JP2573267B2 - 磁気記録担体及びその製造方法 - Google Patents

磁気記録担体及びその製造方法

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JP2573267B2 JP62324210A JP32421087A JP2573267B2 JP 2573267 B2 JP2573267 B2 JP 2573267B2 JP 62324210 A JP62324210 A JP 62324210A JP 32421087 A JP32421087 A JP 32421087A JP 2573267 B2 JP2573267 B2 JP 2573267B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は円盤状の可撓性非磁性担持体材料と、その上
に形成された垂直方向記録に適するコバルト／クロム合
金層と、この合金層上に形成された減摩層とから成る磁
気記録担体ならびにその製造方法に関するものである。
長く使用されている磁気記録技術は、磁化し得る層に
相違する磁化帯域を形成し、次いで記録帯域の減衰後に
生ずる残留磁化を記録することを基礎とする、公知の磁
気記録担体においては、ピグメント／結合剤の磁気層に
も均斉金属層にも、層平面中に情報担持磁化の磁気優勢
方向が存在する。しかしながら、この長手方向記録方法
は記録密度が著しく高くなると、磁化範囲の対向面への
影響により非磁化消滅が生起するという欠点があり、こ
れは磁性層厚さを技術的に可能な範囲まで薄くしても十
分には限定され得ない。
（従来技術） そこで磁性層の磁化方向を垂直方向にする提案がすで
になされている（例えばIEEE Trans.Mag.1977年Mag-13
巻、５号、1272-1277頁S.イワサキらの論稿参照）。こ
の垂直方向データ記録の利点は磁化範囲の対向面への影
響が小さく、従って磁化範囲、すなわちビット領域が著
しく減縮され得る。ことに可撓性記録担体の場合に、こ
のようにして記録密度の著しい増大を期待できる。この
記録担体はクロム含量15乃至25原子％のコバルト／クロ
ム合金を真空蒸着させて製造される。これによる合金の
柱状成長により、100nmの平均径を有する六方晶構造柱
体が対向面に対する磁気的結合を断ち、磁化により金属
層面に対し垂直に強力な磁気異方性がもたらされる。
この記録担体は環状磁気ヘッドによっても、また特殊
な単極ヘッドによっても操作される。このような記録担
体の全記憶容量を完全に利用し得るようにするために
は、慣用の可撓性記録担体におけると同様に接触法で使
用しなければならない。しかしながら、この方法では薄
いコバルト／クロム層では極めて早く摩滅をもたらす。
この記録媒体の有効寿命を長くするため、層表面上に液
状オリゴマーを塗布する方法が提案されている（上記文
献IEEE Trans.Mag.1985年Mag-21巻、５号、1533頁ブッ
タファバ（Buttafava）らの論稿参照）しかしながら、
この液体は金属層表面に対する接着性が弱く、更に使用
量が臨界的である。余りに厚い塗布層は粘着性であり、
ヘッドのよごれをもたらす。また界面の部分酸化により
金属層表面を硬化させる方法が、1986年フェニックスに
おけるインターマグ、コンファレンス（Intermag Confe
rence）においてY.ナカマツ等により報告されている
が、これにより酸化層は高い摩擦係数をもたらす点にお
いて好ましくない。更にまた磁性層をコバルト／クロム
をベースとして硬化させる方法がジャーナル、オブ、ア
プライド、フィジックス57巻4019頁（1985年）に記載さ
れている。これによればジルコニウム及びタンタルの合
金により金属性磁気層としてその機械的特性を改善す
る。しかしながらこの処理により層の磁気特性は劣化せ
しめられる。
従って、この分野における技術的課題は、円盤状の可
撓性非磁性担持体材料上に垂直方向記録に適するコバル
ト／クロム合金層を設け、この合金層上に減摩層を設け
て成る磁気記録担体であって、上述した諸欠点をもたら
さず、ことに長い使用寿命を有する磁気記録担体と、こ
れを製造するための方法を提供することである。
（発明の要約） しかるに、上記減摩層が５乃至100nmの厚さを有す
る、スパッタリング処理により形成された非晶質炭化水
素層であることを特徴とする本発明による磁気記録担体
により解決され得ることが見出されるに至った。
本発明の対象は、また、このような特殊の磁気記録担
体の製造方法である。このために非晶質炭化水素層はDC
マグネトロンスパッタリング処理により形成され、その
際のRKP値を１乃至10、ことに２乃至５とすることが好
ましい。このRKP値はアルゴン分圧（パスカル）と比蒸
着電力（Watt/cm）の積として定義される。この比蒸着
電力はターゲットにおける電力（Watt）対ターゲット全
面積（cm）で得られる。１乃至10のRKP値で、好ましい
平滑性及び耐摩耗性を有する非晶質炭化水素層が得られ
る。
（発明の構成） 垂直方向記録に適当なコバルト／クロム合金層を有す
る円盤状磁気記録担体自体は公知である。これはDCマグ
ネトロンスパッタリング処理により製造される。この処
理方法は公知であり、例えば1978年アカデミック、プレ
ス刊、レ、ジョーン、フォッセン及びウェルナー、ケル
ン著、「シン、フィルム、プロセスズ」（Thin Film Pr
ocesses）131-173頁に記載されている。このスパッタリ
ング法乃至蒸着法は層成長速度が著しく早い点において
有利である。真空室内には陰極及び陽極が設けられ、陽
極は基体により構成され、陰極は所望のCoCr合金から成
る厚い円盤でターゲットに取り付けられる。調節可能の
アルゴン導入弁を経て、所望の蒸着圧がもたらされるま
で蒸着ガスが真空室内に導入される。アルゴンガスはフ
ィラメントからのエレクトロンでイオン化される。その
正電荷によりアルゴンイオンが陰極化ターゲットに向け
て加速され、その運動力学的エネルギーで基体上に蒸着
される粉末としての中性ターゲット原子表面に噴霧され
る。この一旦励起された状態は、物理的処理によりアル
ゴンプラズマ内に保持される。
このような処理により、170℃で例えば厚さ75μｍの
基体としてのポリイミドシート両面に360nmのCo80Cr20
が蒸着される。まずシートは放電され、DCマグネトロン
法による磁性層形成が行われる。アルゴン蒸着圧は２×
103トルとするが、この場合処理開始前の基礎減圧を２
×107トルとすることが重要である。秀れた結晶特性及
び磁気特性はこのような製造パラメータでもたらされ
る。典型的なデータは以下の通りである。
Hc 700Oe 保持力 Hk 3600Oe 異法性磁界強度 Ms 650mT 飽和磁化 シータ 3.5度 結晶学的（002）コバルト反射幅 このような記録担体に本発明による非晶質炭化水素層
を設ける。このためコバルト／クロム層を有する可撓性
基板は直ちに同じ装置において後処理される。ターゲッ
トとしては単にグラファイト性炭素のみを使用するター
ゲット電力密度は１乃至10Watt/cmとし、アルゴン蒸着
圧は0.2乃至1.5パスカルとする。本発明方法により通常
の使用態様において改善された使用寿命を有する磁気記
録担体が得られる。
本発明方法を実施する場合、RKP値を１乃至10ことに
２乃至５とすることが望ましい。このRKP値は蒸着圧
（パスカル）、例えばアルゴン（分圧及び比蒸着電力
（Watt/cm）の積として定義される。比蒸着電圧はター
ゲットにおける電力（Watt対ターゲット全面積（cm）得
られる。
例えば5.25インチ径でポリイミドシート両面上に厚さ
350nmのコバルト／クロム磁性層を設けて成る可撓性デ
ィスクを300Upmの標準回転数、18pのヘッド圧のFD磁気
ヘッドを使用し、伸び計、すなわちエクステンソメータ
で計測した所、0.27乃至0.32の摩擦係数を示した。７分
間のテスト回転後、磁性層傷害のためにテストを中止し
なければならなかった。しかるに、同様の記録担体に本
発明により厚さ40nmの炭化水素層を形成して、同様の方
法で試験した所摩擦係数は0.11で始まり0.22で飽和値に
達した。しかも磁性層の傷害をもたらすことなく60分間
のテストを終了することができた。
また、高速使用寿命シュミレーションテストにおいて
も炭化水素層を設けた記録担体は秀れた結果を示した。
この場合100Upmの回転数で慣用の駆動装置に記録担体を
回転させ、これに40pの押圧力で磁気ヘッドダミーとし
て25mm径のAlTiCピンを負荷した。炭化水素層を設けな
いコバルト／クロム層は６秒後にすでに担持体シートが
露出するまで摩滅したが、炭化水素層を設けたディスク
は磁気層の傷害をもたらすことなく、1500秒後にテスト
を終了した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨーアヒム、ハック ドイツ連邦共和国、6700、ルートヴィッ ヒスハーフェン、プラァラー‐フリード リヒ‐シュトラーセ、34 (56)参考文献 特開 昭61−131231（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−142525（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−263311（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】円盤状の可撓性非磁性担持体材料と、その
    上に形成された垂直方向記録に適するコバルト／クロム
    合金層と、この合金層上に形成された減摩層とから成る
    磁気記録担体であって、上記減摩層が５乃至100nmの厚
    さを有する、スパッタリング処理により形成された非晶
    質炭化水素層であることを特徴とする磁気記録担体。
  2. 【請求項２】円盤状の可撓性非磁性担持体材料と、その
    上に形成された垂直方向記録に適するコバルト／クロム
    合金層と、この合金層上に形成された減摩層とから成る
    磁気記録担体の製造方法であって、減摩層としてDCマグ
    ネトロンスパッタリング処理により厚さ５乃至100nmの
    非晶質炭化水素層を形成することを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】特許請求の範囲（２）による製造方法であ
    って、上記DCマグネトロンスパッタリング処理が１乃至
    10のRKP値で行われることを特徴とする方法。
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JPS63168831A JPS63168831A (ja) 1988-07-12
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US4891114A (en) 1990-01-02
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