JPH01138613A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH01138613A JPH01138613A JP29601087A JP29601087A JPH01138613A JP H01138613 A JPH01138613 A JP H01138613A JP 29601087 A JP29601087 A JP 29601087A JP 29601087 A JP29601087 A JP 29601087A JP H01138613 A JPH01138613 A JP H01138613A
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- Japan
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- film
- magnetic
- carbon
- diamond
- magnetic disk
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気ディスクに関し、特に表面に保護被膜を有
する磁気ディスクに関するものでおる。
する磁気ディスクに関するものでおる。
［従来の技術］
磁気ディスクの占める空間的大きさをできるだけ有効に
使用するためには、情報の記録密度を可能な限り高める
ことが必要でおる。しかし、そのためには磁気ヘッドと
磁気ディスクの間隔を極力小さくしなければならない。
使用するためには、情報の記録密度を可能な限り高める
ことが必要でおる。しかし、そのためには磁気ヘッドと
磁気ディスクの間隔を極力小さくしなければならない。
その結果、磁気ヘッドと磁気ディスクの衝突や摩耗が必
然的に増加することは避けられないので、磁気ディスク
の情報を守るために保護膜を設けることが必要となる。
然的に増加することは避けられないので、磁気ディスク
の情報を守るために保護膜を設けることが必要となる。
従来の磁気ディスクではその保護膜として比較的硬度の
高い５ｉ０２Ｎ膜が用いられ、表面の摩擦係数を小さく
するためその上に有殿溶剤の潤滑層が設けられている。
高い５ｉ０２Ｎ膜が用いられ、表面の摩擦係数を小さく
するためその上に有殿溶剤の潤滑層が設けられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記のような従来の磁気ディスクに用い
られている保護膜としてのＳ！０２と有機潤滑層の組合
わせでは、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭くなっ
た場合には磁気ヘッドに用いられている材質より保護膜
の材質の方が硬度が小さいので耐摩耗性が得られなくな
る。また、表面に塗布した有機溶剤の潤滑層は液体であ
るために乾燥やヘッドとの固着等の問題点が生じやすい
等の問題点があった。
られている保護膜としてのＳ！０２と有機潤滑層の組合
わせでは、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭くなっ
た場合には磁気ヘッドに用いられている材質より保護膜
の材質の方が硬度が小さいので耐摩耗性が得られなくな
る。また、表面に塗布した有機溶剤の潤滑層は液体であ
るために乾燥やヘッドとの固着等の問題点が生じやすい
等の問題点があった。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、優れた耐摩耗性を有すると共に、表
面における摩擦が低減化された保護被膜を有する磁気デ
ィスクを提供することを目的とする。
になされたもので、優れた耐摩耗性を有すると共に、表
面における摩擦が低減化された保護被膜を有する磁気デ
ィスクを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段１
本発明は、少なくとも磁性膜が設けられた基板上に、ダ
イヤモンド状炭素で形成された保護被膜か設けられ、該
保護被膜の表面には酸素プラズマあるいは酸素イオンに
よる改質層が設けられてなることを特徴とする磁気ディ
スクである。
イヤモンド状炭素で形成された保護被膜か設けられ、該
保護被膜の表面には酸素プラズマあるいは酸素イオンに
よる改質層が設けられてなることを特徴とする磁気ディ
スクである。
本発明では保護被膜と磁性膜との密着性が悪い場合には
保護被膜と磁性膜との間にシリコン薄膜を設けることが
好ましい。
保護被膜と磁性膜との間にシリコン薄膜を設けることが
好ましい。
また、上記の保護被膜は磁性膜の全面に亘って設けられ
ていることが望ましい。
ていることが望ましい。
［作用］
ダイヤモンド状炭素膜は水素を含有したアモルファス構
造にもかかわらず、硬度かダイヤモンド結晶に近い値を
示し、ヤング率もダイヤモンド結晶の値に匹敵する。し
かし、ダイヤモンドに近いほど表面の摩擦係数は０，５
以上とかなり大きな値となる。ダイヤモンド状炭素膜に
は水素が多く含まれており、その表面にも多くの炭素と
水素結合が見られる。炭素と水素との結合は疎水性を示
し、そのために摩擦係数が大きくなっていると考えられ
る。一方、ダイヤモンド状炭素膜の極表面層だけを酸素
プラズマや酸素イオン打ち込み等によって親水性の層に
改質することによって摩擦係数は０、０５以下とするこ
とができる。本発明ではダイヤモンド状炭素膜の表面に
酸素プラズマか酸素イオンによる改質層を極薄く形成す
ることによって、耐摩耗性と潤滑性を併ぜもだせている
ので高性能の磁気ディスクが得られることになる。また
、磁性膜上にシリコン薄膜を設けると磁性膜と炭素膜と
の密着強度が飛躍的に向上するので、どんな磁性膜上で
も上記炭素膜を保護被膜として形成することができ、炭
素膜自身の性質を有効に利用できる。
造にもかかわらず、硬度かダイヤモンド結晶に近い値を
示し、ヤング率もダイヤモンド結晶の値に匹敵する。し
かし、ダイヤモンドに近いほど表面の摩擦係数は０，５
以上とかなり大きな値となる。ダイヤモンド状炭素膜に
は水素が多く含まれており、その表面にも多くの炭素と
水素結合が見られる。炭素と水素との結合は疎水性を示
し、そのために摩擦係数が大きくなっていると考えられ
る。一方、ダイヤモンド状炭素膜の極表面層だけを酸素
プラズマや酸素イオン打ち込み等によって親水性の層に
改質することによって摩擦係数は０、０５以下とするこ
とができる。本発明ではダイヤモンド状炭素膜の表面に
酸素プラズマか酸素イオンによる改質層を極薄く形成す
ることによって、耐摩耗性と潤滑性を併ぜもだせている
ので高性能の磁気ディスクが得られることになる。また
、磁性膜上にシリコン薄膜を設けると磁性膜と炭素膜と
の密着強度が飛躍的に向上するので、どんな磁性膜上で
も上記炭素膜を保護被膜として形成することができ、炭
素膜自身の性質を有効に利用できる。
Ｕ実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。表面にＮｉ
Ｐ膜１２およびＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ等の磁性膜１３を順
次形成したＮ基板１１上に、スパッタ、真空蒸着あるい
はクラスターイオンビーム等によって１００八以下のシ
リコン薄膜１４を炭素膜と磁性膜との密着性を高めるた
めに形成する。以上の基板を真空槽内の平行平板電極の
負電極上に設置する。まず、真空槽内を１０’Ｔｏｒｒ
以下の真空度にした後、メタンガスと水素ガスを導入す
る。メタンと水素の混合比は０．１〜５％の範囲で、圧
力を０．１〜１０Ｔｏｒｒに調節する。その後、真空槽
内の平行平板電極間に２５０〜３５０ｖ程度の放電電圧
、０．１〜１ｍＡ／ｃｍ２程度の放電電流を印加してＤ
Ｃグロー放電を生じさせる。１分はどプラズマを発生さ
せて約２００人のダイヤモンド状炭素薄膜１５を形成す
る。この時点では表面のビッカース硬度は１ ｏｏｏｏ
Ｋｇ／ ｍｍ ２程度あるが、動摩擦係数を測定すると
０．５以上の大きな値となっている。次に、ダイヤモン
ド状炭素源膜１５が形成された基板をそのままにし、酸
素ガスを導入してＤＣグロー放電を発生させる。このと
き形成される表面改質層１６の厚さは数１０人である。
Ｐ膜１２およびＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ等の磁性膜１３を順
次形成したＮ基板１１上に、スパッタ、真空蒸着あるい
はクラスターイオンビーム等によって１００八以下のシ
リコン薄膜１４を炭素膜と磁性膜との密着性を高めるた
めに形成する。以上の基板を真空槽内の平行平板電極の
負電極上に設置する。まず、真空槽内を１０’Ｔｏｒｒ
以下の真空度にした後、メタンガスと水素ガスを導入す
る。メタンと水素の混合比は０．１〜５％の範囲で、圧
力を０．１〜１０Ｔｏｒｒに調節する。その後、真空槽
内の平行平板電極間に２５０〜３５０ｖ程度の放電電圧
、０．１〜１ｍＡ／ｃｍ２程度の放電電流を印加してＤ
Ｃグロー放電を生じさせる。１分はどプラズマを発生さ
せて約２００人のダイヤモンド状炭素薄膜１５を形成す
る。この時点では表面のビッカース硬度は１ ｏｏｏｏ
Ｋｇ／ ｍｍ ２程度あるが、動摩擦係数を測定すると
０．５以上の大きな値となっている。次に、ダイヤモン
ド状炭素源膜１５が形成された基板をそのままにし、酸
素ガスを導入してＤＣグロー放電を発生させる。このと
き形成される表面改質層１６の厚さは数１０人である。
以上のようにして得られた膜表面の動摩擦係数を測定し
たところ０．０５以下であった。裏面にも以上と同じプ
ロセスによって保護被膜を形成した。
たところ０．０５以下であった。裏面にも以上と同じプ
ロセスによって保護被膜を形成した。
以上のような方式で形成した磁気ディスクの表面で１５
９程度の荷重をかけたセラミックＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ製
の磁気ヘッドの接触−浮上の繰返し試験（いわゆるｃｏ
ｎｔａｃｔ−ｓｔａｒｔ−ｓｔｏｐ試験）を行ったとこ
ろ、１０万回以上でも表面に傷は見られなかった。
９程度の荷重をかけたセラミックＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ製
の磁気ヘッドの接触−浮上の繰返し試験（いわゆるｃｏ
ｎｔａｃｔ−ｓｔａｒｔ−ｓｔｏｐ試験）を行ったとこ
ろ、１０万回以上でも表面に傷は見られなかった。
以上の実施例では炭素膜をＤＣグロー放電ＣＣｏによっ
て合成したが、同じガスを用いたＲＦプラズマＣＶＤや
イオンブレーティング、イオンビームスパッタ等によっ
てもほぼ同様な膜が得られた。また、本実施例ではＤＣ
グロー放電における電極は平行平板構造であるが、アノ
ードとカソード電極が対向していない構造においても同
様な結果が得られる。
て合成したが、同じガスを用いたＲＦプラズマＣＶＤや
イオンブレーティング、イオンビームスパッタ等によっ
てもほぼ同様な膜が得られた。また、本実施例ではＤＣ
グロー放電における電極は平行平板構造であるが、アノ
ードとカソード電極が対向していない構造においても同
様な結果が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の磁気ディスクは保護被膜
として耐摩耗性に優れたダイヤモンド状炭素膜が用いら
れていると共に、その表面には酸素による改質層が設け
られ、表面の摩擦係数が大幅に低減化されているので、
磁性膜を十分に保護し、かつ表面での摩擦をできるだけ
小さくすることができ、高性能の磁気ディスクが提供で
きる。
として耐摩耗性に優れたダイヤモンド状炭素膜が用いら
れていると共に、その表面には酸素による改質層が設け
られ、表面の摩擦係数が大幅に低減化されているので、
磁性膜を十分に保護し、かつ表面での摩擦をできるだけ
小さくすることができ、高性能の磁気ディスクが提供で
きる。
また磁性膜と炭素膜との間にシリコン膜を設けると、両
者の密着性が良くなるので、このことを利用すると必ら
ゆる磁性膜上に上記炭素膜を形成することかできる。
者の密着性が良くなるので、このことを利用すると必ら
ゆる磁性膜上に上記炭素膜を形成することかできる。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１１・・・Ｍ基板 １２・・・ＮｉＰ膜１
３・・・磁性膜 １４・・・シリコン薄膜
１５・・・ダイヤモンド状炭素薄膜 １６・・・表面改質喘
３・・・磁性膜 １４・・・シリコン薄膜
１５・・・ダイヤモンド状炭素薄膜 １６・・・表面改質喘
Claims (2)
- （１）少なくとも磁性膜が設けられた基板上に、ダイヤ
モンド状炭素で形成された保護被膜が設けられ、該保護
被膜の表面には酸素プラズマあるいは酸素イオンによる
改質層が設けられてなることを特徴とする磁気ディスク
。 - （２）磁性膜と保護被膜との間にシリコン薄膜が設けら
れている特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29601087A JPH01138613A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29601087A JPH01138613A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138613A true JPH01138613A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17827957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29601087A Pending JPH01138613A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138613A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618733A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-16 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP29601087A patent/JPH01138613A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618733A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-16 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
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