JP3198362B2

JP3198362B2 - 電子放出素子及び画像形成装置

Info

Publication number: JP3198362B2
Application number: JP3245293A
Authority: JP
Inventors: 俊彦武田; 英俊鱸; 康弘浜元; 一郎野村; 久美岩井; 嘉和坂野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-01-29
Filing date: 1993-01-29
Publication date: 2001-08-13
Anticipated expiration: 2016-08-13
Also published as: JPH06231674A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子放出素子及び該素子
を用いた画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、実用に供されてきた電子線発生源
としては、加熱によって電子線を発生する熱陰極が知ら
れている。このような熱陰極を利用した電子線発生装置
は、加熱によるエネルギーロスが大きい点、及び、予備
加熱にかなりの時間とエネルギーを要する点や熱による
系の不安定化等の問題点があった。

【０００３】そこで、加熱によらない電子放出素子の研
究が進められており、その中のひとつに電界放出型（Ｆ
Ｅ型）の電子放出素子がある。図８は、従来の電界放出
型電子放出素子の概略的構成図である。

【０００４】同図に示すように、従来の電界放出型電子
放出素子は、放出素子を形成する構成基板１８１上に、
強電界を得るために先端を鋭く尖らせた陰極チップ１８
２と、基板１８１上に絶縁性材料からなる絶縁層１８３
を介して設けられ、かつ陰極チップ１８２の先端部を中
心として概円形状の開口部が形成されたグリッド電極１
８４とから構成され、陰極チップ１８２とグリッド電極
１８４との間に、グリッド電極１８４を高電位とする電
圧を印加し、電界強度の大きくなる陰極チップ１８２の
先端部から電子を放出させるものである。

【０００５】また、従来の電界放出型電子放出素子のひ
とつとして、特公昭４６−２０９４４号公報に開示され
ているように、トンネル効果と二次電子放出を利用した
いわゆる横形電界放出素子が知られている。

【０００６】図９はその従来の横形電界放出型素子の構
成図である。同図に示すように、従来の横形素子は、絶
縁性基板１９１と、該絶縁性基板１９１上に設けられた
先端が突出した突端部１９２を有する電子放出電極部１
９３と突端部１９２に対向した二次電子放出電極１９４
により構成され、突端部１９２と二次電子放出電極１９
４との間に電圧を印加し、強電界を生じせしめて突端部
１９２の先端から電子放出を起こさせる。次に突端部１
９２から放出された電子は二次電子放出電極１９４に衝
突して多量の二次電子を放出する。この多量に放出され
る二次電子をアノード電極（不図示）によって引き出
し、電子線として応用するものである。

【０００７】また、従来より、面状に展開した複数の電
子放出素子と、この電子放出素子から放出された電子線
の照射を各々受ける蛍光体ターゲットとを各々相対向さ
せた薄型の画像形成装置が存在する。これらの電子線を
用いた画像形成装置は基本的に次のような構造からな
る。

【０００８】図１０は従来のディスプレイ装置の概略を
示すものである。２０１は基板、２０２は支持体、２０
３は素子配線電極、２０４は電子放出部、２０５は電子
通過孔、２０６は変調電極、２０７はガラス板、２０８
は画像形成部材で、例えば蛍光体、レジスト材等、電子
が衝突することにより発光、変色、帯電、変質等する部
材からなる。２０９は蛍光体の輝点である。

【０００９】ここで、電子放出部２０４は薄膜技術によ
り形成され、ガラス基板２０１とは接触することのない
中空構造をなすものである。配線電極２０３は電子放出
部材と同一の材料を用いて形成しても、別材料を用いて
形成しても良く、一般に融点が高く、電気抵抗の小さい
ものが用いられる。支持体２０２は絶縁性材料もしくは
導電性材料で形成されている。

【００１０】これら電子線ディスプレイ装置は、配線電
極２０３に電圧を印加し、中空構造をなす電子放出部よ
り電子を放出させ、これら放出された電子線を情報信号
に応じて変調する変調電極２０６に電圧を印加すること
により電子を取り出し、取り出した電子を加速させ、蛍
光体２０８に衝突させるものである。また、配線電極２
０３と変調電極２０６でＸＹマトリクスを形成せしめ、
画像形成部材たる蛍光体２０８上に画像表示を行うもの
である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た図９に示す従来の電界放出と二次電子放出を複合した
横形電子放出素子においては、該電界放出型電子放出素
子から放出された電子が二次電子放出電極に衝突して発
生する二次電子を利用するため、従来型の電界放出と二
次電子放出を複合した電子放出素子の効率は二次電子の
放出効率によって支配される。しかし、二次電子放出効
率の高い材料を用いても、二次電子を有効に放出させる
ために必要な一次電子のエネルギーは数百ボルトであ
り、一次電子を放出する突起状の電極と二次電子放出電
極との間に数百ボルトの電圧を印加する必要があるた
め、突起状電極には極めて大きな電界が集中することに
なる。

【００１２】一方、上述した図８に示す従来の電界放出
型電子放出素子は、電子放出部先端の曲率半径を少なく
とも数百Å程度と極めて微小に形成することが必要であ
り、この電子放出部先端の機械的な強度は極めて弱いた
め、従来は機械的、熱的に強靭な材料を用いて形成され
ていた。しかし、素子駆動時の電界集中および放出電流
の集中により電子放出部先端は極めて不安定であり、不
慮の放電等により容易に電子放出部の破壊が発生する。
従って、電子放出部先端に印加される電圧を極力小さく
することが電界放出型電子放出素子を安定に動作させる
ひとつの手段である。これは電界放出と二次電子放出を
複合した電子放出素子においても同様であり、前記素子
を安定動作させるためには、二次電子放出電極の印加電
圧を小さくすることが必要条件である。しかるに、二次
電子放出電極に印加する電圧を低下させることは、二次
電子放出効率をもまた低下させるため、電子放出効率の
向上と安定動作を両立させることは極めて困難であっ
た。

【００１３】また、電界放出型電子放出素子は前述した
ように極めて微小な先端を有する突起状の電極を用いて
おり、この微小な曲率半径を有する電子放出部の先端形
状によって電子放出素子の特性、性能が支配される。し
たがって、一般的には電界放出型電子放出素子を作製す
る場合には、あらかじめ針状に形成した放出素子の先端
を更に電解研磨を行い、その後にリモルディングを行う
等の工程が必要であるが、この工程は多くの手間を要す
と共に極めて煩雑であり、さらに経験的な要素を多く含
んでいる。それ故に、機械化が難しく、製造条件にバラ
ツキを生じやすく、品質が安定しない等の問題点があっ
たため、一部を除いて、実用化されてはいなかった。更
にまた、上記複雑且つ煩雑な処理を必要とするため、従
来型の電界放出型電子放出素子を複数用いた装置は実現
されてはいなかった。

【００１４】また、上述した電界放出型素子と二次電子
放出を組み合わせた放出素子においても、前記と同様の
問題点を有していた。

【００１５】一方、面状に展開した電子線発生装置と、
電子線の照射によって発光、変質等をする画像形成部材
からなる画像形成装置が考えられているが、この画像形
成装置の電子源として上記電界放出型電子放出素子は個
々の電子放出素子の特性を均一にすることが困難であ
り、更に電子放出させるためには１００Ｖ以上の高い電
圧を必要とするため、画像形成装置への応用は実現され
てはいない。また、電界放出と二次電子放出を複合した
電子放出素子においても上述のように効率よく電子放出
させるために必要な電圧が数百ボルトと極めて高くなる
ため画像形成装置への応用は実現されてはいない。

【００１６】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、安定かつ再現性よく製造
可能であり、かつ低電圧駆動可能な電子放出素子を提供
することを目的とし、更にまたマルチ化への応用を可能
とする電子放出素子を提供することを目的とするもので
ある。

【００１７】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は上記課
題を解決するためになされたものであり、少なくとも、
概略平面性基板と、該基板上に設けられた突起部を有す
る電子放出電極と、該突起部に近接し且つ相対向する位
置に設けられた引き出し電極とからなり、該突起部と該
引き出し電極とが同一平面上に配置された横形電界放出
型電子放出素子において、該引き出し電極表面は、そ
の表面が導電性材料からなる直径５００Å以下の超微粒
子で被覆されているか、又は、その内部に、導電性材
料からなる直径５００Å以下の超微粒子を含有し、且つ
該引き出し電極表面に前記超微粒子の少なくとも一部が
露出している、ことを特徴とする電子放出素子を提供す
るものである。以下において「電子放出素子Ａ」はこの
発明の電子放出素子を意味する。

【００１８】更に本発明は、真空容器内に、少なくとも
上記電子放出素子Ａを複数配置した面状電子源と、該電
子源から放出された電子の照射により画像を形成する画
像形成部材とを設けた画像形成装置に関するものであ
る。

【００１９】＜構成＞電界放出型電子放出素子と二次電子放出を複合したいわ
ゆる横形電子放出素子は、電子放出部と二次電子放出電
極との間に数百ボルトの電圧を印加し、電子放出素子か
ら放出される電子を二次電子放出電極に印加された電圧
により加速し、加速された電子線を二次電子放出電極に
衝突させることによって発生した二次電子を放出電子線
として用いるものである。

【００２０】従って、電子放出部から電子を引き出す機
構は従来の電界効果を用いた電子放出素子と同様である
が、電子放出部から引き出した電子を二次電子放出電極
に衝突させ、二次電子を発生させる機構を具備するとこ
ろが異なり、この二次電子を発生させるためには通常数
百ボルト程度の電圧が必要となり、素子駆動電圧の上
昇、高電圧印加による電子放出部先端の破壊等不安定化
の原因となっている。

【００２１】そこで、本発明（電子放出素子Ａ）では従
来の電界放出型電子放出素子に相対向する引き出し電極
表面に超微粒子からなる不連続膜を設け、その超微粒子
に放出された電子線を衝突させることで効率よく電子を
取り出すことを可能とするものである。具体的には、引
き出し電極表面に、電子の平均自由行程と同等の半径を
有する超微粒子膜を設けておき、その引き出し電極に適
当な電圧を印加して電子放出部から電子を引き出すもの
である。従来の素子では、電子放出部から放出された電
子は引き出し電極に吸い取られるだけであるが、本発明
（電子放出素子Ａ）による超微粒子を引き出し電極上に
設けておくことで、超微粒子に衝突した電子の一部は向
きを変え、引き出し電極に吸い取られることなく真空中
を進行し、有効な電子線として活用することができる。

【００２２】本発明の電子放出素子Ａにおいて用いられ
る超微粒子は、半径が電子の平均自由行程と同等程度の
ものが理想的であり、具体的には１００Å以下程度の超
微粒子が最適であるが、これに限定されるものではなく
効率の低下はあるものの更に大きな半径（具体的には５
００Å以下）を有する微粒子もまた適用可能である。ま
た、適用できる超微粒子材料としてはＰｄ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｔｉ等の金属材料、ＰｄＯ，ＳｎＯ₂等の酸化物導
電体等の超微粒子であればいかなるものを用いてもよ
い。また、その形成方法は、有機金属溶液の分散塗布、
焼成やガスデポジション法等の都合の良い方法によって
形成すれば良い。

【００２３】本発明の電子放出素子Ａの主たる特徴であ
る引き出し電極表面に付設する超微粒子は、電極表面に
超微粒子が露出していることが必要条件である。従って
本発明における超微粒子は引き出し電極表面にのみ付設
するだけではなく引き出し電極内部に含有していても、
その一部が電極表面に露出していれば同等の効果があ
る。

【００２４】また、突起部と引き出し電極との距離は、
０．１μｍ〜１００μｍが好ましく、引出し電極側に印
加される電圧に応じて適宜決定される。

【００２５】本発明の電子放出素子Ａの電子放出電極及
び引き出し電極に応用される材料としては、タングステ
ン、モリブデン、タンタル、チタン、炭素等の高融点金
属材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ等の金属炭化物、Ｌａ
Ｂ₆，ＳｍＢ₆，ＧｄＢ₆等の金属ホウ化物、ＷＳｉ₂，Ｚ
ｒＳｉ₂，ＧｄＳｉ₂，ＴｉＳｉ₂等の金属シリサイド、
ＳｎＯ₂，ＩＴＯ等の半導体酸化物等が挙げられる。

【００２６】〈作用〉上記電子放出素子Ａの構成によれば、引き出し電極表面
に配置された超微粒子によって、引き出し電極に衝突し
た電子が容易にその進行方向を変え、引き出し電極に取
り込まれる電子の数が減少するため、電子放出効率が向
上する。また、従来の二次電子放出を応用した電子放出
素子に比べ低電圧での素子駆動が可能となる。さらに、
低電圧駆動が可能となるため、残留ガスのイオン化によ
って起こる電子放出部表面のスパッタリングによる損傷
が避けられるため、放出電流の安定化と共に長寿命化が
可能となる。

【００２７】また、引き出し電極上の極めて微小な超微
粒子が電子放出効率を決めるため、従来型の二次電子放
出を応用した素子よりも引き出し電極の材料選択範囲が
広がる。更にまた、均一な粒径の超微粒子を設けること
で、放出電流が安定化するとともに、個々の放出素子の
電気的特性が均一になるため素子ごとの放出電流の均一
性が向上し、線状、面状の電子放出素子を実現できる。

【００２８】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。

【００２９】実施例１図１は本発明の電子放出素子Ａの一実施形態を示す概略
的部分斜視図である。同図に示すように、絶縁性基板１
１上に通常の真空蒸着技術とフォトリソグラフィー技術
を用いてタングステンからなる突起部１２を有する電子
放出電極１３と突起部１２に強電界を発生させ、電子を
引き出すための引き出し電極１４を形成した。突起部１
２の先端は通常の横形電子放出素子と同等の形状であ
り、先端の半径はほぼ数百Åとした。次に引き出し電極
１４表面に本発明の特徴である超微粒子膜１５を形成し
た。本実施例ではパラジウムを超微粒子材料として用い
ており、その形成方法としては有機パラジウム化合物を
含む有機溶媒を回転塗布した後、大気中で焼成を行い、
超微粒子化するという手法を用いた。こうして得られた
超微粒子の粒径はほぼ５０Å程度、ほぼ１層の超微粒子
膜となっていた。また、突起部１２の先端と引き出し電
極との距離は２μｍである。

【００３０】こうして得られた電子放出素子をほぼ１×
１０^-7ｔｏｒｒの真空度に保たれた真空容器中に入れ、
電子放出部の鉛直上方５ｍｍの位置に直流電圧１ｋＶを
印加したアノード電極を設け、電子放出電極１３をアー
ス電位、引き出し電極１４に１ｋＨｚ、７０Ｖの三角波
電圧を印加して電子放出させたところ、アノード電極に
ピーク電流で１μＡの放出電流が測定された。この時の
電子放出電極１３と引き出し電極１４の間に流れた電流
は１ｍＡであった。

【００３１】また、このときの放出電流の経時変化を測
定したところ、１×１０^-7ｔｏｒｒ程度の真空中でも放
出電流の変動は全放出電流の５％以内、５００時間以上
の素子寿命が確認された。

【００３２】比較例１実施例１で作製した電子放出素子において、引き出し電
極１４の電極表面にＰｄ超微粒子を付設しない素子を同
様の条件下で電子放出させたところ、数ｎＡから十数ｎ
Ａ程度の放出電流しか得られなかった。

【００３３】また、引き出し電極表面に、超微粒子の代
わりに二次電子放出効率の高いアルミニウム薄膜を付設
し、上記と同様の実験を行ったところ、印加電圧が１０
０Ｖ程度では数ｎＡ程度の放出電流しか得られなかった
が、印加電圧を２００Ｖ以上にしたところ急激な電流上
昇が見られた。しかるに、放出電流の増加と共に電流の
変動も大きくなり最終的には素子破壊が起こり、安定な
電子放出が得られなかった。

【００３４】実施例２図２に第２の実施例で作製した電界放出型電子放出素子
Ａの概略的部分斜視図を、図３にａ−ａ断面図を示す。

【００３５】絶縁性基板２１，３１上に実施例１同様タ
ングステンを用いた電子放出電極２３，３３を形成した
後、Ｐｄ超微粒子２５，３５を含有する導電性Ｓｉを用
いた引き出し電極２４，３４を形成し、電子放出素子を
完成した。本実施例では、本発明の特徴である超微粒子
は引き出し電極２４，３４中に含有されると共に、引き
出し電極２４，３４表面にも露出している。

【００３６】こうして得られた電子放出素子をほぼ１×
１０^-7ｔｏｒｒ程度の真空に保たれた真空容器中に入
れ、電子放出電極２３をアース電位、引き出し電極２４
を＋５０Ｖとすることによって電子放出が確認された。
また、グリッド電圧を＋７０Ｖとした場合に、ほぼ１μ
Ａの放出電流が確認された。

【００３７】また、このときの放出電流の経時変化を測
定したところ、１×１０^-7ｔｏｒｒの真空中でも実施例
１と同様に、放出電流の変動は全放出電流の５％以内で
あった。更に直流駆動による素子寿命も実施例１で作製
した電子放出素子とほぼ同等であり、本発明による超微
粒子が引き出し電極内部に含有されていてもその一部が
表面に露出されていれば、同様の効果を有していること
が示された。

【００３８】実施例３図４は本発明の電子放出素子Ａの第３の実施例を示す概
略的部分構成図であり、図５は図４ａ−ａ断面図であ
る。同図において、４１、５１は絶縁性ガラス基板、４
２、５２は電子放出部、４３、５３は電子放出電極、４
４、５４は引き出し電極、４５、５５は本発明の特徴で
ある超微粒子である。本実施例では、引き出し電極４４
の断面形状を図５に図示したごとく、電子放出電極５３
の電子放出部５２に対向する側をテーパー状に加工した
うえで超微粒子を付設したものであり、素子を構成する
部品の材料は実施例１と同様である。

【００３９】また、引き出し電極をテーパー状に形成す
るため電子放出部先端に生じる電界強度は実施例１で示
した素子に比べて減少するため、電子放出部と引き出し
電極の距離を１μｍとした。

【００４０】こうして得られた素子を実施例１と同様の
条件下で電子放出させたところ、ほぼ５μＡの放出電流
が得られ、電子放出効率もまた向上した。

【００４１】実施例４図６は本発明の電子放出素子Ａを用いた第４の実施例を
示す概略的部分断面図である。同図において、６１は導
電性のシリコン基板、６２は通常の半導体プロセスを応
用して作製した電子放出部、６３は電子放出部に導通を
取るための電極部分、６４は引き出し電極、６５は本発
明の特徴である超微粒子、６６は絶縁層である。本素子
においては、より多くの放出電流を得るために電子放出
部６２の上面形状を円形とし、放出部の実効長を長くす
るという手法を用いているとともに引き出し電極６４の
断面形状を図示したように実施例３と同様にテーパー状
の加工を施している。

【００４２】上記構成を用いることで、放出電流の増大
と共に放出電流の安定化も促進され、極めて再現性の良
い電子放出素子が得られた。更にまた、電極部６３と引
き出し電極６４が積層構造にできるため素子の高密度配
置に適した電子放出素子が得られた。

【００４３】実施例５図７は、本発明の電子放出素子Ａを用いた画像形成装置
の一実施形態を示す概略的斜視図である。同図におい
て、面状に展開した電子放出素子部分は、実施例４で作
製した電子放出素子を複数配列したものである。

【００４４】同図において、７１は導電性基板、７２は
電界放出型電子放出部、７４は引き出し電極、７６は絶
縁層、７７は電子線の変調を行うグリッド電極、７８は
電子通過孔、７９はメタルバック、７１０は蛍光体、７
１１はガラス基板、７１２は蛍光体の発光輝点である。
また、図中不図示ではあるが引き出し電極７４の表面に
は本発明の特徴である超微粒子が付設されている。

【００４５】本実施例の画像形成装置は、導電性基板７
１をアース電位とし、引き出し電極７４に＋５０〜＋７
０Ｖの電圧を印加することにより、電子放出部７２から
放出させた電子を引き出し電極７４に衝突させ、そこで
発生した電子線を５００〜１０００Ｖを印加した蛍光体
に加速、衝突させて画像を形成するものである。また、
本画像形成装置は当然ながら真空度１×１０^-6〜１×１
０^-7ｔｏｒｒの環境下にて動作するものである。

【００４６】本実施例の電子放出素子を用いた画像形成
装置では、以下の結果が得られた。

【００４７】（１）本実施例では、低電圧によって素子
駆動が可能となり、イオンによる電子放出素子へのダメ
ージが少なくなるため、長寿命化、発光の均一化が図ら
れた。

【００４８】（２）電子放出部の実効長を長くすること
が可能となるため、低い素子駆動電圧で必要十分な放出
電流が得られる。

【００４９】以上、本実施例は画像形成装置についての
み説明したが、画像形成部材としては、蛍光体のほかに
レジスト材や薄膜金属のような、電子線の照射によって
状態が変化するすべての部材が含まれ、電子線応用装置
としては、記録装置、記憶装置、電子線描画装置等のさ
まざまな装置があり、本発明は電子放出素子が複数配置
された面状電子源を用いた画像形成装置であれば同等の
効果がある。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように電子放出素子の引き
出し電極表面に超微粒子を付設する、あるいは引き出し
電極内部に超微粒子を含有することにより以下の効果が
ある。

【００５１】（１）超微粒子の付加により電子放出素子
の素子駆動電圧を低減することができる。

【００５２】（２）超微粒子の付加によって、安定かつ
再現性の良い電子放出素子を提供できる。

【００５３】（３）超微粒子の付加によって、放出電流
を安定化できる。

【００５４】（４）電界放出型素子の、マルチ化、面状
配置化を可能とする。

【００５５】（５）電界放出型素子の画像形成装置への
応用を可能とし、均一な画像表示を行う画像形成装置を
提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子放出素子Ａの特徴を示す電子放出
素子の構成図である。

【図２】本発明の電子放出素子Ａの第２の実施例を示す
図である。

【図３】図２のａ−ａ断面図である。

【図４】本発明の電子放出素子Ａの第３の実施例を示す
図である。

【図５】図４のａ−ａ断面図である。

【図６】本発明の電子放出素子Ａの第４の実施例を示す
図である。

【図７】本発明の電子放出素子Ａを用いた画像形成装置
の構成図である。

【図８】従来型の電界放出型電子放出素子の構成図であ
る。

【図９】従来型の平面型電子放出素子の構成図である。

【図１０】従来型電子源を用いた画像形成装置の構成図
である。

【符号の説明】

１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，１８１，
１９１，２０１素子形成基板１２，２２，３２，４２，５２，６２，７２，１８２，
１９２，２０４電子放出部１３，２３，３３，４３，５３，６３，１９３電子放
出電極１４，２４，３４，４４，５４，６４，７４，１９４
放出部に対向する引き出し電極１５，２５，３５，４５，５５，６５超微粒子７８，２０５電子通過孔７７，１８４，２０６グリッド電極６６，７６，１８３絶縁層７１０，２０８蛍光体７９メタルバック７１１，２０７ガラス基板７１２，２０９発光輝点２０２支持体２０３素子配線電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者野村一郎東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者岩井久美東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者坂野嘉和東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (56)参考文献特開平３−46729（ＪＰ，Ａ) 特開平６−196086（ＪＰ，Ａ) 米国特許5141460（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 1/304 H01J 9/02 H01J 29/04 H01J 31/12

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、概略平面性基板と、該基板
上に設けられた突起部を有する電子放出電極と、該突起
部に近接し且つ相対向する位置に設けられた引き出し電
極とからなり、該突起部と該引き出し電極とが同一平面
上に配置された横形電界放出型電子放出素子において、
該引き出し電極表面が、導電性材料からなる直径５００
Å以下の超微粒子で被覆されていることを特徴とする電
子放出素子。
【請求項２】前記電子放出電極と、前記引き出し電極
との間に電圧を印加するための電圧印加手段をさらに有
することを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】少なくとも、概略平面性基板と、該基板
上に設けられた突起部を有する電子放出電極と、該突起
部に近接し且つ相対向する位置に設けられた引き出し電
極とからなり、該突起部と該引き出し電極とが同一平面
上に配置された横形電界放出型電子放出素子において、
該引き出し電極内部に、導電性材料からなる直径５００
Å以下の超微粒子を含有し、且つ該引き出し電極表面に
該超微粒子の少なくとも一部が露出していることを特徴
とする電子放出素子。
【請求項４】前記電子放出電極と、前記引き出し電極
との間に電圧を印加するための電圧印加手段をさらに有
することを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】真空容器内に、少なくとも請求項１乃至
４のいずれかに記載の電子放出素子を複数配置した面状
電子源と、該電子源から放出された電子の照射により画
像を形成する画像形成部材とを設けたことを特徴とする
画像形成装置。