JPH02128343A - 光学的記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は、光学的記録媒体の製造方法に関するもので、
特に有機物を含む基体上に保護層及び記録層を形成する
方法に関するものである。

［従来の技術］ 従来、光学的記録媒体においては、記録層の腐食による
性能の劣化が問題となっていた。この内でも、光磁気記
録媒体に使われる希土類−遷移金属からなる非晶質磁性
膜は、耐食性が悪く、特に希土類元素が酸化されやすい
ため、磁気特性の安定性が悪いという欠点があった。そ
こで、この磁性膜を大気中の水分、酸素から保護するた
め、Ｓｉｎ、ＡＩＮ、５ｉｎ２．Ｓ４ｙ　Ｎ４゜５ｉＡ
ＩＯＮ等の誘電体膜で挟む構成が多く採られている。し
かも、これらの誘電体膜、磁性膜を真空成膜装置におい
て、真空を破らずに連続に形成する方法が一般に用いら
れている。しかし、このような方法を用いても、プラス
チック基板あるいは光硬化樹脂を有する基板等、有機物
を有する基体上に前記保護層及び磁性膜を形成する際、
基板が含んでいるガスが放出し、下地保護層として形成
する誘電体膜が影響を受けて、基体との密着が悪くなっ
たり、屈折率が変わったり、下地層を形成した後に形成
される磁性膜に影響を及ぼして、所望の磁気特性が得ら
れなかったりするといった問題があった。そこで、これ
らの影響を防止するため、一般に基体の成膜前の前処理
として、大気中で加熱した基体を用いたり、真空装置内
で基体を加熱したり、Ａｒ等の不活性ガスを用いて基体
上をボンバードしたりすることにより、ガス放出を行な
ってから、膜を形成するという工程が取り入れらねでい
る。しかし、例えば基体を加熱する方法は大量の基体を
処理する場合、大量のエネルギーを必要とした。更に、
ガスを放出させる１１・、必要な温度に基体を昇温する
のに、基体を保持している金属筐体をも一緒に加熱する
ため、昇温に時間がかがり、また金属の筐体の熱容量が
大きいため、温度が下がるのに時間ががかり、タクトが
長くなるという欠点があった・。これに対して、Ａｒ等
の不活性ガスを用いて、基体上をボンバードするという
方法は、これらの欠点がないものの、原子半径の大きい
分子で基体表面をたたくため、基体の有機分子がはじき
飛ばされたりして、構忍、組成が変化してしまうという
欠点があった、そごで、比較的２弱いエネルギーの分子
で基体表面上をたたくという方法を採ると、ガス放出の
効果が薄かったり、やはりタクトが長くなったりした、
。

［発明の概要］ 本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、短時
間で、且つ、少ないエネルギーで基体中のガスを放出さ
せ、特性の良い光学的記録媒体を製造し得る方法を提供
することに゛ある。

本発明の上記目的は、真空装ｎ９装置によって、有機物
から成る基板−１に保護層及び記録層をＩ＋、：、成す
る光学的記録媒体の製造方法におし・て５保護層及び記
録層を形成する前に、装置内で基体に電子ビームを照射
して、基体内に含有されたガスを放出さゼるこ、“によ
って達成される。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明える。

第１図は、本発明の方法を実行するバッチ式スパッタリ
ング装置の一例を示を概略図であるや図中、１はポリカ
ーボネー　ト・（Ｐ屯″）Ａ、の有機、物から成る基板
、２は基板１に電子ビームを照射する電子ビーム源、３
は基板１上に保護層及び記録層を形成する為のターゲッ
ト、４は排気ポンプ、５は基板１を回転させながら保持
する基板ホルダーを示す。

ここで、電子は、原子よりはるかに質量、大きさが小さ
いため、ビームとして大玉の電子を有機物に照射しても
、有機物の構造、組成への影響は小さい。本発明は、こ
の性質を利用して、真空成膜装置内に、比較的大面積に
電子を照射できる電子鏡を取り付け、有機物から成る基
体に電子ビームを照射して基体中のガスを放出させるも
のである。

電子ビームを照射する条件として、電子ビームのＩド向
性及びガス出効果を考慮して、真空度はｔｏ−４Ｔｏｒ
ｒ以下が望ましい。

一方、電子ビームの加速電圧は、あまり高いと基体が融
解してしまう為、通常１〜５ＫＶに設定される。また、
電子ビームが局所的に集中しないように、適当に絞りた
ビームを走査したり、電子レンズを設けて、必要な大き
さのビーノ・径とし、て用いろことも出来る。電子ビ・
−ムの照射時間は、パルス状でもよいし、連続的に行な
ってもよい。

電子ビームの電流密度け０．１〜０．７ｍＡ７ｃｍ２の
範囲が望ましい７、これら照射時間、電流密度、加速電
圧は、基体のガラス転移温度に応Ｉ。

で選択される。

り下、光磁気記録媒体を例として、未発明４■１に具体
的に説明する。

［実施例１］ 光磁気記録媒体の保護膜、磁性膜を真空を破らずに連続
成膜できるバッチ式スパッタリング装置に、基板なヒー
タにより加熱できる機構と、Ａｒによる基板の逆スパツ
タができる機構と、第１β５１に示すような電子ビーム
照射手段を設けて、本発明の方法及び比較例として従来
の方法によって光磁気記録媒体を作成し、成膜後の状態
及び耐久による比較を行なった。

本発明の方法によって製造した光磁気記録媒体は、装置
内真空度がｌ　Ｏ−’Ｔ　ｏ　ｒ　ｒになった時点で、
φ１３０ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）ディスクに向
って、電子ビームを２分間照射した。照射条件は、加速
電圧１ｋＶ、電流密度０．３ｍＡ／ｃｍ’とした。照射
後、１５分間排気し、基板を冷却後、下地層として、５
ｊＮｌｉを８００人、磁性層としてＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏを
４００人、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏを４００人、保護層として
５ｉＮｌｉを８００人順成形成し、光磁気記録媒体を形
成した。比較例として、装置内がｔｏ−４Ｔｏｒｒにな
った時点で、ヒーターを昇温し、基板を３０分間加熱し
た。そして、その後３０分間、排気、基板を冷却し上記
と同じ条件で、下地層、磁性層、保護層を形成し、従来
の方法による光磁気記録媒体を得た。また、もう一つの
比較例として、装置内が１０　””Ｔｏ　ｒ　ｒになっ
た時点で、装置内にＡｒガスを導入し、Ａｒガス圧５ｘ
ｌＯ−３Ｔｏｒｒ雰囲気で、電力密度０．２Ｗ／ｃｍ２
のＲＦパワーで２分間、基板に逆スパツタを行なった。

そして、その後排気、基板を冷却後、やはり本発明によ
るものと同じ条件で、下地層、Ｉｉｎ性層、保護層を形
成し、従来の方法による光磁気記録媒体を得た。結果は
、第１表に示す通りであった。ここで、耐久条件は、７
０℃、９０％、１００ＯＨとした。第１表において、記
録感度ムラは、同−周辺内でのムラを表わすやまた、Δ
Ｃ／Ｎは、３ｄＢ以上Ｃ／Ｎ比の変化があった場合にＸ
とした。更に膜の密着力は、テープテストによる膜のハ
ガレ具合で判断し４た。

［実施例２］ 第２図のように、１つの基板ホルダーに複数のφ１３０
ｍｍＰＣディスク基板１を装着して膜を形成する、ロー
ドロック室６を備えた光磁気記録媒体の量産用成膜装置
において、中継室７にτ、７−ビーム源２を多数個取付
け、−度に１つの基板ホルダー上のすべてのＰＣディス
クに電子ビーム照射を行なうようにした。電子ビートを
照射するタイミングは、ロードロック室６から、中継室
７に搬送された直後に行ない、その後、中継室７が所定
の基板ホルダー数で満たされるまで、排気、冷却を行な
う。その後、基板１は逐次バッファ室８を通って、成膜
室９に搬送され光磁気記録１摸が形成される。このよう
にして得られた光磁気記録媒体を、７０℃、９０％、１
０００Ｈの高温高湿の耐久テストにかけたが、外観及び
特性上、特に問題は生じなかった。この方式のタクトは
、１５分であった。比較例として、中継室で加熱する方
式では、加熱及び冷却の時間が必要であり、この工程に
約５時間必要であった。それに対して本発明では、この
工程が不必要であるため、連続的に光磁気記録媒体が形
成できる。

尚、第２図において、１０は各室の間に設けられたバル
ブを示す。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、プラスチック等
の有機物からなる基板に、真空装置内で排気しながら電
子ビームを照射することにより、短時間にガスの放出及
び冷却を行なうことが可能になり、工程の時間短縮、省
エネルギー化が行なえて、生産効率のアップコスト低減
の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実行する電子ビーム照射装置を設けた
バッチ式のスパッタリング装置を示す模式図、 第２図は本発明を実行する電子ビーム照射装置を設けた
ロードロック室を備えた連続成膜装置を示す模式図であ
る。 １・・・有機物からなる基板、 ２・・・電子ビーム源、 ３・・・ターゲット、 ４・・・排気ポンプ、 ５・・・基板ホルダー ６・・・ロードロック室、 ７・・・中継室、 ８・・・バッファ室、 ９・・・成膜室、 ｌＯ・・・バルブ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空成膜装置によって、有機物から成る基体上に
   保護層及び記録層を形成する光学的記録媒体の製造方法
   において、 前記保護層及び記録層を形成する前に、前記装置内で前
   記基体に電子ビームを照射することにより、基体内に含
   有されたガスを放出させることを特徴とする光学的記録
   媒体の製造方法。
2. （２）前記電子ビーム照射時の装置内の真空度が１０＾
   −＾４Ｔｏｒｒ以下である特許請求の範囲第１項記載の
   光学的記録媒体の製造方法。