JPH11242935A

JPH11242935A - プラズマ情報表示素子

Info

Publication number: JPH11242935A
Application number: JP34291298A
Authority: JP
Inventors: Junichiro Nakayama; 純一郎中山; Tadashi Une; 正宇根
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 1998-12-02
Publication date: 1999-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマ室１３に形成されるアノード９Ａ及
びカソード９Ｃを、プラズマ放電に対して腐食されにく
い構造とし、かつプラズマ室１３内に有毒なＨｇガスを
導入する必要の無いプラズマアドレス情報表示素子を提
供する。【解決手段】プラズマ室１３に形成されるアノード９
Ａ及びカソード９ＣとしてＡｌ合金を用いることによっ
て、プラズマ放電に対して腐食されにくい構造とする。
前記Ａｌ合金としては、ＡｌにＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ａｇ、Ａｕ等の高融点金属のうちの一つ又は複数を
添加したものを用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大型平面ディスプ
レイとして好適に用いられるプラズマ情報表示素子に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】平面ディスプレイに代表される情報表示
素子の開発は、小型化、単色化、２値表示化の初期段階
を既に脱し、大型化、カラー化、中間調表示や動画表示
などに進展して年毎に性能の向上が図られている。

【０００３】ここで、プラズマアドレス情報表示素子の
一つとしてプラズマアドレス液晶素子の構造、製造方法
及びその動作原理について、図１１乃至図１４を用いて
簡単に説明すると以下の通りである。

【０００４】プラズマアドレス液晶素子は、図１１に示
すようにカラーフィルタ基板３１とプラズマアドレス基
板３２との間に液晶材料２６が注入され、さらにプラズ
マアドレス基板３２の背面にバックライト３０が組み合
わされた構造となっている。

【０００５】カラーフィルタ基板３１は、透光性基板２
２ａの一方表面に、カラーフィルタ２３、ストライプ状
の透明電極２４、配向膜２５ａが順次積層され、他方表
面には偏光板２１ａが設けられた構成となっている。ま
た、プラズマアドレス基板３２は、透光性基板２２ｂの
一方表面に、ストライプ状の電極２９（アノード２９Ａ
とカソード２９Ｃ）及び隔壁２８が形成され、隔壁２８
を介して透明薄板基板２７が貼合わされていると共に、
この透明薄板基板２７の表面に配向膜２５ｂが形成さ
れ、さらに透光性基板２２ｂの他方表面には偏光板２１
ｂが設けられた構成となっている。

【０００６】プラズマアドレス基板３２における透光性
基板２２ｂ、隔壁２８及び透明薄板基板２７で囲まれた
空間がプラズマ室３３であり、ここにはＨｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｘｅ等の単体或は混合物の不活性ガスが１０〜１０
⁴Ｐａ、好ましくは１０²〜５×１０³Ｐａのガス圧で封
入されている。また、各プラズマ室３３には、それぞれ
アノード２９Ａ及びカソード２９Ｃが１本ずつ配置され
ている。

【０００７】なお、カラーフィルタ基板３１とプラズマ
アドレス基板３２とは、ストライプ状の透明電極２４と
ストライプ状のプラズマ室３３とが直交するように貼合
わされ、前記透明電極２４とプラズマ室３３との交差部
によって画素が規定されている。

【０００８】このように構成されるプラズマアドレス液
晶素子において、情報の書き込み及び保持を行う様子を
図１２、図１３を用いて説明する。なお、図１２、図１
３においては透光性基板２２ｂ、透明電極２４、透明薄
板基板２７、隔壁２８、アノード２９Ａ、カソード２９
Ｃ、及びプラズマ室３３のみを示しており、その他の部
材は省略している。

【０００９】まず、図１２（ａ）に示すように、アノー
ド２９Ａとカソード２９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖ
の電圧を印加、すなわちカソード２９Ｃに電圧Ｅｃを印
加して放電を起こす。図１２においては、マイナス帯電
している粒子を黒丸（●）、プラス帯電している粒子を
白丸（○）で示している。

【００１０】次に、図１２（ｂ）に示すように、透明電
極２４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印加するこ
とにより情報を書き込み、続いて図１２（ｃ）に示すよ
うに放電を止めて透明薄板基板２７界面をマイナスに帯
電させることにより情報の保持を行う。

【００１１】逆に、プラスに帯電させたい場合には、図
１３（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）に示すように行う。つま
り、図１３（ｄ）に示すようにアノード２９Ａとカソー
ド２９Ｃとの間に１００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加、す
なわちカソード２９Ｃに電圧Ｅｃを印加して放電を起こ
す。次に、図１３（ｅ）に示すように透明電極２４に、
−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することにより
情報を書き込み、続いて図１３（ｆ）に示すように放電
を止めて透明薄板基板２７界面をプラスに帯電させるこ
とにより情報の保持を行う。

【００１２】図１４（ａ）は上記電圧Ｅｃの時間的変化
を、図１４（ｂ）は上記電圧Ｅｄの時間的変化を示して
いる。図１４中の期間を示すａ、ｂ、ｃはそれぞれ図１
２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応し、同じくｄ、ｅ、ｆ
はそれぞれ図１３の（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に対応した
ものである。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来はアノ
ード２９Ａやカソード２９Ｃとして主にＮｉが用いられ
てきた。これは、電極としてＮｉを用いれば高い放電効
率が得られるためである。

【００１４】しかしながら、電極線としてＮｉを用いた
場合には、プラズマ放電によって電極線が腐食してしま
い、電極線自体が透明薄板基板７上にスパッタされてし
まうので、これを防ぐためにプラズマ室内に不活性ガス
と共にＨｇガスを導入する必要があった。このため、前
記プラズマ室内へのＨｇガスの導入工程が必要となり、
プロセスの複雑化、コストの上昇を招くばかりでなく、
毒性の強いＨｇに対する環境対策を講じる必要が有ると
いう問題点が有った。

【００１５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、放電効率を落とすこと無く、かつＨｇの
導入を不要とするプラズマアドレス情報表示素子を提供
するものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
プラズマ情報表示素子は、１対の基板間に電極及び絶縁
体からなる隔壁とが多数形成され、前記基板間の隔壁で
囲まれた領域に不活性ガスが封入されたプラズマ室を有
するプラズマ情報表示素子において、前記電極としてＡ
ｌ合金を用いることを特徴とする。

【００１７】本発明の請求項２記載のプラズマ情報表示
素子は、前記電極として用いるＡｌ合金は、Ａｌに少な
くともＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕのうちの一
つ又は複数が含まれていることを特徴とする。

【００１８】本発明の請求項３記載のプラズマ情報表示
素子は、基板上に電極線及び絶縁体からなる隔壁が形成
され、隔壁上に基板が形成され、基板間に不活性ガスが
封入されたプラズマ部を有し、前記電極線が金属材料表
面に透明電極が形成された構成であることを特徴とす
る。

【００１９】本発明の請求項４記載のプラズマ情報表示
素子は、前記透明電極は、前記電極線の金属材料の露出
部全てをカバーするように形成されていることを特徴と
する。

【００２０】本発明の請求項５記載のプラズマ情報表示
素子は、上記透明電極がＩｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、ＭｇＯ等
の少なくとも一つからなることを特徴とする。

【００２１】以下、上記構成による作用について説明す
る。本発明のプラズマ情報表示素子においては、前記電
極としてプラズマ放電によって腐食されにくく、且つ電
気抵抗の低いＡｌを含んだＡｌ合金を用いることによっ
て、従来のようにプラズマ室内にＨｇガスを導入する必
要が無くなり、プロセスの複雑化、コストの上昇を招く
ことが無く、かつＨｇに対する環境対策を講じる必要も
無くなる。

【００２２】前記電極として用いるＡｌ合金としては、
ＡｌにＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕのうちの一
つ又は複数が添加されたものを用いることができる。

【００２３】請求項３に記載のプラズマ情報表示素子に
おいては、電極線の金属材料の表面に透明電極が形成さ
れているため、プラズマによって電極線がエッチングさ
れても表示素子の透過率の低下を抑えることができる。

【００２４】請求項４に記載のプラズマ情報表示素子に
おいては、電極線の金属材料の露出面の全面に透明電極
が形成されているため、金属材料がプラズマ室に接する
ことがないので、プラズマによる金属材料のエッチング
が発生しないので、表示素子の透過率の低下を抑えるこ
とができる。

【００２５】請求項５に記載のプラズマ情報表示素子に
おいては、表示素子の透過率の低下を抑えることができ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
プラズマアドレス情報表示素子について、図１乃至図１
２に基づいて説明する。図１は本発明のプラズマアドレ
ス情報表示素子を示す断面図である。本発明のプラズマ
アドレス情報表示素子は、図１に示されるように、カラ
ーフィルタ基板１１と、プラズマアドレス基板１２との
間に液晶材料６が注入され、更にプラズマアドレス基板
１２側にバックライト１０が組み合わされた構造となっ
ている。

【００２７】カラーフィルタ基板１１は、板厚０．５ｍ
ｍ〜２．０ｍｍのガラスからなる透光性基板２ａの一方
表面に、カラーフィルタ３、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂等からな
るストライプ状の透明電極４、配向膜５ａが順次積層さ
れ、他方表面には偏光板１ａが設けられた構成となって
いる。

【００２８】一方、プラズマアドレス基板１２は、板厚
０．５ｍｍ〜３．０ｍｍのガラスからなる透光性基板２
ｂの一方表面にＡｌ合金からなるストライプ状の電極９
（アノード９Ａとカソード９Ｃ）及びＳｉＯ₂等からな
るストライプ状の隔壁８が形成され、隔壁８を介して板
厚１０μｍ〜１００μｍのガラスからなる透明薄板基板
７が貼合わされていると共に、この透明薄板基板７の表
面に高分子膜からなる配向膜５ｂが形成され、さらに透
光性基板２ｂの他方表面には偏光板１ｂが設けられた構
成となっている。

【００２９】本実施形態では、隔壁８の幅及びピッチは
それぞれ１００μｍ、８００μｍとし、電極９（アノー
ド９Ａ及びカソード９Ｃ）の幅は１５０μｍとして形成
した。また、電極９としてＡｌにＮｉを添加させたＡｌ
合金を用いた。なお、透光性基板２ｂと電極９との密着
性を向上させるために、電極９の形成前に透光性基板２
ｂ上にＳｉＯ₂等からなる下地膜を形成しても良い。

【００３０】プラズマアドレス基板１２における透光性
基板２ｂ、隔壁８及び透明薄板基板７で囲まれた空間が
プラズマ室１３であり、ここにはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘ
ｅ等の単体或は混合物の不活性ガスが１０〜１０⁴Ｐ
ａ、好ましくは１０²〜５×１０³Ｐａのガス圧で封入さ
れており、各プラズマ室１３には、それぞれＡｌ合金か
らなるアノード９Ａ及びカソード９Ｃが１本ずつ配置さ
れている。

【００３１】なお、カラーフィルタ基板１１とプラズマ
アドレス基板１２とは、ストライプ状の透明電極４とス
トライプ状のプラズマ室１３とが直交するように貼合わ
され、前記透明電極４とプラズマ室１３との交差部によ
って画素が規定されている。

【００３２】本実施形態では、プラズマ室１３内に不活
性ガスとしてＸｅガスを３×１０³Ｐａのガス圧で封入
した。また、アノード９Ａ及びカソード９ＣとしてＮｉ
を添加したＡｌ合金を用いた。このように、アノード９
Ａ及びカソード９ＣとしてＡｌ合金を用いているので、
プラズマ放電によってこれらの電極が腐食してしまうこ
とが無いので、プラズマ室１３内にＨｇガスは導入され
ていない。

【００３３】このように構成される本実施形態のプラズ
マアドレス情報表示素子において、情報の書き込み及び
保持を行う様子を図２、図３を用いて説明する。なお、
図２、図３においては透光性基板２ｂ、透明電極４、透
明薄板基板７、隔壁８、アノード９Ａ、カソード９Ｃ、
及びプラズマ室１３のみを示しており、その他の部材は
省略している。

【００３４】まず、図２（ａ）に示すように、アノード
９Ａとカソード９Ｃとの間に、３００Ｖ〜４５０Ｖの電
圧を印加、すなわちカソード９Ｃに−３００Ｖ〜−４５
０Ｖの電圧Ｅｃを印加し放電を起こす。図３において
は、マイナス帯電している粒子を黒丸（●）、プラス帯
電している粒子を白丸（○）で示している。

【００３５】次に、図２（ｂ）に示すように、透明電極
４に＋５０Ｖ〜＋１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することに
より情報を書き込み、続いて、図２（ｃ）に示すように
放電を止める。これにより、透明薄板基板７界面をマイ
ナスに帯電させて情報の保持を行う。

【００３６】逆に、プラスに帯電させたい場合には、図
３（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）に示すように行う。すなわ
ち、図３（ｄ）に示すように、アノード９Ａとカソード
９Ｃとの間に、３００Ｖ〜４５０Ｖの電圧を印加、すな
わちカソード９Ｃに−３００Ｖ〜−４５０Ｖの電圧Ｅｃ
を印加し放電を起こす。次に、図３（ｅ）に示すよう
に、透明電極４に−５０Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印
加することにより情報を書き込み、続いて、図３（ｆ）
に示すように放電を止める。これにより、透明薄板基板
７界面をプラスに帯電させて情報の保持を行う。

【００３７】ここで、本発明のプラズマアドレス情報表
示素子においては、電極９（アノード９Ａ及びカソード
９Ｃ）がＡｌ合金からなっているので、図２（ａ）及び
図３（ｄ）においてプラズマ放電による電極９の腐食を
抑えることができ、プラズマ室１３内にＨｇガスを導入
する必要が無くなる。また、電極９としてＡｌ合金を用
いた場合は、従来のようにＮｉを用いた場合に比べて放
電が不安定となり、放電効率が低下することが考えられ
る。このため、Ａｌ合金としてＡｌにＮｉを添加させた
ものを用いれば、図４に示すＡｌ−Ｎｉの状態図から分
かるように、Ａｌ合金の融点が高くなるので放電を安定
化させることが可能となり、放電効率の低下を抑えるこ
とができる。

【００３８】また、本発明のプラズマアドレス情報表示
素子において、電極９に含まれるＡｌとＮｉとの混合比
を変化させたときの、操作時間と透過率との関係を図５
に示す。また、比較としてプラズマ室１３にＨｇガスを
導入し、電極９としてＮｉ単体を用いた従来の構成の場
合も示す。図５から明らかなように、１００００時間経
過しても、従来とほぼ同等の透過率特性が得られること
が分かる。

【００３９】なお、上述した実施形態においては、Ａｌ
合金としてＡｌにＮｉを添加したものを用いたが、Ｎｉ
以外にもＣｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ等の高融点金属
を添加したものであっても良い。図６乃至図１０にＡｌ
−Ｃｏ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ａｇ、Ａｌ−
Ａｕの状態図を示す。また、Ｎｉを含むこれらの高融点
金属を複数Ａｌに添加したものを用いても良い。

【００４０】（実施の形態２）実施の形態２のプラズマ
アドレス情報表示素子について、図１５に基づいて説明
する。図１と同様の構成には同一符号を付している。実
施の形態２では、アノード９Ａとカソード９Ｃは、Ｎｉ
電極上に透明電極材料であるＩＴＯ１４が形成されてい
る点が図１の構成と相違している。

【００４１】次に、図１６を用いて、Ｎｉ上にＩＴＯが
形成されたアノード９Ａとカソード９Ｃの形成方法を説
明する。図１６（ａ）に示すように、透光性基板２ｂ上
にＮｉ９を印刷法、スパッタリング法等により形成し、
さらにＩＴＯ１４をスパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法等により形成する。その後、フォトレジスト１
５をスピンコート法、ロールコーティング法等により均
一な厚さになるよう塗布する。

【００４２】次に、図１６（ｂ）示すように、部分的に
光を遮蔽するマスク１６を用い、フォトレジスト１５が
感光する波長のＵＶ光１７を照射する。図１６（ｃ）に
示すように、フォトレジスト１５の現像及び剥離を行
い、アノード９ａ及びカソード９ｃが形成される場所の
フォトレジスト１５を残し、図１６（ｄ）に示すよう
に、フォトレジスト１５をマスクとしてエッチングによ
りアノード９ａ及びカソード９ｃを形成し、残ったフォ
トレジスト１５をアッシングし除去する。

【００４３】このようにして作成したＩＴＯ１４がＮｉ
上に形成されたアノード９ａ及びカソード９ｃを用いた
プラズマアドレス情報表示素子の操作時間と透過率の関
係を図１９に示す。図１９には、比較例としてＩＴＯを
形成していないＮｉからなるアノード９ａ及びカソード
９ｃを用いたプラズマアドレス情報表示素子の場合も示
している。図１９に示す例では、プラズマ室に電極のス
パッタを防ぐためのＨｇガスは使用していない。

【００４４】実施の形態２のＩＴＯ１４の透明電極材料
に代えて、ＭｇＯとした場合にもほぼ同じ結果となっ
た。更に、実施の形態２のＩＴＯ１４の透明電極材料に
代えて、Ｉｎ₂Ｏ₃又はＳｎＯ₂とした場合にもほぼ同じ
結果となった。図１９から明らかなように、実施の形態
２と比較例とでは、２０００時間経過での透過率の変化
に差がないが、それ以上に操作時間が経過すると比較例
の透過率は低下するが、実施の形態２では透過率の低下
が、比較例に比べて抑えられている。これは、アノード
９ａ及びカソード９ｃが放電ガスによりスパッタされる
が、スパッタされたものが透明であるため透過率が減少
しないことが原因と考えられる。アノード９ａ及びカソ
ード９ｃの表面に透明電極材料を形成することにより、
不活性ガス中にＨｇを導入する必要がなくなり、プロセ
スの複雑化によるコストの上昇を抑え、環境対策も不要
となる。

【００４５】この技術は、プラズマアドレス情報表示素
子のみに適用されるものではなく、電極による放電ガス
により蛍光体を発光させるＰＤＰのようなプラズマ情報
表示素子全てに適用可能である。

【００４６】（実施の形態３）実施の形態３のプラズマ
アドレス情報表示素子について、図１７に基づいて説明
する。図１と同様の構成には同一符号を付している。実
施の形態３では、アノード９Ａとカソード９Ｃは、Ｎｉ
電極全体をカバーするように透明電極材料であるＩＴＯ
１４が形成されている点が図１の構成と相違している。

【００４７】次に、アノード９Ａとカソード９Ｃである
Ｎｉ上にＩＴＯが形成された電極線の形成方法を、図１
８を用いて説明する。図１８（ａ）に示すように、透光
性基板２ｂ上にＮｉ９を印刷法、スパッタリング法等に
より形成し、フォトレジスト１５をスピンコート法、ロ
ールコーティング法等により均一な厚さになるよう塗布
する。次に部分的に光を遮蔽するマスク１６を用い、フ
ォトレジスト１５が感光する波長のＵＶ光１７を照射す
る。図１８（ｂ）に示すようにフォトレジスト１５の現
像及び剥離を行い、フォトレジスト１５をマスクとして
エッチングを行いＮｉ電極を形成する。図１８（ｃ）に
示すように、ＩＴＯ１４をスパッタリング法、イオンプ
レーティング法等により形成し、フォトレジスト１８を
スピンコート法、ロールコーティング法等により均一な
厚さになるよう塗布する。Ｎｉ電極よりも幅広く光を遮
蔽するマスク１９を用いてフォトレジスト１８が感光す
る波長のＵＶ光１７を照射する。図１８（ｄ）に示すよ
うに、フォトレジスト１８の現像及び剥離を行い、フォ
トレジスト１８をマスクとしてエッチングによりＩＴＯ
１４の電極部分を形成し、残ったフォトレジスト１８を
アッシングし除去する。

【００４８】アノード９Ａとカソード９ＣにＮｉ電極の
全体をカバーするように形成されたＩＴＯ１４を有する
実施の形態３のプラズマアドレス情報表示素子の操作時
間と透過率の関係を図１９に示す。透明電極材料をＩＴ
Ｏに変えて、ＭｇＯとした場合にもほぼ同じ結果となっ
た。更に、実施の形態３のＩＴＯ１４の透明電極材料に
代えて、Ｉｎ₂Ｏ₃又はＳｎＯ₂とした場合にもほぼ同じ
結果となった。図１９から明らかなように、実施の形態
３のプラズマアドレス情報表示素子と比較例とでは、２
０００時間経過での透過率の変化に差がないが、更に操
作時間を経過すると、比較例及び、実施の形態２のプラ
ズマアドレス情報表示素子よりも、透過率の低下が抑え
られた。これは、実施の形態３のプラズマアドレス情報
表示素子では、透明電極材料によりＮｉ電極の全体をカ
バーしているためであり、製造プロセスとしては１工程
増えることになるが、性能が向上したことを示す。

【００４９】（実施の形態４）実施の形態４のプラズマ
情報表示素子について、図２０に基づいて説明する。ガ
ラス基板４１上に表示電極４２を形成する。表示電極４
２は、透明電極と抵抗を下げるための細い金属のバス電
極とで形成される。表示電極４２の上には低融点ガラス
からなる誘電体層４３が印刷、焼成され、さらにＭｇＯ
からなる保護膜４４が形成される。一方のガラス基板４
８上にはアドレス電極４７と、放電を保ちＲＧＢの混色
を防ぐための隔壁４５が印刷、焼成により形成される。
隔壁４５は幅約５０μｍ、高さ約１００μｍで、隔壁間
に蛍光体４６が印刷される。２枚のガラス基板の間には
放電により紫外線を発生するＸｅと主放電ガスのＮｅを
混合したガスを封入する。

【００５０】蛍光体の発光を利用したプラズマ情報表示
素子では、ＲＧＢで１画素を構成するため、隔壁間の距
離は、基本的に実施の形態１に示すプラズマアドレス情
報表示素子の約１／３となる。

【００５１】プラズマ情報表示素子の作成プロセスのう
ち特に表示電極及びアドレス電極の電極線として、実施
の形態１乃至実施の形態３に用いた電極構造を適用する
ことができる。その場合にも、電極のエッチングによっ
て操作時間が経過するほど表示が暗くなるという問題点
を抑えることができる。

【００５２】実施の形態２及び実施の形態３では、プラ
ズマ室でエッチングが発生する電極材料としてＮｉを用
いて説明したが、プラズマ室でエッチングが発生して透
過率が低下する材料であれば、他の材料を用いてもよ
い。実施の形態２、３、４では、透明電極の形成方法に
スパッタリング法、イオンプレーティング法を用いてい
るが、これらの微粒子を含む導電性のコーティング材料
をロールコーティングやスピンコーティングにより塗布
してもよい。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
情報表示素子は、プラズマ室の電極としてＡｌ合金を用
いているので、この電極がプラズマ放電によって腐食さ
れることを防止することができる。

【００５４】したがって、従来のようにプラズマ室内に
不活性ガスと共にＨｇガスを導入する必要が無くなるた
め、Ｈｇガス導入によるプロセスの複雑化、コストの上
昇を招くことが無く、かつＨｇに対する環境対策を講じ
る必要をなくすことができるという効果を奏する。

【００５５】また、前記電極として用いるＡｌ合金は、
ＡｌにＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ等の高融点
金属のうちの一つ又は複数が添加されたものとすること
によって、Ａｌ合金の融点を高くし、放電を安定させる
ことができるという効果を奏する。

【００５６】請求項３に記載のプラズマ情報表示素子に
おいては、電極線の金属材料の表面に透明電極が形成さ
れているため、プラズマによって電極線がエッチングさ
れても表示素子の透過率の低下を抑えることができる。

【００５７】請求項４に記載のプラズマ情報表示素子に
おいては、電極線の金属材料の露出面の全面に透明電極
が形成されているため、金属材料がプラズマ室に接する
ことがないので、プラズマによる金属材料のエッチング
が発生しないので、表示素子の透過率の低下を抑えるこ
とができる。

【００５８】請求項５に記載のプラズマ情報表示素子に
おいては、表示素子の透過率の低下を抑えることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１のプラズマアドレス情報表示素子
を示す断面図である。

【図２】実施の形態１のプラズマアドレス情報表示素子
のプラズマ基板部の動作原理を示す説明図（断面図）で
ある。

【図３】実施の形態１のプラズマアドレス情報表示素子
のプラズマ基板部の動作原理を示す説明図（断面図）で
ある。

【図４】Ａｌ−Ｎｉの状態図である。

【図５】実施の形態１のプラズマアドレス情報表示素子
において、電極に含まれるＡｌとＮｉとの混合比を変化
させたときの、操作時間と透過率との関係を示す図であ
る。

【図６】Ａｌ−Ｃｏの状態図である。

【図７】Ａｌ−Ｃｕの状態図である。

【図８】Ａｌ−Ｃｒの状態図である。

【図９】Ａｌ−Ａｇの状態図である。

【図１０】Ａｌ−Ａｕの状態図である。

【図１１】従来のプラズマアドレス情報表示素子を示す
断面図である。

【図１２】従来のプラズマアドレス情報表示素子のプラ
ズマ基板部の動作原理を示す説明図（断面図）である。

【図１３】従来のプラズマアドレス情報表示素子のプラ
ズマ基板部の動作原理を示す説明図（断面図）である。

【図１４】プラズマアドレス情報表示素子のプラズマ室
の印加電圧を示す説明図である。

【図１５】実施の形態２のプラズマアドレス情報表示素
子を示す断面図である。

【図１６】実施の形態２のプラズマ室の電極の製造方法
を示す断面図である。

【図１７】実施の形態３のプラズマアドレス情報表示素
子を示す断面図である。

【図１８】実施の形態３のプラズマ室の電極の製造方法
を示す断面図である。

【図１９】実施の形態２及び実施の形態３のプラズマア
ドレス情報表示素子の操作時間と透過率の関係を示す図
である。

【図２０】実施の形態４に示すプラズマ情報表示素子を
示す断面図である。

【符号の説明】

１ａ、１ｂ偏光板２ａ、２ｂ透光性基板３カラーフィルタ４透明電極５ａ、５ｂ配向膜６液晶材料７透明薄板基板８隔壁９電極９Ａアノード９Ｃカソード１０バックライト１１カラーフイルタ基板１２プラズマアドレス基板１３プラズマ室１４ＩＴＯ１５、１８フォトレジスト１６、１９マスク１７ＵＶ光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１対の基板間に電極及び絶縁体からなる
隔壁とが多数形成され、前記基板間の隔壁で囲まれた領
域に不活性ガスが封入されたプラズマ室を有するプラズ
マ情報表示素子において、前記電極としてＡｌ合金を用いることを特徴とするプラ
ズマ情報表示素子。
【請求項２】前記電極として用いるＡｌ合金は、Ａｌ
に少なくともＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕのう
ちの一つ又は複数が含まれていることを特徴とする請求
項１に記載のプラズマ情報表示素子。
【請求項３】基板上に電極線及び絶縁体からなる隔壁
が形成され、隔壁上に基板が形成され、基板間に不活性
ガスが封入されたプラズマ部を有し、前記電極線が金属
材料表面に透明電極が形成された構成であることを特徴
とするプラズマ情報表示素子。
【請求項４】前記透明電極は、前記電極線の金属材料
の露出部全てをカバーするように形成されていることを
特徴とする請求項３に記載のプラズマ情報表示素子。
【請求項５】上記透明電極がＩｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｍ
ｇＯ等の少なくとも一つからなることを特徴とする請求
項３又は請求項４に記載のプラズマ情報表示素子。