JPH01138610A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH01138610A JPH01138610A JP29600787A JP29600787A JPH01138610A JP H01138610 A JPH01138610 A JP H01138610A JP 29600787 A JP29600787 A JP 29600787A JP 29600787 A JP29600787 A JP 29600787A JP H01138610 A JPH01138610 A JP H01138610A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- carbon
- magnetic disk
- diamond
- Prior art date
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- Granted
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気ディスクに関し、特に表面に特性の優れた
保護被膜を有する磁気ディスクに関するものである。
保護被膜を有する磁気ディスクに関するものである。
［従来の技術］
磁気ディスクの占める空間釣人ぎざをできるだけ有効に
使用するためには、情報の記録密度を可能な限り高める
ことが必要である。しかし、そのためには磁気ヘッドと
磁気ディスクの間隔を極力小さくしなければならない。
使用するためには、情報の記録密度を可能な限り高める
ことが必要である。しかし、そのためには磁気ヘッドと
磁気ディスクの間隔を極力小さくしなければならない。
その結果、磁気ヘッドと磁気ディスクの衝突や摩耗が必
然的に増加することは避けられないので、磁気ディスク
の情報を守るために保護膜を設けることが必要となる。
然的に増加することは避けられないので、磁気ディスク
の情報を守るために保護膜を設けることが必要となる。
従来の磁気ディスクではその保護膜として比較的硬度の
高い５ｉ０２薄膜が用いられ、表面の摩擦係数を小さく
するためその上に有機溶剤の潤滑層が設けられている。
高い５ｉ０２薄膜が用いられ、表面の摩擦係数を小さく
するためその上に有機溶剤の潤滑層が設けられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記のような従来の磁気ディスクに用い
られている保護膜としての３１０２と有機潤滑層の組合
わせでは、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭くなっ
た場合には磁気ヘッドに用いられている材質より保護膜
の材質の方が硬度が小さいので耐摩耗性が得られなくな
る。また、表面に塗布した有機溶剤の潤滑層は液体であ
るために乾燥やヘッドとの固着等の問題点が生じやすい
等の問題点があった。
られている保護膜としての３１０２と有機潤滑層の組合
わせでは、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭くなっ
た場合には磁気ヘッドに用いられている材質より保護膜
の材質の方が硬度が小さいので耐摩耗性が得られなくな
る。また、表面に塗布した有機溶剤の潤滑層は液体であ
るために乾燥やヘッドとの固着等の問題点が生じやすい
等の問題点があった。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、優れた耐摩耗性を有すると共に、表
面における摩擦か低減化された保護被膜を有する磁気デ
ィスクを提供することを目的とする。
になされたもので、優れた耐摩耗性を有すると共に、表
面における摩擦か低減化された保護被膜を有する磁気デ
ィスクを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、少なくとも磁性膜が設けられた基板上に、ダ
イヤモンド状炭素で形成された層と、ポリマー状炭素で
形成された層とが順次積層された保護被膜が設けられて
なることを特徴とする磁気ディスクである。
イヤモンド状炭素で形成された層と、ポリマー状炭素で
形成された層とが順次積層された保護被膜が設けられて
なることを特徴とする磁気ディスクである。
本発明では保護被膜と磁性膜との密着性が悪い場合には
保護被膜と磁性膜との間にシリコン薄膜を設けることが
好ましい。
保護被膜と磁性膜との間にシリコン薄膜を設けることが
好ましい。
また上記の保護被膜は磁性膜の全面に亘って設けられて
いることが望ましい。
いることが望ましい。
［作用］
ダイヤモンド状炭素膜は水素を含有したアモルファス構
造にもかかわらず、硬度がダイヤモンド結晶に近い値を
示し、ヤング率もダイヤモンド結晶の値に匹敵する。し
かし、ダイヤモンドに近いほど表面の摩擦係数は０．５
以上とかなり大きな値となる。一方、ポリマー状炭素膜
では硬度やヤング率はかなり小さくなるがそれに反して
摩擦係数は０．０５以下とすることができる。本発明で
はダイヤモンド状炭素膜の表面に成膜条件を変えてポリ
マー状炭素膜をごり薄＜形成することによって、耐摩耗
性と潤滑性を併せもたせているので高性能の磁気ディス
クが得られることになる。また、磁性膜上にシリコン薄
膜を設けると、磁性膜と炭素膜との密着強度が飛躍的に
向上するので、どんな磁性膜上でも上記炭素膜を保護被
膜として形成することができ、炭素膜自身の性質を有効
に利用できる。
造にもかかわらず、硬度がダイヤモンド結晶に近い値を
示し、ヤング率もダイヤモンド結晶の値に匹敵する。し
かし、ダイヤモンドに近いほど表面の摩擦係数は０．５
以上とかなり大きな値となる。一方、ポリマー状炭素膜
では硬度やヤング率はかなり小さくなるがそれに反して
摩擦係数は０．０５以下とすることができる。本発明で
はダイヤモンド状炭素膜の表面に成膜条件を変えてポリ
マー状炭素膜をごり薄＜形成することによって、耐摩耗
性と潤滑性を併せもたせているので高性能の磁気ディス
クが得られることになる。また、磁性膜上にシリコン薄
膜を設けると、磁性膜と炭素膜との密着強度が飛躍的に
向上するので、どんな磁性膜上でも上記炭素膜を保護被
膜として形成することができ、炭素膜自身の性質を有効
に利用できる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。表面にＮｉ
Ｐ膜１２およびＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ等の磁性膜１３を順
次形成したＭ基板１１上に、スパッタ、真空蒸着あるい
はクラスターイオンビーム等によって１００Å以下のシ
リコン簿膜１４を磁性膜と炭素膜との密着性を高めるた
めに形成する。以上の基板を真空槽内の平行平板電極の
負電極上に設置する。まず、真空槽内を１０−６ Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度にした後、メタンガスと水素ガスを導
入する。メタンと水素の混合比は０１１〜５％とし、圧
力を０．１〜１０ＴＯｒｒｋ：調節する。その後、真空
槽内の平行平板電極間に２５０〜３５０ｖ程度の放電電
圧、０．１〜１ｍＡ／ｃｍ２程度の放電電流を印加して
ＤＣグロー放電を生じさせる。１分はどプラズマを発生
させて約２００へのダイヤモンド状炭素薄膜１５を形成
する。この時点では表面のビッカース硬度は１ｏｏｏｏ
ｇｙｙ ｍｍ２程度あるが、動摩擦係数を測定すると０
．５以上の大ぎな値となっている。次に、ダイヤモンド
状炭素薄膜１５上にメタンガスと水素ガスの混合比を１
０％以上に変えてＤＣグロー敢重含発生させることによ
ってポリマー状炭素薄膜１６を形成する。このときポリ
マー状炭素薄膜１６の厚さは数１０人であった。
Ｐ膜１２およびＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ等の磁性膜１３を順
次形成したＭ基板１１上に、スパッタ、真空蒸着あるい
はクラスターイオンビーム等によって１００Å以下のシ
リコン簿膜１４を磁性膜と炭素膜との密着性を高めるた
めに形成する。以上の基板を真空槽内の平行平板電極の
負電極上に設置する。まず、真空槽内を１０−６ Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度にした後、メタンガスと水素ガスを導
入する。メタンと水素の混合比は０１１〜５％とし、圧
力を０．１〜１０ＴＯｒｒｋ：調節する。その後、真空
槽内の平行平板電極間に２５０〜３５０ｖ程度の放電電
圧、０．１〜１ｍＡ／ｃｍ２程度の放電電流を印加して
ＤＣグロー放電を生じさせる。１分はどプラズマを発生
させて約２００へのダイヤモンド状炭素薄膜１５を形成
する。この時点では表面のビッカース硬度は１ｏｏｏｏ
ｇｙｙ ｍｍ２程度あるが、動摩擦係数を測定すると０
．５以上の大ぎな値となっている。次に、ダイヤモンド
状炭素薄膜１５上にメタンガスと水素ガスの混合比を１
０％以上に変えてＤＣグロー敢重含発生させることによ
ってポリマー状炭素薄膜１６を形成する。このときポリ
マー状炭素薄膜１６の厚さは数１０人であった。
以上のようにして１ｑられた膜表面の動摩擦係数を測定
したところ０．０５以下であった。裏面にも以上と同じ
プロセスによって保護被膜を形成した。
したところ０．０５以下であった。裏面にも以上と同じ
プロセスによって保護被膜を形成した。
以上のような方式で形成した磁気ディスクの表面で１５
ｇ程度の荷重をかけたセラミックＡ１．０３−ＴｉＣ製
の磁気ヘッドの接触−浮上の繰返し試験（いわゆるｃｏ
ｎｔａｃｔ−ｓｔａｒｔ−ｓｔｏｐ試験）を行ったとこ
ろ、１０万回以上でも表面に傷は見られなかった。
ｇ程度の荷重をかけたセラミックＡ１．０３−ＴｉＣ製
の磁気ヘッドの接触−浮上の繰返し試験（いわゆるｃｏ
ｎｔａｃｔ−ｓｔａｒｔ−ｓｔｏｐ試験）を行ったとこ
ろ、１０万回以上でも表面に傷は見られなかった。
以上の実施例では炭素膜をＤＣグロー放電ＣｖＤによっ
て合成したが、同じガスを用いたＲＦプラズマＣＶＤや
イオンブレーティング、イオンビームスパッタ等によっ
てもほぼ同様な膜が得られた。また、本実施例ではＤＣ
グロー放電におけるＮ極は平行平板構造であるが、アノ
ードとカソード電極が対向していない構造においても同
様な結果が得られた。
て合成したが、同じガスを用いたＲＦプラズマＣＶＤや
イオンブレーティング、イオンビームスパッタ等によっ
てもほぼ同様な膜が得られた。また、本実施例ではＤＣ
グロー放電におけるＮ極は平行平板構造であるが、アノ
ードとカソード電極が対向していない構造においても同
様な結果が得られた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の磁気ディスクは表面の保
護被膜として耐摩耗性に優れたダイヤモンド状炭素膜を
内層に、摩擦係数の小さなポリマー状炭素膜を外層に有
する２層構造をとっているので、磁性膜を十分に保護し
、かつ表面での摩擦をできるだけ小さくすることができ
、高性能の磁気ディスクが提供できる。また磁性膜と炭
素膜との間にシリコン膜を設けると、両者の密着性が良
くなるので、このことを利用するとあらゆる磁性膜上に
上記炭素膜を形成することができる。
護被膜として耐摩耗性に優れたダイヤモンド状炭素膜を
内層に、摩擦係数の小さなポリマー状炭素膜を外層に有
する２層構造をとっているので、磁性膜を十分に保護し
、かつ表面での摩擦をできるだけ小さくすることができ
、高性能の磁気ディスクが提供できる。また磁性膜と炭
素膜との間にシリコン膜を設けると、両者の密着性が良
くなるので、このことを利用するとあらゆる磁性膜上に
上記炭素膜を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１１・・・Ｍ基板 １２・・・ＮｉＰ膜１３
・・・磁性膜 １４・・・シリコン薄膜１５
・・・ダイヤモンド状炭素薄膜 １６・・・ポリマー状炭素薄膜
・・・磁性膜 １４・・・シリコン薄膜１５
・・・ダイヤモンド状炭素薄膜 １６・・・ポリマー状炭素薄膜
Claims (2)
- （１）少なくとも磁性膜が設けられた基板上に、ダイヤ
モンド状炭素で形成された層と、ポリマー状炭素で形成
された層とが順次積層された保護被膜が設けられてなる
ことを特徴とする磁気ディスク。 - （２）磁性膜と保護被膜との間にシリコン薄膜が設けら
れている特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296007A JPH0778871B2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296007A JPH0778871B2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138610A true JPH01138610A (ja) | 1989-05-31 |
| JPH0778871B2 JPH0778871B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=17827925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62296007A Expired - Lifetime JPH0778871B2 (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778871B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963596A (en) * | 1987-12-04 | 1990-10-16 | Henkel Corporation | Treatment and after-treatment of metal with carbohydrate-modified polyphenol compounds |
| JPH03130919A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5607783A (en) * | 1993-06-08 | 1997-03-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for fabricating the same |
| US5776602A (en) * | 1994-10-25 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a carbon protective film containing nitrogen and oxygen and overcoated with a lubricant |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62289913A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP62296007A patent/JPH0778871B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62289913A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963596A (en) * | 1987-12-04 | 1990-10-16 | Henkel Corporation | Treatment and after-treatment of metal with carbohydrate-modified polyphenol compounds |
| JPH03130919A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5607783A (en) * | 1993-06-08 | 1997-03-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for fabricating the same |
| US5776602A (en) * | 1994-10-25 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a carbon protective film containing nitrogen and oxygen and overcoated with a lubricant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0778871B2 (ja) | 1995-08-23 |
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