JPH02270250A - 電子管の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、狭い空隔しか有しない薄型平板型表示装置の
内部で発生するガスを吸着するゲッターを備えた電子管
の製造方法に間する。

従来の技術 近年、平゛板型画像表示装置が盛んに開発されており液
晶デイスプレィ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス
デイスプレィ（ＥＬ）、発光ダイオードデイスプレィ（
ＬＥＤ）等が市場に登場しているが、輝度、解像度、フ
ルカラー化の点でカラーブラウン閏に劣っている。これ
らの問題点を解消したのが平板型表示装置で、画質、フ
ルカラーかの点で充分ブラウン管に匹敵するところまで
開発が進んでいる。

この種の平板型表示装置の構造を、第３図を参照しなが
ら説明する０本平板型表示装置は、熱電子放射を利用し
たものであり、走査線数の半分に水平方向の分離されて
いる垂直走査電極３１により線状カソード３２の電子放
出を画面の上から下へ順次コントロールすることによっ
て垂直偏向を行う。放出された電子ビームは第１グリツ
ド３３゜第２グリツド３４、第３グリツド３５（以下で
は省略してｃｌ、　　Ｇ２、Ｇ３という）によって引き
出切れ第４グリツド３６（以下、Ｇ４という）を通りむ
けた後水平偏向電極３７により水平方向にビームを振り
、ストライブ状にＲ，Ｇ、　　Ｈに塗布された蛍光体を
設けたアノード３８に衝突し所望の色を発光させる。ま
たインターレースは垂直偏向電極３９により行われる。

上記した平板型表示装置のゲッターに間し以下で説明す
る。第４図は、平板型表示装置を構成する電極構体およ
び真空外囲器の拡大斜視図である。

電極構体４１の厚みは約１０ｃｍで、また真空外囲器４
２と電極構体４１の間隔は約２ｃｍである。

この空間にはワイヤーゲッター４３が真空外囲器４２の
側面に対し平行に架張されている。ワイヤーゲッター４
３はケース４３．中にＢａＡｌｎからなるゲッター材料
４３　ｂを設け、真空中で通電して約１０００℃に加熱
することによってＢａが蒸発し、真空外囲器４２の内面
にゲッター膜４４を蒸着し１、　　残留ガスを吸着し真
空外囲器４２内を高真空に保っていた。

：　′　発明が解決しようとする課題 【　　　画像表示装置に用いることができる平板状電子
源として、線状熱陰極を多数本配列し、等価的に平板状
電子源とするもの（例えば蛍光表示管）、またプラズマ
空間より電子源を取り出すプラズマ陰極の大面積化など
が考案開発されているが、平板状電子源として工業的に
実用化の可能性の大きいものの一つとして、１ｃ１１２
あたり１０００万チツプにもおよぶ密度でミクロンサイ
ズのフィールドエミッター（電界放射陰極）を配列し、
実用的に平板状電子源とする５ｐｉｎｄｔのフィールド
エミッションカソードがある。シーヤハカ　テーイスフ
″トイ（ＪＡＰＡＮ　ＤＩＳＰＬＡＹ）　’８６予稿ｐ
　５１２にて発表、その構造を第５図に示す。これはガ
ラスなどの基板５１、コンタクト電極５２、モリブデン
、タングステンなどの高融点金属からなるコーン状のマ
イクロチップ５３．５１０２などからなる絶縁層５４、
及びマイクロチップ５３に対応する位置に閉孔５６を有
するゲートメタル５５で構成され、マイクロチップ５３
とゲート電極５５との間に電圧を印加し、マイクロチッ
プ５３より電子を放射させるものであり、各マイクロチ
ップ５３一つ一つがフィールドエミッターとなる。また
マイクロチップのピッチは約ｌＯミクロン程度であり、
その面密度は１０００万チツプ／Ｃ１１２にも及び、実
質的に平板状電子源とみなすことができる。

次に上記電子源を用いた画像表示装置について説明する
。コンタクト電極５２、ゲート電極５５は各々Ｘおよび
Ｘ方向に分割されており、マトリクスを形成している。

コンタクト電極層５２をＸ方向、ゲート電極５５をＸ方
向に分割しても同様の効果を得ることができる。このマ
トリクスにより、電子ビーム放出のスイッチング、ビー
ム電流密度のコントロールを行う、５７は電子ビームの
衝突により発光する蛍光体５８を有する７ノードであり
、該アノードδ７に、高電圧を印加し、電子ビームを加
速し、アノード５７上に照射することにより、画像表示
を行う。

上記画像表示装置において、面電子源とアノードのギャ
ップは０．１〜１＋＋ｎであり、そのため真空外囲器の
内面の空間の厚みも最大でも１ｍ１１程度になる。従来
電子管内部を高真空に保つためにバリウムゲッターを用
いている。このバリウムゲッターには高周波により加熱
するリングゲッターと通電により加熱するワイヤーゲッ
ターがある。これらのゲッターの厚みは、１１以上あり
、真空外囲器内に入らない、また、薄くしたとしてもゲ
ッターフラッシュ時にはゲッターの温度は約１０００℃
になり、その輻射熱でガラスからなる真空外囲器が割れ
易いという課題を有していた。

本発明は上記課題に鑑み、狭い空間においても放出され
たガスを速やかに吸着するためにゲッター膜を設け、管
内を高真空に保ち長寿命の電子管の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。

課題を解決するための手段 ゲッター材となるＢａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａあるいは、そ
の合金からなる線、板材、薄膜を真空外囲器内に設け、
真空排気中あるいは排気後にゲッター材を陰極とするよ
うな放電を発生させる。

作用 ゲッター材を陰極として放電させることによりゲッター
材を構成している原子がイオン化し、外囲器の対向面や
電極構体にゲッター膜を構成することにより、真空外囲
器内に存在する残留ガスを吸着し、管内を高真空に保つ
。

実施例 以下、本発明の実施例の電子管の製造方法を図面を参照
しながら説明する。

第１図（ａ）は本発明の一実施例における真空外囲器の
部分斜視図である（第１（ａ’）参Ｎ）。

背面基板ｌ上にはゲッター材料２が、フェースプレート
３に形成されている蛍光面のメタルバック４と対向する
ように設けられている。本実施例ではゲッター材料２と
してＢａＡＬを用い、プラズマ溶射により形成しており
、その厚さは約１００μｍである。第１図（ｂ）に示す
断面図を用いてゲッター膜５の形成方法を以下で説明す
る。フェースプレート３と背面基板ｌの間隔は１ｌｌｌ
Ｉであり、ゲッター材料２を接地し対向しているメタル
バック４に１ｋＶ以上印加するとゲッター材料２が電界
放射をおこし放電が発生する。この時同時にゲッター材
料であるＢ　ａ　Ａ　Ｉ　ａがプラズマ化し、イオンが
対向しているメタルバックに衝突しゲッター膜５を形成
する。ゲッター膜５はＢａ、ＡＩあるいはそれらの合金
からなり、Ｂａの膜が残留ガスを吸着し真空外１Ｍ器内
を高真空に保つ、また第１図（ｃ）に示すようにゲッタ
ー材料２を直接背面基板１上に形成せずに、金属あるい
は絶縁物からなる下地６上に形成しても同様の効果を得
ることができる。

第２図（ａ）は本発明の別の実施例を示す真空外囲器の
部分斜視図である。第１の実施例と同様に背面基板２１
にゲッター材料２２を形成することは変わらない、真空
外囲器外部には放電発生電極２３が設けられている。ゲ
ッター材料２２は接地し、放電発生電極２３に電圧を印
加するとゲッター材０２２は放電を開始する。放電発生
電極２３はゲッター膜２４を形成した後、とり外すこと
ができる。以上のように構成することによって真空外囲
器の外部からも電圧を印加して放電を発生させ、ゲッタ
ー膜２４を形成することができる。

また第２図（ｂ）に示すように、放電発生電極２４を移
動させることにより、プラズマ化したイオンの対向面へ
の衝突位置をかえることによって、ゲッター膜２４の面
積を拡大できる。

以上のようにゲッター材料を陰極とし、真空外囲器内部
あるいは外部から電界印加手段を用いることによって、
電界を加え、放電を発生させることにより、真空外囲器
内に存在する残留ガスを吸着し高真空に保つゲッター膜
を、真空外囲器を損傷することなく形成することができ
る０本実施例ではゲッター材料としてＢ　ａ　Ａ　ｌ　
ｍを用いて説明したが、ほかにＴｉ、Ｚｒｓ　　Ｔａ等
の金属単体や、Ｂａ。

Ｔｉ、　　Ｚｒ、Ｔａを少なくとも一つは含む合金ある
いは化合物でも同様の効果を発揮する。また電界の発生
方法は、ゲッター材料が陰極として働けば、ゲッター材
料は接地する必要はなく、電場もＤＣ的、ＡＣ的あるい
はパルス状でも効果に変わりないのはいうまでもない。

またゲッター材料の形成法として、プラズマ溶射のほか
、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングな
どの薄膜形成法あるいはスクリーン印刷、圧着などの厚
膜形成法を用いてもよい。

発明の効果 本発明は、ゲッター材料をカソードとなるように電界を
印加して放電を発生させゲッター材料を加熱することな
しに、その周辺や対向面にゲッター膜を形成することに
より、狭い空隔しかない電子管においても真空外囲器の
損傷を与えることなく高真空を保持するとかことが可能
になり、歩留まりも向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（Ｃ）は本発明の一実施例における電
子管の製造方法における真空外囲器の部分斜視図、第１
図（ｂ）は同真空外囲器の断面図、第２図（ａ）は同発
明の別の実施例を示す真空外囲器の部分斜視図、第２図
（ｂ）は同真空外囲器の断面図、第３図は従来の平板型
表示装置の分解断面図、第４図は従来の電極構体と真空
外囲器の部分断面図、第５図は従来の平板状電子源の部
分斜視図である。 ｌ、２１・・・背面基板、２．２２・・・ゲッター材料
、５．２４・・・ゲッター膜、２３０・放電発生電極。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝はか１名Ｗ４２　図　
　　　　　　　（１１＞ 礪３図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空外囲器内に電極とゲッター材料を封入してい
   る電子管の製造方法において、真空排気工程中あるいは
   工程後に、前記ゲッター材料が陰極となるように電界を
   印加し、放電を発生することによりゲッター膜を設ける
   ことを特徴とする電子管の製造方法。
2. （２）ゲッター材料が、Ｂａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａの単体
   、あるいは前記単体のうち少なくとも一つを含む合金あ
   るいは化合物からなることを特徴とする請求項１記載の
   電子管の製造方法。
3. （３）ゲッター材料を陰極として電界を印加する手段と
   して、前記真空外囲器の外部より電圧を印加する電界印
   加手段を用いることを特徴とする請求項１記載の電子管
   の製造方法。
4. （４）電界印加手段の位置を変更し、電界を変え電圧を
   印加することを特徴とする請求項３記載の電子管の製造
   方法。