KR100863960B1 - 플라즈마 디스플레이 패널, 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라스마 디스플레이 패널, 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제2 기판에 대향하는 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 유전체층; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들; 상기 표시 전극들 위에 위치하는 무기 산화물층; 상기 무기 산화물층을 덮으면서 형성되는 MgO 보호층; 상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 방전 특성이 우수하고, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 제조 원가를 감소시킨다.
플라즈마디스플레이패널, MgO, 산화마그네슘, 보호층, 전기영동법, 희생전극층, 무기산화물층

Description

플라즈마 디스플레이 패널, 및 이의 제조 방법{PLASMA DISPLAY PANNEL, AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}
도 1은 종래의 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층을 형성하는 과정을 나타내는 모식도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 분해 사시도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제2 기판을 나타내는 모식도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제2 기판을 나타내는 모식도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제2 기판을 나타내는 모식도.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층을 형성하는 단계를 나타내는 모식도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층을 형성하는 단계를 나타내는 모식도.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 전기 영 동법에 의하여 MgO 보호층을 형성하는 단계를 나타내는 모식도.
도 9는 실시예 1 내지 3, 및 비교예 1에서 제조한 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 효율을 나타내는 그래프.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널, 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 방전 특성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널, 및 제조 원가를 절감할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 기체 방전에 의해 형성된 플라즈마로부터 방사되는 진공자외선(vacuum ultraviolet, VUV)이 형광체층을 여기시킴으로써 발생되는 가시광을 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 소자이다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시 장치로 각광받고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 일반적인 구조는 3 전극 면방전형 구조이다. 3 전극 면방전형 구조는 두 개의 전극으로 구성되는 표시 전극이 형성되는 전면기판과 상기 기판으로부터 소정의 거리로 떨어져서 어드레스 전극이 형성되는 배면 기판을 포함하고, 이때 표시 전극은 유전층으로 덮혀지는 구성을 갖는다. 그리고, 상기 전면 기판과 상기 배면 기판 사이의 공간은 격벽에 의해 다수의 방전셀로 구획되고, 방전셀 내부에는 방전 가스가 주입되고 배면 기판 측으로 형광체 층이 형 성된다.
MgO 보호층은 플라즈마 디스플레이 패널의 글로우 방전에서 2차 전자 방출(secondary electron emission) 및 엑소-전자 방출(exo-electron emission)을 일으켜 방전 전압을 저하시키고, 방전 지연을 개선하는 특성을 가지고 있기 때문에, 플라즈마 디스플레이 패널의 개발 초기부터 전자 방출 재료로서 사용되어 왔다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호층은 순수한 MgO 증착원을 이용하여 전자 빔 증착(electron-beam evaporation)법, 이온 플레이팅(ion-plating)법, 스퍼터링(sputtering)법 등의 진공 증착 공정으로 제조되어 왔다.
그러나 플라즈마 디스플레이 패널의 소비 전력을 절감하기 위해서는 MgO로부터의 2차 전자 방출 계수를 더욱 향상시켜 방전 개시 전압을 감소시키고, 싱글 스캔(single scan) 구동에 의한 부품 원가를 절감하기 위해서 MgO 보호층 내에 의도적으로 도핑원소를 첨가한 보호층의 사용이 증가하고 있다. 즉 도핑 원소를 이용하여 MgO의 결합 에너지 레벨 및 농도를 조절함으로써, MgO의 전자 방출 특성을 적극적으로 조절하고자 하는 방법이다.
이와 같은 도핑 원소 첨가에 의한 MgO의 전자 방출 특성을 향상시키기 위한 방법은 일본 특허 공개 제2005-123172호, 일본 특허 공개 제2005-123173호, 한국 특허출원 제2004-0037268호, 한국 특허출원 제2004-0108075호, 한국 특허출원 제2005-0061426호, 미국 특허출원 제2006-0145614호 등에 자세히 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2005-123173호에서는 Si, Ge, C, Sn 중의 적어도 하나의 원소와 주기율표의 4족, 5족, 6족, 7족의 원소 중의 하나를 도핑원소로 사용하는 MgO 재료를 제공하고 있다. Si, Ge, C, Sn 중의 원소는 도핑 농도가 20중량ppm 내지 8000중량ppm이고 주기율표의 4족, 5족, 6족, 7족 중의 원소는 10중량ppm 내지 10000중량ppm의 범위로 사용됨을 개시하고 있다.
일본 특허 공개 제2005-123172호에서는 MgC2, Mg2C3, Mg3C4와 같은 탄화 마그네슘이 포함되어 있는 MgO 재료를 제공하고 있다. 이 탄화 마그네슘은 50중량ppm 내지 7000중량ppm의 농도 범위로 사용됨을 개시하고 있다.
한국 특허출원 제2005-0061426호에서는 Si가 도핑된 보호층 성분을 제공하고 있는데, 이 경우 Si의 함량이 20ppm 내지 500ppm의 범위에서 방전 지연 시간이 가장 작은 것으로 기재하고 있다. 이 경우 Ca이 50ppm이하, Fe가 50ppm이하, 알루미늄이 250ppm이하, 니켈이 5ppm이하, 나트륨이 5ppm이하, 칼륨이 5ppm이하로 불순물의 함량을 제한하고 있다.
한국 특허출원 제2004-0037268호에서는 Ca, Al, Fe 및 Si를 도펀트로서 사용한 MgO 보호층 재료를 개시하여, 이와 같은 도펀트 원소들의 상호작용에 의하여 플라즈마 디스플레이 패널 방전 지연 시간을 최소화 할 수 있는 재료를 제공하고 있다. Ca의 함량은 100 내지 300ppm, Al의 함량은 60 내지 90ppm, Fe의 함량은 60 내지 90ppm, Si의 함량은 40 내지 100ppm의 조성을 제공하고 있다.
한국 특허출원 제2004-0108075호에서는 희토류 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소 및 Al, Ca, Si에서 선택된 하나의 원소를 포함하고 있는 MgO 조성을 제공하고 있다. 희토류 원소로서 Sc의 함량이 마그네슘 산화물에 대하 여 50 내지 600ppm인 조성을 제공하고 있으며, Ca의 함량은 50 내지 400ppm, Al의 함량은 50 내지 400ppm, Si의 함량은 50 내지 400ppm의 조성을 제공하고 있다. 또한 이 조성은 Mn, Na, K, Cr, Fe, Zn, Bi, Ni 및 Zr으로 이루어진 불순물에서 Mn은 마그네슘 산화물에 대하여 50ppm미만, Na는 30ppm미만, K는 30ppm미만, Cr은 10ppm미만, Fe는 20ppm미만의 순도를 가진 조성을 제공한다.
미국 특허출원 제2006-0145614호에서는 Sc, Ca, Si이 도핑된 MgO 조성을 제공하고 있다. 상기 발명에 의하면, Sc의 함량이 50ppm에서 2000ppm이고, Ca의 함량이 100ppm에서 1000ppm, Si의 함량이 30ppm에서 500ppm일 때 방전 지연 시간이 크게 감소하는 것으로 개시하고 있다.
이와 같이 MgO에 도핑 원소를 도핑시킴으로써, MgO 박막의 특성을 향상시켜, 방전 효율을 향상시키고, 방전 지연 시간을 단축시켜 플라즈마 디스플레이 패널의 성능을 개선하는데 기여하고 있다. 그러나 Sc을 포함한 MgO 증착 재료의 경우에는 원재료 가격이 상승하며, Mg에 비하여 원자량이 큰 도핑 원소의 경우에는 증착 분위기 내에서 이동도(mobility)가 낮아 박막 내로 도핑되는 분률이 감소된다는 문제점이 있다. 즉, 상기 방법은 진공 증착 과정에서 타겟 소스(target source)에 상기 도핑 원소가 도핑 되어있는 경우로, 진공 증착 과정에서 상기 도핑 원소가 기판에 원활하게 증착되지 않는 문제점이 있다.
또한, MgO내의 도핑 원소의 용해도는 이온의 반경, 원자가 등에 의하여 좌우된다. 즉, Mg 이온 대비 도핑 원소의 이온 반경 차이가 클수록, 원자가의 차이가 클수록 MgO내의 용해도가 감소한다. 따라서 도핑 원소 중에서 이온 반경의 차이가 크거나 원가가의 차이가 큰 재료의 경우에는 MgO 박막의 성막 공정 중에 용해도가 너무 낮아 도핑이 되지 못하고 제 2상으로 석출하여, 도핑에 의한 방전 특성의 개선 효과를 얻을 수 없게 된다.
이와 같은 박막 제조 공정은 공정 속도가 느리고, 제조 장치가 고가이기 때문에 제조 원가가 높은 단점이 있다. 이러한 박막 공정의 문제점을 해결할 수 있는 방법으로 MgO 분말을 적층하여 보호층을 형성하는 후막 공정있다. 후막 공정은 MgO 분말을 페이스트 또는 그린 시트(green sheet) 형태로 제조한 후, 이를 인쇄 또는 라미네이션법을 이용하여 후막층을 형성한 후, 건조, 하소 등의 공정을 거쳐서 보호층을 제조하는 방법이다. 이와 같은 후막 공정 방법은 한국 특허출원 제2003-0090141호, 한국 특허출원 제2003-0058536호, 한국 특허출원 제2004-0009323호, 한국 특허등록 제0186541호 등에 자세히 개시되어 있다.
한국 특허출원 제2003-0090141호에서는 MgO 나노 분말이 포함된 그린 시트를 라미네이션 공법에 의하여 전면 패널의 유전체층 상면에 접착시키고, 이를 소성하여 보호층을 형성하는 방법을 제공하고 있다. 이때, 그린시트의 두께는 20 ㎛ 내지 100㎛의 범위를 제시하고 있다. 한국 특허출원 제2003-0058536호는 100nm 이하의 나노 MgO 분말을 이용하여 스크린 프린팅, 딥핑(dipping), 다이코팅(dye coating), 스핀코팅(spin coating), 그린시트 코팅(green sheet coating), 잉크젯 등을 후막 공정을 이용하여 보호층을 형성하는 방법을 개시하고 있다.
한국 특허출원 제2004-0009323호에서는 크기가 100nm이하인 MgO 분말과 소정 의 알칼리 금속 분말 또는 TiO2 분말의 혼합물을 이용하여 보호층을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 상기 후막 코팅법은 페이스트 또는 그린시트를 형성하기 위해서 용매, 바인더, 분산제등의 유기물이 다량 사용되고, 적정 두께를 얻기 위해서는 미 건조된 상태의 페이스트층 및 그린시트층이 두꺼워지는 문제점이 있다.
한국 특허출원 제1996-005828호는 전기 영동법(electrophoresis)을 이용하여 유전층 및 MgO 분말 보호층을 형성하는 방법을 개시하고 있다. 즉 전면 기판을 MgO 분말이 분산되어 있는 전기 영동액에 침적한 후, 전면 기판의 전극에 직류 전원의 음극을 인가하고, 금속 전극에는 양극을 인가하여 코팅을 하는 방법이다. 이때 이소프로필 알코올을 용매로 사용하고, 질산 마그네슘 수화물 또는 질산 이트륨 수화물을 첨가제로 사용하는 용액 조성을 제공하고 있다.
이와 같은 전기 영동법을 이용한 MgO 후막 형성법은 공지의 기술로서, 다양한 연구자들이 주요 공정 변수들이 MgO 후막 특성에 미치는 영향에 대하여 연구를 수행하여 왔다. 그러나 전기 영동법에 의한 후막 형성은 전압이 인가된 전극 표면 부위에만 MgO 막이 형성되기 때문에 유전체의 표면에 균일하게 후막을 형성하기 곤란한 문제점이 있다.
도 1은 종래의 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층을 형성하는 과정을 나타내는 모식도이다.
도 1을 참고하면, 기판(110)의 일면에 복수의 표시 전극(120)들이 형성되고, 상기 표시 전극(120)들을 덮으면서 기판(110) 전체에 유전체층(130)이 형성된다. 상기 유전체층(130) 위에 MgO 보호층(150)이 형성된다.
수조(190)에 전기 영동액(160)을 담고, 상기 전기 영동액(160)에 직류 전원(170)의 (+)단자에 연결된 공통 전극(180)을 담근다. 또한, 상기 제2 기판(110)의 상기 표시 전극(120)들에 직류 전원(170)의 (-)단자를 연결하고, 상기 (-)단자에 연결된 제2 기판(110)을 상기 전기 영동액(160)에 담근다. 이후, 전기 영동을 실시하여 표시 전극(120) 표면에 MgO 보호층(150)을 형성한다.
종래의 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층을 형성하는 경우, 표시 전극이 형성된 부분에만 MgO 보호층이 형성된다. 또한 유전체층이 30㎛정도 코팅되어 있는 전면 기판 유전체 표면에 MgO 후막을 형성하기 위해서는 수백 볼트 이상의 고 전압을 인가하여야 하기 때문에 장치의 안전성 및 제조 공정의 비용이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 우수한 방전 특성을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제2 기판에 대향하는 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 유전체층; 상기 제 1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들; 상기 표시 전극들 위에 위치하는 무기 산화물층; 상기 무기 산화물층을 덮으면서 형성되는 MgO 보호층; 상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
상기 무기 산화물층은 상기 제2 기판에서 상기 표시 전극들이 형성된 부분에만 형성되고, 상기 표시 전극들을 덮으면서 형성되는 것일 수 있다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널은 표시 전극들과 무기 산화물층 사이에 형성되는 유전체층을 더 포함할 수 있다.
상기 무기 산화물층은 패턴화되어 형성될 수 있다.
상기 무기 산화물층의 두께는 10 내지 1000nm인 것이 바람직하고, 100 내지 300nm인 것이 더욱 바람직하다.
상기 무기 산화물층은 비귀금속의 산화물을 포함하는 것이 바람직하고, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 크롬, 산화 구리, 산화 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 산화물을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 표시 전극은 은, 알루미늄, 마그네슘, 구리, 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 MgO 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 5㎛인 것이 더욱 바람직하다.
상기 MgO 보호층은 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선 택되는 도핑 원소를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 기판에 형성된 표시 전극들 위에 희생 전극층을 형성하는 단계; 상기 기판을 MgO 분말과 용매를 포함하는 전기 영동액에 담그는 단계; 상기 희생 전극층에 전압을 인가하여 전기 영동법을 이용하여 MgO 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 희생 전극층을 산화시키는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 표시 전극들과 희생 전극층 사이에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 희생 전극층은 무전해 도금법, 열 증착법, 스퍼터링법, 화학 증착법, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기 MgO 분말은 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도핑 원소를 더 포함하는 것이 바람직하고, 상기 Sc은 MgO 에 대하여 50 내지 600ppm, 상기 Al은 MgO에 대하여 50 내지 400ppm, 상기 Ca은 MgO에 대하여 50 내지 400ppm, 상기 Si은 MgO에 대하여 50 내지 400ppm으로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 MgO 분말은 Mn, Na, K, Cr, Fe, Zn, Bi, Ni, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 불순물을 포함하고, 상기 Mn은 MgO에 대하여 50ppm 미만, 상기 Na은 MgO에 대하여 30ppm 미만, 상기 K은 MgO에 대하여 30ppm 미만, 상기 Cr은 MgO에 대하여 10ppm 미만, 상기 Fe은 MgO에 대하여 20ppm 미만으로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 MgO 분말은 평균 입경이 50 내지 1000nm인 것이 바람직하고 100 내지 1000nm인 것이 더 바람직하고, 100 내지 500nm인 것인 더욱 더 바람직하다.
상기 용매는 알코올 계열의 용매, 케톤 계열의 용매, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 전기 영동액은 분산제를 첨가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 분산제는 전기 영동액 전체에 대하여 0.5 내지 2중량%의 양으로 첨가하는 것이 바람직하다.
상기 희생 전극층을 산화시키는 단계는 450 내지 600℃의 온도에서 이루어지는 것이 바람직하고, MgO 보호층을 소성시키는 단계와 동시에 이루어질 수도 있다.
이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제2 기판에 대향하는 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 유전체층; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들; 상기 표시 전극들 위에 위치하는 무기 산화물층; 상기 무기 산화물층을 덮으면서 형성되는 MgO 보호층; 상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
상기 무기 산화물층의 두께는 10 내지 1000nm인 것이 바람직하고, 100 내지 300nm인 것이 더욱 바람직하다.
상기 무기 산화물층의 두께가 10nm 미만인 경우, 전기 저항이 증가하여 전기 전도도가 감소하므로 바람직하지 않고, 1000nm를 초과하는 경우, 유전체의 유전율을 변화시켜 방전 특성을 저하 시킬 가능성이 있으며, 광학적 투과율도 저하되어 휘도를 감소시킬 가능성이 있다.
상기 무기 산화물층은 비귀금속의 산화물을 포함하는 것이 바람직하고, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 크롬, 산화 구리, 산화 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 산화물을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 표시 전극은 은, 알루미늄, 마그네슘, 구리, 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 MgO 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 5㎛인 것이 더욱 바람직하다. 일반적으로, MgO 보호층의 두께가 증가할수록 방전 효율을 상승하지만, 가시 광선 투과율이 감소하고, 방전 전압이 상승하게 된다. MgO 보호층의 두께가 상기 범위에 있는 경우, 방전 전압을 일정 범위로 유지한 상태에서 방전 효율을 증가시킬 수 있어 바람직하다.
상기 MgO 보호층은 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도핑 원소를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 MgO 보호층이 상기 도핑 원소를 더 포함하는 경우 방전 효율을 향상시키고, 방전 지연 시간을 단축시켜 플라즈마 디스플레이 패널의 성능을 개선한다는 점에서 바람직하다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 일 실시예에 한정되지 않는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 부분 분해 사시도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 구조는 제1 기판(3) 상에 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 어드레스 전극(13)이 형성되고 이 어드레스 전극(13)을 덮으면서 제1 기판(3)의 전면에 유전체층(15)이 형성된다. 이 유전체층(15) 위로 각 어드레스 전극(13) 사이에 배치되도록 격벽(5)이 형성되며 각각의 격벽(5) 사이에 복수의 방전셀(7R, 7G, 7B)이 형성된다. 상기 방전셀(7R, 7G, 7B) 내에는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체층(8R, 8G, 8B)이 형성된다.
상기 격벽(5)은 방전 공간을 구획하는 형상이라면 어느 형태도 가능하며, 다양한 패턴의 격벽들로 형성된다. 예컨대 상기 격벽(5)은 스트라이프 등과 같은 개방형 격벽은 물론, 와플, 매트릭스, 델타 등과 같은 폐쇄형 격벽으로 될 수 있다. 또한, 폐쇄형 격벽은 방전공간의 횡단면이 사각형, 삼각형, 오각형 등의 다각형, 또는 원형, 타원형 등으로 되도록 형성될 수 있다.
그리고 제1 기판(3)에 대향하는 제2 기판(1)의 일면에는 어드레스 전극(13)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 한 쌍의 투명 전극(9a, 11a)과 버스 전극(9b, 11b)으로 구성되는 표시 전극이 형성되고 이 표시 전극을 덮으면서 제2 기판(1) 전체에 유전체층(17)이 형성된다.
상기 유전체층(17)을 덮으면서 제2 기판(1) 전체에 무기 산화물층(18)과 MgO 보호층(19)이 형성된다.
상기 제1 기판(3) 상의 어드레스 전극(13)과 제2 기판(1) 상의 표시 전극이 교차하는 지점이 방전셀을 구성하는 부분이 된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널은 어드레스 전극(13)과 표시 전극(9, 11) 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고 다시 한 쌍의 표시 전극 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하여 유지 방전시켜 구동한다. 이때 발생하는 여기원이 해당 형광체를 여기시켜 제2 기판(1)을 통하여 가시광을 방출하면서 플라즈마 디스플레이 패널의 화면을 구현하게 된다. 상기 여기원으로는 진공 자외선(Vacuum Ultraviolet)이 주로 이용된다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제2 기판을 나타내는 모식도이다.
도 3을 참고하면, 제2 기판(310)의 일면에 복수의 표시 전극(320)들이 형성되고, 상기 표시 전극(320)들을 덮으면서 제2 기판(310) 전체에 유전체층(330)이 형성된다. 상기 유전체층(330) 위에 무기 산화물층(340)과 MgO 보호층(350)이 형성된다.
상기 무기 산화물층의 두께는 10 내지 1000nm인 것이 바람직하고, 100 내지 300nm인 것이 더욱 바람직하다.
상기 무기 산화물층은 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 크롬, 산화 구리, 산화 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 산화물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 표시 전극은 은, 알루미늄, 마그네슘, 구리, 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 MgO 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 5㎛인 것이 더욱 바람직하다.
상기 MgO 보호층은 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도핑 원소를 더 포함하는 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제2 기판을 나타내는 모식도이다.
도 4를 참고하면, 제2 기판(410)의 일면에 복수의 표시 전극(420)들이 형성되고, 상기 표시 전극(420)들을 덮으면서 제2 기판(410) 전체에 유전체층(430)이 형성된다. 상기 유전체층(430) 위에 무기 산화물층(440)과 MgO 보호층(450)이 형성된다.
이때, 상기 무기 산화물층(440)은 상기 표시 전극(420)의 패턴에 따라 패턴화되어 유전체층(430) 위에 형성된다. 상기 무기 산화물층(440)은 상기 표시 전극(420)이 사각형, T-자형 등 다양한 형태로 패턴화됨에 따라, 사각형, T-자형 등 다양한 형태로 패턴화 되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 무기 산화물층(440)은 상기 유전체층(430)이 없는 경우에도 상기 표시 전극(420)의 패턴에 따라 패턴화되어 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제2 기판을 나타내는 모식도이다.
도 5를 참고하면, 제2 기판(510)의 일면에 복수의 표시 전극(520)들이 형성되어 있고, 상기 표시 전극(520)들 위에 무기 산화물층(540)이 형성되어 있다. 또한, 상기 무기 산화물층(540)을 덮으면서 MgO 보호층(550)이 제2 기판(510) 위에 형성되어 있다.
상기 무기 산화물층(540)은 상기 제2 기판(510)에서 상기 표시 전극(520)들이 형성된 부분에만 형성되고, 상기 표시 전극(520)들을 덮으면서 형성된다. 상기 무기 산화물층(540)은 유전체층(도면에 표시하지 않음.)의 역할을 하는 것으로서, 얇게 형성하는 것이 가능하기 때문에 전기 영동법에 의한 MgO 보호층(550)의 제조시 전압을 낮출 수 있어 바람직하다.
본 발명은 또한, 기판에 형성된 표시 전극들 위에 희생 전극층을 형성하는 단계; 상기 기판을 MgO 분말과 용매를 포함하는 전기 영동액에 담그는 단계; 상기 희생 전극층에 전압을 인가하여 전기 영동법을 이용하여 MgO 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 희생 전극층을 산화시키는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다.
먼저, 기판 위에 표시 전극들을 형성하고, 상기 표시 전극들 위에 희생 전극층을 형성한다.
상기 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 경우, 상기 표시 전극들과 희생 전극층 사이에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 희생 전극층은 패턴화되어 형성될 수 있다.
상기 희생 전극층의 두께는 10 내지 1000nm인 것이 바람직하고, 100 내지 300nm인 것이 더욱 바람직하다.
상기 희생 전극층의 두께가 상기 범위내에 있는 경우, 전기 영동이 가능한 정도의 전기 전도도를 가지며, MgO 보호층의 소성 온도인 450 내지 600℃의 온도 범위에서 용이하게 산화되어 광학적으로 투명한 산화물로 변환될 수 있다.
상기 희생 전극층은 무전해 도금법, 열 증착법, 스퍼터링법, 화학 증착법, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의하여 바람직하게 형성할 수 있다.
또한, 상기 희생 전극층은 비귀금속을 포함하는 것이 바람직하고, 알루미늄, 마그네슘, 크롬, 구리, 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 비귀금속은 은 보다 산화환원 전위가 낮은 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 상기 비귀금속은 쉽게 산화될 수 있는 것으로, 그 산화물이 투명한 것이면 더욱 바람직하게 사용할 수 있다.
전기 영동액은 MgO 분말을 용매에 혼합하여 제조한다.
상기 MgO 분말은 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도핑 원소를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 Sc은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 600ppm, 상기 Al은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 400ppm, 상기 Ca은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 400ppm, 상기 Si은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 400ppm으로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도핑 원소가 상기 범위 미만으로 포함되는 경우, 형성된 MgO 보호층 내에 존재하는 도핑 원소의 함량이 미미하여 방전 효율의 향상 및 방전 지연 시간을 단축시키는 효과를 기대할 수 없고, 상기의 범위를 초과하는 경우, MgO가 아닌 제2상 즉, SiO2, Al2O3등으로 석출될 가능성이 있어 바람직하지 않다.
상기 MgO 분말은 Mn, Na, K, Cr, Fe, Zn, Bi, Ni, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 불순물을 포함할 수 있고, 상기 Mn은 MgO 분말 전체에 대하여 50ppm 미만, 상기 Na, 및 K는 각각 MgO 분말 전체에 대하여 30ppm 미만, 상기 Cr, Bi, 및 Ni은 각각 MgO 분말 전체에 대하여 10ppm 미만, 상기 Fe, 및 Zn은 MgO 분말 전체에 대하여 20ppm 미만으로 포함된 것이 바람직하다. 상기 불순물이 상기 범위를 초과하는 경우, 상기 MgO 분말 내에서 도핑 원소의 함량 조절이 용이하지 않으며, 형성된 MgO 보호층에 상기 도핑 원소를 포함시키는 효과를 감소시키므로 바람직하지 않다.
상기 MgO 분말은 평균 입경이 50 내지 1000nm인 것이 바람직하고, 100 내지 1000nm인 것이 더 바람직하고 100 내지 500nm인 것이 보다 더 바람직하다. 상기 MgO 분말의 평균 입경이 상기 범위내에 있는 경우, 전기 영동시 침전 반응이 발생하지 않으며, 유전체 표면에 균일하게 패킹(packing)될 수 있어 바람직하다.
상기 용매는 MgO 분말 표면에 하전층을 용이하게 형성할 수 있는 극성 용매를 사용하는 것이 바람직하고, 알코올 계열의 용매, 케톤 계열의 용매, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 용매의 건조 속도 및 표면장력은 전기 영동법에 의하여 형성된 MgO 보호층의 결함 발 생에 영향을 미치고, 점도는 보호층의 형성 속도에 영향을 미치게 되므로 이들의 적절한 조합을 선정하는 것이 중요하다.
상기 알코올 계열의 용매는 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), N-프로필 알코올(N-Propyl alcohol), 이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol), N-부탄올(N-Butanol), 세크-부탄올(sec-Butanol), 이소-부탄올(Iso-butanol), 터트-부탄올(tert-Butanol), N-아밀 알코올(N-Amyl alcohol), 이소아밀 알코올(Isoamyl alcohol), 세크-아밀 알코올(sec-Amyl alcohol), 터트-아밀 알코올(tert-Amyl alcohol), N-헥실 알코올(N-Hexyl alcohol), 시클로-헥산올(Cyclohexanol), 2-에틸-1-부탄올(2-Ethyl-1-butanol), 메틸 이소부틸 카비놀(Methyl isobutyl carbinol), 2-에틸-1-헥산올(2-Ethyl-1-hexanol), N-옥틸-알코올(N-Octyl alcohol), 세크-옥틸 알코올(sec-Octyl alcohol), 노닐 알코올(Nonyl alcohol), 데실 알코올(Decyl alcohol), 벤질 알코올(Benzyl alcohol), 알릴 알코올(Allyl alcohol), 디아세톤 알코올(Diacetone alcohol), 푸르푸릴 알코올(Furfuryl alcohol), 테트라하이드로푸르푸릴 알코올(Tetrahydrofurfuryl alcohol), 텍사놀 에스테르-알코올(Texanol ester-alcohol), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 케톤 계열의 용매는 아세톤(Acetone), 메틸에틸케톤(Methyl ethyl ketone), 메틸 N-프로필 케톤(Methyl N-propyl ketone), 메틸 이소프로필 케톤(Methyl isopropyl ketone), 디에틸 케톤(Diethyl ketone), 시클로-헥사논(Cyclo-hexanone), 메지틸옥사이드 케톤(Mesityl oxide ketone), 메틸 이소부틸 케톤(Methyl isobutyl ketone), 메틸 N-부틸 케톤(Methyl N-butyl ketone), 에틸 N-부틸 케톤(Ethyl N-butyl ketone), 메틸 N-아밀 케톤(Methyl N-amyl ketone), 메틸 이소아밀 케톤(Methyl isoamyl ketone), 디프로필 케톤(Dipropyl ketone), 디아세톤 알코올(Diacetone alcohol), 아세토-페논(Aceto-phenone), 메틸 N-헥실 케톤(Methyl N-hexyl ketone), 에틸 N-아밀 케톤(Ethyl N-amyl ketone), 이소-포론(Iso-phorone), 디이소-부틸 케톤(Diiso-butyl ketone), 이소부틸 헵틸 케톤(Isobutyl heptyl ketone), Eastman C-11(Eastman사 제품), 아세토닐-아세톤(Acetonyl-acetone), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 MgO 분말은 전기 영동액 전체에 대하여 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.5 내지 3 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. MgO 분말의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우, 충분한 두께로 MgO 보호막을 형성시킬 수 없으며, 10 중량%를 초과하는 경우, MgO 분말의 농도가 짙어 MgO 보호막이 형성될 부분 이외의 부분에도 MgO가 묻어나와 바람직하지 않다.
상기 MgO 분말이 상기 전기 영동액 내에서 분산된 현탁액 상태로 존재하도록 하기 위하여, 상기 전기 영동액에 분산제를 더 첨가할 수 있다. 상기 분산제를 용매 내에 먼저 첨가시켜 상기 분산제가 상기 MgO 분말의 표면에 흡착되어 분산이 잘 이루어지도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 분산을 더욱 용이하게 하기 위하여 상기 전기 영동액을 플래터리밀, 볼밀, 아트리션밀, 바스켓밀 등을 이용하여 처리하여 주는 것도 바람직하다.
상기 분산제는 전기 영동액 전체에 대하여 0.5 내지 2중량%의 양으로 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 분산제의 함량이 상기 범위 내인 경우, MgO 분말의 분산성을 향상시켜 균일한 증착을 가능하게 하며, MgO 분말의 표면 전위를 변화시켜 전기 영동의 속도나 영동 방향 등을 조절하는 것을 가능하게 한다. 상기 분산제의 함량은 MgO 분말의 표면적에 따라서 결정한다. 즉, MgO 분말의 입자가 작아서 표면적이 큰 경우, 분산제의 함량을 증가시키는 것이 바람직하고, MgO 분말의 입자가 커서 표면적이 작은 경우, 분산제의 함량을 감소시키는 것이 바람직하다.
상기 분산제는 Darvan 821A(RT Vanderbilt사 제품), 폴리아크릴산, 하이드록시프로필 셀룰로오즈, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 폴리메타크릴산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 나트륨 헥사메타포스페이트, 에어로졸 22(Cytec사 제품), 팔미트산, BYK-180(BYK chemical사 제품), BYK-181(BYK chemical사 제품), BYK-111(BYK chemical사 제품), BYK-116(BYK chemical사 제품), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 전기 영동액에 직류 전원의 (+)단자에 연결된 공통 전극을 담근다. 또한, 상기 제조된 기판의 희생 전극층에 직류 전원의 (-)단자를 연결하고, 상기 (-)단자에 연결된 기판을 상기 전기 영동액에 담근다. 이후 전기 영동을 실시하여 희생 전극층 표면에 MgO 보호층을 형성한다.
상기 MgO 보호층은 0.5 내지 10㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하고, 1 내지 5㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
일반적으로, MgO 보호층의 두께가 증가할수록 방전 효율을 상승하지만, 가시 광선 투과율이 감소하고, 방전 전압이 상승하게 된다. MgO 보호층의 두께가 상기 범위에 있는 경우, 방전 전압을 일정 범위로 유지한 상태에서 방전 효율을 증가시킬 수 있어 바람직하다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 경우, 전기 영동법에 의한 MgO 보호층 형성 단계를 나타내는 모식도이다.
도 6을 참고하면, 기판(610)의 일면에 복수의 표시 전극(620)들이 형성되고, 상기 표시 전극(620)들을 덮으면서 기판(610) 전체에 유전체층(630)이 형성된다. 상기 유전체층(630) 위에 희생 전극층(640)과 MgO 보호층(650)이 형성된다.
수조(690)에 전기 영동액(660)을 담고, 상기 전기 영동액(660)에 직류 전원(670)의 (+)단자에 연결된 공통 전극(680)을 담근다. 또한, 상기 제조된 기판(610)의 희생 전극층(640)에 직류 전원(670)의 (-)단자를 연결하고, 상기 (-)단자에 연결된 기판(610)을 상기 전기 영동액(660)에 담근다. 이후, 전기 영동을 실시하여 희생 전극층(640) 표면에 MgO 보호층(650)을 형성한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 경우, 전기 영동법에 의한 MgO 보호층 형성 단계를 나타내는 모식도이다.
도 7을 참고하면, 기판(710)의 일면에 복수의 표시 전극(720)들이 형성되고, 상기 표시 전극(720)들을 덮으면서 기판(710) 전체에 유전체층(730)이 형성된다. 상기 유전체층(730) 위에 희생 전극층(740)과 MgO 보호층(750)이 형성된다. 이때, 상기 희생 전극층(740)은 패턴화되어 유전체층(730) 위에 형성된다. 상기 희생 전극층(740)은 사각형, T-자형 등 다양한 형태로 패턴화되어 형성될 수 있다. 이 경 우, 방전 공간에 노출된 유전체층(730)이 스퍼터링에 의하여 식각되는 것을 방지하기 위하여 Al2O3, MgO, ZrO2 등과 같은 내 스퍼터링 특성이 우수한 박막을 코팅하는 것도 가능하다.
수조(790)에 전기 영동액(760)을 담고, 상기 전기 영동액(760)에 직류 전원(770)의 (+)단자에 연결된 공통 전극(780)을 담근다. 또한, 상기 제조된 기판(710)의 희생 전극층(740)에 직류 전원(770)의 (-)단자를 연결하고, 상기 (-)단자에 연결된 기판(710)을 상기 전기 영동액(760)에 담근다. 이후, 전기 영동을 실시하여 희생 전극층(740) 표면에 MgO 보호층(750)을 형성한다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 경우, 전기 영동법에 의한 MgO 보호층 형성 단계를 나타내는 모식도이다.
도 8을 참고하면, 기판(810)의 일면에 복수의 표시 전극(820)들이 형성되어 있고, 상기 표시 전극(820)들 위에 희생 전극층(840)이 형성되어 있다. 또한, 상기 희생 전극층(840)을 덮으면서 MgO 보호층(850)이 기판(810) 위에 형성되어 있다.
상기 희생 전극층(840)은 상기 기판(810)에서 상기 표시 전극(820)들이 형성된 부분에만 형성되고, 상기 표시 전극(820)들을 덮으면서 형성된다. 상기 희생 전극층은 얇은 두께로 형성할 수 있으므로, 낮은 전압에서 MgO 보호층을 형성하는 것이 가능하다.
한편, 상기 표시 전극(820)을 산화가 가능한 금속으로 형성함으로써, 표시 전극(820)과 희생 전극층(840)을 동시에 형성하는 것도 가능하다. 즉, 산화가 가능한 금속으로 표시 전극(820) 및 희생 전극층(840)을 일체로 형성한 후, 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층(850)을 형성하고, 상기 표시 전극(820)을 일정 깊이 까지만 산화시켜 무기 산화물층을 형성하는 것도 가능하다.
수조(890)에 전기 영동액(860)을 담고, 상기 전기 영동액(860)에 직류 전원(870)의 (+)단자에 연결된 공통 전극(880)을 담근다. 또한, 상기 제조된 기판(810)의 희생 전극층(840)에 직류 전원(870)의 (-)단자를 연결하고, 상기 (-)단자에 연결된 기판(810)을 상기 전기 영동액(860)에 담근다. 이후, 전기 영동을 실시하여 희생 전극층(840) 표면에 MgO 보호층(850)을 형성한다.
MgO 보호층(650, 750, 850)을 형성한 후, 용매를 건조시키고, 상기 희생 전극층(640, 740, 840)을 산화시키고, MgO 보호층(650, 750, 850)을 소성한다. 상기 희생 전극층(640, 740, 840)을 산화시키는 단계는 MgO 보호층(650, 750, 850)을 소성시키는 단계와 동시에 이루어지는 것도 가능하다. 상기 희생 전극층(640, 740, 840)을 산화시키면 부도체인 산화물로 변환된다.
상기 희생 전극층을 산화시키는 단계는 450 내지 600℃의 온도에서 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 희생 전극층을 산화시키는 온도가 상기 범위내에 있는 경우, MgO 보호층의 소성 과정과 동시에 상기 희생 전극층을 산화시킬 수 있어 바람직하다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
( 플라즈마 디스플레이 패널의 제조)
(실시예 1)
MgO 분말 1g, 이소프로필알코올 60ml, 및 2-부탄올(2-butanol) 40ml을 혼합하여 전기 영동액을 제조하였다.
기판에 표시 전극을 형성하고, 상기 표시 전극 위에 유전체층을 형성하고, 상기 유전체층 위에 희생 전극층을 열 증착/스퍼터링 방법에 의하여 20nm의 두께로 형성하였다.
수조에 전기 영동액을 담고, 상기 전기 영동액에 직류 전원의 (+)단자에 연결된 공통 전극을 넣었다. 또한, 상기 제조된 기판의 희생 전극층에 직류 전원의 (-)단자를 연결하고, 상기 (-)단자에 연결된 기판을 상기 전기 영동액에 넣었다. 이후, 전기 영동을 실시하여 희생 전극층 표면에 MgO 보호층을 1㎛의 두께로 형성하였다.
상기 기판을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2)
형성된 MgO 보호층의 두께가 2㎛인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 3)
형성된 MgO 보호층의 두께가 3㎛인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 4)
형성된 MgO 보호층의 두께가 4㎛인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 5)
형성된 MgO 보호층의 두께가 5㎛인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(비교예 1)
이온 플레이팅(ion-plating)법을 이용하여 MgO 보호층을 0.7㎛의 두께로 형성하여 제2 기판을 제조하였고, 상기 제2 기판을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(비교예 2)
희생 전극층을 형성하지 않고, 표시 전극에 직류 전원의 (-)단자를 연결한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 6)
희생 전극층을 사각형으로 패턴화시켜 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 7)
표시 전극 위에 유전체층을 형성하지 않고, 희생 전극층을 상기 표시 전극들이 형성된 부분에만 상기 표시 전극들을 덮도록 형성시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 8)
Sc을 MgO에 대하여 1000ppm, Al을 MgO에 대하여 1000ppm, Ca을 MgO에 대하여 1000ppm, Si를 MgO에 대하여 1000ppm으로 포함하고 있는 MgO 분말을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 9)
전기 영동액에 분산제 BYK-180(BYK chemical사제)을 전기 영동액 전체에 대하여 0.6중량%로 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 효율 측정 및 결과)
상기 실시예 1 내지 9, 및 비교예 1에서 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 효율을 측정하였고, 실시예 1 내지 3, 및 비교예 1에 대한 결과를 도 9에 나타내었다.
도 9를 참고하면, 실시예 1 내지 3에서 제조된 플라즈마 디스플레이 패널이 비교예 1에서 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 비하여 방전 효율이 우수함을 알 수 있다. 또한, 전기 영동법에 의하여 MgO 보호층을 형성한 경우, MgO 보호층의 두께가 두꺼울수록 방전 효율이 향상됨을 알 수 있다. 실시예 4 내지 9에서 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 효율도 실시예 1과 유사한 정도로 측정되었다.
실시예 1에서 제조한 플라즈마 디스플레이 패널의 경우, MgO 보호층이 유전체층 전체에 균일한 두께로 형성되었으나, 비교예 2에서 제조한 플라즈마 디스플레이 패널의 경우, MgO 보호층이 유전체층 전체에 균일한 두께로 형성되지 않고, 표시 전극 위에만 형성되었다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 MgO보호층은 특정 함량의 원소로 도핑되어 있는 MgO 분말을 전기 영동법을 이용하여 형성되므로, 상기 MgO 보호층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널은 방전 효율이 상승되며, 방전 시간이 단축되는 등 우수한 방전 특성을 갖는다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 MgO 보호층의 제조 공정이 단순하여, 제조 원가가 저감되며, 품질의 균일성이 우수하고 안정성이 뛰어나기 때문에 제품 수율이 상승하여 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 원가를 획기적으로 감소시킬 수 있다.

Claims (37)

  1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제2 기판에 대향하는 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들;
    상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판에 형성되는 유전체층;
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들;
    상기 표시 전극들 위에 위치하는 무기 산화물층;
    상기 무기 산화물층을 덮으면서 형성되는 MgO 보호층;
    상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및
    상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함하고,
    상기 무기 산화물층의 두께는 100 내지 300nm인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표시 전극들과 무기 산화물층 사이에 형성되는 유전체층을 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 무기 산화물층은 상기 표시 전극 위에 복수의 무기 산화물층이 이격되어 배열된 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 무기 산화물층은 상기 제2 기판에서 상기 표시 전극들이 형성된 부분에만 형성되고, 상기 표시 전극들을 덮으면서 형성되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 무기 산화물층은 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 크롬, 산화 구리, 산화 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 산화물을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 표시 전극은 은, 알루미늄, 마그네슘, 구리, 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 MgO 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 MgO 보호층의 두께는 1 내지 5㎛인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 MgO 보호층은 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도핑 원소를 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제2 기판에 대향하는 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들; 상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,
    상기 제2 기판에 형성된 표시 전극들 위에 희생 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제2 기판을 MgO 분말과 용매를 포함하는 전기 영동액에 담그는 단계;
    상기 희생 전극층에 전압을 인가하여 전기 영동법을 이용하여 MgO 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 희생 전극층을 산화시키는 단계
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 표시 전극들과 희생 전극층 사이에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 희생 전극층은 패턴화되어 형성되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 희생 전극층의 두께는 10 내지 1000nm인 것인 플라즈마 디스플레이 패 널의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 희생 전극층의 두께는 100 내지 300nm인 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 희생 전극층은 알루미늄, 마그네슘, 크롬, 구리, 니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 제13항에 있어서,
    상기 희생 전극층은 무전해 도금법, 열 증착법, 스퍼터링법, 화학 증착법, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의하여 형성되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 MgO 분말은 Sc, Al, Ca, Si, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 도핑 원소를 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 Sc은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 600ppm, 상기 Al은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 400ppm, 상기 Ca은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 400ppm, 상기 Si은 MgO 분말 전체에 대하여 50 내지 400ppm으로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 MgO 분말은 Mn, Na, K, Cr, Fe, Zn, Bi, Ni, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 불순물을 포함하고, 상기 Mn은 MgO 분말 전체에 대하여 50ppm 미만, 상기 Na은 MgO 분말 전체에 대하여 30ppm 미만, 상기 K은 MgO 분말 전체에 대하여 30ppm 미만, 상기 Cr은 MgO 분말 전체에 대하여 10ppm 미만, 상기 Fe은 MgO 분말 전체에 대하여 20ppm 미만, 상기 Zn은 MgO 분말 전체에 대하여 20ppm 미만, 상기 Bi은 MgO 분말 전체에 대하여 10ppm 미만, 상기 Ni는 MgO 분말 전체에 대하여 10ppm 미만으로 포함된 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  24. 제13항에 있어서,
    상기 MgO 분말은 평균 입경이 50 내지 1000nm인 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 MgO 분말은 평균 입경이 100 내지 500nm인 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  26. 제13항에 있어서,
    상기 용매는 알코올 계열의 용매, 케톤 계열의 용매, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 용매인 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 알코올 계열의 용매는 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), N-프로필 알코올(N-Propyl alcohol), 이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol), N-부탄올(N-Butanol), 세크-부탄올(sec-Butanol), 이소-부탄올(Iso-butanol), 터트-부탄올(tert-Butanol), N-아밀 알코올(N-Amyl alcohol), 이소아밀 알코올(Isoamyl alcohol), 세크-아밀 알코올(sec-Amyl alcohol), 터트-아밀 알코올(tert-Amyl alcohol), N-헥실 알코올(N-Hexyl alcohol), 시클로-헥산올(Cyclohexanol), 2-에틸-1-부탄올(2-Ethyl-1-butanol), 메틸 이소부틸 카비놀(Methyl isobutyl carbinol), 2-에틸-1-헥산올(2-Ethyl-1-hexanol), N-옥틸-알코올(N-Octyl alcohol), 세크-옥틸 알코올(sec-Octyl alcohol), 노닐 알코올(Nonyl alcohol), 데실 알코올(Decyl alcohol), 벤질 알코올(Benzyl alcohol), 알릴 알코올(Allyl alcohol), 디아세톤 알코올(Diacetone alcohol), 푸르푸릴 알코올(Furfuryl alcohol), 테트라하이드로푸르푸릴 알코올(Tetrahydrofurfuryl alcohol), 텍사놀 에스테르-알코올(Texanol ester-alcohol), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 케톤 계열의 용매는 아세톤(Acetone), 메틸에틸케톤(Methyl ethyl ketone), 메틸 N-프로필 케톤(Methyl N-propyl ketone), 메틸 이소프로필 케톤(Methyl isopropyl ketone), 디에틸 케톤(Diethyl ketone), 시클로-헥사논(Cyclo-hexanone), 메지틸옥사이드 케톤(Mesityl oxide ketone), 메틸 이소부틸 케톤(Methyl isobutyl ketone), 메틸 N-부틸 케톤(Methyl N-butyl ketone), 에틸 N-부틸 케톤(Ethyl N-butyl ketone), 메틸 N-아밀 케톤(Methyl N-amyl ketone), 메틸 이소아밀 케톤(Methyl isoamyl ketone), 디프로필 케톤(Dipropyl ketone), 디아세톤 알코올(Diacetone alcohol), 아세토-페논(Aceto-phenone), 메틸 N-헥실 케톤(Methyl N-hexyl ketone), 에틸 N-아밀 케톤(Ethyl N-amyl ketone), 이소-포론(Iso-phorone), 디이소-부틸 케톤(Diiso-butyl ketone), 이소부틸 헵틸 케톤(Isobutyl heptyl ketone), Eastman C-11(Eastman사 제품), 아세토닐-아세톤(Acetonyl-acetone), 및 이들의 조합을 이루어진 군에서 선택되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  29. 제13항에 있어서,
    상기 전기 영동액은 MgO 분말을 전기 영동액 전체에 대하여 0.1 내지 10 중량%로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 전기 영동액은 MgO 분말을 전기 영동액 전체에 대하여 0.5 내지 3 중량%로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  31. 제13항에 있어서,
    상기 전기 영동액을 제조하는 단계는 분산제를 첨가하는 단계를 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 분산제는 전기 영동액 전체에 대하여 0.5 내지 2중량%의 양으로 첨가하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 분산제는 Darvan 821A(RT Vanderbilt사 제품), 폴리아크릴산, 하이드록시프로필 셀룰로오즈, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 폴리메타크릴산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 나트륨 헥사메타포스페이트, 에어로졸 22(Cytec사 제품), 팔미트산, BYK-180(BYK chemical사 제품), BYK-181(BYK chemical사 제품), BYK-111(BYK chemical사 제품), BYK-116(BYK chemical사 제품), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  34. 제13항에 있어서,
    상기 희생 전극층을 산화시키는 단계는 MgO 보호층을 소성시키는 단계와 동시에 이루어지는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  35. 제13항에 있어서,
    상기 희생 전극층을 산화시키는 단계는 450 내지 600℃의 온도에서 이루어지는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  36. 제13항에 있어서,
    상기 MgO 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 MgO 보호층의 두께는 1 내지 5㎛인 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
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JP2007311216A JP2008140781A (ja) 2006-12-01 2007-11-30 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5272450B2 (ja) * 2008-03-06 2013-08-28 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
JP2010009900A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP5306946B2 (ja) * 2008-08-29 2013-10-02 宇部マテリアルズ株式会社 発光性積層体
JP2010186686A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Hitachi Ltd プラズマディスプレイ装置
JP2011009029A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2011009027A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2011009028A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2012226852A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
CN106793436B (zh) * 2016-12-16 2019-05-10 大连理工大学 一种增强大气压放电等离子体强度的镍-氧化镍-氧化镁复合阴极、制备方法及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970067470A (ko) * 1996-03-06 1997-10-13 구자홍 칼라 플라즈마 디스플레이 판넬
JP2002093317A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Sony Corp 交流駆動型プラズマディス表示装置の製造方法およびそれにより得られた交流駆動型プラズマ表示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980065367A (ko) * 1996-06-02 1998-10-15 오평희 액정표시소자용 백라이트
KR100224739B1 (ko) * 1997-04-18 1999-10-15 손욱 면 방전형 교류 플라즈마 표시 패널
US6657396B2 (en) * 2000-01-11 2003-12-02 Sony Corporation Alternating current driven type plasma display device and method for production thereof
JP4698077B2 (ja) * 2001-07-18 2011-06-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2003027221A (ja) * 2001-07-19 2003-01-29 Nec Corp プラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材およびその製造方法
JP4073201B2 (ja) * 2001-11-09 2008-04-09 株式会社日立製作所 プラズマディスプレイパネル及びそれを備えた画像表示装置
US7102287B2 (en) * 2002-11-18 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel and manufacturing method therefor
KR100620421B1 (ko) * 2003-01-24 2006-09-08 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 플라즈마 디스플레이 패널
US7569992B2 (en) * 2005-01-05 2009-08-04 Lg Electronics Inc. Plasma display panel and manufacturing method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970067470A (ko) * 1996-03-06 1997-10-13 구자홍 칼라 플라즈마 디스플레이 판넬
JP2002093317A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Sony Corp 交流駆動型プラズマディス表示装置の製造方法およびそれにより得られた交流駆動型プラズマ表示装置

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