JPWO2007023658A1 - ガラス膜およびその製造方法、ならびに光学電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
面放電の電力効率を高めてPDPの駆動電圧を下げる手段の一つとして、誘電体層の比誘電率を下げつつ膜厚を薄くすることにより、表示電極間コンデンサの容量を維持して、PDPの駆動電圧を下げる。比誘電率の低い誘電体層として、CVD法によるガラス膜(酸化シリコン膜)がある。一般的な液相法による誘電体層の比誘電率は10〜13程度、CVD法などの気相法による誘電体層の比誘電率は4〜5程度である。
[1]平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体の有機シリコン化合物、酸化剤、および触媒を含むペーストを基材に塗布するステップ;および塗布されたペーストに含まれる有機シリコン化合物を酸化するステップ、を含むガラス膜の製造方法。
[2] 前記有機シリコン化合物はテトラエチルオルソシリケートである、[1]に記載のガラス膜の製造方法。
[3] 前記酸化剤は、水または過酸化水素である、[1]または[2]に記載のガラス膜の製造方法。
[4] 前記ペーストに含まれる有機シリコン化合物と酸化剤のモル比率が、有機シリコン化合物:酸化剤=1:1.5〜5である、[1]〜[3]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[5] 前記触媒は、酸またはアルカリである、[1]〜[4]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[6] 前記ペーストはアルコール類をさらに含む、[1]〜[5]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[7] 前記ペーストに含まれる有機シリコン化合物とアルコール類のモル比率が、有機シリコン化合物:アルコール類=1:4〜20である、[6]に記載のガラス膜の製造方法。
[8] 前記シリカ粒子は酸化シリコンの粒子である、[1]〜[7]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[9] 前記ペーストにおけるシリカ粒子の含有量は、ペースト全体に対して 〜 体積%である、[1]〜[8]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[10] 前記ペーストは真空脱泡されている、[1]〜[9]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[11] 前記ペーストは、前記基材にダイコート法またはスクリーン印刷法により塗布される、[1]〜[10]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[12] 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストに大気圧プラズマを照射するステップである、[1]〜[11]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[13] 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストにオゾンを照射するステップである、[1]〜[11]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[14] 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストを、400℃〜600℃に加熱するステップである、[1]〜[11]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[15] 酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された、粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子を含むガラス膜。
[16] 前記ガラス膜におけるシリカ粒子の体積率が20%〜80%である、[15]に記載のガラス膜。
[17] 前記酸化シリコン膜の屈折率と、前記シリカ粒子の屈折率の差が、0.001〜0.1である、[15]または[16]に記載のガラス膜。
[18] 平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体の有機シリコン化合物、酸化剤、および触媒を含むペーストを、表示用電極を設けられた基材に塗布するステップ;および塗布されたペーストに含まれる有機シリコン化合物を酸化するステップ、を含むプラズマディスプレイの製造方法。
[19] 表示用電極を設けられた基材、および前記基材を被覆する誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記誘導体層が、酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された、粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子を含むガラス膜である、プラズマディスプレイパネル。
本発明のガラス膜の製造方法は、平均粒径が0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体である有機シリコン化合物、酸化剤および触媒を含むペーストを基材に塗布するステップ;ならびに塗布されたペーストの有機シリコン化合物を酸化するステップを含むことを特徴とする。
シリカ粒子の粒径は、均一であってもよいが分布を有していてもかまわない。ある程度の粒径分布を有すると、製造されるガラス膜におけるシリカ粒子の密度を上げることができる。
本発明のガラス膜は、酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、好ましくは平均粒径0.1μm〜0.5μmのシリカ粒子を含むことを特徴とする。図7には、本発明のガラス膜の構造が模式的に示される。図7では、基材1の上に、シリコン酸化膜3と分散されたシリカ粒子2を含むガラス膜が形成されている。
また、本発明のガラス膜は適度な光散乱を有しうるので、浴室の床や壁、または衛生陶器の撥水材料もしくは防汚材料としても用いられうる。さらに、シリカ粒子により表面形状に凹凸をつけて比表面積を増大させれば、排ガス処理用の触媒基材として利用することもできる。
本発明のプラズマディスプレイパネル(PDP)は、前述の本発明のガラス膜を、誘電体層として有することを特徴する。PDPの誘電体層は、表示用電極を設けられた基材上に形成されている。PDPの誘電体層を形成するガラス膜は、好ましくは10μm以上の膜厚を有する。また、誘電体層を介して放電空間に高い電圧を印加する必要があるので、誘電体層を形成するガラス膜には高い耐電圧特性が求められる。もちろん、高い光透過率も必要である。
以下において本発明を、実施例を参照してさらに具体的に説明するが、これらにより本発明の範囲が限定されることはない。
Yの間の面放電で生じた紫外線によって励起されて発光する。フルカラー表示を行うには、表示画面を構成する各画素(ドット)EGに対して、R(赤)、G(緑)、B(青)の3原色の蛍光体層58R、58G、58Bが配置される(特許文献5を参照)。
面放電の電力効率を高めてPDPの駆動電圧を下げる手段の一つとして、誘電体層の比誘電率を下げつつ膜厚を薄くすることにより、表示電極間コンデンサの容量を維持して、PDPの駆動電圧を下げる。比誘電率の低い誘電体層として、CVD法によるガラス膜(酸化シリコン膜)がある。一般的な液相法による誘電体層の比誘電率は10〜13程度、CVD法などの気相法による誘電体層の比誘電率は4〜5程度である。
[1]平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体の有機シリコン化合物、酸化剤、および触媒を含むペーストを基材に塗布するステップ;および塗布されたペーストに含まれる有機シリコン化合物を酸化するステップ、を含むガラス膜の製造方法。
[2] 前記有機シリコン化合物はテトラエチルオルソシリケートである、[1]に記載のガラス膜の製造方法。
[3] 前記酸化剤は、水または過酸化水素である、[1]または[2]に記載のガラス膜の製造方法。
[4] 前記ペーストに含まれる有機シリコン化合物と酸化剤のモル比率が、有機シリコン化合物:酸化剤=1:1.5〜5である、[1]〜[3]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[5] 前記触媒は、酸またはアルカリである、[1]〜[4]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[6] 前記ペーストはアルコール類をさらに含む、[1]〜[5]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[7] 前記ペーストに含まれる有機シリコン化合物とアルコール類のモル比率が、有機シリコン化合物:アルコール類=1:4〜20である、[6]に記載のガラス膜の製造方法。
[8] 前記シリカ粒子は酸化シリコンの粒子である、[1]〜[7]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[9] 前記ペーストにおけるシリカ粒子の含有量は、ペースト全体に対して 〜
体積%である、[1]〜[8]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[10] 前記ペーストは真空脱泡されている、[1]〜[9]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[11] 前記ペーストは、前記基材にダイコート法またはスクリーン印刷法により塗布される、[1]〜[10]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[12] 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストに大気圧プラズマを照射するステップである、[1]〜[11]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[13] 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストにオゾンを照射するステップである、[1]〜[11]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[14] 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストを、400℃〜600℃に加熱するステップである、[1]〜[11]のいずれかに記載のガラス膜の製造方法。
[15] 酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された、粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子を含むガラス膜。
[16] 前記ガラス膜におけるシリカ粒子の体積率が20%〜80%である、[15]に記載のガラス膜。
[17] 前記酸化シリコン膜の屈折率と、前記シリカ粒子の屈折率の差が、0.001〜0.1である、[15]または[16]に記載のガラス膜。
[18] 平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体の有機シリコン化合物、酸化剤、および触媒を含むペーストを、表示用電極を設けられた基材に塗布するステップ;および塗布されたペーストに含まれる有機シリコン化合物を酸化するステップ、を含むプラズマディスプレイの製造方法。
[19] 表示用電極を設けられた基材、および前記基材を被覆する誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記誘導体層が、酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された、粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子を含むガラス膜である、プラズマディスプレイパネル。
本発明のガラス膜の製造方法は、平均粒径が0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体である有機シリコン化合物、酸化剤および触媒を含むペーストを基材に塗布するステップ;ならびに塗布されたペーストの有機シリコン化合物を酸化するステップを含むことを特徴とする。
シリカ粒子の粒径は、均一であってもよいが分布を有していてもかまわない。ある程度の粒径分布を有すると、製造されるガラス膜におけるシリカ粒子の密度を上げることができる。
号公報;特開昭62−153110号公報;特開昭62−52119号公報;特開昭62−52119号公報;特開昭62−241541号公報;特開昭58−145163号公報;特開平7−277724号公報;東ソー研究・技術報告Vol.45(2001)65−69などに記載の方法によって製造されうる。
0モルであることが好ましい。アルコール類の含有量が少なすぎると、有機シリコン化合物と酸化剤が均質に混合されず、製造されたガラス膜にムラが生じることがある。また、酸化反応の速度が速くなりすぎて、基材と密着しないことがある。一方、該含有量が多すぎると、膜の硬化(有機シリコン化合物の酸化)が遅くなり、ガラス膜の製造時間が長くなる。また、乾燥・焼成したときに過度の収縮が起こり、ガラス膜にクラックが発生したり、基材からのはがれが発生したりする。
本発明のガラス膜は、酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、好ましくは平均粒径0.1μm〜0.5μmのシリカ粒子を含むことを特徴とする。図7には、本発明のガラス膜の構造が模式的に示される。図7では、基材1の上に、シリコン酸化膜3と分散されたシリカ粒子2を含むガラス膜が形成されている。
また、本発明のガラス膜は適度な光散乱を有しうるので、浴室の床や壁、または衛生陶器の撥水材料もしくは防汚材料としても用いられうる。さらに、シリカ粒子により表面形状に凹凸をつけて比表面積を増大させれば、排ガス処理用の触媒基材として利用することもできる。
本発明のプラズマディスプレイパネル(PDP)は、前述の本発明のガラス膜を、誘電
体層として有することを特徴する。PDPの誘電体層は、表示用電極を設けられた基材上に形成されている。PDPの誘電体層を形成するガラス膜は、好ましくは10μm以上の膜厚を有する。また、誘電体層を介して放電空間に高い電圧を印加する必要があるので、誘電体層を形成するガラス膜には高い耐電圧特性が求められる。もちろん、高い光透過率も必要である。
以下において本発明を、実施例を参照してさらに具体的に説明するが、これらにより本発明の範囲が限定されることはない。
Claims (19)
- 平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体の有機シリコン化合物、酸化剤、および触媒を含むペーストを基材に塗布するステップ;および
塗布されたペーストに含まれる有機シリコン化合物を酸化するステップ、を含むガラス膜の製造方法。 - 前記有機シリコン化合物はテトラエチルオルソシリケートである、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記酸化剤は、水または過酸化水素である、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記ペーストに含まれる有機シリコン化合物と酸化剤のモル比率が、有機シリコン化合物:酸化剤=1:1.5〜5である、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記触媒は、酸またはアルカリである、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記ペーストはアルコール類をさらに含む、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記ペーストに含まれる有機シリコン化合物とアルコール類のモル比率が、有機シリコン化合物:アルコール類=1:4〜20である、請求項6に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記シリカ粒子は酸化シリコンの粒子である、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記ペーストにおけるシリカ粒子の含有量は、ペースト全体に対して1〜30体積%である、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記ペーストは真空脱泡されている、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記ペーストは、前記基材にダイコート法、スクリーン印刷法またはドクターブレード法により塗布される、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストに大気圧プラズマを照射するステップである、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストにオゾンを照射するステップである、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 前記有機シリコン化合物を酸化するステップが、塗布されたペーストを、400℃〜600℃に加熱するステップである、請求項1に記載のガラス膜の製造方法。
- 酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された、粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子を含むガラス膜。
- 前記ガラス膜におけるシリカ粒子の体積率が20%〜80%である、請求項15に記載のガラス膜。
- 前記酸化シリコン膜の屈折率と、前記シリカ粒子の屈折率の差が、0.001〜0.1である、請求項15に記載のガラス膜。
- 平均粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子、常温で液体の有機シリコン化合物、酸化剤、および触媒を含むペーストを、表示用電極を設けられた基材に塗布するステップ;および
塗布されたペーストに含まれる有機シリコン化合物を酸化するステップ、を含むプラズマディスプレイの製造方法。 - 表示用電極を設けられた基材、および前記基材を被覆する誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、
前記誘導体層が、酸化シリコン膜、および前記酸化シリコン膜中に分散された、粒径0.05μm〜5μmのシリカ粒子を含むガラス膜である、プラズマディスプレイパネル。
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