JP2002500278A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 真空中でフォイルの少なくとも片側の領域においてフォイル上に金属化合物のフィルムをスパッタリングすることにより、好ましくは電着により生産されるニッケルもしくはニッケルアロイから構成されるフォイルをコーティングする方法であって、
−フォイルが、１０^-3から１０^-2ｍｂａｒの圧力で、アルゴンプラズマ中で、調節可能な時間、プラズマのイオンの調節可能な速度及びエネルギーで処理されること、
−酸化クロムのフィルムが、アルゴン−酸素混合気内で１０^-3から１０^-2ｍｂａｒの圧力で少なくとも１つのスパッタリング源を用いて、クロムもしくはクロム含有アロイから作られた少なくとも１つのターゲットの反応性マグネトロンスパッタリングによりスパッタされ、そのオペレーティングポイントは明確に定められた限界内で一定に保たれていること、
−フォイルはコーティングの間、限定された熱接触でヒートバッファーに接続されること、
−及び、フォイルのコーティングは、第一もしくは第二オーダーの干渉に対する予め決められた干渉色に達するまで続けられること
で特徴付けられる、方法。
【請求項２】反応性マグネトロンスパッタリングを行うために、中波パルスのエネルギーを少なくとも１つのスパッタリング源に与えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】フォイルがコーティング中に少なくとも１つのスパッタリング源に対して移動すること、及びフォイルはコーティング中に少なくとも三つの場合において、スパッタリング源を用いてスパッタされる粒子の領域に位置することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】少なくとも１つのスパッタリング源に対し、フォイルが直線的及び定期的に移動することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】方法が行われている間、フォイルが磁気手段を用いてヒートバッファーに接続されることを特徴とする請求項１〜４の少なくとも１つに記載の方法。
【請求項６】スパッタリング源を用いて行われる反応性スパッタリングプロセスのオペレーティングポイントがこのスパッタリング源の近くのプラズマの光学的放射を測定することにより一定に保たれることを特徴とする請求項１〜５の少なくとも１つに記載の方法。
【請求項７】スパッタリング源を用いて行われる反応性スパッタリングプロセスのオペレーティングポイントがこのスパッタリング源からのマグネトロンディスチャージの電気特性を測定することにより一定に保たれることを特徴とする請求項１〜５の少なくとも１つに記載の方法。
【請求項８】好ましくは電着プロセスを用いて生産され、真空中でスパッタされた金属化合物のフィルムが少なくとも片側の領域に適用されるニッケルもしくはニッケルアロイから構成されるコーティングされたフォイルであって、フィルム（１０）がクロムを含むアロイもしくはクロムの酸化物からなり、及びフィルム（１０）の厚さが第一もしくは第二オーダーの干渉に対する特定の干渉色により決定され、２０から３００ｎｍの間のフィルム厚さ範囲にあることにより特徴付けられる、フォイル。