JPS62128020A - 非晶質カ−ボン被膜を有する記憶媒体用デイスク - Google Patents
非晶質カ−ボン被膜を有する記憶媒体用デイスクInfo
- Publication number
- JPS62128020A JPS62128020A JP26901385A JP26901385A JPS62128020A JP S62128020 A JPS62128020 A JP S62128020A JP 26901385 A JP26901385 A JP 26901385A JP 26901385 A JP26901385 A JP 26901385A JP S62128020 A JPS62128020 A JP S62128020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- amorphous carbon
- intermediate layer
- protective film
- memory medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、非晶質カーボン被膜を有する記憶媒体用デ
ィスクに関する。
ィスクに関する。
（従来の技術）
従来、コンピューター用磁気ディスク装置では、高記録
密度化を達成するために、磁気媒体の薄膜化、高保磁力
化、高残留磁束密度化が必要であるこの目的のために、
最近無電解メッキによる磁気ディスクが開発されている
。
密度化を達成するために、磁気媒体の薄膜化、高保磁力
化、高残留磁束密度化が必要であるこの目的のために、
最近無電解メッキによる磁気ディスクが開発されている
。
これはドーナツ状アルミニウム合金板上に、第２図に示
すように、無電解Ｎ１−Ｐ中間層（Ｃ）、無電解Ｎ１−
Ｐ下地層（Ｃ′）、無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｐメッキ層（ｄ
） 、Ｓ ｉＯｘ保護膜（ｅ）、そして固体潤滑層（
「）を有し多層構造となっている。
すように、無電解Ｎ１−Ｐ中間層（Ｃ）、無電解Ｎ１−
Ｐ下地層（Ｃ′）、無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｐメッキ層（ｄ
） 、Ｓ ｉＯｘ保護膜（ｅ）、そして固体潤滑層（
「）を有し多層構造となっている。
この磁気ディスクの製作には磁性メッキ前の複雑な多工
程を経て厳密な管理の許で成されなければならない。
程を経て厳密な管理の許で成されなければならない。
又、この方法では記憶媒体素子にハレーション現象が生
ずる欠点を存し、その防止のためクロムのマスクを遮光
膜としている。
ずる欠点を存し、その防止のためクロムのマスクを遮光
膜としている。
このように複雑でしかも多くの工程を経て生成されると
いう欠点があった。
いう欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点）
そこでこの発明は、上記の欠点を除去し、少ない工程数
でしかも簡単に製造出来、機械的硬度、低摩擦係数、熱
的高い伝導性、電気的高絶縁性、光学的高い透過性及び
化学的に安定で耐薬品性などの多くの優れた性質を有す
る非晶質カーボン被膜を有する記憶媒体用ディスクを提
供するものである。
でしかも簡単に製造出来、機械的硬度、低摩擦係数、熱
的高い伝導性、電気的高絶縁性、光学的高い透過性及び
化学的に安定で耐薬品性などの多くの優れた性質を有す
る非晶質カーボン被膜を有する記憶媒体用ディスクを提
供するものである。
（問題点を解決するための手段）
以下、この発明の一実施例を図面に従って説明すると、
記憶媒体用ディスクにおいて、アルミニウム合金で形成
された基板（１）上に形成される。
記憶媒体用ディスクにおいて、アルミニウム合金で形成
された基板（１）上に形成される。
中間層（ａ）及び保護膜（ｂ）に非晶質カーボン膜（２
）を用いるものより構成される。
）を用いるものより構成される。
尚、（３）は無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｐメッキ層である。
次に、この発明に使用する非晶質カーボンの製造方法を
述べると、真空の部屋（Ａ）内に、３〜２０Ｖの力”／
−）’電圧（Ｂ）と、５０〜３００ｖのアノード電圧（
Ｃ）を印加し、サブストレート（基板）（Ｄ）にイオン
加速電圧として０．２〜３ＫＶを加えると、カソード電
圧（Ｂ）とアノード電圧（Ｃ）間で放電が起こり、負に
印加された基＋ｆｆ１（Ｄ）にカソード電圧（Ｂ）と７
ノード電圧（Ｃ）の間の正のイオンが放電プラズマより
抽出された電圧■の値に応じてサブストレート（基板）
（Ｄ）に向かって加速される。
述べると、真空の部屋（Ａ）内に、３〜２０Ｖの力”／
−）’電圧（Ｂ）と、５０〜３００ｖのアノード電圧（
Ｃ）を印加し、サブストレート（基板）（Ｄ）にイオン
加速電圧として０．２〜３ＫＶを加えると、カソード電
圧（Ｂ）とアノード電圧（Ｃ）間で放電が起こり、負に
印加された基＋ｆｆ１（Ｄ）にカソード電圧（Ｂ）と７
ノード電圧（Ｃ）の間の正のイオンが放電プラズマより
抽出された電圧■の値に応じてサブストレート（基板）
（Ｄ）に向かって加速される。
その間、アルゴン等の希ガスを導入しイオン化機構を作
動させ、イオンエツチングを行い、基板表面を洗浄する
。
動させ、イオンエツチングを行い、基板表面を洗浄する
。
その後、炭酸水素ガスを入れると、非晶質カーボン膜（
２）が生成さるものである。
２）が生成さるものである。
（発明の効果）
この発明によると、記憶媒体用ディスクの中間層（ａ）
及び保護膜（ｂ）に非晶質カーボン膜（２）を用いるた
め、機械的硬度、低摩擦係数、熱的高い伝導性、電気的
高絶縁性、光学的高い透過性及び化学的に安定で耐薬品
性などの多くの優れた性質を有する記憶媒体用ディスク
が得られ、その製法も簡単でしかも工程数も少なく極め
て有益なる効果を奏するものである。
及び保護膜（ｂ）に非晶質カーボン膜（２）を用いるた
め、機械的硬度、低摩擦係数、熱的高い伝導性、電気的
高絶縁性、光学的高い透過性及び化学的に安定で耐薬品
性などの多くの優れた性質を有する記憶媒体用ディスク
が得られ、その製法も簡単でしかも工程数も少なく極め
て有益なる効果を奏するものである。
第１図は、この発明の一実施例を示す一部欠截側面図、
第２図は、従来例を示す一部欠截側面図、第２図は、こ
の発明の製法を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・非晶質カーボン膜、ａ・・・中
間層、ｂ・・・保護膜、３・・・無電解ｃｏ−ＮｉＰメ
ッキ層 第１図 第２図 第３図 手 続 袖 正 １１Ｆ（方 式） 昭和６１年２月２７日
第２図は、従来例を示す一部欠截側面図、第２図は、こ
の発明の製法を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・非晶質カーボン膜、ａ・・・中
間層、ｂ・・・保護膜、３・・・無電解ｃｏ−ＮｉＰメ
ッキ層 第１図 第２図 第３図 手 続 袖 正 １１Ｆ（方 式） 昭和６１年２月２７日
Claims (1)
- 記憶媒体用ディスクにおいて、アルミニウム合金で形成
された基板（１）上に形成される、中間層（ａ）及び保
護膜（ｂ）に非晶質カーボン膜（２）を用いることを特
徴とする記憶媒体用ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26901385A JPS62128020A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 非晶質カ−ボン被膜を有する記憶媒体用デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26901385A JPS62128020A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 非晶質カ−ボン被膜を有する記憶媒体用デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128020A true JPS62128020A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17466454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26901385A Pending JPS62128020A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 非晶質カ−ボン被膜を有する記憶媒体用デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128020A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231420A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Konika Corp | 磁気記録媒体 |
| WO2013153993A1 (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-17 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法 |
| WO2013153992A1 (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-17 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法 |
| US8940419B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-01-27 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method for production of hard disk substrate and hard disk substrate |
| CN112593213A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-04-02 | 岳阳市青方环保科技有限公司 | 一种自动倾斜器导筒表面的耐磨防腐工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246423A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直記録媒体 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP26901385A patent/JPS62128020A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246423A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直記録媒体 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231420A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Konika Corp | 磁気記録媒体 |
| US8940419B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-01-27 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method for production of hard disk substrate and hard disk substrate |
| WO2013153993A1 (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-17 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法 |
| WO2013153992A1 (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-17 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法 |
| JP2013218764A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Toyo Kohan Co Ltd | ハードディスク用基板の製造方法 |
| JP2013218765A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Toyo Kohan Co Ltd | ハードディスク用基板の製造方法 |
| CN112593213A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-04-02 | 岳阳市青方环保科技有限公司 | 一种自动倾斜器导筒表面的耐磨防腐工艺 |
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