等离子体显示板
CN101040361A (zh) 等离子体显示面板及其制造方法
CN1161815C (zh) 气体放电板及包括该气体放电板的显示装置
CN1232591C (zh) 绝缘膜形成用涂料及用该涂料的等离子显示板的制造方法
CN1319243A (zh) 发光特性优异的等离子显示面板的制造方法
CN1541399A (zh) 等离子体显示面板、等离子体显示装置及等离子体显示面板的制造方法
CN1178262C (zh) Crt用屏玻璃、crt及它们的制造方法
CN1276457C (zh) 制造高性能气体放电面板的密封方法和设备
CN1841623A (zh) 电极端子部分连接结构和具有该结构的等离子体显示面板
CN1135593C (zh) 显示装置
CN1318204A (zh) 气体放电板的制造方法
CN1500282A (zh) 等离子体显示板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040908