JPH01243229A - 磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ディスクに関し、特に表面に特性の優れた
保護被膜を有する磁気ディスクに関するものである。

［従来の技術］ 磁気ディスクの占める空間的大きさをできるだけ有効に
使用するためには、情報の記録密度を可能な限り高める
ことが必要である。しかし、そのためには磁気ヘッドと
磁気ディスクの間隔を極力小さくしなければならない。

その結果、磁気ヘッドと磁気ディスクの衝突や摩耗が必
然的に増加することは避けられないので、磁気ディスク
の情報を守るために保護膜を設けることが必要となる。

従来の磁気ディスクではその保護膜として比較的硬度の
高い５ｉ０２薄膜が用いられ、表面の摩擦係数を小さく
するためその上に有機溶剤の潤滑層が設けられている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のような従来の磁気ディスクに用い
られている保護膜としての５ｉ０２　＠膜と有機潤滑層
の組合わせでは、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭
くなった場合には磁気ヘッドに用いられている材質より
保護膜のヰΔ貿の方が硬度が小さいので耐摩耗性が得ら
れなくなる。また、表面に塗布した有機溶剤の潤滑層は
液体であるために乾燥やヘッドとの固着等の問題点が生
じやすい等の欠点があった。

本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、優れた耐摩耗性を有すると共に、表
面における摩擦が低減化された保護被膜を有する磁気デ
ィスクを提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、少なくとも磁性膜が設けられた基板上に、ダ
イヤモンド状炭素で形成された保護被膜が設けられ、該
保護被膜の表面には複数の溝が形成されてなることを特
徴とする磁気ディスクでおる。

本発明では保護被膜と磁性膜との密着性が悪い場合には
保護被膜と磁性膜との間にシリコン薄膜を設けることが
好ましい。

また上記の保護被膜は磁性膜の全面にわたって設けられ
ていることが望ましい。

［作用］ ダイヤモンド状炭素膜は水素を含有したアモルファス構
造にもかかわらず、硬度がダイヤモンド結晶に近い値を
示し、ヤング率もダイヤモンド結晶の値に匹敵する。し
かし、ダイヤモンドに近いほど表面の摩擦係数は０．５
以上とかなり大きな値となる。これは磁気ヘッドと炭素
を主成分とする保護膜の表面が極めて滑らかなためにヘ
ッドと保護膜表面とが凝着しやすくなり、このために摩
擦係数が大きくなっているものと考えられる。本発明で
は摩擦係数を小さくするために保護膜表面に極薄く細い
溝を形成してヘッドと保護膜表面との接触面積を極力低
減することによって表面での摩擦係数を０．０５以下と
することができる、。このように本発明ではダイヤモン
ド状炭素膜の表面に極薄い溝を形成することによって、
耐摩耗性と潤滑性を併せもたせているので高性能の磁気
ディスクが得られることになる。また、磁性膜上にシリ
コン薄膜を設けると磁性膜とダイヤモンド状炭素膜との
密着性が飛躍的に向上するので、どん入磁性膜上でも上
記ダイヤモンド状炭素膜を保護被膜として設けることが
でき、ダイヤモンド状炭素膜自身の性質を有効に利用で
きる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。

表面にＮｉＰメツキ層１２およびＣｏ、　Ｃｏ−Ｃｒ等
の磁性膜１３を順次形成したＭ基板１１上に、スパッタ
、真空蒸着あるいはクラスターイオンビーム等によって
１００Å以下のシリコン薄膜１４を磁性膜とダイヤモン
ド状炭素膜との密着性を高めるために極薄く形成する。

以上の基板を真空槽内の平行平板電極の負電極上に設置
する。まず、真空槽内を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下の真空度
にした後、メタンガスと水素ｈ′スを導入する。メタン
と水素の混合比は０．１〜５％の範囲とし、圧力を０．
１〜１０Ｔｏｒｒに調節する。

その後、真空槽内の平行平板電極間に２５０〜３５０Ｖ
程度の放電電圧、０．１〜１…Ａ／ｃｍ２程度の放電電
流を印加してＤＣグロー放電を生じさせる。１分はどプ
ラズマを発生させて約２００Ａのダイヤモンド状炭素膜
１５を形成する。この時点では表面のビッカース硬度は
１００００Ｋｇ／ＩｒＲ２程度であるが、動摩擦係数を
測定すると０．５以上の大きな値となっている。次に、
ダイヤモンド状炭素膜１５が形成された基板を真空層か
ら取出し、表面にフォトレジストを塗布し、乾燥させた
後に紫外線露光装置によってフォトレジストに幅約１０
珈程度の窓を形成し、その後イオンエツチング装置によ
ってダイヤモンド状炭素膜１５にダイヤモンド状炭氷膜
の厚さの約１０分の１程度の深さの溝を縦横に形成する
。

その後、フォトレジストを除去する。以上のようにして
得られた膜表面の動摩擦係数を測定したところ０．０５
以乍であった。裏面にも上記と同じプロセスによって保
護被膜を形成した。

以上のような方法で形成した磁気ディスクの表面で１５
ｇ程度の荷重をかけたセラミックＭ２Ｏ３−ＴｉＣ製の
磁気ヘッドの接触］浮上の繰返し試験（いわゆるｃｏｎ
ｔａｃｔ−ｓｔａｒｔ−ｓｔｏｐ試験）を行ったところ
、１Ｏ万回以上でも表面には傷は見られなかった。

以上の実施例ではダイヤモンド状炭素膜をＤＣグロー放
電ＣＶＤによって合成したが、同じガスを用いたＲＦプ
ラズマＣＶＤやイオンブレーティング、イオンビームス
パッタ等によってもほぼ同様な膜が得られる。また、本
実施例ではＤＣグロー放電における電極は平行平板構造
であるが、アノードとカソード電極が対向していない構
）告においても同様な結果が得られる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によると、基板」−に設けら
れた磁性膜の上にダイヤモンド状炭素膜を設け、このダ
イヤモンド状炭素膜の表面に極薄い溝を形成する。この
ためダイヤモンド状炭素膜の優れた特性によって磁性膜
を保護しつつ表面での摩擦の低減化が達成されるので、
高性能の磁気ディスクを提供することができる。また磁
性膜とダイヤモンド状炭素膜との間にシリコン膜を設け
ると、両者の密着性が良くなるので、このことを利用す
るとあらゆる磁性膜上に上記ダイヤモンド状炭素膜を形
成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。 １１・・・Ｍ基板 １２・・・旧Ｐメツキ層 １３・・・磁性膜 １４・・・シリコン薄膜 １５・・・ダイヤモンド状炭素膜 １６・・・溝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも磁性膜が設けられた基板上にダイヤモ
   ンド状炭素で形成された保護被膜が設けられ、該保護被
   膜の表面には複数の溝が形成されてなることを特徴とす
   る磁気ディスク。