JP2002093317A

JP2002093317A - 交流駆動型プラズマディス表示装置の製造方法およびそれにより得られた交流駆動型プラズマ表示装置

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Publication number: JP2002093317A
Application number: JP2000283974A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Mori; 啓森
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-09-19
Filing date: 2000-09-19
Publication date: 2002-03-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ＭｇＯ膜からの不純物ガスの放散を防いで安
定的に駆動することができると共に長寿命化が可能な交
流駆動型プラズマ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】前面ガラス基板１１の上に維持電極１
２、バス電極１３を配置し、更にその上に誘電体層１
４、ＭｇＯ層１５およびＭｇ層１６ａを順に設ける。よ
って、ＭｇＯ層１５の表面にある柱状の間隙が塞がれ、
間隙内部への不純物の吸着、或いは間隙に吸着した不純
物がＭｇＯ層１５から放散することが防止される。次い
でこの基板１１に酸素雰囲気中にて３００℃以上の温度
に３０分以上保持する熱処理を施す。これにより、Ｍｇ
層１６ａが酸化されＭｇＯ層１６ｂとなり、同時に活性
化され、ＭｇＯ層１５とＭｇＯ層１６ｂが保護膜として
機能する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放電維持電極に対
する保護層としての酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層を備
えた交流駆動型プラズマディス表示装置の製造方法およ
びそれにより得られた交流駆動型プラズマ表示装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、軽量化および薄型化の流れを受け
て、パーソナルコンピュータなどのディスプレイにも、
省スペース化，携帯性向上が求められており、これまで
主流であった陰極線管（ＣＲＴ）に代わって、ＬＣＤ
（Liquid Crystal Display：液晶ディスプレイ）、ＦＥ
Ｄ（Field Emission Display：電界放出型ディスプレ
イ）、有機ＥＬ（Electroluminescence:電界発光）ディ
スプレイ、ＰＤＰ（Plasma Display Panel：プラズマ表
示装置) などの種々のＦＰＤ（Flat Panel Display:薄
型ディスプレイ）が開発、製品化されている。

【０００３】なかでも、ＰＤＰには、大画面化や広視野
角化が比較的容易であること、温度、磁界、振動等の環
境要因に対する耐性に優れること、長寿命であることな
どの特徴があり、家庭用壁掛けテレビの他、公共用の大
型情報端末への応用が期待されている。

【０００４】このＰＤＰは、フロント基板およびリア基
板と呼ばれる対向した２枚のガラス基板の間を放電空間
とし、この放電空間を隔壁により区画することにより各
々の放電セルが形成されている。各放電セルは、内部に
放電ガスとして不活性ガスが封入され、内壁に蛍光体が
設けられている。この放電セルに所定の電圧を印加する
と、放電ガス中のグロー放電によって紫外線が発生し、
更に、紫外線が放電セル内の蛍光体層を励起して発光す
る。通常、このような放電セルが数十万個単位で集まっ
て１つの表示画面が構成される。なお、放電セルに対す
る電圧の印加方式によって、ＰＤＰは直流駆動（ＤＣ）
型と交流駆動（ＡＣ）型に大別される。

【０００５】このうちＡＣ型のＰＤＰはメモリ機能を持
ち、ＤＣ型よりも薄型化、大画面化に適している。ま
た、ＡＣ型のＰＤＰは放電電極の配向により対向放電型
と面放電型に分別されるが、いずれの方式においても放
電電極の表面は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保
護層に覆われており、電極が磨耗し難くく長寿命化に適
している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようなＰＤＰの寿
命は主に輝度によって決まり、その輝度低下は放電ガス
純度の低下に起因している。しかしながら、ＡＣ型ＰＤ
Ｐにおいては、排気処理ののち封止した放電セル内に、
隔壁等が含有する有機物や保護層内部に吸着した不純物
が放出され、放電ガス純度が低下するという問題があっ
た。

【０００７】保護層には、これまで専らＭｇＯ層が用い
られてきている。ＭｇОは、化学的に安定で耐スパッタ
性が高く保護機能に優れる他、放電に必要な２次電子を
放出する機能を有すること、蛍光体の発光波長における
光透過率が高いこと、仕事関数が小さく放電開始電圧が
低いことなどの利点から、保護層として好適な材料であ
る。ＭｇＯ層は、主として電子ビーム蒸着法、スパッタ
リング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition;化学気
相成長）法などにより形成され、垂直に細かく裂いたよ
うな貝柱様の柱状結晶が林立した構造となる。このた
め、成膜したのちにＭｇＯ層を大気暴露すると、柱状結
晶の間隙に水蒸気、炭酸ガス、酸素、窒素等のガスが吸
着することがあり、これらの吸着ガスが排気処理におい
て容易に排気されずに放電ガスの純度を低下させる要因
となっていた。

【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、ＭｇＯ層からの不純物ガスの放散を
防いで安定的に駆動することができると共に長寿命化が
可能な交流駆動型プラズマ表示装置の製造方法およびそ
れにより得られた交流駆動型プラズマ表示装置を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による交流駆動型
プラズマ表示装置の製造方法は、基板上に酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）層を形成した後、酸化マグネシウム層の
上にマグネシウム（Ｍｇ）層を形成する工程と、マグネ
シウム層を酸素雰囲気中で熱処理する工程とを含むもの
である。

【００１０】本発明による交流駆動型プラズマ表示装置
は、酸化マグネシウム層が、酸化マグネシウムを用いて
形成された第１の層と、マグネシウム層を酸素雰囲気中
にて熱処理することにより第１の層の上に形成された第
２の層とを含むものである。

【００１１】本発明による交流駆動型プラズマ表示装置
の製造方法では、酸化マグネシウム層の上のマグネシウ
ム層を酸素雰囲気中で熱処理することにより、表面に空
隙の少ない酸化マグネシウム層が形成される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１３】図１は、本発明の一実施の形態に係るプラ
ズマ表示装置の概略構成を表すものである。このプラズ
マ表示装置はＡＣ型のうちの面放電型と呼ばれるもので
あって、第１パネル１０と第２パネル２０とを対向配置
した構造を有し、第１パネル１０と第２パネル２０との
間はその周縁部において気密封止されている。

【００１４】第１パネルは、前面ガラス基板１１と、こ
の前面ガラス基板１１の上に設けられた各種構成要素と
により構成されている。すなわち、前面ガラス基板１１
の直上には、面放電のために２つで１組の維持電極１２
（１２ａ，１２ｂ）が設けられ、これらの片面にはイン
ピーダンス低減のためのバス電極１３（１３ａ，１３
ｂ）が一体的に設けられている。更に、維持電極１２お
よびバス電極１３の上には、誘電体層１４と酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）層１５，１６ｂが順に設けられてい
る。

【００１５】前面ガラス基板１１としては、例えば、高
歪点ガラスが用いられ、その他にもソーダガラス（Ｎａ
₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・
Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・
ＳｉＯ₂）、鉛ガラス（Ｎａ ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）
などが用いられる。また、維持電極１２としては、透明
な導電性材料が用いられる。ここでいう透明とは、蛍光
体材料に固有の発光波長（可視光域）における光透過性
に基づいたものである。具体的には、例えば、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide; Ｉｎ₂Ｏ₃・ＳｎＯ₂）、ＳｎＯ
₂などを挙げることができる。バス電極１３としては、
維持電極１２よりも電気抵抗率が低い導電性材料、例え
ば、クロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、これらの積層膜が用
いられる。その他、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａ
ｌ），ニッケル（Ｎｉ）なども用いることができる。更
に、誘電体層１４は、アドレス期間中に発生する壁電荷
を蓄積する機能、過剰な放電電流を制限する抵抗体とし
ての機能、および放電状態を維持するメモリ機能を有し
ており、例えば、低融点ガラスや二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ₂）などにより形成されている。

【００１６】ＭｇＯ層１５，１６ｂのうち、下層のＭｇ
Ｏ層１５は、従来の方法で形成された層であり、上層の
ＭｇＯ層１６ｂは、後述するように、ＭｇＯ層１５の上
に予め形成されたＭｇ層１６ａを酸化させることにより
形成された層である。これらＭｇＯ層１５，１６ｂは、
誘電体層１４と同様の機能に加えて、イオンまたは電子
と維持電極１２の接触を防止して維持電極１２の磨耗を
防ぐ保護層としての役割を果たすものである。

【００１７】第２パネル２０は、いわば従来と同様の構
成であり、背面ガラス基板２１と、この背面ガラス基板
２１の上に設けられた各種構成要素とにより構成されて
いる。すなわち、背面ガラス基板２１の上に、互いに平
行に配列された複数のアドレス電極２２が設けられ、こ
れらアドレス電極２２を覆うように誘電体層２３が設け
られている。誘電体層２３の上には、各アドレス電極２
２の間のそれぞれにストライプ状の隔壁２４が設けられ
ている。更に、隣り合う隔壁２４の間には、隔壁２４の
側面から誘電体層２３にかけて、赤，緑および青の３原
色の蛍光体２５が３色を周期的に配列するように設けら
れている。

【００１８】背面ガラス基板２１は、前面ガラス基板１
１と同様な材料により構成することができる。アドレス
電極２２としては、例えば、銀（Ａｇ）や、アルミニウ
ム（Ａｌ）などが用いられ、その他に金（Ａｕ），Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，タンタル（Ｔａ），バナジウム（Ｂ
ａ），鉛（Ｐｄ）とＡｇの積層膜、或いはＬａＢ₆，Ｃ
ａ _0.2Ｌａ_0.8ＣｒＯ₃等を適宜組み合わせて用いるこ
とも可能である。また、誘電体層２３は、第１パネル１
０側の誘電体層１４と同じ材料により形成することがで
きる。

【００１９】隔壁２４としては、絶縁材料、例えば、低
融点ガラスにアルミナ等の金属酸化物を混合した材料を
用いることができる。なお、黒く着色されたカラーレジ
スト材料により隔壁２４を形成し、所謂ブラック・マト
リクスとすると、表示画像の高コントラスト化を図るこ
とができる。

【００２０】更に、蛍光体２５としては、公知の蛍光体
材料の中から量子効率（発光効率）が高いものを適宜選
択して使用することができる。蛍光体材料は母体と発光
センタにより構成されており、［母体：発光センタ］の
ように表示される。例えば、［（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅ
ｕ］は、ユーロピウム（Ｅｕ）を発光センタとしたイッ
トリウム（Ｙ），ガドリニウム（Ｇｄ）の硼酸塩であ
る。赤色の蛍光体材料としては、例えば、［Ｙ₂Ｏ₃：
Ｅｕ］，［ＹＢＯ₃：Ｅｕ］，［ＹＶＯ₄：Ｅｕ］，
［Ｙ_0.96Ｐ_0.60Ｖ_0.40Ｏ₄：Ｅｕ_0.04］，［（Ｙ，Ｇ
ｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ］，［ＧｄＢＯ₃：Ｅｕ］，［ＳｃＢ
Ｏ₃：Ｅｕ］，［３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ ₂・Ｇｅ
Ｏ₂：Ｍｎ］などが用いられる。緑色の蛍光体材料とし
ては、例えば、［ＺｎＳｉＯ₂：Ｍｎ］，［ＢａＡｌ₁₂
Ｏ₁₉：Ｍｎ］，［ＢａＭｇ₂Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｍｎ］，［Ｍ
ｇＧａ₂Ｏ₄：Ｍｎ］，［ＹＢＯ₃：Ｔｂ］，［ＬｕＢ
Ｏ₃：Ｔｂ］，［Ｓｒ₄Ｓｉ₃Ｏ₈Ｃ₁₄：Ｅｕ］などが
用いられる。青色の蛍光体材料としては、［Ｙ₂ＳｉＯ
₅：Ｃｅ］，［ＣａＷＯ₄：Ｐｂ］，［ＢａＭｇＡｌ₁₄
Ｏ ₂₃：Ｅｕ］，［Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｅｕ］，［Ｓｒ₂Ｐ
₂Ｏ₇：Ｓｎ］などが用いられる。

【００２１】このプラズマ表示装置においては、第１パ
ネル１０の維持電極１２ａ，１２ｂと第２パネルのアド
レス電極２２とが直交してマトリックス状になるように
配列されている。また、隔壁２４によってアドレス電極
２２の延長方向に放電空間が区画され、放電空間には放
電ガスとしてネオン，キセノン等の混合ガスあるいは単
独ガスが封入される。なお、このようにマトリックス状
に配置された一対の維持電極１２ａ，１２ｂとアドレス
電極２２との各交点がドット（最小発光単位）に対応し
ており、赤，緑，青の蛍光体２５がそれぞれ設けられた
３つの最小発光単位により１単位画素（ピクセル）が構
成されている。

【００２２】次に、このようなプラズマ表示装置の作製
方法について説明する。

【００２３】まず、第１パネル１０を作製する。

【００２４】例えば、高歪点ガラスやソーダライムガラ
スの前面ガラス基板１１の上に、スパッタリング法およ
びフォトリソグラフィ技術を用いてＩＴＯよりなる維持
電極１２ａ，１２ｂをストライプ状に形成する。このと
き維持電極１２ａと維持電極１２ｂとの間隔（放電ギャ
ップ）は、例えば１０〜２０μｍ程度とする。次いで、
例えば、スパッタリング法または蒸着法、およびフォト
リソグラフィ技術を用いてクロム（Ｃｒ）膜の成膜およ
びパターニングを施し、バス電極１３ａ，１３ｂを所定
形状に形成する。

【００２５】次に、維持電極１２およびバス電極１３が
形成された前面ガラス基板１１の上に誘電体層１４を形
成する。例えば、ＳｉＯ₂からなる誘電体層１４をスパ
ッタリング法、ＣＶＤ法および蒸着法などにより５μｍ
程度の厚みで形成する。但し、形成方法としては、前２
者のいずれかである場合に良好な特性を持つＳｉＯ₂が
成膜できるために、これらの方法が好適である。なお、
誘電体層１４の厚みを、例えば放電ギャップ寸法より小
さい値に設定するなど、できるだけ薄くすると放電開始
電圧を下げることができる。

【００２６】次に、誘電体層１４の上に、ＭｇＯ層１５
を例えば６００ｎｍの厚みで形成する。ここで、ＭｇＯ
層１５の厚みは４００〜６００ｎｍ程度とすることがで
き、その形成方法には、例えば、電子ビーム蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法などを用いることができる。
なお、このようにして形成されたＭｇＯ層１５は、従来
のＭｇＯ層と同様、垂直に並ぶ柱状結晶であり、結晶間
には垂直に延びる間隙が存在している。

【００２７】次に、ＭｇＯ層１５の上に、例えば、電子
ビーム蒸着法によりＭｇ層１６ａを１００ｎｍの厚みで
形成する。これにより、緻密なＭｇ層１６ａがＭｇＯ層
１５の間隙を上から塞ぐようになる。ここで、Ｍｇ層１
６ａの厚みは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内であ
ることが好ましい。厚みが１０ｎｍ未満では、ＭｇＯ層
１５の表面を充分にコーティングすることができない可
能性があり、一方、３００ｎｍより厚くなると、のちに
Ｍｇ層１６ａを熱処理によりＭｇＯ層１６ｂとする際に
層内を充分に酸化させることができない虞があり、厚み
の増加に従って熱処理時間が長くなるからである。従っ
て、製造の容易さやコストを考慮すると、Ｍｇ層１６ａ
の厚みを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内とするこ
とが更に好ましい。また、金属Ｍｇの成膜は、抵抗加熱
法やスパッタリング法などのその他の方法で行なうよう
にしてもよい。

【００２８】次に、Ｍｇ層１６ａに熱処理を行う。図２
は、本実施の形態のＭｇ層１６ａの熱処理に用いられる
炉３０の概略構成を表したものである。炉３０は、内壁
に沿ってヒータ３３が固定され、更にその上をマッフル
３４が覆っている横向きの管状炉である。ヒータ３３
は、例えば抵抗式の電気炉であって、トランスを介して
交流電源に接続されている（ともに図示せず）。また、
炉３０の内部は、仕切壁３２によって昇温帯Ａ，保持帯
Ｂ，冷却帯Ｃに区分され、この順にハースローラ３５が
基板を搬送するようになっている。各帯域にはヒータ３
３に対し図示しない温度コントローラおよび温度モニタ
がそれぞれ接続され、連続した帯域Ａ〜Ｃは例えば台形
状のヒートパターンを保つようになっている。ここで、
昇温および冷却の速度は適宜選択することができるが、
後述するＭｇ層１６ａの酸化および活性化のために、保
持帯Ｂにおいては３００℃以上の熱処理温度を３０分以
上保持することが好ましい。Ｍｇ層１６ａの酸化は、温
度が１００℃程度であっても長時間熱処理することによ
り達成することが可能であるが、その場合に形成される
ＭｇＯ層１６ｂは活性が低く２次電子を放出する機能を
充分に果たすことができない。従って、活性なＭｇＯを
形成するには、熱処理の温度および時間を上記の条件と
することが適当なためである。更に、ガス供給口３６か
ら炉３０の内部にクリーンエアもしくは酸素を含んだガ
スが供給され、これが排気口３７から排出されるように
なっている。

【００２９】この炉３０を用いたＭｇ層１６ａの熱処理
は、前面ガラス基板１１をハースローラ３５により炉３
０の中を搬送することにより行われる。この熱処理の前
後における前面ガラス基板１１の断面構造を、それぞれ
図３（Ａ），（Ｂ）に示す。なお、これらの図は共に図
１のＩ−Ｉ線に沿った断面に対応したものである。

【００３０】まず、炉３０の昇温帯Ａ，焼成帯Ｂ，冷却
帯Ｃの各部は、それぞれ所定のヒートパターンに従った
温度分布となるように調整される。同時に、通気口３６
からクリーンエアもしくは酸素を含有したガスの供給が
開始される。このようにして、炉３０の内部を酸素雰囲
気とする。なお、ガスの流量は適宜設定してよい。

【００３１】次に、前面ガラス基板１１（図３（Ａ）参
照）をハースローラ３５により昇温帯Ａ，保持帯Ｂ，冷
却帯Ｃの各部に搬送する。前面ガラス基板１１は、搬送
されてゆく間に所定の条件下で昇温、熱処理、冷却の過
程を経ることになる。これにより、Ｍｇ層１６ａは、次
式で表される酸化反応によってＭｇＯ層１６ｂとなる
（図３（Ｂ）参照）。Ｍｇ＋1/2Ｏ₂→ＭｇＯこのようにして形成されたＭｇＯ層１６ｂは、ＭｇＯ層
１５のような柱状結晶ではなく、より緻密な結晶で構成
されていると共に、十分な高温に曝されて活性化してい
る。

【００３２】最後に前面ガラス基板１１を搬出する。以
上が、Ｍｇ層１６ａの熱処理工程の一例である。

【００３３】このようにして作製された第１パネル１０
では、ＭｇＯ層１５の上にＭｇＯ層１６ｂが設けられて
いるので、ＭｇＯ層１５に空いた柱状の間隙はＭｇＯ層
１６ｂにより塞がれる。よって、この間隙へ不純物が侵
入したり、逆に不純物が間隙から外部へ放散されること
がなくなる。

【００３４】次に、第２パネル２０を作製する。

【００３５】例えば、高歪点ガラスやソーダライムガラ
スの背面ガラス基板２１の上に、スクリーン印刷法によ
りＡｇペーストをストライプ状に塗布形成し、その後焼
成することによって、アドレス電極２２を形成する。

【００３６】次に、例えば、粉末の低融点ガラスと樹脂
バインダ等を合わせて混練して作製されるガラスペース
トをスクリーン印刷法により塗布形成することにより、
厚さ１０〜２０μｍの誘電体層２３を形成する。

【００３７】次に、誘電体層２３の上の、更にアドレス
電極２２の間の領域において、隔壁２４を形成する。例
えば、ペースト状の低融点ガラスをスクリーン印刷法に
より塗布形成した後、サンドブラスト法によりストライ
プ状に整形することにより隔壁２４が形成される。な
お、隔壁２４の高さは例えば２０μｍ程度であり、頂部
を研磨することにより調整することができる。

【００３８】次に、隣り合う隔壁２４の間に、蛍光体２
５を形成する。隣り合う隔壁２４の側面からその間の誘
電体層２３にかけて、例えば、３原色のスラリーを周期
的に配列するように順次印刷する。

【００３９】次に、第１パネル１０と第２パネル２０を
組み立てる。まず、例えば、スクリーン印刷により第２
パネル２０の周縁部に低融点ガラスからなるシール層を
形成する。次いで、維持電極１２とアドレス電極２２の
向きが直交するように（図１参照）、第１パネル１０と
第２パネル２０を貼り合わせ、例えば４３０℃の温度で
焼成してシール層を硬化させる。更に、２つのパネル１
０，２０の間に設けられ、隔壁２４によって区切られた
放電空間２６に対し、排気、混合ガスの封入を行う。混
合ガスは、例えばネオン（Ｎｅ），キセノン（Ｘｅ）等
の不活性ガスを混合したものであり、これらの単独ガス
もまた使用可能である。ここで、第１パネル１０の対向
面はＭｇＯ層１６ｂとなっており、ここにはＭｇＯ層１
５のような垂直方向の間隙がなく、排気されにくい不純
物分子の吸着もないために、放電セル内の排気を容易に
し、真空度を向上することができる。同時に、ＭｇＯ層
１５に空いた垂直方向の間隙に吸着した水蒸気、酸素、
窒素、炭酸ガス等の不純物の放散がＭｇＯ層１６ｂによ
り阻止される。

【００４０】最後に、ＭｇＯ層１５およびＭｇＯ層１６
ｂに対し枯化（エージング）を行なう。枯化は、例え
ば、組み立てられたＰＤＰを３８０℃、２時間の条件で
熱処理することにより行なわれる。なお、熱処理条件は
３５０℃、１時間程度でもよく、適宜設定可能である。

【００４１】本実施の形態では、金属のＭｇ層１６ａを
酸素雰囲気中で熱処理して形成されたＭｇＯ層１６ｂを
ＭｇＯ層１５の上に設けることにより、ＭｇＯ層１５の
柱状の間隙に不純物が吸着したり、逆に間隙に吸着した
不純物が外部に放散されたりすることが防止されて放電
空間内のガス純度が向上する。これにより、交流駆動型
プラズマ表示装置の寿命を延ばすことができる。

【００４２】更に、本実施の形態では、保護層をＭｇＯ
層１５およびＭｇＯ層１６ｂの同じ材料を用いた２層構
造としたので、ＭｇＯ層１５とＭｇＯ層１６ｂの接合面
のなじみがよい。また、結晶状態以外には２層間に特性
上の差異はないので寸法設計が単純である。

【００４３】以上実施の形態を挙げて説明したが、本発
明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変
形可能である。例えば、上記実施の形態では、Ｍｇ層１
６ａの熱処理を、クリーンエアもしくは酸素を含有した
ガスをフローさせた炉３０において行なうようにした
が、炉内に酸化性ガスを封入してもよく、逆に大気中と
してもよい。また、熱処理温度は単一であるとは限ら
ず、熱処理温度を、例えば階段状のヒートパターンとな
るように設定することも可能である。

【００４４】また、上記実施の形態では、Ｍｇ層１６ａ
の形成工程のすぐ後にその熱処理を行なうようにした
が、Ｍｇ層１６ａの熱処理工程は第１のパネルおよび第
２のパネルの組み立て後に行なうようにしてもよい。ま
た、パネル封止時の焼成もしくは枯化においてＭｇ層１
６ａ熱処理が同時に達成されるようにしてもよい。

【００４５】更に、上記実施の形態では、面放電型のＰ
ＤＰについて説明したが、ＭｇＯ層を含んで構成される
ＰＤＰであればよく、対向放電型にも勿論適用できる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明の交流駆動型
プラズマ表示装置の製造方法によれば、基板上に酸化マ
グネシウム層を形成した後、この酸化マグネシウム層の
上にマグネシウム層を形成し、続いて、マグネシウム層
を酸素雰囲気中で熱処理して酸化マグネシウム層とする
ようにしたので、基板側の酸化マグネシウム層の柱状の
間隙をマグネシウム層が塞ぎ、この間隙に不純物が吸着
したり、吸着した不純物が酸化マグネシウム層の外へ放
散されることが防止される。よって、放電セル内の放電
ガスの純度が保たれ、寿命の長いＰＤＰが得られる。更
に、酸素雰囲気中の熱処理により、マグネシウム層が活
性化された酸化マグネシウム層となるので、ＰＤＰの特
性を低下させることなく寿命を延ばすことができる。ま
た、装置も既存の焼成炉を用いることができるので、簡
便な作製方法とすることができ、パネル封止時の焼成も
しくは枯化と同時に行うようにすれば、工程の簡略化を
図ることも可能になる。

【００４７】また、本発明の交流駆動型プラズマ表示装
置によれば、本発明の製造方法を適用して作製するよう
にしたので、本来的な特性を保ったまま長寿命化を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る交流駆動型プラズ
マ表示装置の概略構成を表す斜視図である。

【図２】図１に示したプラズマ表示装置におけるＭｇ層
の熱処理に用いる焼成炉の断面図である。

【図３】図１に示したＭｇ層の熱処理工程を説明するた
めのＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

【符号の説明】

１０…第１パネル、１１…前面ガラス基板、１２ａ，１
２ｂ…維持電極、１３ａ，１３ｂ…バス電極、１４…誘
電体層、１５…保護層、２０…第２パネル、２１…背面
ガラス基板、２２…アドレス電極、２３…誘電体層、２
４…隔壁、２５…蛍光体、２６…放電空間、３０…炉、
３２…仕切壁、３３…ヒータ、３４…マッフル、３５…
ハースローラ、３６…ガス供給口、３７…排気口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5C027 AA07 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GE02 GE09 JA07 JA21 KA04 KB19 LA11 MA10 5C094 AA37 AA43 AA53 AA55 BA31 CA19 FB02 FB15 GA10 GB01 JA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに対向して配置された第１の基板お
よび第２の基板を備えた交流駆動型プラズマ表示装置の
製造方法において、前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基
板上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層を形成した後、前
記酸化マグネシウム層の上にマグネシウム（Ｍｇ）層を
形成する工程と、前記マグネシウム層を酸素雰囲気中で熱処理する工程と
を含むことを特徴とする交流駆動型プラズマ表示装置の
製造方法。
【請求項２】前記マグネシウム層の熱処理を３００℃
以上の温度で３０分以上行うことを特徴とする請求項１
記載の交流駆動型プラズマ表示装置の製造方法。
【請求項３】前記マグネシウム層の熱処理を枯化工程
において行うことを特徴とする請求項２記載の交流駆動
型プラズマ表示装置の製造方法。
【請求項４】前記マグネシウム層を１０ｎｍ以上３０
０ｎｍ以下の範囲内の厚みで形成することを特徴とする
請求項１記載の交流駆動型プラズマ表示装置の製造方
法。
【請求項５】前記酸化マグネシウム層は、前記第１の
基板上に配設された放電維持電極上に設けられたもので
あることを特徴とする請求項１記載の交流駆動型プラズ
マ表示装置の製造方法。
【請求項６】対向して配置された第１の基板と第２の
基板の少なくとも一方に対して酸化マグネシウム層が付
設された交流駆動型プラズマ表示装置において、前記酸化マグネシウム層が、酸化マグネシウムを用いて
形成された第１の層と、マグネシウム層を酸素雰囲気中
にて熱処理することにより前記第１の層の上に形成され
た第２の層とを含むことを特徴とする交流駆動型プラズ
マ表示装置。
【請求項７】前記第２の層は、厚みが１０ｎｍ以上３
００ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項６
記載の交流駆動型プラズマ表示装置。
【請求項８】前記第１の基板には放電維持電極が配さ
れ、前記酸化マグネシウム層が前記放電維持電極を介し
て前記第１の基板に設けられていることを特徴とする請
求項６記載の交流駆動型プラズマ表示装置。