JPS6246423A - 垂直記録媒体 - Google Patents
垂直記録媒体Info
- Publication number
- JPS6246423A JPS6246423A JP18521785A JP18521785A JPS6246423A JP S6246423 A JPS6246423 A JP S6246423A JP 18521785 A JP18521785 A JP 18521785A JP 18521785 A JP18521785 A JP 18521785A JP S6246423 A JPS6246423 A JP S6246423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic layer
- substrate
- recording medium
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録に適した垂直記録媒体に関するもの
である。
である。
従来の技術
垂直磁気記録′方式は１９７７年に東北大学の岩崎らに
よって提案されて以来、国内外での研究報告がさかんで
、またいくつかの企業から試作品が発表され実用化への
機運が高まシつつある。
よって提案されて以来、国内外での研究報告がさかんで
、またいくつかの企業から試作品が発表され実用化への
機運が高まシつつある。
垂直記録の媒体には、■飽和磁束密度ｇｓ が大きい、
■高い抗磁力Ｈｃ、■表面がなめらかでヘッド走行性の
良いこと・・・・・などの一般的に磁気記録媒体が必要
とする条件以外に、「垂直磁気異方性が高い」という条
件が必要になる。平面薄膜媒体に垂直モードで磁化記録
を行なうには、媒体の垂直異方性磁界Ｈｋ（以下Ｈｋと
略す）が４πＭｓよシ大きい特性が必要とされている。
■高い抗磁力Ｈｃ、■表面がなめらかでヘッド走行性の
良いこと・・・・・などの一般的に磁気記録媒体が必要
とする条件以外に、「垂直磁気異方性が高い」という条
件が必要になる。平面薄膜媒体に垂直モードで磁化記録
を行なうには、媒体の垂直異方性磁界Ｈｋ（以下Ｈｋと
略す）が４πＭｓよシ大きい特性が必要とされている。
従来から垂直媒体として知られているものに、バブルメ
モリ基板用のガーネット、光磁気記録媒体の稀土類３ｄ
金属アモルファス、ＭｎＢ１、−またマイクロ波フェラ
イトなどに用いられるプレーナフェライトや永久磁石の
バリウムフェライトを含む六方晶フェライトなどがある
。しかしながら、ガーネットはＭｓが小さく磁気記録に
不適当であり、ＭｎＢ１も磁化形態が磁壁移動形という
点や耐蝕性などの点で使用されにくい。光磁気材料は飽
和磁化が少なく、軟磁性体なので垂直記録媒体として使
用しにくい。岩崎らは上記材料の代わシにＣｏＣｒ合金
を使用することを提案した。（岩崎、山崎；垂直磁気異
方性をもつＧｏＯｒスパッタ膜について、「応用磁気」
第７回学術講演会、４ＰＡ７（１９７５年））。Ｇｏは
六方晶系であり、 Ｃ軸方向の一軸量方性エネルギーは
大きいが、Ｍｓが大きく磁化は膜面には垂直にならない
。そこでＧ。
モリ基板用のガーネット、光磁気記録媒体の稀土類３ｄ
金属アモルファス、ＭｎＢ１、−またマイクロ波フェラ
イトなどに用いられるプレーナフェライトや永久磁石の
バリウムフェライトを含む六方晶フェライトなどがある
。しかしながら、ガーネットはＭｓが小さく磁気記録に
不適当であり、ＭｎＢ１も磁化形態が磁壁移動形という
点や耐蝕性などの点で使用されにくい。光磁気材料は飽
和磁化が少なく、軟磁性体なので垂直記録媒体として使
用しにくい。岩崎らは上記材料の代わシにＣｏＣｒ合金
を使用することを提案した。（岩崎、山崎；垂直磁気異
方性をもつＧｏＯｒスパッタ膜について、「応用磁気」
第７回学術講演会、４ＰＡ７（１９７５年））。Ｇｏは
六方晶系であり、 Ｃ軸方向の一軸量方性エネルギーは
大きいが、Ｍｓが大きく磁化は膜面には垂直にならない
。そこでＧ。
のＭｓを減少するためにスレータ・ポーリング曲線にあ
るような元素（Ｏｒ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｖなど）を添加した
のである。また、ＣｏＣｒ合金はステンレス性質をもち
、錆びにりく、耐熱耐アルカリ性が高く、耐久性、耐候
性も良好であるた°め、現在ではＣｏＣｒ合金が一番多
く研究されている。
るような元素（Ｏｒ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｖなど）を添加した
のである。また、ＣｏＣｒ合金はステンレス性質をもち
、錆びにりく、耐熱耐アルカリ性が高く、耐久性、耐候
性も良好であるた°め、現在ではＣｏＣｒ合金が一番多
く研究されている。
ＣｏＣｒ合金が垂直配向をもつためには、磁化容易軸で
あるＣ軸が基体面に垂直方向に向くことが必要になる。
あるＣ軸が基体面に垂直方向に向くことが必要になる。
すなわちＧｏＯｒの結晶配向性が基体面に垂直になるこ
とが必要となる。これはＧｏＯｒ膜を例えば蒸着法で形
成する場合、基体に対する蒸気の入射角を制御すること
で解決されている（杉田； ＣｏＣｒＰＫＲＰＥＮＤＩ
ＣＵＬＡＲＲＫＣＯＲＤＩＮＧＴＡＰＩＣＢＹ ＶＡＣ
ＵＵＭ ＤＥＰＯ８ＩＴＸＯＨ；ＩＥＥＨＴｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎＳ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ −ｚバ
ルトクロム パーペンディキュチー レコーディング
チー７’ パイ バキューム デポジション；アイイ
ーイーイー トランザクションズ オン マクネティノ
クス、 Ｖｏｌ ＭＡＧ−２ＯＡ５ 、１９８４ ）。
とが必要となる。これはＧｏＯｒ膜を例えば蒸着法で形
成する場合、基体に対する蒸気の入射角を制御すること
で解決されている（杉田； ＣｏＣｒＰＫＲＰＥＮＤＩ
ＣＵＬＡＲＲＫＣＯＲＤＩＮＧＴＡＰＩＣＢＹ ＶＡＣ
ＵＵＭ ＤＥＰＯ８ＩＴＸＯＨ；ＩＥＥＨＴｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎＳ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ −ｚバ
ルトクロム パーペンディキュチー レコーディング
チー７’ パイ バキューム デポジション；アイイ
ーイーイー トランザクションズ オン マクネティノ
クス、 Ｖｏｌ ＭＡＧ−２ＯＡ５ 、１９８４ ）。
第２図は従来の垂直記録媒体の一例を示す断面図である
。非磁性材料の基体３上にＣｏＣｒ合金からなる磁性層
２を形成する。磁性層２の形成方法としては従来から各
種手法が提案されておシ、スパッタリング法、蒸着法な
どのＰＶＤ法が主流になっている。磁性層２の上には、
磁気ヘッド、ガイドローラーなどとの摺動時の走行性を
向上するために保護膜１が設けられている。
。非磁性材料の基体３上にＣｏＣｒ合金からなる磁性層
２を形成する。磁性層２の形成方法としては従来から各
種手法が提案されておシ、スパッタリング法、蒸着法な
どのＰＶＤ法が主流になっている。磁性層２の上には、
磁気ヘッド、ガイドローラーなどとの摺動時の走行性を
向上するために保護膜１が設けられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、以上述べた従来の垂直記録媒体では次の
ような問題点がある。
ような問題点がある。
基体３上に、例えば蒸着法で磁性層２を形成する場合、
磁性層２の保磁力Ｈａ を向上させるために基体３の温
度を約２００”Ｃ以上に保たなければならない。この温
度上昇により基体３からＨ２Ｏ。
磁性層２の保磁力Ｈａ を向上させるために基体３の温
度を約２００”Ｃ以上に保たなければならない。この温
度上昇により基体３からＨ２Ｏ。
０２などのガスが発生し磁性層２の結晶配向性が乱れる
などの問題が生じるっガスの発生は高分子材料の基体で
特に顕著である。
などの問題が生じるっガスの発生は高分子材料の基体で
特に顕著である。
これを解決するために基体と磁性層との間にガ予が発生
しにくい下地層を設けた例も報告されている（第３図参
照）。下池層としてはＡｊｌ！２０ｓ、Ｇ。
しにくい下地層を設けた例も報告されている（第３図参
照）。下池層としてはＡｊｌ！２０ｓ、Ｇ。
などが考えられているが、いずれも化学的不安定（酸化
性など）や膜の一様性の問題で十分な性能を得られてい
ない。
性など）や膜の一様性の問題で十分な性能を得られてい
ない。
問題点を解決するための手段
以上述べたような従来の問題を解決するために、本発明
は下地層としてダイヤモンド・ライク・カーボン膜（以
後ＤＬＣ膜と称す）を応用するものである。ＤＬＣ膜と
しては、■ダイヤモンド結合ＳＰ３ を一様に含んだア
モルファス状炭素膜、■前記アモルファス状炭素膜中に
ダイヤモンド結晶が散在する膜、■ダイヤモンド結晶粒
が集まった膜、が考えられるが、磁性層の結晶配向性か
ら考えると下地層は一様なアモルファス状が最良である
。以下ＤＬＣ膜とはダイヤモンド結合ＳＰ３を一様に有
するアモルファス状炭素膜のことを示すものとする。
は下地層としてダイヤモンド・ライク・カーボン膜（以
後ＤＬＣ膜と称す）を応用するものである。ＤＬＣ膜と
しては、■ダイヤモンド結合ＳＰ３ を一様に含んだア
モルファス状炭素膜、■前記アモルファス状炭素膜中に
ダイヤモンド結晶が散在する膜、■ダイヤモンド結晶粒
が集まった膜、が考えられるが、磁性層の結晶配向性か
ら考えると下地層は一様なアモルファス状が最良である
。以下ＤＬＣ膜とはダイヤモンド結合ＳＰ３を一様に有
するアモルファス状炭素膜のことを示すものとする。
ＤＬＣ膜は１５ｏｏｋｇ／−以上のマイクロビッカース
硬さを示し、化学的にも安定であシ耐候性に優れた理想
の下地層材料である。ＤＬＣ膜を形成する技術に関して
は従来から種々の方法が報告されている。
硬さを示し、化学的にも安定であシ耐候性に優れた理想
の下地層材料である。ＤＬＣ膜を形成する技術に関して
は従来から種々の方法が報告されている。
（１）難波義捷；ダイヤモンド薄膜の低圧合成の研究、
応用機械工学、１９８４年７月号（２）瀬高信雄；ダイ
ヤモンドの低圧合成、日本産業技術振興協会、技術資料
＆１３８ 、５９／６／２０しかしながらいずれも研究
段階であシ、実用には至っていない。
応用機械工学、１９８４年７月号（２）瀬高信雄；ダイ
ヤモンドの低圧合成、日本産業技術振興協会、技術資料
＆１３８ 、５９／６／２０しかしながらいずれも研究
段階であシ、実用には至っていない。
我々は新しいＤＬＣ膜の形成方法を、開発した（特許出
願五５９−２５２２０５ほか）。我々の開発した方法は
メタンガスを原料として１０〜２０Ｐａの低圧力でこれ
をプラズマ化し、プラズマ中のイオンを加速電界によっ
て基体方向に加速してプラズマと共に基体に噴射し、基
体を加熱することな（２０００〜５０００人／分の高成
膜速度でＤＬＣ膜を形成できるもので、我々はこれをプ
ラズマ・インジエクシロン・ＣＶＤ法（以後、ＰＩ・ｃ
ｖｎ法と称す）と称している。上記のようにＰＩ・ＣＶ
Ｄ法によれば基体を加熱することな（ＤＬＣ膜を形成で
きるため、基体が熱に強くない高分子フィルム（例えば
ＰＥＴ ）表面にもＤＬＣ膜を形成できる。またｐｘ・
ＣＶＤ法によれば成膜速度が２００Ｑ〜５ｏＱＯＶ分と
大きいため量産化にも適している。以上のようにＰＩ・
ＣＶＤ法を用いることで下地層としてＩ）１．Ｃ膜を実
用化することが可能になる。
願五５９−２５２２０５ほか）。我々の開発した方法は
メタンガスを原料として１０〜２０Ｐａの低圧力でこれ
をプラズマ化し、プラズマ中のイオンを加速電界によっ
て基体方向に加速してプラズマと共に基体に噴射し、基
体を加熱することな（２０００〜５０００人／分の高成
膜速度でＤＬＣ膜を形成できるもので、我々はこれをプ
ラズマ・インジエクシロン・ＣＶＤ法（以後、ＰＩ・ｃ
ｖｎ法と称す）と称している。上記のようにＰＩ・ＣＶ
Ｄ法によれば基体を加熱することな（ＤＬＣ膜を形成で
きるため、基体が熱に強くない高分子フィルム（例えば
ＰＥＴ ）表面にもＤＬＣ膜を形成できる。またｐｘ・
ＣＶＤ法によれば成膜速度が２００Ｑ〜５ｏＱＯＶ分と
大きいため量産化にも適している。以上のようにＰＩ・
ＣＶＤ法を用いることで下地層としてＩ）１．Ｃ膜を実
用化することが可能になる。
作用
以上に述べたように、ＰＩ・ＣＶＤ法を用いれば基体と
磁性層との間の下地層としてＤＬＣ膜を実用化すること
が可能となる。ＤＬＣ膜を下地層に用いると、基体を加
熱して磁性層を形成する時に、基体から発生するガスが
磁性層形成部に直接混入することが防止され、磁性層の
結晶配向性が乱れることがなくなる。また、ＤＬＣ膜は
一様なアモルファス状であるため、ＤＬＣ膜上に形成さ
れた磁性層は均一で安定した結晶配向性を示す。
磁性層との間の下地層としてＤＬＣ膜を実用化すること
が可能となる。ＤＬＣ膜を下地層に用いると、基体を加
熱して磁性層を形成する時に、基体から発生するガスが
磁性層形成部に直接混入することが防止され、磁性層の
結晶配向性が乱れることがなくなる。また、ＤＬＣ膜は
一様なアモルファス状であるため、ＤＬＣ膜上に形成さ
れた磁性層は均一で安定した結晶配向性を示す。
さらに、ＤＬＣ膜は諸特性がダイヤモンドに近いため熱
伝導が優れている。このため加熱基体の熱エネルギーが
効率的に伝わシ、下地層であるＤＬＣ膜の表面も効率的
に加熱される。
伝導が優れている。このため加熱基体の熱エネルギーが
効率的に伝わシ、下地層であるＤＬＣ膜の表面も効率的
に加熱される。
実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。８はテープ状もしく
はカード状もしくはディスク状の形態をなす基体であり
、高分子、ガラスなどの非磁性材料よりなる。この基体
８上に一様なアモルファス状のＤＬＣ膜９が、レリえば
ｐｒ−ＣＶＤ法により形成される。ＤＬＣ膜の膜厚は、
膜構造が島状構造ではなく完全な膜となる厚み（約１０
０Å以上と推定される）以上であればいくらでもかまわ
なぃ。ＰＩ・ＣＶＤ法にょる成膜速度は最高５０００八
／分 も可能であシ、連続シート状の基体８に対しても
連続に、かつ能率的に成膜できる。
はカード状もしくはディスク状の形態をなす基体であり
、高分子、ガラスなどの非磁性材料よりなる。この基体
８上に一様なアモルファス状のＤＬＣ膜９が、レリえば
ｐｒ−ＣＶＤ法により形成される。ＤＬＣ膜の膜厚は、
膜構造が島状構造ではなく完全な膜となる厚み（約１０
０Å以上と推定される）以上であればいくらでもかまわ
なぃ。ＰＩ・ＣＶＤ法にょる成膜速度は最高５０００八
／分 も可能であシ、連続シート状の基体８に対しても
連続に、かつ能率的に成膜できる。
ＤＬＣ膜９の上にはＣｏ（ｌｊｒ 、 ＣｏＶ 、 Ｃ
ｏＲｕ などの強磁性体金属がほぼ垂直方向に結晶配
向された膜厚１０００〜５０００への磁性層１０が、真
空蒸着法、スパッタリング法などの手段により形成され
ている。例えばＧｏＯｒ合金を用いた場合では、Ｇｏを
主成分としＯｒを１０〜２０％添加することによＪＣｏ
の柱状組織の境界部にＯｒが偏析した構造となっている
ため、表層部はＣｒ リンチとなっている。
ｏＲｕ などの強磁性体金属がほぼ垂直方向に結晶配
向された膜厚１０００〜５０００への磁性層１０が、真
空蒸着法、スパッタリング法などの手段により形成され
ている。例えばＧｏＯｒ合金を用いた場合では、Ｇｏを
主成分としＯｒを１０〜２０％添加することによＪＣｏ
の柱状組織の境界部にＯｒが偏析した構造となっている
ため、表層部はＣｒ リンチとなっている。
磁性層１０の表面には、磁気ヘッド、ガイドローラーな
どとの摺動から磁性層１０を保護膜１１が設けられてい
る。保護膜１１の組成、膜厚は、要求される信頼性、耐
久性および磁気記録再生装置の構成などに応じて適時決
定されるが、一般にはＯ、Ｆ 、Ｈ、Ｏなどの元素から
構成された厚み２００〜２０００人の有機物膜が用いら
れている。
どとの摺動から磁性層１０を保護膜１１が設けられてい
る。保護膜１１の組成、膜厚は、要求される信頼性、耐
久性および磁気記録再生装置の構成などに応じて適時決
定されるが、一般にはＯ、Ｆ 、Ｈ、Ｏなどの元素から
構成された厚み２００〜２０００人の有機物膜が用いら
れている。
膜厚は特性の関係上できる限り薄い方が望ましい。
ＤＬＣ膜はダイヤモンドに近い諸特性を示し、非常に硬
くまた化学的にも極めて安定であシ、耐摩耗性、耐候性
にも優れ、保護膜としても理想的と考えられる。′下地
層としてＤＬＣ膜９を形成したのと同じように、ＰＩ−
Ｃ’／Ｄ法を用いて磁性層１Ｑ表面にＤＬＣ膜を形成す
ることは可能で、特にＧｏＯｒ合金の場合前述のように
表面がＣｒ１Ｊツチとなるため磁性層１ＱとＤＬＣ膜の
境界でＣｒ３Ｃ２の結合をつくりとりわけ強固な膜が形
成される。
くまた化学的にも極めて安定であシ、耐摩耗性、耐候性
にも優れ、保護膜としても理想的と考えられる。′下地
層としてＤＬＣ膜９を形成したのと同じように、ＰＩ−
Ｃ’／Ｄ法を用いて磁性層１Ｑ表面にＤＬＣ膜を形成す
ることは可能で、特にＧｏＯｒ合金の場合前述のように
表面がＣｒ１Ｊツチとなるため磁性層１ＱとＤＬＣ膜の
境界でＣｒ３Ｃ２の結合をつくりとりわけ強固な膜が形
成される。
この場合のＤＬＣ膜の構成としては一様なアモルファス
状のみの構造以外に ◎アモルファス状炭素膜中にダイ
ヤモンド結晶が散在する構造、◎ダイヤモンド結晶粒が
集まった構造、のいずれであってもかまわない。
状のみの構造以外に ◎アモルファス状炭素膜中にダイ
ヤモンド結晶が散在する構造、◎ダイヤモンド結晶粒が
集まった構造、のいずれであってもかまわない。
また、膜の硬度が高く耐摩耗性に優れるため、膜厚は１
０００Å以下でよく磁気ヘッドとのスペ １
−ス損失を小さくすることが可能であって、−高密度記
録を目的とした垂直記録にも適している。磁気ヘッドと
の接触状態を限定すれば３００Å以下の膜厚においても
高い信頼性が得られる。
０００Å以下でよく磁気ヘッドとのスペ １
−ス損失を小さくすることが可能であって、−高密度記
録を目的とした垂直記録にも適している。磁気ヘッドと
の接触状態を限定すれば３００Å以下の膜厚においても
高い信頼性が得られる。
発明の効果
基体と垂直方向に結晶配向した強磁性材料からなる磁性
層との間に、ＰＩ −ＣＶＤ法によりダイヤモンド構造
ＳＰｓを含んだ一様なアモルファス状のＤＬＣ膜を形成
することによシ、磁性層の結晶配向性の乱れをなくし垂
直配向性のよい垂直記録媒体を効率よく形成することが
できる。
層との間に、ＰＩ −ＣＶＤ法によりダイヤモンド構造
ＳＰｓを含んだ一様なアモルファス状のＤＬＣ膜を形成
することによシ、磁性層の結晶配向性の乱れをなくし垂
直配向性のよい垂直記録媒体を効率よく形成することが
できる。
さらに、磁性層の上にＰｌ、Ｃ１ＶＤ法によるＤＬＣ膜
を保護膜として形成することによシ、磁気ヘッドを保護
膜表面に当接した状態で記録再生を行った場合に、保護
膜が硬く、摩擦係数が小さいこと、化学的に安定である
こと等により、磁気ヘッドに損傷を与えることなく磁性
層を長期にわたって保護することができる。
を保護膜として形成することによシ、磁気ヘッドを保護
膜表面に当接した状態で記録再生を行った場合に、保護
膜が硬く、摩擦係数が小さいこと、化学的に安定である
こと等により、磁気ヘッドに損傷を与えることなく磁性
層を長期にわたって保護することができる。
以上述べたように、本発明は強磁性金属を磁性層とする
垂直記録媒体を用いて高密度記録を実現する上で極めて
有用なものである。
垂直記録媒体を用いて高密度記録を実現する上で極めて
有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における垂直記録媒体の断面
図、第２図、第３図は従来列の垂直記録媒体の断面図で
ある。 ８・・・・・・基体、９・・・・・・ＤＬＣ膜、１ｏ・
・・・・・磁性層、１１・・・・・・保護膜。
図、第２図、第３図は従来列の垂直記録媒体の断面図で
ある。 ８・・・・・・基体、９・・・・・・ＤＬＣ膜、１ｏ・
・・・・・磁性層、１１・・・・・・保護膜。
Claims (3)
- （１）非磁性材料からなる基体上にアモルファス状の高
硬度炭素よりなる下地層が形成され、この下地層の上に
、垂直磁気異方性を有する強磁性金属よりなる磁性層を
有し、かつ磁性層上に保護膜が形成されている垂直記録
媒体。 - （２）下地層が、プラズマ又はイオンを使用して低温低
圧で形成されたダイヤモンド結合ＳＰ＾３を含むアモル
ファス状のダイヤモンド・ライク・カーボン膜である特
許請求の範囲第１項記載の垂直記録媒体。 - （３）保護膜が、プラズマ又はイオンを使用して低温低
圧で形成されたダイヤモンド結合ＳＰ＾３を含むダイヤ
モンド・ライク・カーボン膜である特許請求の範囲第１
項記載の垂直記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18521785A JPS6246423A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 垂直記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18521785A JPS6246423A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 垂直記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246423A true JPS6246423A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16166923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18521785A Pending JPS6246423A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 垂直記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246423A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128020A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Toshikatsu Watabe | 非晶質カ−ボン被膜を有する記憶媒体用デイスク |
| JPS62132218A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-15 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS62231420A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Konika Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH01211221A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| US4891114A (en) * | 1986-12-31 | 1990-01-02 | Basf Aktiengesellschaft | Magnetic recording media |
| JPH0549278U (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-29 | マックス株式会社 | ばら釘用釘打機の釘打込み深さ調整装置 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18521785A patent/JPS6246423A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128020A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Toshikatsu Watabe | 非晶質カ−ボン被膜を有する記憶媒体用デイスク |
| JPS62132218A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-15 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS62231420A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Konika Corp | 磁気記録媒体 |
| US4891114A (en) * | 1986-12-31 | 1990-01-02 | Basf Aktiengesellschaft | Magnetic recording media |
| JPH01211221A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0549278U (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-29 | マックス株式会社 | ばら釘用釘打機の釘打込み深さ調整装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2911050B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| CN100485785C (zh) | 垂直磁记录介质的磁盘基板和用该基板的垂直磁记录介质 | |
| US20050249984A1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus | |
| JPH01158618A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US20050163037A1 (en) | Magnetic anisotropy of soft-underlayer induced by magnetron field | |
| US20130337194A1 (en) | Covalently bound monolayer for a protective carbon overcoat | |
| JPS6246423A (ja) | 垂直記録媒体 | |
| JPH11339240A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
| Arnoldussen | Thin-film recording media | |
| US6709773B1 (en) | Magnetic anisotrophy of soft-underlayer induced by seedlayer | |
| JPH10228620A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| KR20050012227A (ko) | 수직 자기 기록 매체와 그것을 갖춘 자기 기록 장치 및수직 자기 기록 매체의 제조방법 및 제조장치 | |
| JP2006048906A (ja) | 垂直磁気記録媒体とその製造方法および装置、並びに磁気記録装置 | |
| JPH08180360A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JPS6255207B2 (ja) | ||
| JP3864637B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US20020001736A1 (en) | Magnetic recording medium | |
| Sugiyama et al. | Magnetic microstructure and noise property of electrolessly deposited CoNiFeB SoftMagnetic underlayer | |
| Lodder | Magnetic thin films for high-density recording | |
| US7192663B2 (en) | Magnetic anisotropy of soft-underlayer induced by seedlayer | |
| JP4342793B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法及び垂直磁気記録ディスク | |
| US20100073809A1 (en) | X-amr assisted recording on high density bpm media | |
| JPH0432209A (ja) | 磁性膜 | |
| JPH03116516A (ja) | 磁性膜 | |
| OUCHI | REVIEW ON PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING DEVELOPMENTS---Media--- |