JPH06158311A

JPH06158311A - スパッタリング装置

Info

Publication number: JPH06158311A
Application number: JP31201992A
Authority: JP
Inventors: Masahide Kubo; 雅英久保
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 1992-11-20
Filing date: 1992-11-20
Publication date: 1994-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】スパッタリング装置において、ターゲットの
局部的な削減をなくすことによりターゲット材料の利用
効率を高め、さらに基板上の成膜の膜厚分布を均一とす
る。【構成】スパッタリング装置を、基板Ｂ１〜Ｂ３を支
持し回転させる基板ホルダＢＨ１〜ＢＨ３と、基板Ｂ１
〜Ｂ３と対向して配置される複数のターゲットＴ１〜Ｔ
３と、複数のターゲットＴ１〜Ｔ３に対して基板Ｂ１〜
Ｂ３と反対側の位置に設けられる複数の磁石Ｍ１〜Ｍ３
とによってマグネトロンスパッタリング装置を構成し、
複数のターゲットＴ１〜Ｔ３に対する複数の磁石Ｍ１〜
Ｍ３の配置位置をそれぞれ異ならせて、エロージョン領
域Ａ１〜Ａ３の均一化を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板上に薄膜を形成する装置とし
てスパッタリング装置が知られている。このスパッタリ
ング装置は、例えばアルゴンガス等の所定のガスを導入
した成膜室内において、基板とターゲットの間に電圧を
印加してグロー放電を起こし、そこで生じるアルゴンイ
オン等のガスイオンを陰極であるターゲットに衝突さ
せ、その衝突によりスパッタされて放出されたターゲッ
トの粒子を陽極である基板表面に堆積させることにより
薄膜を形成させるものである。

【０００３】そして、このスパッタリング装置の一方式
としてマグネトロンスパッタリング装置がある。このマ
グネトロンスパッタリング装置は、基板の温度上昇が小
さく、また成膜の処理速度が速いという特徴を持つてい
る。以下、従来のマグネトロンスパッタリング装置につ
いて説明する。図７は、従来の円板型マグネトロンスパ
ッタリング装置の斜視図であり、図８は従来の角板型マ
グネトロンスパッタリング装置の斜視図であり、また図
９は従来のマグネトロンスパッタリング装置の断面構成
図である。

【０００４】図７、図８及び図９において、Ｈは磁界、
Ａはエロージョン領域、Ｅは電界、Ｍは磁石、Ｐは電子
の軌道、Ｔはターゲットである。一般に、放電空間にお
いて電界と直交する成分を持つ磁界を発生させると、そ
空間にある電子は電界と磁界に直交する方向にドリフト
運動を行う。そして、この磁界の分布を閉じたものとす
ると、このドリフト運動を行う電子の軌跡は一つの無終
端の閉じた経路を形成する。マグネトロンスパッタリン
グ装置は、ターゲットと磁石とからなるターゲット電極
の構造として、このようないわゆるマグネトロン放電を
利用するものであり、発生するプラズマをターゲットの
近傍に閉じ込め、スパッタ効率を高めて堆積のスループ
ットを向上させ、処理速度を高めるものである。

【０００５】図７の円板型マグネトロンスパッタリング
装置は、円板状のターゲットＴを成膜が行われる基板
（図示していない）に対向して配置し、さらに円筒状の
磁石ＭをターゲットＴの基板に面している側と反対側に
配置している。そして、このターゲットＴと磁石Ｍの構
成によってターゲット電極を構成している。この円筒状
の磁石Ｍは、ターゲットＴの基板に面している側の面付
近に磁石Ｍの形状に沿った分布をとる磁界Ｈを発生さ
せ、この磁界ＨとターゲットＴに印加される電位によっ
て発生する電界Ｅとの相互作用により閉じた環状の電子
の起動Ｐを形成する。前記のような電子の起動Ｐによ
り、プラズマはターゲットＴの近傍に閉じ込められた状
態となり、その部分のターゲットＴの電力密度を増大し
て、スパッタ効率を高めることができる。

【０００６】また、図８の角板型マグネトロンスパッタ
リング装置は、図７に示す前記円板型マグネトロンスパ
ッタリング装置の円板状の形状を角板状としたものであ
り、角板状のターゲットＴを基板（図示していない）に
対向して配置し、さらに角板状の磁石ＭをターゲットＴ
の基板に面している側と反対側に配置している。そし
て、このターゲットＴと磁石Ｍの構成によってターゲッ
ト電極を構成している。

【０００７】前記円板型マグネトロンスパッタリング装
置と同様に、この磁石ＭはターゲットＴの基板と面して
いる側の面付近に磁石Ｍの形状に沿った分布をとる磁界
Ｈを発生させ、ターゲットＴに印加される電位によって
発生する電界Ｅとの相互作用により電子の閉じた経路を
形成して、ターゲット近傍にプラズマを閉じ込め、その
部分のターゲットＴの電力密度を増大してスパッタ効率
を高めている。

【０００８】そして、図９において、例えば成膜室内の
ガスをアルゴンガスとしターゲットＴをアルミニウムと
した場合には、印加した電圧によって基板Ｂとターゲッ
トＴの間にグロー放電が発生し、そこで生じるアルゴン
イオンのガスイオンは陰極であるターゲットＴに衝突す
る。この衝突によりターゲットＴのアルミニウムはスパ
ッタされ、アルミニウムの粒子を陽極である基板Ｂの表
面に堆積させる。この堆積によって薄膜が形成される。
このとき、ターゲットＴの裏面に配置された磁石Ｍによ
って、グロー放電の生じている空間のターゲットＴの近
傍に磁界Ｈが発生する。この磁界Ｈと、基板Ｂとターゲ
ットＴの間に印加した電圧により発生する電界によって
高密度のプラズマが作りだされる。

【０００９】また、一般に大量の基板の成膜処理を行う
ためにターゲットに対して基板を回転させる構成がとら
れる。図１０のカルーセル型のスパッタリング装置の斜
視図は、この構成を示すものである。図１０に示すカル
ーセル型のスパッタリング装置は、回転ドラム型の基板
ホルダＢＨの外周に多数の基板Ｂを設けており、その基
板Ｂの面に対して間隔を開けて複数個のターゲットＴを
配置し、この回転ドラム型の基板ホルダＢＨをターゲッ
トＴに対して回転させることにより多数の基板Ｂの処理
を行うものである。

【００１０】また、例えば薄膜ヘッドの製造に利用する
場合、半導体などに比べて厚い膜を要求されるため、成
膜の処理速度を向上させるために同材質のターゲットを
複数個配置して処理速度を高めるといった構成がとられ
る。図１１の平行平板型のスパッタリング装置の斜視図
は、この構成を示すものである。図１１に示す平行平板
型のスパッタリング装置は、基板Ｂを円板状の基板ホル
ダＢＨに設置し、この基板Ｂと間隔を開けて対向配置さ
れた複数の同材質のターゲットＴによってスパッタリン
グを行うものである。そして、この基板ホルダＢＨを回
転させることによって基板ＢをターゲットＴに対して回
転させ、処理速度を向上させることができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
従来のマグネトロンスパッタリング装置においては、以
下の問題点を有している。（１）ターゲットが局部的に削られるため、材料の利用
効率が悪い。（２）一様な膜厚分布が得られない。

【００１２】以下、前記問題点について説明する。はじ
めに、問題点の（１）について説明する。前記したよう
に、従来一般的に用いられるマグネトロンスパッタリン
グ装置においては、閉じた磁界によって電子をターゲッ
トの近傍にトラップし、気体を高密度にイオン化するこ
とによって成膜速度を高めているが、このことは、ター
ゲット上においてスパッタリングの頻度の高い部分と低
い部分を発生することになる。

【００１３】図１２の従来のスパッタリング装置のエロ
ージョン領域図において、基板ホルダＢＨ１〜ＢＨ３上
に支持された基板Ｂ１〜Ｂ３に対して、ターゲットＴ１
〜Ｔ３と磁石Ｍ１〜Ｍ３により構成されるターゲット電
極によってスパッタリングが行われる。そして、ターゲ
ットＴ１と磁石Ｍ１、ターゲットＴ２と磁石Ｍ２、及び
ターゲットＴ３と磁石Ｍ３はそれぞれターゲットＴ１〜
Ｔ３に対する磁石Ｍ１〜Ｍ３の位置関係を変えない状態
で、基板Ｂ１〜基板Ｂ３に対して相対的に移動しながら
成膜処理が行われる。この状態を図１２の矢印で示して
いる。このとき、磁石Ｍ１〜磁石Ｍ３のエロージョン領
域は、移動に際しても変化はなく同一の位置に形成され
ることになる。

【００１４】つまり、このターゲット電極構造では処理
能力は高いもののターゲットは局部的に削られていくた
め、利用可能な部分が未だ残っているターゲットであっ
てもエロージョン領域は局部的に削られるため新たなタ
ーゲットの使用が必要となり、ターゲット材料の利用効
率を悪化させることになる。なお、エロージョン領域の
形状はターゲット裏側に設けられた磁石の配置によって
決まり局部的に形成されることになる。

【００１５】次に、問題点の（２）について説明する。
例えば、図１０において、基板ホルダＢＨを回転させな
がら成膜を行う場合、基板Ｂは基板ホルダＢＨの回転方
向（図１０中において矢印ａで示される方向）に対して
は均一な膜厚となるが、一方基板ホルダＢＨの回転方向
に垂直な方向（図１０中において矢印ｂで示される方
向）に対しては不均一な膜厚となる。

【００１６】したがって、基板Ｂ上の膜厚の分布は不均
一なものとなり一様な膜厚分布の成膜が困難となるとい
う問題点がある。本発明は、前記従来の問題点を解決し
て、スパッタリング装置において、ターゲットの局部的
な削減をなくすことによりターゲット材料の利用効率を
高め、さらに基板上の成膜の膜厚分布を均一とすること
を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の問題点
を克服するために、スパッタリング装置を、基板を回転
させる移動手段と、基板と対向して配置される複数のタ
ーゲットと、複数のターゲットに対して基板と反対側の
位置に設けられる複数の磁界発生手段とによってマグネ
トロンスパッタリングを構成し、複数のターゲットに対
する複数の磁界発生手段の配置位置をそれぞれ異ならせ
ることによって構成するものである。

【００１８】

【作用】本発明によれば、磁石の配置が異なることによ
ってエロージョン領域が異なるため、ある時間ごとに磁
石に対するターゲットをローテーションすれば、ターゲ
ットのスパッタリングにより削られる部分が均一化さ
れ、ターゲット材料の利用効率を向上させることができ
る。また、各ターゲットを単独で使用した場合の膜厚分
布のピーク位置が異なるため、異なる分布特性をもつタ
ーゲット電極を組み合わせて同時使用することにより膜
厚を均一化することができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明のスパッタリング装
置の構成図である。図１において、Ａ１〜Ａ３はエロー
ジョン領域、Ｂ１〜Ｂ３は基板、ＢＨ１〜ＢＨ３は基板
ホルダ、Ｍ１〜Ｍ３は磁石、Ｔ１〜Ｔ３はターゲットで
ある。

【００２０】本発明のスパッタリング装置においては、
エロージョン領域Ａ１〜Ａ３が各ターゲットＴ１〜Ｔ３
で異なるように、ターゲットＴ１〜Ｔ３に対する磁石Ｍ
１〜Ｍ３の配置位置をターゲット毎に異ならせ、さらに
磁石Ｍ１〜Ｍ３等の磁界発生手段に対してターゲットＴ
１〜Ｔ３を一定期間ごとに移動してローテーションを行
うことによって材料の利用効率が増し、有効活用をはか
るものである。

【００２１】例えば、図１において本発明のスパッタリ
ング装置をその装置の一つであるマグネトロンスパッタ
リング装置とし、それぞれ３個のターゲットＴ１〜Ｔ３
と、各ターゲットＴ１〜Ｔ３の裏面に設置される３個の
磁石Ｍ１〜Ｍ３と、この３個のターゲットＴ１〜Ｔ３に
よって成膜される基板Ｂ１〜Ｂ３とから構成されるもの
とする。

【００２２】なお、図においては、ターゲットと磁石の
個数を３個として説明しているが、本発明はこの個数に
限定されるものではなく、任意の個数とすることができ
る。基板Ｂ１〜Ｂ３は、それぞれ基板ホルダＢＨ１〜Ｂ
Ｈ３に支持され、図示しない移動手段によってターゲッ
トＴ１〜Ｔ３及び磁石Ｍ１〜Ｍ３に対して移動可能であ
る。

【００２３】ここで、この基板Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ異
なる３個の基板とすることも、また１個の基板とするこ
ともできる。複数の基板を用いる場合は大量の基板の成
膜処理を行う場合であり、また１個の基板を用いる場合
は、成膜処理の速度を向上させる場合である。また、磁
石Ｍ１〜Ｍ３は、任意の磁界発生手段によって構成する
ことができる。

【００２４】そして、この磁界発生手段としての磁石Ｍ
１〜Ｍ３とターゲットＴ１〜Ｔ３によりターゲット電極
が構成される。ターゲットＴ１〜Ｔ３に形成されるエロ
ージョン領域Ａ１〜Ａ３は、ターゲットＴ１〜Ｔ３の裏
面に配置される磁石Ｍ１〜Ｍ３の磁場の分布に影響され
るため、ターゲットＴ１〜Ｔ３上において偏った位置と
なる。このエロージョン領域Ａ１〜Ａ３は、図１におい
て点群によって表わされている。

【００２５】以下、説明の便宜上から、図１の（ａ）に
おいて、磁石Ｍ１はターゲットＴ１に対してターゲット
Ｔ１の図の（Ｒ）で示される側に偏って配置し、図１の
（ｃ）において、磁石Ｍ３はターゲットＴ３に対してタ
ーゲットＴ３の（Ｌ）で示される側に偏って配置し、ま
た図１の（ｂ）において、磁石Ｍ２はターゲットＴ２に
対してターゲットＴ２の中央付近に配置した構成によっ
て説明する。

【００２６】図１の（ａ）においては、磁石Ｍ１がター
ゲットＴ１の（Ｒ）の側に偏って配置されているため、
ターゲットＴ１のエロージョン領域Ａ１はターゲットＴ
１の（Ｒ）の側に偏った位置に形成される。基板Ｂ１は
このエロージョン領域Ａ１からのスパッタリングによっ
て成膜が行われることになる。また、図１の（ｃ）にお
いては、磁石Ｍ３がターゲットＴ３の（Ｌ）の側に偏っ
て配置されているため、ターゲットＴ３のエロージョン
領域Ａ３はターゲットＴ３の（Ｌ）の側に偏った位置に
形成される。基板Ｂ３はこのエロージョン領域Ａ３から
のスパッタリングによって成膜が行われることになる。

【００２７】そして、図１の（ｂ）においては、磁石Ｍ
２はターゲットＴ２の中央付近に配置されているため、
ターゲットＴ２のエロージョン領域Ａ２はターゲットＴ
２のほぼ中央の位置に形成される。基板Ｂ２はこのエロ
ージョン領域Ａ２からのスパッタリングによって成膜が
行われることになる。したがって、ターゲットＴ１〜Ｔ
３は、磁石Ｍ１〜Ｍ３がそれぞれのターゲットＴ１〜Ｔ
３に対して異なる位置に配置されるので、それぞれ異な
る位置にエロージョン領域Ａ１〜Ａ３が形成されること
になる。

【００２８】次に、図２〜図４によって、前記本発明の
スパッタリング装置により、ターゲットの局部的な削減
がなくなりターゲットの材料の利用効率が高まる点につ
いて説明する。これは前記（１）の問題点を解決するも
のである。図２は本発明のスパッタリング装置における
ターゲットのローテーション図であり、図３及び図４は
本発明のスパッタリング装置によるエロージョン領域の
削減の程度を表す図である。

【００２９】図２において、Ａ１〜Ａ３はエロージョン
領域、Ｂ１〜Ｂ３は基板、ＢＨ１〜ＢＨ３は基板ホル
ダ、Ｍ１〜Ｍ３は磁石、Ｔ１〜Ｔ３はターゲットであ
る。そして、図中の一点鎖線より上の図２の（ｄ）の部
分は、前記図１と同様の構成を示しており、３個のター
ゲットＴ１〜Ｔ３と、各ターゲットＴ１〜Ｔ３の裏面に
設置される３個の磁石Ｍ１〜Ｍ３と、この３個のターゲ
ットＴ１〜Ｔ３によって成膜される基板Ｂ１〜Ｂ３とか
ら構成されている。そして、基板Ｂ１〜Ｂ３は基板ホル
ダＢＨ１〜ＢＨ３によって支持されている。ここで、こ
の基板Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ異なる３個の基板とするこ
とも、また１個の基板とすることもできる。

【００３０】なお、図２の（ａ）〜（ｃ）においては、
磁石Ｍ１〜Ｍ３によって削減されるエロージョン領域は
それぞれ点群、左下がりの斜線、及び右下がりの斜線に
よって表示されている。前記の構成の本発明のスパッタ
リング装置において、ターゲットＴ１〜Ｔ３を磁石Ｍ１
〜Ｍ３に対して順次移動させて、ターゲットＴ１〜Ｔ３
と磁石Ｍ１〜Ｍとの組合せを変更することによって、タ
ーゲットのローテーションを行う。図２の（ａ）、図２
の（ｂ）及び図２の（ｃ）は、このターゲットのローテ
ーションの状態を示すものであり、図の矢印で示される
方向に順次移動を行う。なお、ここでは、磁石Ｍ１〜Ｍ
３の位置を固定してターゲットＴ１〜Ｔ３を移動させる
場合について説明する。

【００３１】図２の（ａ）は、図２の（ｄ）に示される
磁石Ｍ１〜Ｍ３に対するターゲットＴ１〜Ｔ３の配置位
置におけるエロージョン領域Ａ１〜Ａ３を示している。
つまり、ターゲットＴ１のエロージョン領域Ａ１はター
ゲットＴ１の（Ｒ）の側に偏った位置に形成され、ター
ゲットＴ３のエロージョン領域Ａ３はターゲットＴ３の
（Ｌ）の側に偏った位置に形成され、ターゲットＴ２の
エロージョン領域Ａ２はターゲットＴ２のほぼ中央の位
置に形成される状態を示している。なお、図２の（ａ）
においては、エロージョン領域Ａ１、エロージョン領域
Ａ２、及びエロージョン領域Ａ３はそれぞれ点群、左下
がりの斜線、及び右下がりの斜線によって表示されてい
る。

【００３２】次に、第１回目のターゲットのローテーシ
ョンを行う。この状態を図２の（ｂ）に示している。図
２の（ｂ）は、図２の（ａ）に示されるターゲットＴ１
〜Ｔ３を矢印の方向にそれぞれ移動させた状態における
エロージョン領域を示している。つまり、ターゲットＴ
１はターゲットＴ２が存在していた位置に移動し、ター
ゲットＴ２はターゲットＴ３が存在していた位置に移動
し、またターゲットＴ３はターゲットＴ１が存在してい
た位置に移動している。

【００３３】このときのそれぞれのエロージョン領域Ａ
１〜Ａ３は、前記図２の（ａ）のエロージョン領域に移
動後の位置における磁石Ｍ１〜Ｍ３によるエロージョン
領域Ａ１〜Ａ３を加えたものとなる。次に、第２回目の
ターゲットＴ１〜Ｔ３のローテーションを行う。この状
態を図２の（ｃ）に示している。

【００３４】図２の（ｃ）は、図２の（ｂ）に示される
ターゲットＴ１〜Ｔ３を矢印の方向にそれぞれ移動させ
た状態におけるエロージョン領域を示している。つま
り、ターゲットＴ１はターゲットＴ２が存在していた位
置に移動し、ターゲットＴ２はターゲットＴ３が存在し
ていた位置に移動し、またターゲットＴ３はターゲット
Ｔ１が存在していた位置に移動している。

【００３５】このときのそれぞれのエロージョン領域
は、前記図２の（ｂ）のエロージョン領域に移動後の位
置における磁石Ｍ１〜Ｍ３によるエロージョン領域Ａ１
〜Ａ３を加えたものとなる。このターゲットＴ１〜Ｔ３
のローテーションによって、ターゲットＴ１〜Ｔ３上の
エロージョン領域は、エロージョン領域Ａ１〜Ａ３を重
ねたものとなり、ターゲットの局部的な削減をなくし
て、均一な削減とすることができる。

【００３６】図３及び図４において、四角形のターゲッ
トＴに対して配置される磁石Ｍをロの字状とした場合の
エロージョン領域の削減の程度を表している。そして、
その図の横方向のターゲットＴの並びは、磁石Ｍに対し
てターゲットＴの配置位置をローテーションによって変
更した場合であり、ターゲットＴの削減の程度を数字に
よって模式的に表している。また、図の縦方向のターゲ
ットＴの並びは、磁石Ｍに対してターゲットＴの配置位
置を変更しない場合であり、ターゲットＴの削減の程度
を数字によって模式的に表している。

【００３７】なお、図３の場合は、磁石Ｍとターゲット
Ｔの位置関係を１次元的に変更する場合を示しており、
図４の場合は、磁石ＭとターゲットＴの位置関係を２次
元的に変更する場合を示している。それぞれの場合のタ
ーゲットＴの削減の程度は、数字の大きい程その削減の
程度が大きいことを示している。磁石Ｍに対してターゲ
ットＴの配置位置をローテーションによって変更した場
合と磁石Ｍに対してターゲットＴの配置位置を変更しな
い場合とでは、磁石Ｍに対してターゲットＴの配置位置
をローテーションによって変更した場合の方が、ターゲ
ットＴの削減の程度が小さく、かつ広い範囲に広がって
いることが分かる。

【００３８】次に、図５、図６によって、前記本発明の
スパッタリング装置により、基板上の成膜の膜厚分布を
均一とする点について説明する。これは前記（２）の問
題点を解決するものである。図５は本発明のスパッタリ
ング装置におけるターゲットの膜厚の図であり、図６は
本発明のスパッタリング装置によるターゲットの膜厚の
均一化の図である。

【００３９】図５の（ａ）は磁石Ｍ１がターゲットＴ１
の（Ｒ）側に偏在しているときのターゲットＴ１に生成
される膜厚の分布を示しており、図５の（ｃ）は磁石Ｍ
３がターゲットＴ３の（Ｌ）側に偏在しているときのタ
ーゲットＴ３に生成される膜厚の分布を示しており、ま
た図５の（ｂ）は磁石Ｍ２がターゲットＴ２の中央付近
にあるときのターゲットＴ２に生成される膜厚の分布を
示している。そして、これらの膜厚の分布は、ターゲッ
トに対する磁石Ｍ１〜Ｍ３に位置に応じて偏りが生じる
ことになる。

【００４０】そこで、これらの偏りを生じさせるターゲ
ット電極を組み合わせることによって、図５の（ｄ）に
示すようにターゲット上の成膜の膜厚の均一化を行うこ
とができる。また、図６はこのターゲット上の膜厚の分
布状態を比較するものであり、図６の（ａ）は磁石Ｍ１
１〜Ｍ１３のターゲットＴ１〜Ｔ３に対する位置を変更
しない場合のターゲット上の膜厚の分布状態を示してお
り、一方図６の（ｂ）は磁石Ｍ１１〜Ｍ１３のターゲッ
トＴ１〜Ｔ３に対する位置を変更した場合のターゲット
上の膜厚の分布状態を示している。

【００４１】図６の（ａ）と図６の（ｂ）の比較から分
かるように、磁石Ｍ１１〜Ｍ１３のターゲットＴ１〜Ｔ
３に対する位置を変更した場合には、膜厚の均一化を行
うことができる。なお、前記説明においては、磁石等の
磁界発生手段に対してターゲットを一定期間ごとに移動
してローテーションを行っているが、逆にターゲットに
対して磁石等の磁界発生手段を一定期間ごとに移動して
ローテーションを行うこともできる。

【００４２】なお、前記構成はカルーセル型のスパッタ
装置、並行平板型等の各種の方式のスパッタ装置におい
ても適用することができ、同様の効果をあげることがで
きる。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、
それらを本発明の範囲から排除するものではない。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、（１）磁石の配置が異なることによってエロージョン領
域が異なるため、ある時間ごとに磁石に対するターゲッ
トをローテーションすれば、ターゲットのスパッタリン
グにより削られる部分が均一化され、ターゲット材料の
利用効率を向上させることができる。（２）また、各ターゲットを単独で使用した場合の膜厚
分布のピーク位置が異なるため、異なる分布特性をもつ
ターゲット電極を組み合わせて同時使用することにより
膜厚を均一化することができる。という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパッタリング装置の構成図である。

【図２】本発明のスパッタリング装置におけるターゲッ
トのローテーション図である。

【図３】本発明のスパッタリング装置によるエロージョ
ン領域の削減の程度を表す図である。

【図４】本発明のスパッタリング装置によるエロージョ
ン領域の削減の程度を表す図である。

【図５】本発明のスパッタリング装置におけるターゲッ
トの膜厚図である。

【図６】本発明のスパッタリング装置によるターゲット
の膜厚の均一化図である。

【図７】従来の円板型マグネトロンスパッタリング装置
の斜視図である。

【図８】従来の角板型マグネトロンスパッタリング装置
の斜視図である。

【図９】従来のマグネトロンスパッタリング装置の断面
構成図である。

【図１０】カルーセル型のスパッタリング装置の斜視図
である。

【図１１】平行平板型のスパッタリング装置の斜視図で
ある。

【図１２】従来のスパッタリング装置のエロージョン領
域図である。

【符号の説明】

Ａ１〜Ａ３…エロージョン領域、Ｂ１〜Ｂ３…基板、Ｂ
Ｈ１〜ＢＨ３…基板ホルダ、Ｍ１〜Ｍ３…磁石、Ｔ１〜
Ｔ３…ターゲット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スパッタリング装置において、（ａ）基
板を回転させる移動手段と、（ｂ）前記基板と対向して
配置される複数のターゲットと、（ｃ）前記複数のター
ゲットに対して前記基板と反対側の位置に設けられる複
数の磁界発生手段とによってマグネトロンスパッタリン
グを構成し、（ｄ）前記複数のターゲットに対する前記
複数の磁界発生手段の配置位置をそれぞれ異ならせるこ
とを特徴とするスパッタリング装置。