JPS61183200A - ダイヤモンド部品 - Google Patents
ダイヤモンド部品Info
- Publication number
- JPS61183200A JPS61183200A JP2150885A JP2150885A JPS61183200A JP S61183200 A JPS61183200 A JP S61183200A JP 2150885 A JP2150885 A JP 2150885A JP 2150885 A JP2150885 A JP 2150885A JP S61183200 A JPS61183200 A JP S61183200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- metal
- conductive film
- alloy
- conductive coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、円盤状情報記録担体（以下ディスクと記す
）に再生針を接触せしめ、その再生針から音声及び映像
の情報信号を再生する静電容量方式の円盤状情報記録再
生ＶｉＬ＠（以下ビデオディスクプレーヤと記す）に使
用される、表面に導電性被膜が強固に付着されたダイヤ
モンド部品に関する。
）に再生針を接触せしめ、その再生針から音声及び映像
の情報信号を再生する静電容量方式の円盤状情報記録再
生ＶｉＬ＠（以下ビデオディスクプレーヤと記す）に使
用される、表面に導電性被膜が強固に付着されたダイヤ
モンド部品に関する。
従来の技術
従来のダイヤモンド部品は、例えば特願昭５９−７０２
１６号に示されているように、第４図のような構造にな
っていた。
１６号に示されているように、第４図のような構造にな
っていた。
すなわち、ダイヤモンド基体１の表面にまずＴｉ、丁ａ
、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属の一つ、
またはこれらの金属間の合金から成る金［１２を形成し
、その金属層２上に前記金属の窒化物、炭化物、硅化物
ののいずれかの層３を形成して成っている。
、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属の一つ、
またはこれらの金属間の合金から成る金［１２を形成し
、その金属層２上に前記金属の窒化物、炭化物、硅化物
ののいずれかの層３を形成して成っている。
発明が解決しようとする問題点
ダイヤモンド部品をＩＩ容量方式のビデオディスクプレ
ーヤ用再生針に使用する場合、記録再生密度を高めるた
め、再生針先＠部における導電性被膜の幅は微細であり
、例えば１μｍ程度である。
ーヤ用再生針に使用する場合、記録再生密度を高めるた
め、再生針先＠部における導電性被膜の幅は微細であり
、例えば１μｍ程度である。
しかも再生針の先端部は、例えば９００ｒｌ）＠ｌで回
転するディスクと摺接し、また再生中に再生針部に付着
したａｔ埃を除去せしめるため再生終了後及び再生開始
直前に針先ｒ１４婦用のブラシにより拭かれ、摩擦力が
導電性被膜との間に生じる。
転するディスクと摺接し、また再生中に再生針部に付着
したａｔ埃を除去せしめるため再生終了後及び再生開始
直前に針先ｒ１４婦用のブラシにより拭かれ、摩擦力が
導電性被膜との間に生じる。
従って、導電性ｉ！ｌ［膜は、ダイヤモンド表面との０
君性に優れ、かつ充分な機械的強度を有することが要求
される。
君性に優れ、かつ充分な機械的強度を有することが要求
される。
しかし前記の従来例では、例えばダイヤモンド表面にＴ
ｉを付着させ、その後窒化チタン（ＴＩＮ）を付着させ
、導電性被膜として使用する場合、再生を続けてゆくう
ちに、第５図に示すような導電性被膜の後退４や、′Ｓ
電性被膜の摩耗５がみられる場合があり、信号の検出１
１１１が低下して良好な再生が不可能になるという問題
を有している。
ｉを付着させ、その後窒化チタン（ＴＩＮ）を付着させ
、導電性被膜として使用する場合、再生を続けてゆくう
ちに、第５図に示すような導電性被膜の後退４や、′Ｓ
電性被膜の摩耗５がみられる場合があり、信号の検出１
１１１が低下して良好な再生が不可能になるという問題
を有している。
特に、後退６は、導電性被膜形成後、再生針の針先を所
定の形状に研磨する際に、研磨材と導電性被膜間の摩耗
により生ずるもので、研磨時の導電性被膜幅の正確な測
定を困難にすると共に、信号検出感度低下の原因ともな
る。
定の形状に研磨する際に、研磨材と導電性被膜間の摩耗
により生ずるもので、研磨時の導電性被膜幅の正確な測
定を困難にすると共に、信号検出感度低下の原因ともな
る。
そこで本発明は、導電性被膜の後退や摩耗が改善され、
長時間にわたって安定な再生を可能ならしめる、機械的
強度の大きな対摩耗性に優れた導電性被膜が、ダイヤモ
ンド表面に強固に付着された新規なダイヤモンド部品を
提供することを目的としている。
長時間にわたって安定な再生を可能ならしめる、機械的
強度の大きな対摩耗性に優れた導電性被膜が、ダイヤモ
ンド表面に強固に付着された新規なダイヤモンド部品を
提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、ダイヤモンド基体
の表面の少なくとも一部に付着された導電性被膜を、Ｂ
、ＢＮ、８４ Ｇ、３１ 、Ｓｉ Ｃ等の超硬質半導体
材料の一つと、Ｔｉ 、 Ｔａ 、 Ｎｂ 。
の表面の少なくとも一部に付着された導電性被膜を、Ｂ
、ＢＮ、８４ Ｇ、３１ 、Ｓｉ Ｃ等の超硬質半導体
材料の一つと、Ｔｉ 、 Ｔａ 、 Ｎｂ 。
Ｈｔ、Ｗ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎ１ｔＪの金属又は前記金属の
窒化物若しくは炭化物のいずれか一つとの合金にて構成
したものである。
窒化物若しくは炭化物のいずれか一つとの合金にて構成
したものである。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、超硬質半導体材料例えばＳｉＣは１０・〜１
０″μΩ・α程度の比抵抗を有するため、単体では導電
性被膜とならない。しかし金属材料例λばＴｉとの合金
とすれば、比抵抗値は減少し、例えばＴｉを２８％程度
混合すると１０４μΩ・α程度の導電性被膜となり、再
生信すを検出する事が充分可能となる。
０″μΩ・α程度の比抵抗を有するため、単体では導電
性被膜とならない。しかし金属材料例λばＴｉとの合金
とすれば、比抵抗値は減少し、例えばＴｉを２８％程度
混合すると１０４μΩ・α程度の導電性被膜となり、再
生信すを検出する事が充分可能となる。
前記ＳｉＣとＴｉの合金は３０００程度のビッカース硬
度を有し、従来例の導電性被膜であるところの例えば７
ｉと比較して６倍、ＴＩＮと比較して１．７倍程度の
硬度を有しており、対摩耗性が大幅に改善されている。
度を有し、従来例の導電性被膜であるところの例えば７
ｉと比較して６倍、ＴＩＮと比較して１．７倍程度の
硬度を有しており、対摩耗性が大幅に改善されている。
また、ダイヤモンド表面と、ＳｉＣと７ｉの合金の薄膜
との付着性も優れている事が、実験的に確認されている
。この結果、導電性被膜の後退や摩耗が大幅に改善され
、導電性被膜の幅を通常の半分程度例えば０．５μｍと
じ、長時間の再生を行っても、導電性被膜の後退や摩耗
による信号検出感度の低下を皆無とすることができる。
との付着性も優れている事が、実験的に確認されている
。この結果、導電性被膜の後退や摩耗が大幅に改善され
、導電性被膜の幅を通常の半分程度例えば０．５μｍと
じ、長時間の再生を行っても、導電性被膜の後退や摩耗
による信号検出感度の低下を皆無とすることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添附図面にもとプいて説明す
る１本発明によるダイヤモンド部品は、例えばスパッタ
蒸発にて製造でき、第２図にこのためのスパッタ装置の
主要部を示す。すなわち、まず真空ｔ！！８内を高真空
例えば９ Ｘ １０−’ Ｔ Ｏｒｒまで真空排気する
。ダイヤモンド部品９は、あらかじめホールダ１０に配
置されている。真空排気完了後、真空１１１８内に例え
ばアルゴンガスを例えば４ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ導入
し、主電極１１に負の高電圧例えば１００ＯＶを高圧電
源１５を通じて印加し、プラズマ放電を発生させる。主
電極１１の表面には半導体材料と金属との合金１２（以
下ターゲットと記す）、例えばＳＩＣとＴｉの合金を配
置しておく。そうすると、アルゴンイオンがターゲット
１２に衝突し、ターゲット１２の分子がスパッタ蒸発し
てダイヤモンド部品９の表面に付着する。これにより、
第１図に示すように、ＴｉとＳｉＣの合金から成る導電
性液１！Ｉ７がダイヤモンド基体１上に形成される。
る１本発明によるダイヤモンド部品は、例えばスパッタ
蒸発にて製造でき、第２図にこのためのスパッタ装置の
主要部を示す。すなわち、まず真空ｔ！！８内を高真空
例えば９ Ｘ １０−’ Ｔ Ｏｒｒまで真空排気する
。ダイヤモンド部品９は、あらかじめホールダ１０に配
置されている。真空排気完了後、真空１１１８内に例え
ばアルゴンガスを例えば４ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ導入
し、主電極１１に負の高電圧例えば１００ＯＶを高圧電
源１５を通じて印加し、プラズマ放電を発生させる。主
電極１１の表面には半導体材料と金属との合金１２（以
下ターゲットと記す）、例えばＳＩＣとＴｉの合金を配
置しておく。そうすると、アルゴンイオンがターゲット
１２に衝突し、ターゲット１２の分子がスパッタ蒸発し
てダイヤモンド部品９の表面に付着する。これにより、
第１図に示すように、ＴｉとＳｉＣの合金から成る導電
性液１！Ｉ７がダイヤモンド基体１上に形成される。
このようにして８Ｉ電性被Ｉ１７を形成した後、研磨を
行って所定の形状に仕上げたところ、再生針針先部の形
状は第６図のようになり、第５図の従来例の場合にみら
れた導電性被膜の後退６はほとんど認められない。この
結果、導電性被膜７の後退や摩耗が大幅に改善され、導
電性被膜７の幅を通常の半分程度例えば０．５μ−とし
、長時間の再生を行っても導電性被膜７の後退や信号検
出感度の低下は皆無であった。
行って所定の形状に仕上げたところ、再生針針先部の形
状は第６図のようになり、第５図の従来例の場合にみら
れた導電性被膜の後退６はほとんど認められない。この
結果、導電性被膜７の後退や摩耗が大幅に改善され、導
電性被膜７の幅を通常の半分程度例えば０．５μ−とし
、長時間の再生を行っても導電性被膜７の後退や信号検
出感度の低下は皆無であった。
なお、本実施例では、例えばＳｉＣとＴｉの合金から成
るターゲット１２を使用しているが、これに限られるも
のではなく、例えば第３図に示すようにターゲット１２
表面を合金の各成分物質で構成したいわゆる複合ターゲ
ットを用いることも可能である。第３図において、１３
は半導体例えば５ｉＣ１４は金属例えばＴｉを示す。ま
た導電性被膜７の硬度は、合金の構成比率を変えること
により自由に選択する事が可能である。
るターゲット１２を使用しているが、これに限られるも
のではなく、例えば第３図に示すようにターゲット１２
表面を合金の各成分物質で構成したいわゆる複合ターゲ
ットを用いることも可能である。第３図において、１３
は半導体例えば５ｉＣ１４は金属例えばＴｉを示す。ま
た導電性被膜７の硬度は、合金の構成比率を変えること
により自由に選択する事が可能である。
発明の効果
以上述べたように本発明は、Ｂ、ＢＮ、８４ Ｇ。
３ｉ 、Ｓｉ Ｃ等の超硬質半導体材料の一つと、Ｔｉ
、Ｔａ 、Ｎｂ 、Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ 、Ｃｒ 、Ｎ
１等の金属又は前記金属の窒化部若しくは炭化部のいず
れかの一つとの合金から成る導電性被膜を形成したもの
であるので、対摩耗性及びダイヤモンドとの付着性に優
れ、長時間再生しても検出感度の低下がなく、安定した
再生が実現される。また導電性被膜の後退が大幅に改善
される為、導電性被膜の幅が従来の規格の下限、例えば
０．８μｍより細くても充分な検出感度を有する。従っ
て、研磨工程で針先を所定の形状に仕上げる際、ｓ１！
性被膜の規格下限を拡大する事が可能となり、歩留りの
向上に員献するという効果も有する。
、Ｔａ 、Ｎｂ 、Ｈｆ 、Ｗ、Ｚｒ 、Ｃｒ 、Ｎ
１等の金属又は前記金属の窒化部若しくは炭化部のいず
れかの一つとの合金から成る導電性被膜を形成したもの
であるので、対摩耗性及びダイヤモンドとの付着性に優
れ、長時間再生しても検出感度の低下がなく、安定した
再生が実現される。また導電性被膜の後退が大幅に改善
される為、導電性被膜の幅が従来の規格の下限、例えば
０．８μｍより細くても充分な検出感度を有する。従っ
て、研磨工程で針先を所定の形状に仕上げる際、ｓ１！
性被膜の規格下限を拡大する事が可能となり、歩留りの
向上に員献するという効果も有する。
第１図は本発明のダイヤモンド部品の基本的な構成を示
す断面図、第２図は本発明におけるダイヤモンド部品を
製造するためのスパッタ装置の主要構造を説明する図、
第３図は本発明の他の実施例におけるターゲットの構成
を示す図、第４図は従来のダイヤモンド部品の基本的な
構成を示す断面図、第５図は従来のダイヤモンド部品の
針先の状態を示す三面図、第６図は本発明のダイヤモン
ド部品の針先の状態を示す三面図である。 １・・・ダイヤモンド基体、７・・・導電性被膜代理人
森 本 義 弘 第１図 第？図 第ｊ 第６ ２．３
す断面図、第２図は本発明におけるダイヤモンド部品を
製造するためのスパッタ装置の主要構造を説明する図、
第３図は本発明の他の実施例におけるターゲットの構成
を示す図、第４図は従来のダイヤモンド部品の基本的な
構成を示す断面図、第５図は従来のダイヤモンド部品の
針先の状態を示す三面図、第６図は本発明のダイヤモン
ド部品の針先の状態を示す三面図である。 １・・・ダイヤモンド基体、７・・・導電性被膜代理人
森 本 義 弘 第１図 第？図 第ｊ 第６ ２．３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ダイヤモンドの表面の少なくとも一部に付着された
導電性被膜が、Ｂ、ＢＮ、Ｂ＿４Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＣ等の
超硬質半導体材料の一つと、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、
Ｗ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属又は前記金属の窒化物若
しくは炭化物のいずれかの一つとの合金から成る事を特
徴とするダイヤモンド部品。 ２、導電性被膜の厚さが、０．０５μｍから０．５μｍ
の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のダイヤモンド部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150885A JPS61183200A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | ダイヤモンド部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150885A JPS61183200A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | ダイヤモンド部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183200A true JPS61183200A (ja) | 1986-08-15 |
Family
ID=12056906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150885A Pending JPS61183200A (ja) | 1985-02-05 | 1985-02-05 | ダイヤモンド部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183200A (ja) |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP2150885A patent/JPS61183200A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE32464E (en) | Thin film recording and method of making | |
| JP2572745B2 (ja) | 耐摩耗・耐腐触性の磁気記録膜の作成方法 | |
| JPS60221565A (ja) | ダイヤモンド部品およびその製造方法 | |
| JPS61183200A (ja) | ダイヤモンド部品 | |
| JPS5998336A (ja) | 情報信号の記録再生ヘツド | |
| JPH01258218A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPS61236687A (ja) | ダイヤモンド部品 | |
| EP0052373B1 (en) | Method of manufacturing a pickup stylus | |
| JPS61215294A (ja) | ダイヤモンド部品の製造方法 | |
| JPS60212847A (ja) | ダイヤモンド部品 | |
| JP2573267B2 (ja) | 磁気記録担体及びその製造方法 | |
| JP3523602B2 (ja) | 磁気ディスク装置 | |
| JPS61210521A (ja) | 磁気デイスクの製造方法 | |
| JPS62166969A (ja) | 磁気ヘツド表面研摩用テ−プ | |
| JPH0652536A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10326406A (ja) | 磁気ヘッドスライダおよびその製造方法 | |
| KR100368615B1 (ko) | 컴퓨터 하드디스크 및 이 하드디스크의 보호막을 형성하는 방법 | |
| JP3523601B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS6020339A (ja) | 情報記録再生用ヘツド | |
| JPH01243231A (ja) | 磁気ディスク | |
| JPH05135334A (ja) | 磁気ヘツドクリーニングテープ | |
| JP2001357513A (ja) | 磁気記録ディスク並びに磁気記録ディスクの製造方法及び製造システム | |
| JPH0271423A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH10172130A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 | |
| JPS6154056A (ja) | 情報信号再生針の製造方法 |