CN101192496A - 等离子体显示面板及其制造方法 - Google Patents

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CN101192496A CNA200710187580XA CN200710187580A CN101192496A CN 101192496 A CN101192496 A CN 101192496A CN A200710187580X A CNA200710187580X A CN A200710187580XA CN 200710187580 A CN200710187580 A CN 200710187580A CN 101192496 A CN101192496 A CN 101192496A
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Abstract

本发明公开一种等离子体显示面板及其制造方法，其中等离子体显示面板包括：第一基板和第二基板，它们彼此相对设置；多个寻址电极，设置在第一基板上；介电层，被设置成覆盖置于第一基板上的多个寻址电极；多个显示电极，设置在第二基板上以与多个寻址电极交叉；无机氧化物层，被设置成覆盖显示电极；MgO保护层，被设置成覆盖无机氧化物层；障肋，设置在第一基板和第二基板之间以限定多个放电单元；和荧光层，置于多个放电单元中。

Description

等离子体显示面板及其制造方法
技术领域
本发明的方案涉及等离子体显示面板及其制造方法。更具体地说，本发明的方案涉及具有卓越放电特性和低制造成本的等离子体显示面板及其制造方法。
背景技术
等离子体显示面板是一种通过用放电单元中的气体放电所产生的真空紫外(VUV)线来激发荧光物质以形成图像的显示器件。由于等离子体显示面板能形成大的高清晰度图像，所以正作为下一代薄显示器而引起关注。
三电极表面放电等离子体显示面板已经被广泛使用。三电极表面放电等离子体显示面板包括前基板和后基板。包括一对电极的显示电极设置在前基板上，并由介电层覆盖，而寻址电极设置在后基板上。前基板和后基板之间的空间由障肋划分成多个放电单元，这些放电单元中充以放电气体。荧光层设置在后基板和障肋上。
由于MgO保护层在等离子体显示面板放电时引起二次电子和外电子的发射，从而需要降低放电电压并减小放电延迟，所以从最初发展等离子体显示面板起，MgO就已经用作保护层来发射电子。已经通过利用·纯的MgO沉积源，以真空沉积法形成用于等离子体显示面板的MgO保护层，所述真空沉积法例如电子束蒸发法、离子电镀法和溅射法。
对以下的需求日益增加：通过提高来自MgO的二次电子的发射和降低初始放电电压来降低等离子体显示面板的功耗，以及向MgO保护层添加掺杂元素以降低由单一扫描操作带来的各部分的成本。简而言之，通过基于掺杂元素来调节MgO的浓度以及耦合能级可以有效地控制MgO的电子发射。
通过添加掺杂元素提高MgO的电子发射的方法公开在日本专利公开No.2005-123172和No.2005-123173，韩国专利公开No.2005-113685、No.2006-69573和No.2005-75866以及美国专利公开No.2006/0145614。
日本专利公开No.2005-123172提出一种MgO合成物，包括从Si、Ge、C和Sn组成的组中选择的至少一种以及从元素周期表的4族元素、5族元素、6族元素和7族元素选择的至少一种。从Si、Ge、C和Sn组成的组中选择的那个，用在20wt ppm到8000wt ppm的掺杂浓度，而从元素周期表的4族元素、5族元素、6族元素和7族元素选择的那个，用在10wt ppm到10,000wt ppm的掺杂浓度。
日本专利公开No.2005-123173公开了包括诸如MgC2、Mg2C3和Mg3C4之类的碳化镁的MgO合成物的使用。其提出使用浓度范围在50wt ppm到7000wt ppm的碳化镁。
韩国专利公开No.2005-75866公开了一种用于保护层的掺杂有Si的合成物。其描述了当Si的含量从20ppm到500ppm时，放电延迟时间最短。杂质的含量受到限制。Ca的含量被限制成小于50ppm；Fe的含量小于50ppm；Al的含量小于250ppm；Ni的含量小于5ppm；Na的含量小于5ppm，而K的含量小于5ppm。
韩国专利公开No.2005-113685公开一种使用Ca、Al、Fe和Si作为掺杂剂的MgO保护层。掺杂元素互相作用并最小化等离子体显示面板的放电延迟时间。Ca的含量从100到300ppm，而Al的含量从60到90ppm。Fe的含量从60到90ppm，而Si的含量从40到100ppm。
韩国专利公开No.2006-69573提供一种MgO合成物，其包括从稀土元素组成的组中选出至少一种以及从Al、Ca和Si组成的组中选出的一种。其提出了一种合成物，其中作为一种稀土元素的Sc的含量在基于氧化镁的50到600 ppm的范围内，而Ca、Al和Si的含量各自在从50到400 ppm的范围内。而且，该合成物包括作为杂质的Mn、Na、K、Cr、Fe、Zn、Bi、Ni和Zr。这里，所包括的Mn的含量小于基于氧化镁的50ppm，而所包括的Na的含量小于30ppm。所包括的K的含量小于30ppm，所包括的Cr的含量小于10ppm，而所包括的Fe的含量小于20ppm。
美国专利公开No.2006/0145614公开一种掺杂有Sc、Ca和Si的MgO合成物。根据该专利申请，当Sc的含量从50ppm到2000ppm，Ca的含量从100ppm到1000ppm，而Si的含量从30ppm到500ppm时，放电延迟时间显著缩短。
如上所述，掺杂有掺杂元素的MgO改善了MgO薄膜的特性，从而提高了放电效率，并缩短了放电延迟时间。最终，它改善了等离子体显示面板的性能。不过，当MgO沉积合成物包括Sc时，原材料的成本增加。当掺杂元素具有比Mg大的原子量时，它在沉积氛围中的迁移率低，并且薄膜掺杂有掺杂元素的比率降低，这是一个问题。简而言之，上述方法在真空沉积过程中用掺杂元素来掺杂目标源。这些方法的问题在于在真空沉积过程中，掺杂元素不能平稳地沉积在基板上。
而且，MgO中的掺杂元素的溶解性依赖于离子的半径和原子价。由于掺杂元素离子的半径比Mg离子的半径大，而且原子价之间的差大，所以在MgO中的溶解性降低。因此，具有大离子半径和原子价的掺杂元素由于它们在形成MgO层的过程中的溶解性低，所以它们不用于掺杂，而且它们作为第二相被提取出来。无法获得所期望的通过掺杂改善放电特性的效果。
与薄膜制造过程相关的制造成本高，这是因为该过程慢，且制造设备昂贵。厚薄膜制造工艺可以通过堆叠MgO粉末来形成保护层解决这类问题。厚薄膜制造过程是这样一种方法：通过从MgO粉末制备MgO浆或生片形成保护层，用印刷法或层叠法形成厚膜，然后执行烘干和煅烧。厚膜制造过程详细公开在韩国专利申请No.2006-57920、No.2005-205 19和No.2005-81078以及No.100186541(1998年12月29日公开)中。
韩国专利申请No.2006-57920公开了一种通过将包括MgO纳米粉末的生片利用层压法附在前面板上的介电层的上表面上并焙烧它们来形成保护层的方法。这里，生片的厚度范围在20μm到100μm。韩国专利公开No.2005-20519公开一种通过在诸如丝网印刷、浸渍、染料涂覆、旋涂、生片涂覆和喷墨印刷之类的厚膜制造工艺中使用粒子直径小于100nm的MgO纳米粉末来形成保护层。
韩国专利申请No.2005-81078公开一种通过使用粒子直径小于100nm的MgO粉末和预定的碱金属粉末或TiO2粉末的混合物形成保护层的方法。厚膜涂覆方法的问题在于诸如溶剂、粘合剂和分散剂之类的许多有机材料用于制备浆或生片，而且还没有烘干的浆涂覆层和生片层太厚了而不能获得合适的厚度。
韩国专利申请No.100186541(1998年12月29日公开)公开一种通过执行电泳来形成介电层和MgO粉末保护层。根据该方法，通过将前基板浸在分散有MgO粉末的电泳液体中，将直流(DC)电源的负电极连接到前基板的电极并将电源的正电极连接到金属电极来涂覆前基板。该专利申请提供了一种通过使用异丙醇作为溶剂，并使用硝酸镁水合物或硝酸钇水合物作为添加剂来制备液体合成物。
基于电泳的MgO厚膜制造方法为本领域的技术人员所广泛公知，而且许多研究人员已经研究确定了主要工艺参数对MgO厚膜特性的效果。不过，基于电泳的厚膜制造方法具有的缺点是由于MgO层主要形成在施加有电压的电极表面周围，所以厚膜无法均匀地形成在介电层的表面上。
图1是利用常规电泳法制造MgO保护层的方法的示意图。参见图1，多个显示电极120设置在基板110的一个表面上，而介电层130设置在整个基板110上，覆盖显示电极120。在介电层130的上面设置有MgO保护层150。
电泳液体160灌入腔190，连接到DC电源170正极端子的公共电极180，设置在电泳液体160中。而且，DC电源170的负极端子连接到第二基板110的显示电极120，连接到DC电源170的负极端子的第二基板110浸在电泳液体160中。随后，通过执行电泳在覆盖显示电极120的介电层130的表面上形成MgO保护层150。
当MgO保护层通过执行常规电泳来形成时，MgO保护层只形成在显示电极1 20所形成的区域中。而且，存在的问题是，应该施加超过几百伏的高压来在涂覆有介电层的前基板上的介电质的表面上形成厚度约30μm的MgO厚膜。这增加了制造成本，并危及器件的安全。
发明内容
根据本发明的方案，提供一种具有卓越放电特性的等离子体显示面板。
根据本发明的方案，提供一种制造利用电泳形成MgO保护层的等离子体显示面板的方法。
根据本发明的方案，所提供的等离子体显示面板包括：第一基板和第二基板，它们彼此相对设置；多个寻址电极，设置在第一基板上；介电层，被设置成覆盖置于第一基板上的多个寻址电极；多个显示电极，设置在第二基板上以与多个寻址电极交叉；无机氧化物层，被设置成覆盖显示电极；MgO保护层，被设置成覆盖无机氧化物层；障肋，设置在第一基板和第二基板之间以限定多个放电单元；和荧光层，置于多个放电单元中。
根据本发明的方案，无极氧化物层可以被设置成与第二基板的显示电极相对应，同时覆盖显示电极。
根据本发明的方案，等离子体显示面板可以进一步包括位于显示电极与无机氧化物层之间的介电层。
根据本发明的方案，无机氧化物层可以被图案化。
根据本发明的方案，无机氧化物层的厚度范围为10-1000nm。根据另一实施例，无机氧化物层的厚度范围为100-300nm。
根据本发明的方案，无机氧化物层包括非贵金属氧化物，该非贵金属氧化物从由氧化铝、氧化镁、氧化铬、氧化铜、氧化镍及其组合所组成的组中选出。
根据本发明的方案，显示电极包括从由银、铝、镁、铜、镍及其组合所组成的组中选出的至少一种金属。
根据本发明的方案，MgO保护层的厚度范围为0.5-10μm。根据一个实施例，MgO保护层的厚度范围为1-5μm。
根据本发明的方案，MgO保护层进一步包括选自Sc、Al、Ca、Si及其组合组成的组中的掺杂元素。
根据本发明的方案，提供一种制造等离子体显示面板的方法，其包括：形成牺牲电极层，以覆盖置于基板上的多个显示电极；将基板浸入包括MgO粉末和溶剂的电泳液中；通过向牺牲电极层施加电压来执行电泳，以在牺牲电极层上形成MgO保护层；以及将牺牲电极层氧化成光可透射的氧化物。
根据本发明的方案，该制造方法进一步包括在显示电极和无机氧化物层之间形成介电层。
根据本发明的方案，牺牲电极层可以利用从由无电电镀、热沉积、溅射、化学沉积及其组合所组成的组中选择的方法形成。
根据本发明的方案，MgO粉末进一步包括选自Sc、Al、Ca、Si及其组合组成的组中的掺杂元素。基于MgO粉末的总重量，掺杂元素的含量分别如下：Sc含量的范围为50-600ppm，Al含量的范围为50-400ppm，Ca含量的范围为50-400ppm，而Si含量的范围为50-400ppm。
根据本发明的方案，MgO粉末可以包括从Mn、Na、K、Cr、Fe、Zn、Bi、Ni及其组合所组成的组中选择的杂质。Mn含量低于50ppm、Na含量低于30ppm、K含量低于30ppm、Cr含量低于10ppm，而Fe含量低于20ppm。
根据本发明的方案，MgO粉末的平均粒子直径的范围为50-1000nm。根据另一实施例，MgO粉末的平均粒子直径的范围为100-500nm。
根据本发明的方案，溶剂选自醇类溶剂、酮类溶剂及其组合所组成的组。
根据本发明的方案，电泳液可以进一步包括分散剂。
根据本发明的方案，所添加分散剂的量为基于电泳液总量的0.5-2wt％。
根据本发明的方案，在450-600℃执行牺牲电极层的氧化。牺牲电极层的氧化过程可以与MgO保护层的煅烧过程同时执行。
本发明的其它方案和/或优点将部分地在以下的描述中提出，并从以下描述中部分地变得清楚，或者可以通过实施本发明来获知。
附图说明
通过结合附图对实施例的以下描述，本发明的这些和/或其他方案和优点将变得清楚和更加容易理解，其中：
图1是利用常规电泳法的MgO保护层的制造方法示意图。
图2是示出根据本发明方案的等离子体显示面板的局部分解透视图。
图3是示出根据本发明方案的等离子体显示面板的第二基板的示意图。
图4是示出根据本发明方案的等离子体显示面板的第二基板的示意图。
图5是示出根据本发明方案的等离子体显示面板的第二基板的示意图。
图6是利用电泳法的根据本发明方案的等离子体显示面板的MgO保护层的制造方法示意图。
图7是利用电泳法的根据本发明方案的等离子体显示面板的MgO保护层的制造方法示意图。
图8是利用电泳法的根据本发明方案的等离子体显示面板的MgO保护层的制造方法示意图。
图9是根据示例1-3和对比例1的等离子体显示面板的放电效率图。
具体实施方式
详细描述本发明的当前实施例，其中的示例图示在附图中，贯穿始终相似的附图标记表示相似的元件。以下通过参考附图，描述实施例，以解释本发明。此外，当第一元件被描述为“设置在”第二元件上或“设置以覆盖”第二元件时，第一元件可以直接接触第二元件，或直接覆盖同时接触第二元件，或者居间元件可以处于二者之间。进一步，如果第一元件被描述为“设置以覆盖”第二元件，第一元件可以完全或部分地覆盖第二元件，或者如果有居间元件，第一元件可以被设置为完全或部分地覆盖对应于第二元件的区域。
根据本发明的方案，所提供的等离子体显示面板包括：彼此相对设置的第一基板和第二基板；多个设置在第一基板上的寻址电极；覆盖设置在第一基板上的寻址电极的介电层；多个沿着与寻址电极方向交叉的方向设置在第二基板上的显示电极；设置在显示电极上的无机氧化物层；被设置成覆盖无机氧化物层的MgO保护层；障肋，其设置在第一基板与第二基板之间的空间中以划分多个放电单元；以及设置在放电单元中的荧光层。
无机氧化物层具有10-1000nm的厚度。根据方案，无机氧化物层具有100-300nm的厚度。
当无机氧化物层比10nm薄时，电阻增加，因此降低了电导率。当无机氧化物层比1000nm厚时，介电质的介电常数可能改变，放电特性可能恶化，从而降低亮度。
无机氧化物层包括从由氧化铝、氧化镁、氧化铬、氧化铜、氧化镍及其组合组成的组中选出的非贵金属氧化物。
显示电极包括从由银、铝、镁、铜、镍及其组合组成的组中选出的至少一种金属。
MgO保护层的厚度在0.5-10μm的范围内。根据方案，MgO保护层的厚度在1-5μm的范围内。一般而言，随着MgO保护层变得更厚，放电效率提高，但是可见光透射率降低，并且放电电压提高。当MgO保护层的厚度在这个范围内时，因为有可能提高放电效率同时将放电电压保持在预定范围内，所以它是适当的。
MgO保护层进一步包括从由Sc、Al、Ca、Si及其组合所组成的组中选出的掺杂元素。当MgO保护层进一步包括掺杂元素时，有可能改善放电效率，并缩短放电延迟时间，从而提高等离子体显示面板的性能。
在以下详细描述中，仅以图示的方式，示出和描述本发明的特定方案。正如本领域的技术人员所意识到的那样，所描述的方案可以按照不同的方式进行修改，而所有这些都不偏离本发明的精神或范围。
图2是示出根据本发明方案的等离子体显示面板的结构的局部分解透视图。参见图2，等离子体显示面板包括第一基板3、多个沿一个方向(图中的Y方向)设置在第一基板3上的寻址电极13、以及设置在第一基板3的表面上并覆盖寻址电极13的第一介电层15。障肋5形成在第一介电层15上，而红(R)、绿(G)和蓝(B)荧光层8R、8G和8B设置在形成于障肋5之间的放电单元7R、7G和7B中。
障肋5可以形成任何形状，只要它们的形状可以划分放电空间，而且障肋5具有不同的图样。例如，障肋5可以形成为诸如条状的开放型，或诸如华夫饼、矩阵形或德尔塔形之类的封闭型。而且，封闭型障肋可以形成为放电空间的水平截面是多边形，例如四边形、三角形、五边形或圆形或椭圆形。
显示电极9(11)包括透明电极9a(11a)和汇流电极9b(11b)。显示电极9和11沿着与寻址电极13交叉的方向(图中的X方向)设置在面对第一基板3设置的第二基板1的一个表面上。而且，第二介电层17设置在第二基板1的表面上，同时覆盖显示电极9和11。尽管图2示出显示电极9和11与寻址电极13垂直交叉地设置，但是应该理解显示电极9和11与寻址电极13不需要以直角交叉，而是它们可以以多样且不同的角度交叉。
无机氧化物层18和MgO保护层19设置在第二基板1的第二介电层17的表面上。
放电单元形成在第一基板3的寻址电极13与第二基板1的显示电极9和11交叉的位置处。
在等离子体显示面板中，通过向寻址电极13与显示电极9和11之间的空间施加寻址电压(Va)，执行寻址放电。当维持电压(Vs)施加到一对显示电极9和11之间的空间时，从维持放电产生的激励源激发相应的荧光层，从而通过第二基板1发射可见光并显示图像。荧光层通常由真空紫外(VUV)线激发。
图3是根据本发明方案的等离子体显示面板的第二基板的示意图。参见图3，多个显示电极320形成在第二基板310的一个表面上，而介电层330形成在第二基板310的整个表面上，同时覆盖显示电极320。在介电层330的上面，设置有无机氧化物层340和MgO保护层350。
无机氧化物层的厚度可以处于10-1000nm的范围内。根据方案，无机氧化物层的厚度可以处于100-300nm的范围内。无机氧化物层包括从由氧化铝、氧化镁、氧化铬、氧化铜、氧化镍及其组合组成的组中选择的氧化物。
显示电极9和11包括从由银、铝、镁、铜、镍及其组合组成的组中选择的至少一种金属。
MgO保护层的厚度在0.5-10μm的范围内。根据方案，MgO保护层的厚度在1-5μm的范围内。MgO保护层进一步包括从由Sc、Al、Ca、Si及其组合所组成的组中选出的掺杂元素。
图4是根据本发明方案的等离子体显示面板的第二基板的示意图。参见图4，多个显示电极420设置在第二基板410的一个表面上，而介电层430设置在第二基板410的整个表面上同时覆盖显示电极420。在介电层430的上面，设置有无机氧化物层440和MgO保护层450。
这里，无机氧化物层440根据显示电极420的图样进行图案化，并设置在介电层430上。随着显示电极420按照诸如四边形和T形之类的不同形式进行图案化，无机氧化物层440可以按照诸如四边形和T形之类的不同形式进行图案化。而且，当没有介电层430时，无机氧化物层440可以根据显示电极420的图样进行图案化。进一步地，MgO保护层450可以形成在具有与其相同形状的无机氧化物层440上。
图5是根据本发明方案的等离子体显示面板的第二基板的示意图。参见图5，多个显示电极520设置在第二基板510的一个表面上，而无机氧化物层540设置在显示电极520上。而且，MgO保护层550设置在第二基板510上，同时覆盖无机氧化物层540。
无机氧化物层540仅形成在显示电极520所形成于的第二基板510上的区域中，同时覆盖显示电极520。无机氧化物层540替代介电层。由于它可以形成得薄，用于通过电泳制造MgO保护层550的电压可以减小，这是所期望的。
根据本发明方案的等离子体显示面板通过如下方法制造：在形成于基板上的显示电极上形成牺牲电极层；将基板浸入包括MgO粉末和溶剂的电泳液中；通过向牺牲电极层施加电压执行电泳，以形成MgO保护层；并氧化牺牲电极层。
首先，在基板上形成显示电极，然后在显示电极上形成牺牲电极层。当根据本发明的方案制造等离子体显示面板时，介电层进一步形成在显示电极和牺牲电极层之间。牺牲电极层可以被图案化。牺牲电极层可以以10-1000nm的厚度形成。根据方案，牺牲电极层可以以100-300nm的厚度形成。
当牺牲电极层的厚度处于这个范围内时，牺牲电极层具有能引致电泳的电导率。牺牲电极层在450-600℃范围内的MgO保护层的点火温度下很容易被氧化，从而将牺牲电极转换成光可透射的氧化物。
牺牲电极层可以利用从由无电电镀、热沉积、溅射、化学沉积及其组合所组成的组中选择的方法形成。牺牲电极层包括从由铝、镁、铬、铜、镍及其组合所组成的组中选择的非贵金属。对于非贵金属，可以使用具有比银的氧化还原电位低的金属。进一步，很容易被氧化且其氧化物透明的非贵金属是适当的。
通过混合MgO粉末和溶剂来制备电泳液体。MgO粉末进一步包括从由Sc、Al、Ca、Si及其组合所组成的组中选出的掺杂元素。掺杂元素的含量如下：基于MgO粉末的总重量，Sc的含量范围为50-600pm，而Al、Ca和Si的含量范围为50-400 pm。
当所包含的从由Sc、Al、Ca、Si及其组合所组成的组中选出的掺杂元素的含量小于该范围的最小量时，掺杂元素可忽略地存在于MgO保护层中，以致于无法期望放电效率被改善，放电延迟时间被缩短。当所包括的所选掺杂元素的含量超过该范围的最大量时，不是MgO而是第二相即SiO2和Al2O3，被分离出来，这是所不期望的。
此外，MgO粉末可以包括从由Mn，Na，K，Cr，Fe，Zn，Bi，Ni及其组合所组成的组中选出的杂质。Mn含量低于50ppm，而Na和K的含量低于30ppm。Cr含量低于10ppm，而Fe含量低于20ppm。当杂质含量超出这个范围时，不容易控制MgO粉末中的掺杂元素的量，而且在MgO保护层中包括掺杂元素的效率降低，这不是所期望的。
MgO粉末的平均粒子直径的范围为50-1000nm。根据另一实施例，MgO粉末的平均粒子直径的范围为100-500nm。当MgO粉末的平均粒子直径处于这个范围中时，在电泳过程中不会发生沉淀反应，而且MgO粉末可以均匀地包裹在介电质的表面上。
溶剂可以是极性溶剂，其可以很容易地在MgO粉末的表面上形成充电层。溶剂可以是从由醇类溶剂、酮类溶剂及其组合所组成的组中选择的一个。特别是，溶剂的烘干速度和表面张力影响通过电泳产生的MgO保护层上的缺陷的产生，而且其速率影响保护层形成的速度。于是，选择具有适合的组合特性的溶剂是非常重要的。
醇类溶剂的例子包括至少一种选自如下组中的物质：甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、异丁醇、叔丁醇、正戊醇、异戊醇、仲戊醇、叔戊基醇、正己醇、环己醇、2-乙基-1-丁醇、甲基异丁基甲醇、2-乙基-1-己醇、正辛基醇、仲辛基醇、壬基醇、癸基醇、苄基醇、烯丙基醇、双丙酮醇、糠醇、四氢化糠醇、德克森诺酯醇(texanol ester-alcohol)及其组合。
酮类溶剂的例子包括至少一种选自如下组中的物质：丙酮、甲基乙基酮、甲基正丙基酮、甲基异丙基酮、二乙基酮、环己酮、异亚丙基丙酮、甲基异丁基酮、甲基正丁基酮、乙基正丁基酮、甲基正戊基酮、甲基异戊基酮、二丙基酮、双丙酮醇、苯乙酮、甲基正己基酮、乙基正戊基酮、异佛尔酮、二异丁基酮、异丁基庚基酮、EASTMAN C-11(Eastman Chemical Company制造)、己二酮及其组合。
所包括的MgO粉末的量可以为基于电泳液总量0.1-10wt％，更具体地是0.5-3wt％。当MgO粉末的量低于0.1wt％时，MgO保护层不能形成足够的厚度。当量超过100wt％时，MgO粉末的浓度稠到MgO被施加到除了需形成MgO保护层区域之外的其它区域中，这不是所希望的。
分散剂可以添加到电泳液中，从而使MgO粉末以MgO粉末分散在电泳液中的悬浮状态存在。分散剂可以首先添加到溶剂中，从而使分散剂被吸收到MgO粉末的表面上，以便MgO粉末很容易地被分散。为了使分散更容易，电泳液可以用轧平机、球磨机、擦碎机或铲斗机进行处理。
分散剂可以以基于电泳液总量的0.5-2wt％来添加。当分散剂的含量处于这样的范围中时，可以提高MgO粉末的分散，并可以均匀地执行沉积。而且，有可能通过改变MgO粉末的表面电势控制电泳的速度和方向。分散剂的含量根据MgO粉末的表面积确定。当MgO粉末具有大的表面积时，即，具有大量的小颗粒时，希望提高分散剂的含量。当MgO粉末的粒子大，且MgO粉末的表面积小，希望降低分散剂的含量。
分散剂的示例包括至少一种选自如下组中的物质：DARVAN 821A(RTVanderbilt Company Inc.)、聚丙烯酸、羟丙基纤维素、聚甲基丙烯酸铵、聚甲基丙烯酸、亚乙基二胺四乙酸、六偏磷酸钠、AEROSOL 22(CytecIndustries)、棕榈酸、BYK-180(BYK Chemical Company)、BYK-181(BYKChemical Company)、BYK-111(BYK Chemical Company)、BYK-116(BYKChemical Company)及其组合。
连接到DC电源的正极(+)端子的公共电极置于电泳液中。DC电源的负极(-)端子连接到基板上的牺牲电极上，且连接到负极端子的基板沉浸在电泳液中。随后，MgO保护层通过执行电泳形成在牺牲电极层的表面上。
所形成的MgO保护层的厚度可以为0.5-10μm，更具体地是1-5μm。一般而言，MgO保护层越厚，放电效率越高。不过，可见光透射率降低，且放电电压提高。当MgO保护层的厚度处于该范围中，放电效率可以提高，同时放电电压可以保持在预定范围中。
图6是利用电泳法的根据本发明方案的等离子体显示面板的MgO保护层的制造方法示意图。参见图6，多个显示电极620设置在基板610的一个表面上，介电层630设置在整个基板610上，同时覆盖显示电极620。在介电层630的上面，设置有牺牲电极层640和MgO保护层650。
电泳液660灌入腔690中，连接到DC电源670的正极(+)端子的公共电极680置于电泳液660中。基板610的上述制备的牺牲电极层640连接到DC电源670的负极(-)端子，且连接到负极(-)端子的基板610浸入电泳液660中。随后，执行电泳，从而在牺牲电极层640的表面上形成MgO保护层650。
图7是利用电泳法的根据本发明方案的等离子体显示面板的MgO保护层的制造方法示意图。参见图7，多个显示电极720设置在基板710的一个表面上，而介电层730设置在整个基板710上，同时覆盖显示电极720。在介电层730的上面，设置有牺牲电极层740和MgO保护层750。这里，牺牲电极层740被图案化，并被设置在介电层730上。牺牲电极层740可以图案化成任何的形状，例如四边形和T形。具有优良的反溅射特性的薄膜，例如Al2O3、MgO和ZrO2，可以设置成避免暴露在放电空间中的介电层730被溅射所刻蚀。
电泳液760灌入腔790中，且连接到DC电源770的正极(+)端子的公共电极780置于电泳液760中。基板710的牺牲电极层740连接到DC电源770的负极(-)端子，且连接到负极(-)端子的基板710浸在电泳液760中。随后，执行电泳，从而在牺牲电极740的表面上形成MgO保护层。
图8是利用电泳法的根据本发明方案的等离子体显示面板的MgO保护层的制造方法示意图。参见图8，多个显示电极820设置在基板810的表面上，且牺牲电极层840设置在显示电极820上。MgO保护层850设置在基板810上，同时覆盖牺牲电极层840。
牺牲电极层840仅形成在显示电极820形成在基板810上的区域，同时覆盖显示电极820。由于牺牲电极层840可以薄薄地形成，所以有可能以低的电压形成MgO保护层850。
同时，有可能通过由能被氧化的金属形成显示电极820，来同时形成显示电极820和牺牲电极层840。简而言之，有可能以集成的形式由能被氧化的金属形成显示电极820和牺牲电极层840，以便通过电泳形成MgO保护层850，并通过将显示电极820氧化到预定的厚度来形成无机氧化物层。
电泳液860灌入腔890中，且连接到DC电源870的正极(+)端子的公共电极880置于电泳液860中。而且，DC电源870的负极(-)端子连接到基板810的牺牲电极层840，并且连接到负极(-)端子的基板浸入电泳液860中。随后，通过执行电泳，MgO保护层850设置在牺牲电极层840的表面上。
在形成MgO保护层650、750或850之后，烘干溶剂，并氧化牺牲电极层640、740或840，然后煅烧MgO保护层650、750或850。牺牲电极层640、740或840的氧化与MgO保护层650、750或850的煅烧可以同时执行。当牺牲电极层640、740或840被氧化时，牺牲电极层640、740或840被转化成氧化物，其为绝缘体。
牺牲电极层的氧化可以在450-600℃温度范围内执行。当牺牲电极层在这样范围的温度下进行氧化时，有可能同时执行MgO保护层的煅烧和牺牲电极层的氧化。
以下示例更详细地图示了本发明的方案。不过，应该理解本发明的方案不局限于这些示例。
等离子体显示面板的制造
示例1
混合1g的MgO粉末、60ml的异丙醇和40ml的2-丁醇，从而制备电泳液。显示电极设置在基板上，并将介电层设置在显示电极上。然后，利用热沉积/溅射法在介电层上形成20nm厚度的牺牲电极层。
电泳液灌入腔中，且将连接到DC电源的正极(+)端子的公共电极置于电泳液中。DC电源的负极(-)端子连接到基板的牺牲电极层，连接到负极(-)端子的基板浸入电泳液中。随后，执行电泳，从而在牺牲电极层的表面上形成1μm厚的MgO保护层。通过利用该基板制造等离子体显示面板。
示例2
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了MgO保护层的厚度为2μm之外。
示例3
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了MgO保护层的厚度为3μm之外。
示例4
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了MgO保护层的厚度为4μm之外。
示例5
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了MgO保护层的厚度为5μm之外。
对比例1
通过利用离子电镀法形成厚度为0.7μm的MgO保护层来制造第二基板，并利用该第二基板制造等离子体显示面板。
对比例2
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了不形成牺牲电极层且显示电极连接到DC电源的负极(-)之外。
示例6
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了牺牲电极层图案化成四边形之外。
示例7
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了不在显示电极上形成介电层、且牺牲电极层仅形成在形成有显示电极的区域中从而覆盖显示电极之外。
示例8
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了使用包括基于MgO的1000ppm的Sc、1000 ppm的Al、1000ppm的Ca以及1000ppm的Si的MgO粉末之外。
示例9
通过执行与示例1相同的步骤来制造等离子体显示面板，除了将基于电泳液总量的0.6wt％的分散剂BYK-180(BYK化学公司制造)添加到电泳液中。
所制造的等离子体显示面板的放电效率的测量及其结果
测量根据示例1-9和对比例1制造的等离子体显示面板的放电效率，且示例1、2和3以及对比例1的测量结果示出在图9中。
从图9中看出根据示例1、2和3制造的等离子体显示面板，与根据对比例1制造的等离子体显示面板相比，具有卓越的放电效率。并且，当通过电泳形成MgO保护层时，随着MgO保护层变得更厚，放电效率增加。根据示例4-9制造的等离子体显示面板的放电效率类似于示例1。
根据示例1制造的等离子体显示面板具有以均匀厚度设置在整个介电层上的MgO保护层。不过，在根据对比例2制造的等离子显示面板中，MgO保护层没有以均匀的厚度形成在整个介电层上，而是只形成在显示电极上。
由于通过用掺杂有预定量元素的MgO粉末执行电泳来形成MgO保护层，所以包括MgO保护层的等离子体显示面板具有卓越的放电特性，例如放电效率提高和放电时间减少。
此外，由于MgO保护层制造过程简单，质量控制均匀稳定，从而提高产量，所以根据本发明方案的制造等离子体显示面板的方法可以显著降低等离子体显示面板的制造成本。
尽管已经示出和描述了本发明的一些实施例，但是本领域的技术人员应该理解，可以不偏离本发明的原理和精神对实施例进行修改，而本发明的范围限定在权利要求及其等效物中。

Claims (31)

1.一种等离子体显示面板，包括：
第一基板和第二基板，它们彼此相对设置；
多个寻址电极，设置在所述第一基板上；
介电层，被设置成覆盖所述设置在第一基板上的多个寻址电极；
多个显示电极，设置在所述第二基板上以与所述多个寻址电极交叉；
无机氧化物层，被设置成覆盖所述显示电极；
MgO保护层，被设置成覆盖所述无机氧化物层；
障肋，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，以限定多个放电单元；和
荧光层，设置于所述多个放电单元的每个放电单元中。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括位于每个显示电极与所述无机氧化物层之间的介电层。
3.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层被图案化。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层被设置成覆盖所述第二基板的每个显示电极，而不覆盖所述第二基板的各部分。
5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层的厚度范围为10-1000nm。
6.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层的厚度范围为100-300nm。
7.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层包括非贵金属氧化物。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层包括从由氧化铝、氧化镁、氧化铬、氧化铜、氧化镍及其组合所组成的组中选出的一种氧化物。
9.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，每个显示电极包括从由银、铝、镁、铜、镍及其组合所组成的组中选出的至少一种金属。
10.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO保护层的厚度范围为0.5-10μm。
11.如权利要求10所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO保护层的厚度范围为1-5μm。
12.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO保护层进一步包括选自Sc、Al、Ca、Si及其组合组成的组中的掺杂元素。
13.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，每个显示电极被氧化至预定的厚度，以形成牺牲电极，且所述牺牲电极被进一步氧化，以形成所述无机氧化物层。
14.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，所述介电层完全覆盖每个显示电极和所述第二基板。
15.如权利要求14所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层被设置成只覆盖所述介电层的对应于每个显示电极的部分。
16.如权利要求14所述的等离子体显示面板，其中，所述无机氧化物层被设置成在对应于每个显示电极的区域中完全覆盖所述介电层。
17.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO保护层通过使用无极氧化物层作为牺牲电极执行电泳，以将MgO粉末从电泳溶液中沉积到所述无极氧化物层上来形成。
18.如权利要求17所述的等离子体显示面板，其中，所述MgO粉末掺杂有预定量的从由Sc、Al、Ca、Si及其组合所组成的组中选择的元素。
19.一种制造等离子体显示面板的方法，该方法包括：
形成牺牲电极层，以覆盖设置在基板上的多个显示电极；
将所述基板浸入包括MgO粉末和溶剂的电泳液中；
通过向所述牺牲电极层施加电压来执行电泳，以在所述牺牲电极层上形成MgO保护层；以及
将所述牺牲电极层氧化成光可透射的氧化物。
20.如权利要求19所述的方法，进一步包括在每个显示电极和所述无机氧化物层之间形成介电层。
21.如权利要求19所述的方法，其中，所述无机氧化物层被图案化。
22.如权利要求19所述的方法，其中，所述无机氧化物层的厚度范围为10-1000nm。
23.如权利要求22所述的方法，其中，所述无机氧化物层的厚度范围为100-300nm。
24.如权利要求19所述的方法，其中，所述牺牲电极层包括非贵金属。
25.如权利要求24所述的方法，其中，所述牺牲电极层包括从由铝、镁、铬、铜、镍及其组合所组成的组中选出的金属。
26.如权利要求19所述的方法，其中，所述牺牲电极层利用从由无电电镀、热沉积、溅射、化学沉积及其组合所组成的组中选择的方法形成。
27.如权利要求1 9所述的方法，其中，所述MgO粉末进一步包括选自Sc、Al、Ca、Si及其组合组成的组中的掺杂元素。
28.如权利要求19所述的方法，其中，所述MgO粉末的平均粒子直径的范围为50-1000nm。
29.如权利要求19所述的方法，其中，所述溶剂选自醇类溶剂、酮类溶剂及其组合所组成的组。
30.如权利要求19所述的方法，其中，所述电泳液包括基于电泳液总量的0.1-10wt％的MgO粉末。
31.如权利要求19所述的方法，其中，所述牺牲电极层在450-600℃被氧化。
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