JP3299888B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
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- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置及びその
製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、プラズマ
ディスプレイパネル及び液晶表示装置等の表示装置を構
成するアルミニウム電極を腐食等から保護するための化
合物膜の製造方法及び得られる表示装置に関する。
製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、プラズマ
ディスプレイパネル及び液晶表示装置等の表示装置を構
成するアルミニウム電極を腐食等から保護するための化
合物膜の製造方法及び得られる表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示装置として、例えば、液晶表示装
置、ＣＲＴ、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤ
Ｐと称する）等が知られている。これら表示装置の内、
ＰＤＰはＣＲＴに比べて奥行きが小さいので設置性が良
好であり、また消費電力も低いという特徴がある。以下
では、ＰＤＰを例にして説明する。
置、ＣＲＴ、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤ
Ｐと称する）等が知られている。これら表示装置の内、
ＰＤＰはＣＲＴに比べて奥行きが小さいので設置性が良
好であり、また消費電力も低いという特徴がある。以下
では、ＰＤＰを例にして説明する。
【０００３】図４に交流駆動方式の面放電型ＰＤＰの概
略斜視図を示す。前面側のガラス基板２６の内面に、マ
トリクス表示のラインＬ毎に一対のサスティン電極Ｘ，
Ｙ（素子電極ともいう）が配列されている。サスティン
電極Ｘ，Ｙは、それぞれが透明電極２７と金属電極（バ
ス電極）２８とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層２
９で被覆されている。誘電体層２９の表面にはＭｇＯか
らなる保護膜３０が蒸着されている。
略斜視図を示す。前面側のガラス基板２６の内面に、マ
トリクス表示のラインＬ毎に一対のサスティン電極Ｘ，
Ｙ（素子電極ともいう）が配列されている。サスティン
電極Ｘ，Ｙは、それぞれが透明電極２７と金属電極（バ
ス電極）２８とからなり、ＡＣ駆動のための誘電体層２
９で被覆されている。誘電体層２９の表面にはＭｇＯか
らなる保護膜３０が蒸着されている。
【０００４】一方、背面側のガラス基板２１の内面に
は、アドレス電極２２、誘電体層Ａ、隔壁２３及び３色
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体２４が設けられている。各隔壁
２３は、平面的に見て直線状である。これら隔壁２３に
よって放電空間Ｚがマトリクス表示のライン方向にサブ
ピクセル毎に区画され、かつ放電空間Ｚの間隙寸法が一
定値に規定されている。表示の１ピクセル（画素）は、
ライン方向に並ぶ３つのサブピクセルからなる。サブピ
クセルは、アドレス電極２２とサスティン電極Ｙとの交
差部に画定されたアドレス用放電セルと、サスティン電
極Ｘ，Ｙ間に画定された表示用放電セルとの組からな
る。このＰＤＰでは、隔壁２３の配置パターンがいわゆ
るストライプパターンであることから、放電空間Ｚ内の
各列に対応した部分は、全てのラインＬに跨がって列方
向に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は同
一である。なお、図中２５及び３１は、それぞれ背面基
板及び前面基板を意味する。
は、アドレス電極２２、誘電体層Ａ、隔壁２３及び３色
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体２４が設けられている。各隔壁
２３は、平面的に見て直線状である。これら隔壁２３に
よって放電空間Ｚがマトリクス表示のライン方向にサブ
ピクセル毎に区画され、かつ放電空間Ｚの間隙寸法が一
定値に規定されている。表示の１ピクセル（画素）は、
ライン方向に並ぶ３つのサブピクセルからなる。サブピ
クセルは、アドレス電極２２とサスティン電極Ｙとの交
差部に画定されたアドレス用放電セルと、サスティン電
極Ｘ，Ｙ間に画定された表示用放電セルとの組からな
る。このＰＤＰでは、隔壁２３の配置パターンがいわゆ
るストライプパターンであることから、放電空間Ｚ内の
各列に対応した部分は、全てのラインＬに跨がって列方
向に連続している。各列内のサブピクセルの発光色は同
一である。なお、図中２５及び３１は、それぞれ背面基
板及び前面基板を意味する。
【０００５】図５及び図６に、図４のＰＤＰの製造方法
を示す。図５は背面基板、図６は前面基板の製造方法で
ある。まず、背面基板の製造方法を以下に説明する。ガ
ラス基板２１を洗浄した後、メッキ法又はスパッタ法に
より銅、アルミニウム等の金属層３２を積層する（図５
（ａ）参照）。次いで、フォトリソグラフィー法により
所定の形状のアドレス電極２２を形成する（図５（ｂ）
参照）。
を示す。図５は背面基板、図６は前面基板の製造方法で
ある。まず、背面基板の製造方法を以下に説明する。ガ
ラス基板２１を洗浄した後、メッキ法又はスパッタ法に
より銅、アルミニウム等の金属層３２を積層する（図５
（ａ）参照）。次いで、フォトリソグラフィー法により
所定の形状のアドレス電極２２を形成する（図５（ｂ）
参照）。
【０００６】次に、低融点ガラスをスクリーン印刷法に
より形成した後、焼成することにより誘電体層Ａを形成
する（図５（ｃ）参照）。次に、低融点ガラスからなる
隔壁材料層３３をスクリーン印刷法により形成した後、
乾燥させる（図５（ｄ）参照）。次いで、フォトレジス
ト等をマスクとしてサンドブラスト法によりマスク下以
外の隔壁材料層３３を除去した後、焼成することにより
隔壁２３を形成する（図５（ｅ）参照）。
より形成した後、焼成することにより誘電体層Ａを形成
する（図５（ｃ）参照）。次に、低融点ガラスからなる
隔壁材料層３３をスクリーン印刷法により形成した後、
乾燥させる（図５（ｄ）参照）。次いで、フォトレジス
ト等をマスクとしてサンドブラスト法によりマスク下以
外の隔壁材料層３３を除去した後、焼成することにより
隔壁２３を形成する（図５（ｅ）参照）。
【０００７】更に、隔壁２３間にスクリーン印刷法によ
り蛍光体２４を配設することにより背面基板２５を形成
することができる（図５（ｆ）参照）。この後、ガラス
基板２１の外周にスクリーン印刷法による塗布後、焼成
することによりシール部材３４を形成する（図５（ｇ）
参照）。次に、前面基板の製造方法を以下に説明する。
り蛍光体２４を配設することにより背面基板２５を形成
することができる（図５（ｆ）参照）。この後、ガラス
基板２１の外周にスクリーン印刷法による塗布後、焼成
することによりシール部材３４を形成する（図５（ｇ）
参照）。次に、前面基板の製造方法を以下に説明する。
【０００８】まず、ガラス基板２６を洗浄した後、スク
リーン印刷法により透明導電膜３５を塗布し、焼成する
（図６（ａ）及び（ｂ）参照）。次いで、フォトリソグ
ラフィー法により所定の形状の透明導電膜からなる透明
電極２７を形成する（図６（ｃ）参照）。次に、メッキ
法又はスパッタ法により透明電極２７上に金属層３６を
形成し（図６（ｄ）参照）、フォトリソグラフィー法に
より所定の形状のバス電極２８を形成する（図６（ｅ）
参照）。このバス電極２８は、透明電極２７の配線抵抗
を下げるために使用される。
リーン印刷法により透明導電膜３５を塗布し、焼成する
（図６（ａ）及び（ｂ）参照）。次いで、フォトリソグ
ラフィー法により所定の形状の透明導電膜からなる透明
電極２７を形成する（図６（ｃ）参照）。次に、メッキ
法又はスパッタ法により透明電極２７上に金属層３６を
形成し（図６（ｄ）参照）、フォトリソグラフィー法に
より所定の形状のバス電極２８を形成する（図６（ｅ）
参照）。このバス電極２８は、透明電極２７の配線抵抗
を下げるために使用される。
【０００９】次いで、低融点ガラスをスクリーン印刷法
により形成した後、焼成することにより誘電体層２９を
形成する（図６（ｆ）参照）。この後、誘電体層２９上
にＰＤＰの放電特性を向上させるために酸化マグネシウ
ム等からなる保護膜３０を蒸着法等によって成膜するこ
とにより前面基板３１を形成する（図６（ｇ）参照）。
により形成した後、焼成することにより誘電体層２９を
形成する（図６（ｆ）参照）。この後、誘電体層２９上
にＰＤＰの放電特性を向上させるために酸化マグネシウ
ム等からなる保護膜３０を蒸着法等によって成膜するこ
とにより前面基板３１を形成する（図６（ｇ）参照）。
【００１０】上記のように形成した背面基板２５と前面
基板３１をアドレス電極２２とバス電極２８が直交する
ように対向させて貼り合わせ、内部を排気し、放電用ガ
スを封入することにより図４に示すＰＤＰが完成する。
放電ガスには、一般に希ガスが用いられる。上記ＰＤＰ
において、バス電極及びアドレス電極には、クロム−銅
−クロムの三層金属又はアルミニウムが用いられるが、
アルミニウム電極の場合、次の３点の問題がある。
基板３１をアドレス電極２２とバス電極２８が直交する
ように対向させて貼り合わせ、内部を排気し、放電用ガ
スを封入することにより図４に示すＰＤＰが完成する。
放電ガスには、一般に希ガスが用いられる。上記ＰＤＰ
において、バス電極及びアドレス電極には、クロム−銅
−クロムの三層金属又はアルミニウムが用いられるが、
アルミニウム電極の場合、次の３点の問題がある。
【００１１】まず、１つ目の問題点は、誘電体層を形成
する工程において、低融点ガラスに含まれる有機物バイ
ンダーを燃焼除去させ、次いで低融点ガラスの軟化点以
上（一般に４００℃以上）で焼成（低融点ガラスを一旦
溶かす）する際に、アルミニウムが低融点ガラス中に拡
散することによりアルミニウム電極が浸食されることで
ある。浸食が起こると、表面の金属光沢が失われる結
果、蛍光体の発光を効率よく反射できなくなってしま
う。
する工程において、低融点ガラスに含まれる有機物バイ
ンダーを燃焼除去させ、次いで低融点ガラスの軟化点以
上（一般に４００℃以上）で焼成（低融点ガラスを一旦
溶かす）する際に、アルミニウムが低融点ガラス中に拡
散することによりアルミニウム電極が浸食されることで
ある。浸食が起こると、表面の金属光沢が失われる結
果、蛍光体の発光を効率よく反射できなくなってしま
う。
【００１２】２つ目の問題点は、サスティン電極の光透
過率の低下である。即ち、誘電体層の焼成時にバス電極
と透明電極間の電極反応が生じ、透明電極が黒化してし
まうことである。サスティン電極が黒化すると透過率が
下がり、ＰＤＰの発光効率を下げることとなる。なお、
この黒化は、透明電極をネサ膜により形成したときは生
じないが、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で形成したと
きは無視できないほど生じる。
過率の低下である。即ち、誘電体層の焼成時にバス電極
と透明電極間の電極反応が生じ、透明電極が黒化してし
まうことである。サスティン電極が黒化すると透過率が
下がり、ＰＤＰの発光効率を下げることとなる。なお、
この黒化は、透明電極をネサ膜により形成したときは生
じないが、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で形成したと
きは無視できないほど生じる。
【００１３】３つ目の問題点は、低融点ガラス焼成時
に、アルミニウム電極が変形してしまうことである。こ
の変形はアルミニウム中のグレインの再結晶による成長
が原因である。再結晶成長は、アルミニウムの融点以下
でも生じ、また、変形は表面から生じる。この変形がガ
ラス基板まで達すると、アルミニウム電極の変形を目視
することができ、そのため表示品位が損なわれることと
なる。また、再結晶成長はストレス・マイグレーション
の原因になり、更に亀裂による断線の原因にもなる。
に、アルミニウム電極が変形してしまうことである。こ
の変形はアルミニウム中のグレインの再結晶による成長
が原因である。再結晶成長は、アルミニウムの融点以下
でも生じ、また、変形は表面から生じる。この変形がガ
ラス基板まで達すると、アルミニウム電極の変形を目視
することができ、そのため表示品位が損なわれることと
なる。また、再結晶成長はストレス・マイグレーション
の原因になり、更に亀裂による断線の原因にもなる。
【００１４】これら問題点を解決するために、アルミニ
ウム電極の表面に陽極酸化又は熱酸化により酸化アルミ
ニウムを形成する方法、アルミニウム電極の表面をスパ
ッタ法又はＣＶＤ（化学気相堆積）法等の半導体装置製
造用の成膜工程で酸化アルミニウムや窒化珪素等の拡散
係数が小さくブロック効果の高い物質で被覆する方法が
提案されている（特開昭５２−７０７５１号及び特開昭
５３−１３６９５７号）。
ウム電極の表面に陽極酸化又は熱酸化により酸化アルミ
ニウムを形成する方法、アルミニウム電極の表面をスパ
ッタ法又はＣＶＤ（化学気相堆積）法等の半導体装置製
造用の成膜工程で酸化アルミニウムや窒化珪素等の拡散
係数が小さくブロック効果の高い物質で被覆する方法が
提案されている（特開昭５２−７０７５１号及び特開昭
５３−１３６９５７号）。
【００１５】上記方法は、いずれもアルミニウム電極の
表面を低融点ガラスの焼成温度では溶融しない絶縁膜で
覆うことを特徴としている。この絶縁膜の形成により、
上記３つの問題点は解消されることとなった。
表面を低融点ガラスの焼成温度では溶融しない絶縁膜で
覆うことを特徴としている。この絶縁膜の形成により、
上記３つの問題点は解消されることとなった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記陽
極酸化法では、酸化を所望する電極毎に電圧を印加する
作業が必要であり、また印加時間も数分〜１時間程度必
要であるので、コストが必要であった。また、熱酸化で
は、電圧印加の作業は不要であるが、上記陽極酸化より
更に処理時間が必要であった。
極酸化法では、酸化を所望する電極毎に電圧を印加する
作業が必要であり、また印加時間も数分〜１時間程度必
要であるので、コストが必要であった。また、熱酸化で
は、電圧印加の作業は不要であるが、上記陽極酸化より
更に処理時間が必要であった。
【００１７】更に、スパッタ法又はＣＶＤ法等の半導体
装置製造用の成膜工程では、成膜に必要な装置が高価で
あった。つまり上記方法は、いずれも処理時間及び／又
はコストが必要であり、更なる処理時間及びコストの低
減が望まれていた。また、このような問題点は、ＰＤＰ
だけではなく、アルミニウムを液晶セルを駆動する薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極や信号線（バスラ
イン）として使用するアクティブマトリクス型液晶表示
装置等にも共通の問題点である。
装置製造用の成膜工程では、成膜に必要な装置が高価で
あった。つまり上記方法は、いずれも処理時間及び／又
はコストが必要であり、更なる処理時間及びコストの低
減が望まれていた。また、このような問題点は、ＰＤＰ
だけではなく、アルミニウムを液晶セルを駆動する薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極や信号線（バスラ
イン）として使用するアクティブマトリクス型液晶表示
装置等にも共通の問題点である。
【００１８】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、基板上に所定の形状のアルミニウム電極を形成した
後、該アルミニウム電極を酸化剤を含む溶液で処理する
ことにより、アルミニウム電極の表面に酸化剤に由来す
るクロムの酸化物からなる化合物膜を形成する工程と、
化合物膜が形成されたアルミニウム電極を覆う誘電体層
を形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディス
プレイパネルの製造方法が提供される。
ば、基板上に所定の形状のアルミニウム電極を形成した
後、該アルミニウム電極を酸化剤を含む溶液で処理する
ことにより、アルミニウム電極の表面に酸化剤に由来す
るクロムの酸化物からなる化合物膜を形成する工程と、
化合物膜が形成されたアルミニウム電極を覆う誘電体層
を形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディス
プレイパネルの製造方法が提供される。
【００１９】また、本発明によれば、基板上に、所定の
形状のアルミニウム電極と、該電極を覆う誘電体層とを
有した交流駆動形式のプラズマディスプレイパネルであ
って、前記アルミニウム電極の表面が、該アルミニウム
電極を酸化剤を含む溶液で処理して形成されたクロムの
酸化物からなる化合物膜により覆われていることを特徴
とするプラズマディスプレイパネルが提供される。
形状のアルミニウム電極と、該電極を覆う誘電体層とを
有した交流駆動形式のプラズマディスプレイパネルであ
って、前記アルミニウム電極の表面が、該アルミニウム
電極を酸化剤を含む溶液で処理して形成されたクロムの
酸化物からなる化合物膜により覆われていることを特徴
とするプラズマディスプレイパネルが提供される。
【００２０】更に、本発明によれば、基板上に所定の形
状の透明電極膜からなる透明電極と、該透明電極に比べ
て幅の狭い形状のアルミニウムからなるバス電極との多
層構造の表示電極を形成する工程と、該アルミニウムの
バス電極を酸化剤を含む溶液で処理することにより、バ
ス電極の表面に酸化剤に由来する物質を主成分として含
む化合物膜を形成する工程と、該表示電極を含めた基板
上に誘電体層を形成する工程とを含んでなることを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの製造方法が提供さ
れる。
状の透明電極膜からなる透明電極と、該透明電極に比べ
て幅の狭い形状のアルミニウムからなるバス電極との多
層構造の表示電極を形成する工程と、該アルミニウムの
バス電極を酸化剤を含む溶液で処理することにより、バ
ス電極の表面に酸化剤に由来する物質を主成分として含
む化合物膜を形成する工程と、該表示電極を含めた基板
上に誘電体層を形成する工程とを含んでなることを特徴
とするプラズマディスプレイパネルの製造方法が提供さ
れる。
【００２１】また、本発明によれば、基板上に、所定の
形状の透明電極膜からなる透明電極と、該透明電極に比
べて幅の狭い形状のアルミニウムからなるバス電極との
多層構造の表示電極と、該電極を覆う誘電体層とを有し
た交流駆動形式のプラズマディスプレイパネルであっ
て、前記アルミニウム電極の表面が、該アルミニウム電
極を酸化剤を含む溶液で処理して形成された酸化剤に由
来する物質を主成分として含む化合物膜により覆われて
いることを特徴とするプラズマディスプレイパネルが提
供される。
形状の透明電極膜からなる透明電極と、該透明電極に比
べて幅の狭い形状のアルミニウムからなるバス電極との
多層構造の表示電極と、該電極を覆う誘電体層とを有し
た交流駆動形式のプラズマディスプレイパネルであっ
て、前記アルミニウム電極の表面が、該アルミニウム電
極を酸化剤を含む溶液で処理して形成された酸化剤に由
来する物質を主成分として含む化合物膜により覆われて
いることを特徴とするプラズマディスプレイパネルが提
供される。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の製造方法を使用できる表
示装置は、アルミニウム電極を有する装置である。例え
ば、ＰＤＰ、液晶表示装置等が挙げられるが、これに限
定されるものではない。基板としては、ガラス基板、石
英基板等が挙げられるが、これに限定されるものではな
い。
示装置は、アルミニウム電極を有する装置である。例え
ば、ＰＤＰ、液晶表示装置等が挙げられるが、これに限
定されるものではない。基板としては、ガラス基板、石
英基板等が挙げられるが、これに限定されるものではな
い。
【００２３】次に、所定の形状のアルミニウム電極が基
板上に形成される。形成方法は、公知の方法をいずれも
使用することができる。例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、ス
パッタ法等でアルミニウムを基板上に積層させた後、フ
ォトリソグラフィー法で所定の形状にエッチングするこ
とにより形成することができる。なお、表示装置がＰＤ
Ｐの場合は、バス電極及びアドレス電極に本発明を使用
でき、液晶表示装置の場合は、ＴＦＴのゲート電極、単
純マトリックスの走査電極及び信号電極に本発明を使用
できる。ここで、アルミニウム電極の厚さは、ＰＤＰの
バス電極の場合通常５０００〜４万Å、アドレス電極の
場合通常５０００〜２万Å、アクティブマトリクス型液
晶表示装置におけるＴＦＴのゲート電極及び単純マトリ
クス型液晶表示装置の走査電極及び信号電極の場合通常
５００〜３０００Åである。
板上に形成される。形成方法は、公知の方法をいずれも
使用することができる。例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、ス
パッタ法等でアルミニウムを基板上に積層させた後、フ
ォトリソグラフィー法で所定の形状にエッチングするこ
とにより形成することができる。なお、表示装置がＰＤ
Ｐの場合は、バス電極及びアドレス電極に本発明を使用
でき、液晶表示装置の場合は、ＴＦＴのゲート電極、単
純マトリックスの走査電極及び信号電極に本発明を使用
できる。ここで、アルミニウム電極の厚さは、ＰＤＰの
バス電極の場合通常５０００〜４万Å、アドレス電極の
場合通常５０００〜２万Å、アクティブマトリクス型液
晶表示装置におけるＴＦＴのゲート電極及び単純マトリ
クス型液晶表示装置の走査電極及び信号電極の場合通常
５００〜３０００Åである。
【００２４】上記アルミニウム電極は、酸化剤を含む溶
液で処理される。この処理によりアルミニウム電極の表
面に酸化剤に由来する物質を主成分として含む化合物膜
が形成される。本発明に使用される酸化剤は、公知の化
学皮膜法に使用されるものを使用できる。例えば、Ｃｒ
6+を含む酸化剤やＺｎ2+及びＰＯ4 3-を含む酸化剤が好
ましい。より具体的な酸化剤としては、ＣｒＯ4 2-とＦ
- 、ＣｒＯ4 2-とＦ- とＣＮ-、Ｚｎ2+とＰＯ4 3-とＮ
Ｏ3 - とＢＦ4 - 、ＰＯ4 3-とＣｒＯ4 2-とＦ- の組み
合わせが挙げられる。これら酸化剤の内、ＣｒＯ4 2-と
Ｆ- からなる組み合わせが特に好ましい。上記酸化剤
は、通常水溶液として使用される。なお、水溶液中に
は、必要に応じて有機溶媒を添加してもよい。
液で処理される。この処理によりアルミニウム電極の表
面に酸化剤に由来する物質を主成分として含む化合物膜
が形成される。本発明に使用される酸化剤は、公知の化
学皮膜法に使用されるものを使用できる。例えば、Ｃｒ
6+を含む酸化剤やＺｎ2+及びＰＯ4 3-を含む酸化剤が好
ましい。より具体的な酸化剤としては、ＣｒＯ4 2-とＦ
- 、ＣｒＯ4 2-とＦ- とＣＮ-、Ｚｎ2+とＰＯ4 3-とＮ
Ｏ3 - とＢＦ4 - 、ＰＯ4 3-とＣｒＯ4 2-とＦ- の組み
合わせが挙げられる。これら酸化剤の内、ＣｒＯ4 2-と
Ｆ- からなる組み合わせが特に好ましい。上記酸化剤
は、通常水溶液として使用される。なお、水溶液中に
は、必要に応じて有機溶媒を添加してもよい。
【００２５】酸化剤での処理は、浸漬又はスプレーによ
り行われ、その処理条件は、使用する酸化剤により相違
するが、処理温度は室温（約２５℃）〜７０℃、好まし
くは３０〜５０℃、処理時間は数秒〜５分、好ましくは
３０秒〜２分である。酸化剤での処理により、アルミニ
ウム電極には、その表面に存在する自然酸化膜が除去さ
れると共に酸化剤に由来する物質を主成分として含む化
合物膜が形成される。化合物膜の膜厚は、使用する酸化
剤及び処理条件により相違するが、０．１〜数μｍ、好
ましくは０．２〜０．５μｍである。
り行われ、その処理条件は、使用する酸化剤により相違
するが、処理温度は室温（約２５℃）〜７０℃、好まし
くは３０〜５０℃、処理時間は数秒〜５分、好ましくは
３０秒〜２分である。酸化剤での処理により、アルミニ
ウム電極には、その表面に存在する自然酸化膜が除去さ
れると共に酸化剤に由来する物質を主成分として含む化
合物膜が形成される。化合物膜の膜厚は、使用する酸化
剤及び処理条件により相違するが、０．１〜数μｍ、好
ましくは０．２〜０．５μｍである。
【００２６】化合物膜の内、酸化剤に由来する物質と
は、Ｃｒ3+を含む物質が挙げられる。具体的には、Ｃｒ
2 Ｏ3 、ＣｒＰＯ4 、Ｃｒ（ＯＨ）2 、ＨＣｒＯ4 等が
挙げられる。これら以外にも、使用される酸化剤の種類
に応じて、Ｚｎ3 （ＰＯ4 ）2、ＡｌＰＯ4 等も挙げら
れる。また、主成分とは、化合物膜に最も多く含まれる
場合を意味する。このように浸漬又はスプレーするだけ
でアルミニウム電極上に化合物膜を形成することができ
るため、処理時間を短縮することができ、かつアルミニ
ウム電極の喰われを防ぐこと、耐熱性を向上させるこ
と、透明電極と積層した場合の電極反応を抑制すること
が可能となる。また、酸化アルミニウムも、本発明の効
果を妨げない範囲で化合物膜に含まれている。
は、Ｃｒ3+を含む物質が挙げられる。具体的には、Ｃｒ
2 Ｏ3 、ＣｒＰＯ4 、Ｃｒ（ＯＨ）2 、ＨＣｒＯ4 等が
挙げられる。これら以外にも、使用される酸化剤の種類
に応じて、Ｚｎ3 （ＰＯ4 ）2、ＡｌＰＯ4 等も挙げら
れる。また、主成分とは、化合物膜に最も多く含まれる
場合を意味する。このように浸漬又はスプレーするだけ
でアルミニウム電極上に化合物膜を形成することができ
るため、処理時間を短縮することができ、かつアルミニ
ウム電極の喰われを防ぐこと、耐熱性を向上させるこ
と、透明電極と積層した場合の電極反応を抑制すること
が可能となる。また、酸化アルミニウムも、本発明の効
果を妨げない範囲で化合物膜に含まれている。
【００２７】なお、化合物膜が、Ｃｒ3+を含む物質を主
成分として含む場合、硝酸セリウム（IV）アンモニウム
水溶液等を使用すれば、アルミニウムをエッチングする
ことなく、選択的に化合物膜を除去することができる。
また、化合物膜形成後に、水ガラス等を含む溶液に浸漬
するなどして化合物膜の封孔処理を施すことがより好ま
しい。
成分として含む場合、硝酸セリウム（IV）アンモニウム
水溶液等を使用すれば、アルミニウムをエッチングする
ことなく、選択的に化合物膜を除去することができる。
また、化合物膜形成後に、水ガラス等を含む溶液に浸漬
するなどして化合物膜の封孔処理を施すことがより好ま
しい。
【００２８】更に好ましい態様として、アルミニウムを
基板上に積層した後、所定の形状にする前に、アルミニ
ウム表面に上記処理を行ってもよい。この処理により、
表面がアルミニウムのように柔らかい物質ではなく硬い
被膜で被われることになるので、製造工程時に生じるキ
ズの発生を抑制することができる。従って、キズに応力
が集中することにより生じるヒロックを防ぐことができ
る。
基板上に積層した後、所定の形状にする前に、アルミニ
ウム表面に上記処理を行ってもよい。この処理により、
表面がアルミニウムのように柔らかい物質ではなく硬い
被膜で被われることになるので、製造工程時に生じるキ
ズの発生を抑制することができる。従って、キズに応力
が集中することにより生じるヒロックを防ぐことができ
る。
【００２９】また、上記では基板上にアルミニウム電極
を直接形成した場合について説明したが、アルミニウム
電極の下に、クロム、ＩＴＯ等を積層した２層又は３層
以上の電極に本発明の方法を使用することも可能であ
る。以降の工程は、表示装置の種類により異なる。例え
ば、前述した交流駆動方式の面放電型ＰＤＰは一般に背
面基板と前面基板から構成されている。
を直接形成した場合について説明したが、アルミニウム
電極の下に、クロム、ＩＴＯ等を積層した２層又は３層
以上の電極に本発明の方法を使用することも可能であ
る。以降の工程は、表示装置の種類により異なる。例え
ば、前述した交流駆動方式の面放電型ＰＤＰは一般に背
面基板と前面基板から構成されている。
【００３０】背面基板を形成する場合、基板上に、上記
方法でアルミニウム電極（アドレス電極）及び化合物膜
を形成する。次いで、基板全面に誘電体層を形成する。
ここで誘電体層は、一般に厚さ５〜３０μｍの低融点ガ
ラスからなる。更に、誘電体層上には、隔壁が形成され
る。隔壁の形成方法は、特に限定されず公知の方法を使
用することができる。例えば、隔壁材料（例えば、低融
点ガラス）を塗布し、サンドブラスト法等で所定領域の
み除去し、焼成することにより形成することができる。
この後、隔壁間に蛍光体を配設すれば、背面基板が完成
する。
方法でアルミニウム電極（アドレス電極）及び化合物膜
を形成する。次いで、基板全面に誘電体層を形成する。
ここで誘電体層は、一般に厚さ５〜３０μｍの低融点ガ
ラスからなる。更に、誘電体層上には、隔壁が形成され
る。隔壁の形成方法は、特に限定されず公知の方法を使
用することができる。例えば、隔壁材料（例えば、低融
点ガラス）を塗布し、サンドブラスト法等で所定領域の
み除去し、焼成することにより形成することができる。
この後、隔壁間に蛍光体を配設すれば、背面基板が完成
する。
【００３１】一方、前面基板を形成する場合、基板上に
所定の形状の透明電極を形成する。次いで、透明電極上
に、上記方法でアルミニウム電極（バス電極）及び化合
物膜を形成する。これでサスティン電極が完成する。更
に、基板全面に誘電体層を形成する。誘電体層は上記背
面基板と同一のものを使用することができる。次いで保
護膜（例えば、酸化マグネシウム）を形成すれば前面基
板が完成する。
所定の形状の透明電極を形成する。次いで、透明電極上
に、上記方法でアルミニウム電極（バス電極）及び化合
物膜を形成する。これでサスティン電極が完成する。更
に、基板全面に誘電体層を形成する。誘電体層は上記背
面基板と同一のものを使用することができる。次いで保
護膜（例えば、酸化マグネシウム）を形成すれば前面基
板が完成する。
【００３２】このようにして形成された背面基板と前面
基板をアドレス電極とサスティン電極が直交するように
対向させ、周囲を気密封止すればＰＤＰが得られる。な
お、上記した３電極構造の面放電型のＰＤＰの他に、表
示電極Ｘと表示電極Ｙとが放電空間を介して交差するよ
うに配置された２電極構造の対向放電型ＰＤＰにも適用
可能である。この場合、表示電極Ｘ，Ｙがアルミニウム
電極となる。
基板をアドレス電極とサスティン電極が直交するように
対向させ、周囲を気密封止すればＰＤＰが得られる。な
お、上記した３電極構造の面放電型のＰＤＰの他に、表
示電極Ｘと表示電極Ｙとが放電空間を介して交差するよ
うに配置された２電極構造の対向放電型ＰＤＰにも適用
可能である。この場合、表示電極Ｘ，Ｙがアルミニウム
電極となる。
【００３３】また、液晶セル駆動素子としてＴＦＴを用
いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の場合、ＴＦ
Ｔのゲート電極をアルミニウムで形成したとき本発明の
製造方法を使用することができる。例えば、逆スタガ型
のＴＦＴの場合、基板上に形成された、アルミニウムか
らなるゲート電極上に、ゲート絶縁膜及びアモルファス
シリコン層（チャネルとして機能する）をこの順で形成
し、更にアモルファスシリコン層上にソース・ドレイン
電極を形成することによりＴＦＴが製造される。ここ
で、ゲート絶縁膜は、通常プラズマＣＶＤ法で形成され
た窒化珪素、酸化珪素等からなる。プラズマＣＶＤ法
は、３５０℃程度で行われるので、アルミニウムからな
るゲート電極が変形し、ヒロックを生じるのに十分な温
度である。ヒロックが生じることにより、ゲート電極と
ソース・ドレイン電極間に短絡が生じることとなる。よ
って、ゲート電極に本発明の製造方法を適用することに
より、短絡を防ぐことができる。また、チャネルにポリ
シリコン層を使用したＴＦＴにも本発明の製造方法を適
用することができる。更に、ＴＦＴのソース電極、ドレ
イン電極と接続されている走査信号線、データ信号線に
も本発明を適用できる。
いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の場合、ＴＦ
Ｔのゲート電極をアルミニウムで形成したとき本発明の
製造方法を使用することができる。例えば、逆スタガ型
のＴＦＴの場合、基板上に形成された、アルミニウムか
らなるゲート電極上に、ゲート絶縁膜及びアモルファス
シリコン層（チャネルとして機能する）をこの順で形成
し、更にアモルファスシリコン層上にソース・ドレイン
電極を形成することによりＴＦＴが製造される。ここ
で、ゲート絶縁膜は、通常プラズマＣＶＤ法で形成され
た窒化珪素、酸化珪素等からなる。プラズマＣＶＤ法
は、３５０℃程度で行われるので、アルミニウムからな
るゲート電極が変形し、ヒロックを生じるのに十分な温
度である。ヒロックが生じることにより、ゲート電極と
ソース・ドレイン電極間に短絡が生じることとなる。よ
って、ゲート電極に本発明の製造方法を適用することに
より、短絡を防ぐことができる。また、チャネルにポリ
シリコン層を使用したＴＦＴにも本発明の製造方法を適
用することができる。更に、ＴＦＴのソース電極、ドレ
イン電極と接続されている走査信号線、データ信号線に
も本発明を適用できる。
【００３４】なお、上記ではアクティブマトリックス型
の液晶表示装置への適用例を説明したが、走査電極及び
信号電極にアルミニウムを使用した単純マトリックス型
の液晶表示装置にも、本発明を適用することができる。
本発明の製造方法により形成した化合物膜で被覆された
アルミニウム電極が、従来問題であったアルミニウムの
拡散、透明電極との電極反応及びグレインの成長による
変形が生じないのは、以下の理由によると考える。
の液晶表示装置への適用例を説明したが、走査電極及び
信号電極にアルミニウムを使用した単純マトリックス型
の液晶表示装置にも、本発明を適用することができる。
本発明の製造方法により形成した化合物膜で被覆された
アルミニウム電極が、従来問題であったアルミニウムの
拡散、透明電極との電極反応及びグレインの成長による
変形が生じないのは、以下の理由によると考える。
【００３５】即ち、上記問題は、アルミニウムとそれと
接する層間の電子の移動により生じていると考えられ
る。ここで、例えば、ＩＴＯからなる透明電極とアルミ
ニウム電極（バス電極）との２層構造のサスティン電
極、Ｃｒ2 Ｏ3 からなる化合物膜及びＰｂＯを主成分と
する誘電体層を有するＰＤＰの前面基板を例にして説明
する。図１は、この前面基板のバンドギャップ図であ
る。図１中、ａは透明電極、ｂはアルミニウム電極、ｃ
は化合物膜、ｄは誘電体層をそれぞれ示している。図１
に示すように、化合物膜ｃはｐ型半導体としてふるま
い、かつその両端で、障壁が２重に形成されている。こ
の障壁は、電子がアルミニウム電極ｂへ移動することを
抑制するので、上記問題点が解決すると考えられる。
接する層間の電子の移動により生じていると考えられ
る。ここで、例えば、ＩＴＯからなる透明電極とアルミ
ニウム電極（バス電極）との２層構造のサスティン電
極、Ｃｒ2 Ｏ3 からなる化合物膜及びＰｂＯを主成分と
する誘電体層を有するＰＤＰの前面基板を例にして説明
する。図１は、この前面基板のバンドギャップ図であ
る。図１中、ａは透明電極、ｂはアルミニウム電極、ｃ
は化合物膜、ｄは誘電体層をそれぞれ示している。図１
に示すように、化合物膜ｃはｐ型半導体としてふるま
い、かつその両端で、障壁が２重に形成されている。こ
の障壁は、電子がアルミニウム電極ｂへ移動することを
抑制するので、上記問題点が解決すると考えられる。
【００３６】
【実施例】交流駆動方式の面放電型ＰＤＰに適用した好
ましい実施例について以下説明する。
ましい実施例について以下説明する。
【００３７】実施例１ まず、背面基板の製造方法を以下に説明する。ガラス基
板１を洗浄した後、メッキ法によりアルミニウムからな
る２μｍの金属層を積層した。次いで、フォトリソグラ
フィー法により所定の形状のアドレス電極（アルミニウ
ム電極）２に成形した。このアドレス電極に、昭和化工
株式会社製ネオニューム♯ＣＲ２（０．２５重量％Ｈ2
ＣｒＯ4 、０．１５重量％ＨＦを主成分とする）水溶液
に、３５℃で１分間浸漬することで化成皮膜法を施し
た。この後、水洗することにより、アドレス電極の表面
に２０００Åの化合物膜３（Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とす
る）が形成された。
板１を洗浄した後、メッキ法によりアルミニウムからな
る２μｍの金属層を積層した。次いで、フォトリソグラ
フィー法により所定の形状のアドレス電極（アルミニウ
ム電極）２に成形した。このアドレス電極に、昭和化工
株式会社製ネオニューム♯ＣＲ２（０．２５重量％Ｈ2
ＣｒＯ4 、０．１５重量％ＨＦを主成分とする）水溶液
に、３５℃で１分間浸漬することで化成皮膜法を施し
た。この後、水洗することにより、アドレス電極の表面
に２０００Åの化合物膜３（Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とす
る）が形成された。
【００３８】なお、化合物膜３を形成する際に、以下の
式による反応が生じていると考えられる。 （１）アルミニウム電極表面の自然酸化膜（Ａｌ
2 Ｏ3 ）の除去 Ａｌ2 Ｏ3 ＋６ＨＦ→２ＡｌＦ3 ＋３Ｈ2 Ｏ （２）アルミニウム電極表面へのＣｒ2 Ｏ3 の形成 ８Ｈ+ ＋２ＨＣｒＯ4 - ＋２Ａｌ→２Ａｌ3+＋Ｃｒ2 Ｏ
3 ・Ｈ2 Ｏ＋４Ｈ2 Ｏ （式中、Ａｌ3+は水酸化物等を形成する） 次いで、低融点ガラスを基板全面に塗布したのち、乾燥
及び焼成して２０μｍの誘電体層４を形成した。
式による反応が生じていると考えられる。 （１）アルミニウム電極表面の自然酸化膜（Ａｌ
2 Ｏ3 ）の除去 Ａｌ2 Ｏ3 ＋６ＨＦ→２ＡｌＦ3 ＋３Ｈ2 Ｏ （２）アルミニウム電極表面へのＣｒ2 Ｏ3 の形成 ８Ｈ+ ＋２ＨＣｒＯ4 - ＋２Ａｌ→２Ａｌ3+＋Ｃｒ2 Ｏ
3 ・Ｈ2 Ｏ＋４Ｈ2 Ｏ （式中、Ａｌ3+は水酸化物等を形成する） 次いで、低融点ガラスを基板全面に塗布したのち、乾燥
及び焼成して２０μｍの誘電体層４を形成した。
【００３９】次に、低融点ガラスからなる隔壁材料層を
スクリーン印刷法により形成した後、乾燥させた。次い
で、隔壁に対応した開口を有するフォトレジストをマス
クとしてサンドブラスト法によりマスク下以外の隔壁材
料層を除去した後、焼成することにより高さ１５０μｍ
の隔壁５を形成した。更に、隔壁５間にスクリーン印刷
法により蛍光体６を配設することにより図２に示す背面
基板７を形成することができた。
スクリーン印刷法により形成した後、乾燥させた。次い
で、隔壁に対応した開口を有するフォトレジストをマス
クとしてサンドブラスト法によりマスク下以外の隔壁材
料層を除去した後、焼成することにより高さ１５０μｍ
の隔壁５を形成した。更に、隔壁５間にスクリーン印刷
法により蛍光体６を配設することにより図２に示す背面
基板７を形成することができた。
【００４０】次に、前面基板の製造方法を以下に説明す
る。まず、ガラス基板８を洗浄した後、スクリーン印刷
法によりＩＴＯを塗布し、焼成した。次いで、フォトリ
ソグラフィー法により所定の形状のＩＴＯからなるサス
ティン電極用の透明電極９を形成した。次に、メッキ法
又はスパッタ法により透明電極９上にアルミニウムから
なる金属層を形成し、フォトリソグラフィー法により所
定の形状のバス電極（アルミニウム電極）１０を形成し
た。このバス電極１０は、透明電極９の配線抵抗を下げ
るために使用される。このバス電極に、酸化剤を含む溶
液として昭和化工株式会社製ネオニューム♯ＣＲ２
（０．２５重量％Ｈ2 ＣｒＯ4 、０．１５重量％ＨＦを
主成分とする）を使用し、この溶液に３５℃で１分間浸
漬することで化成皮膜法を施した。この後、水洗するこ
とにより、バス電極の表面に２０００Åの化合物膜１１
（Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする）が形成された。なお、化
合物膜１１はバス電極１０の表面にのみ選択的に形成さ
れ、透明電極の表面層には形成されなかった。また酸化
剤を含む溶液により透明電極はエッチングされることも
なかった。
る。まず、ガラス基板８を洗浄した後、スクリーン印刷
法によりＩＴＯを塗布し、焼成した。次いで、フォトリ
ソグラフィー法により所定の形状のＩＴＯからなるサス
ティン電極用の透明電極９を形成した。次に、メッキ法
又はスパッタ法により透明電極９上にアルミニウムから
なる金属層を形成し、フォトリソグラフィー法により所
定の形状のバス電極（アルミニウム電極）１０を形成し
た。このバス電極１０は、透明電極９の配線抵抗を下げ
るために使用される。このバス電極に、酸化剤を含む溶
液として昭和化工株式会社製ネオニューム♯ＣＲ２
（０．２５重量％Ｈ2 ＣｒＯ4 、０．１５重量％ＨＦを
主成分とする）を使用し、この溶液に３５℃で１分間浸
漬することで化成皮膜法を施した。この後、水洗するこ
とにより、バス電極の表面に２０００Åの化合物膜１１
（Ｃｒ2 Ｏ3 を主成分とする）が形成された。なお、化
合物膜１１はバス電極１０の表面にのみ選択的に形成さ
れ、透明電極の表面層には形成されなかった。また酸化
剤を含む溶液により透明電極はエッチングされることも
なかった。
【００４１】次いで、低融点ガラスをスクリーン印刷法
により形成した後、焼成することにより誘電体層１２を
形成した。この後、誘電体層１２上に酸化マグネシウム
からなる保護膜１３を蒸着することにより図３に示す前
面基板１４を形成した。上記のように形成した背面基板
７と前面基板１４をアドレス電極２とサスティン電極
（透明電極９とバス電極１０）が直交するように対向さ
せて貼り合わせ、内部を排気し、放電用ガスを封入する
ことによりＰＤＰを完成させた。この実施例において、
アルミニウムからなるバス電極及びアドレス電極は、ア
ルミニウムの拡散及びグレインの成長による変形が生じ
なかった。また、サスティン電極を構成するバス電極と
透明電極との電極反応による、透明電極の黒化も生じな
かった。
により形成した後、焼成することにより誘電体層１２を
形成した。この後、誘電体層１２上に酸化マグネシウム
からなる保護膜１３を蒸着することにより図３に示す前
面基板１４を形成した。上記のように形成した背面基板
７と前面基板１４をアドレス電極２とサスティン電極
（透明電極９とバス電極１０）が直交するように対向さ
せて貼り合わせ、内部を排気し、放電用ガスを封入する
ことによりＰＤＰを完成させた。この実施例において、
アルミニウムからなるバス電極及びアドレス電極は、ア
ルミニウムの拡散及びグレインの成長による変形が生じ
なかった。また、サスティン電極を構成するバス電極と
透明電極との電極反応による、透明電極の黒化も生じな
かった。
【００４２】実施例２ 酸化剤を含む溶液として、０．２５重量％Ｈ2 Ｃｒ
Ｏ4 、０．１重量％ＨＦ、１５重量％Ｈ4 〔Ｆｅ（Ｃ
Ｎ）6 〕を主成分とする水溶液を使用し、３５℃、１分
間浸漬すること以外は、実施例１と同様にして、ＰＤＰ
を作製した。この実施例においても、実施例１と同様の
効果が得られた。
Ｏ4 、０．１重量％ＨＦ、１５重量％Ｈ4 〔Ｆｅ（Ｃ
Ｎ）6 〕を主成分とする水溶液を使用し、３５℃、１分
間浸漬すること以外は、実施例１と同様にして、ＰＤＰ
を作製した。この実施例においても、実施例１と同様の
効果が得られた。
【００４３】実施例３ 酸化剤を含む溶液として、０．７重量％Ｚｎ2+、１重量
％ＰＯ4 3- 、２重量％ＮＯ3 - 、１重量％ＢＦ4 - を主
成分とする水溶液を使用し、６０℃、１分間浸漬するこ
と以外は、実施例１と同様にして、ＰＤＰを作製した。
この実施例においても、実施例１と同様の効果が得られ
た。
％ＰＯ4 3- 、２重量％ＮＯ3 - 、１重量％ＢＦ4 - を主
成分とする水溶液を使用し、６０℃、１分間浸漬するこ
と以外は、実施例１と同様にして、ＰＤＰを作製した。
この実施例においても、実施例１と同様の効果が得られ
た。
【００４４】実施例４ 酸化剤を含む溶液として、１５重量％ＰＯ4 3- 、０．１
重量％ＣｒＯ4 2-、０．０２５重量％Ｆ- を主成分とす
る水溶液を使用し、３５℃、１分間浸漬すること以外
は、実施例１と同様にして、ＰＤＰを作製した。この実
施例においても、実施例１と同様の効果が得られた。
重量％ＣｒＯ4 2-、０．０２５重量％Ｆ- を主成分とす
る水溶液を使用し、３５℃、１分間浸漬すること以外
は、実施例１と同様にして、ＰＤＰを作製した。この実
施例においても、実施例１と同様の効果が得られた。
【００４５】
【発明の効果】本発明の表示装置の製造方法は、基板上
に所定の形状のアルミニウム電極を形成した後、該アル
ミニウム電極を酸化剤を含む溶液で処理することによ
り、アルミニウム電極の表面に酸化剤に由来する物質を
主成分として含む化合物膜を形成することを特徴とす
る。
に所定の形状のアルミニウム電極を形成した後、該アル
ミニウム電極を酸化剤を含む溶液で処理することによ
り、アルミニウム電極の表面に酸化剤に由来する物質を
主成分として含む化合物膜を形成することを特徴とす
る。
【００４６】従って、アルミニウムからなる電極を使用
する際に、従来問題であったアルミニウムの拡散、透明
電極との電極反応及びグレインの成長による変形を生じ
ることなく、処理時間及びコストを低減することができ
る。
する際に、従来問題であったアルミニウムの拡散、透明
電極との電極反応及びグレインの成長による変形を生じ
ることなく、処理時間及びコストを低減することができ
る。
【図１】本発明により製造したＰＤＰの前面基板のバン
ドギャップ図である。
ドギャップ図である。
【図２】本発明により製造したＰＤＰの背面基板の概略
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明により製造したＰＤＰの前面基板の概略
断面図である。
断面図である。
【図４】従来のＰＤＰの概略斜視図である。
【図５】従来のＰＤＰの背面基板の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図６】従来のＰＤＰの前面基板の製造工程の概略断面
図である。
図である。
１、８、２１、２６ ガラス基板 ２、２２ アドレス電極 ３、１１ 化合物膜 ４、１２、２９ 誘電体層 ５、２３ 隔壁 ６、２４ 蛍光体 ７、２５ 背面基板 ９、２７ 透明電極 １０、２８ バス電極 １３、３０ 保護膜 １４、３１ 前面基板 ３２、３６ 金属層 ３３ 隔壁材料層 ３４ シール部材 ３５ 透明導電膜 Ａ 誘電体層 Ｘ、Ｙ サスティン電極 Ｚ 放電空間 ａ 透明電極 ｂ アルミニウム電極 ｃ 化合物膜 ｄ 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−132456（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−232274（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−77930（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−106852（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−70751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−136957（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09F 9/30 - 9/46 G02F 1/1343,1/1345,1/135 G02F 1/136,1/1365,1/1368 H01J 11/00 - 17/64 H05K 3/28 C23C 22/00 - 22/86
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に所定の形状のアルミニウム電極
を形成した後、該アルミニウム電極を酸化剤を含む溶液
で処理することにより、アルミニウム電極の表面に酸化
剤に由来するクロムの酸化物からなる化合物膜を形成す
る工程と、化合物膜が形成されたアルミニウム電極を覆
う誘電体層を形成する工程を含むことを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に、所定の形状のアルミニウム電
極と、該電極を覆う誘電体層とを有した交流駆動形式の
プラズマディスプレイパネルであって、前記アルミニウ
ム電極の表面が、該アルミニウム電極を酸化剤を含む溶
液で処理して形成されたクロムの酸化物からなる化合物
膜により覆われていることを特徴とするプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項３】 基板上に所定の形状の透明電極膜からな
る透明電極と、該透明電極に比べて幅の狭い形状のアル
ミニウムからなるバス電極との多層構造の表示電極を形
成する工程と、該アルミニウムのバス電極を酸化剤を含
む溶液で処理することにより、バス電極の表面に酸化剤
に由来する物質を主成分として含む化合物膜を形成する
工程と、該表示電極を含めた基板上に誘電体層を形成す
る工程とを含んでなることを特徴とするプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 酸化剤を含む溶液が、Ｃｒ6+を含む請求
項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 酸化剤を含む溶液が、Ｚｎ2+及びＰＯ4
3+を含む請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項６】 化合物膜が、Ｃｒ3+を含む請求項３又は
４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 化合物膜が、Ｃｒ2Ｏ3、Ｃｒ（Ｏ
Ｈ）2、ＨＣｒＯ4又はＣｒＰＯ4を含む請求項６記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】 化合物膜が、Ｚｎ3（ＰＯ4）2を含む請
求項３又は５記載のプラズマディスプレイパネルの製造
方法。 - 【請求項９】 透明電極が、ＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）である請求項３〜８のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 基板上に、所定の形状の透明電極膜か
らなる透明電極と、 該透明電極に比べて幅の狭い形状の
アルミニウムからなるバス電極との多層構造の表示電極
と、該電極を覆う誘電体層とを有した交流駆動形式のプ
ラズマディスプレイパネルであって、前記アルミニウム
電極の表面が、該アルミニウム電極を酸化剤を含む溶液
で処理して形成された酸化剤に由来する物質を主成分と
して含む化合物膜により覆われていることを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項１１】 化合物膜が、クロムの酸化物である請
求項１０記載のプラズマディスプレイパネル。
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