JP2584997B2 - 光磁気記録素子の製法 - Google Patents
光磁気記録素子の製法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラスチック製基体に対する非磁性体層の密
着力を大きくして高信頼性且つ長寿命化を達成した光磁
気記録素子の製法に関するものである。
着力を大きくして高信頼性且つ長寿命化を達成した光磁
気記録素子の製法に関するものである。
近年、光磁気記録媒体を用いた高密度記録が盛んに研
究されており、これはレーザー光を投光して記録媒体を
局部加熱することによりビットを書き込み、磁気光学効
果を利用して読み出すという大量の情報を高密度に記録
する方式であり、この光磁気記録媒体には希土類元素−
遷移金属から成る非晶質金属垂直磁化膜が用いられる。
究されており、これはレーザー光を投光して記録媒体を
局部加熱することによりビットを書き込み、磁気光学効
果を利用して読み出すという大量の情報を高密度に記録
する方式であり、この光磁気記録媒体には希土類元素−
遷移金属から成る非晶質金属垂直磁化膜が用いられる。
この光磁気記録方式によれば、光磁気特性を向上させ
るために記録媒体の改善と共に記録媒体と基板との間に
透光性非磁性体層を設けることが提案されており、この
非磁性体層用材料にはCeO2,ZrO2,TiO2,Al2O3,SiOなどの
酸化物、Si3N4,AlN,ZnS,SiC,MgF2などの非酸化物があ
る。
るために記録媒体の改善と共に記録媒体と基板との間に
透光性非磁性体層を設けることが提案されており、この
非磁性体層用材料にはCeO2,ZrO2,TiO2,Al2O3,SiOなどの
酸化物、Si3N4,AlN,ZnS,SiC,MgF2などの非酸化物があ
る。
一方、この高密度記録に用いられる光ディスク用基板
には軽量、低価格、耐久性及び安全性並びに射出成型に
よるガイドトラック入り基板を大量に複製できることか
らプラスチック材料が使用されるようになり、とりわけ
優れた透光性を有する高分子材料、例えばポリカーボネ
ート樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などを用いて
光磁気記録用基板が製作されている。
には軽量、低価格、耐久性及び安全性並びに射出成型に
よるガイドトラック入り基板を大量に複製できることか
らプラスチック材料が使用されるようになり、とりわけ
優れた透光性を有する高分子材料、例えばポリカーボネ
ート樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などを用いて
光磁気記録用基板が製作されている。
しかしながら、このプラスチック基板上に非磁性体層
を介して磁性層を形成した光磁気記録素子によれば、非
磁性体層とプラスチック基板との間は密着性に劣ってい
るので環境条件によっては部分的な密着不足が生じ、こ
れにより、記録された情報を正確に読み出せなくなり、
その結果、素子自体の信頼性を著しく損なっている。
を介して磁性層を形成した光磁気記録素子によれば、非
磁性体層とプラスチック基板との間は密着性に劣ってい
るので環境条件によっては部分的な密着不足が生じ、こ
れにより、記録された情報を正確に読み出せなくなり、
その結果、素子自体の信頼性を著しく損なっている。
そこで、この問題を解決するためにプラスチック基板
の成膜面に洗剤や有機溶剤による洗浄、熱処理、プラズ
マ処理などを施してその成膜面に付着した汚染物質を物
理的に除去したり、化学的に分解するなどの方法が採ら
れているが未だ満足し得るような密着力が得られていな
い。また、逆スパッタなどを用いてプラスチック基板面
をエッチングし、これにより、その面を粗面化して非磁
性体層との密着力を向上させるということも提案されて
いるが、プラスチック基板表面の粗面化によりC/N比等
の動特性に悪影響を生じるという問題がある。
の成膜面に洗剤や有機溶剤による洗浄、熱処理、プラズ
マ処理などを施してその成膜面に付着した汚染物質を物
理的に除去したり、化学的に分解するなどの方法が採ら
れているが未だ満足し得るような密着力が得られていな
い。また、逆スパッタなどを用いてプラスチック基板面
をエッチングし、これにより、その面を粗面化して非磁
性体層との密着力を向上させるということも提案されて
いるが、プラスチック基板表面の粗面化によりC/N比等
の動特性に悪影響を生じるという問題がある。
従って本発明の目的は叙上の問題点を解決してプラス
チック基体に対する膜の密着力を大きくし、これによっ
て高信頼性且つ長寿命化を達成した光磁気記録素子の製
法を提供することにある。
チック基体に対する膜の密着力を大きくし、これによっ
て高信頼性且つ長寿命化を達成した光磁気記録素子の製
法を提供することにある。
本発明によれば、不活性ガス雰囲気下又は真空中で、
プラスチック製基体の被膜形成面に対して高圧水銀灯か
らの紫外線を、被膜形成面と純水との接触角が50〜80°
になるように照射し、然る後、この被膜形成面上に非磁
性体層と光磁気記録層を順次積層することを特徴とする
光磁気記録素子の製法が提供される。
プラスチック製基体の被膜形成面に対して高圧水銀灯か
らの紫外線を、被膜形成面と純水との接触角が50〜80°
になるように照射し、然る後、この被膜形成面上に非磁
性体層と光磁気記録層を順次積層することを特徴とする
光磁気記録素子の製法が提供される。
本発明の製法により得られる光磁気記録素子において
は、プラスチック製基体に種々の形状を取り得るが、以
下、ディスク状基体を例にとって詳細に説明する。
は、プラスチック製基体に種々の形状を取り得るが、以
下、ディスク状基体を例にとって詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光磁気記録素子の典型的な層構
成を表しており、この層構成によれば、プラスチック製
ディスク状基板１の上に第１非磁性体層２を介して磁性
層３を積層し、その上に第２非磁性体層４及び保護層５
を順次積層している。
成を表しており、この層構成によれば、プラスチック製
ディスク状基板１の上に第１非磁性体層２を介して磁性
層３を積層し、その上に第２非磁性体層４及び保護層５
を順次積層している。
この基板用プラスチック材にはポリカーボネート樹脂
（以下、PC樹脂と略す）やポリメチルメタクリレート樹
脂（以下、PMMA樹脂と略す）などがあり、本発明者等は
この基板の被膜形成面1aに、それを構成する鎖状分子が
相互に共有結合により結び付けられるような波長領域を
有する紫外線を不活性ガス雰囲気下又は真空中で照射し
た場合、プラスチック化学組成が改質され、その被膜形
成面1aにプラスチック改質層1bが形成され、その結果、
非磁性体層との密着力が顕著に大きくなることを見い出
した。
（以下、PC樹脂と略す）やポリメチルメタクリレート樹
脂（以下、PMMA樹脂と略す）などがあり、本発明者等は
この基板の被膜形成面1aに、それを構成する鎖状分子が
相互に共有結合により結び付けられるような波長領域を
有する紫外線を不活性ガス雰囲気下又は真空中で照射し
た場合、プラスチック化学組成が改質され、その被膜形
成面1aにプラスチック改質層1bが形成され、その結果、
非磁性体層との密着力が顕著に大きくなることを見い出
した。
紫外線照射前のプラスチック基板、例えばPC樹脂基板
であれば、 で表わされる鎖状高分子から成り、そして、第２図に示
すように複数の鎖状高分子６（実線）が水素結合７（破
線）によって結び付けられて三次元的に立体配置してお
り、その配列はアモルファス化している。
であれば、 で表わされる鎖状高分子から成り、そして、第２図に示
すように複数の鎖状高分子６（実線）が水素結合７（破
線）によって結び付けられて三次元的に立体配置してお
り、その配列はアモルファス化している。
このプラスチック基板に200〜280nmの波長から成る紫
外線を照射した場合、そのプラスチック化学組成のなか
に水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基等
々の極性基、即ち酸素や窒素から成る親水基が生じ、こ
れにより、形成面1aの濡れ性が顕著に大きくなり、非磁
性体層との密着力が向上する。これに加えて、その化学
変化に伴って第３図に示すように複数の鎖状高分子６が
相互に架橋反応し、共有結合８（一点鎖線）が生じ、そ
の結果、膜の密着力が更に一層高められる。
外線を照射した場合、そのプラスチック化学組成のなか
に水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基等
々の極性基、即ち酸素や窒素から成る親水基が生じ、こ
れにより、形成面1aの濡れ性が顕著に大きくなり、非磁
性体層との密着力が向上する。これに加えて、その化学
変化に伴って第３図に示すように複数の鎖状高分子６が
相互に架橋反応し、共有結合８（一点鎖線）が生じ、そ
の結果、膜の密着力が更に一層高められる。
このように200〜280nmの範囲内にそのスペクトルを有
する紫外線を照射する場合、この波長範囲内に発光ピー
クが存在するのが望ましい。また、この波長範囲内に発
光ピークが存在しない場合であっても、その波長範囲内
に発光スペクトルが存在すれば鎖状分子間の架橋反応が
進行するものと考える。
する紫外線を照射する場合、この波長範囲内に発光ピー
クが存在するのが望ましい。また、この波長範囲内に発
光ピークが存在しない場合であっても、その波長範囲内
に発光スペクトルが存在すれば鎖状分子間の架橋反応が
進行するものと考える。
紫外線照射用ランプには、例えば高圧水銀灯や低圧水
銀灯などがあるが、本発明では高圧水銀灯を用いる。低
圧水銀灯が発光する紫外線には184.9nmと253.7nmのそれ
ぞれの波長に発光ピークが存在する。このように200〜2
80nmの範囲から外れた波長範囲にも発光ピークが存在す
る場合、プラスチック基板に架橋反応が生成するのを阻
止しようとする傾向にある。
銀灯などがあるが、本発明では高圧水銀灯を用いる。低
圧水銀灯が発光する紫外線には184.9nmと253.7nmのそれ
ぞれの波長に発光ピークが存在する。このように200〜2
80nmの範囲から外れた波長範囲にも発光ピークが存在す
る場合、プラスチック基板に架橋反応が生成するのを阻
止しようとする傾向にある。
即ち、上記のように200nm未満の比較的短波長領域の
紫外線から成る場合には紫外線照射雰囲気のガス分子が
活性化し易くなっており、この雰囲気に微量ながらも残
留している酸素分子がオゾン化し、これが基板表面に結
合し、そのために上記架橋反応が妨げられる。従って、
本発明では高圧水銀灯を用いる。
紫外線から成る場合には紫外線照射雰囲気のガス分子が
活性化し易くなっており、この雰囲気に微量ながらも残
留している酸素分子がオゾン化し、これが基板表面に結
合し、そのために上記架橋反応が妨げられる。従って、
本発明では高圧水銀灯を用いる。
このように200〜280nmの範囲以外で発光ピークが存在
する場合、そのピーク強度は200〜280nmの範囲内の最大
スペクトル強度に比べて1/2以下、好適には1/3以下が望
ましい。
する場合、そのピーク強度は200〜280nmの範囲内の最大
スペクトル強度に比べて1/2以下、好適には1/3以下が望
ましい。
本発明の製法によれば、紫外線照射を不活性ガス雰囲
気下又は真空中で行うことも重要である。
気下又は真空中で行うことも重要である。
即ち、プラスチック基板に紫外線を照射した場合、そ
の基板表面にはフリーラジカル（結合手）が生成する
が、照射雰囲気中に酸素ガスや化学的に活性なガスが存
在すると、これらのガスがフリーラジカルと結合し、基
板表面における架橋点密度が小さくなり、その結果、プ
ラスチック改質層1bが十分に形成されなくなる。従っ
て、紫外線を不活性ガス雰囲気下で照射するとよい。そ
して、この不活性ガスにはHe,Ne,Ar,Kr,Xe,Rn,N2等々が
あるが、就中、Arが最も優れた密着力が得られるという
点で望ましい。また、上記真空雰囲気は1mmTorr以下、
好適には0.01mmTorr以下がよい。
の基板表面にはフリーラジカル（結合手）が生成する
が、照射雰囲気中に酸素ガスや化学的に活性なガスが存
在すると、これらのガスがフリーラジカルと結合し、基
板表面における架橋点密度が小さくなり、その結果、プ
ラスチック改質層1bが十分に形成されなくなる。従っ
て、紫外線を不活性ガス雰囲気下で照射するとよい。そ
して、この不活性ガスにはHe,Ne,Ar,Kr,Xe,Rn,N2等々が
あるが、就中、Arが最も優れた密着力が得られるという
点で望ましい。また、上記真空雰囲気は1mmTorr以下、
好適には0.01mmTorr以下がよい。
そして、上記のような紫外線照射雰囲気を形成するに
当たって、微量な酸素分子や水分子などが残留する場合
があり、この残留分子は本発明の目的を達成するために
有利に作用しない。従って、この分子を可及的に少なく
するのが望ましい。
当たって、微量な酸素分子や水分子などが残留する場合
があり、この残留分子は本発明の目的を達成するために
有利に作用しない。従って、この分子を可及的に少なく
するのが望ましい。
また、前記第１非磁性体層２には基板１との密着力を
得んがために種々の材料を用いることができるが、例え
ばSi3N4,SiC,AlN,ZnS,MgF2,CdS,ZnS,BN,TiN,TiC,Sb2S3
等々の非酸化物、或いはCeO2,ZrO2,TiO2,Al2O3,Cr2O3,M
gO,SiO,SiO2等々の酸化物があり、これらを単独又は組
合せて用いることができる。
得んがために種々の材料を用いることができるが、例え
ばSi3N4,SiC,AlN,ZnS,MgF2,CdS,ZnS,BN,TiN,TiC,Sb2S3
等々の非酸化物、或いはCeO2,ZrO2,TiO2,Al2O3,Cr2O3,M
gO,SiO,SiO2等々の酸化物があり、これらを単独又は組
合せて用いることができる。
かくして本発明の製法により得られたディスク状基板
によれば、プラスチック改質層1bが形成されて非磁性体
層との密着力が著しく大きくなっており、そして、その
密着力は基板に対する純水の接触角によって言い表わす
ことができる。
によれば、プラスチック改質層1bが形成されて非磁性体
層との密着力が著しく大きくなっており、そして、その
密着力は基板に対する純水の接触角によって言い表わす
ことができる。
即ち、この接触角とは第４図に示すようにプラスチッ
ク基板１と純水の水滴９と空気10との界面で形成される
室温下の角度θであり、そして、紫外線照射前のプラス
チック基板であれば、その接触角は約85〜90°であり、
これに対して本発明の製法によれば、その接触角が低下
傾向にある。本発明者等が繰り返し行った実験によれ
ば、接触角を50〜80°、望ましくは55〜75°の範囲内に
設定すれば本発明の目的を優位に達成することができる
ことも見い出した。
ク基板１と純水の水滴９と空気10との界面で形成される
室温下の角度θであり、そして、紫外線照射前のプラス
チック基板であれば、その接触角は約85〜90°であり、
これに対して本発明の製法によれば、その接触角が低下
傾向にある。本発明者等が繰り返し行った実験によれ
ば、接触角を50〜80°、望ましくは55〜75°の範囲内に
設定すれば本発明の目的を優位に達成することができる
ことも見い出した。
次に本発明の実施例にて用いられる紫外線照射装置及
びマグネトロンスパッタリング装置をそれぞれ第５図及
び第６図にて述べる。
びマグネトロンスパッタリング装置をそれぞれ第５図及
び第６図にて述べる。
第５図の紫外線照射装置においては、真空槽11の内部
に回転駆動されるターンテーブル12が設置されており、
そのターンテーブル12の上にはディスク状基板１が載置
され、この基板１と対向して高圧水銀灯13が設置されて
いる。不活性ガスはガス導入口14を介して導入され、基
板１が回転駆動され、そして、基板１が高圧水銀灯13に
よって紫外線照射される。
に回転駆動されるターンテーブル12が設置されており、
そのターンテーブル12の上にはディスク状基板１が載置
され、この基板１と対向して高圧水銀灯13が設置されて
いる。不活性ガスはガス導入口14を介して導入され、基
板１が回転駆動され、そして、基板１が高圧水銀灯13に
よって紫外線照射される。
このようにして紫外線照射されたディスク状基板１を
外気に晒さないようにして第６図のマグネトロンスパッ
タリング装置に設置し、然る後、成膜を行い、光磁気記
録素子を得る。
外気に晒さないようにして第６図のマグネトロンスパッ
タリング装置に設置し、然る後、成膜を行い、光磁気記
録素子を得る。
図中、真空槽15の内部には例えば窒化珪素から成る第
１ターゲット16、磁性体合金から成る第２ターゲット1
7,回転駆動されることにより組合せ薄膜が形成されるデ
ィスク状基板１が配置されている。第１ターゲット16と
基板１の間には高周波スパッタリングが、また、第２タ
ーゲット17と基板１の間には高周波電圧或いは直流電圧
が印加されてスパッタリングが行われる。この第１、第
２ターゲット16,17の下側にはプレーナーマグネトロン
型カソードが備えつけられ、これにより、電場と磁場の
直交するペニング放電現象を利用して放電ガス分子のイ
オン化効果が高められ、量産に適した高速成膜が可能と
なる。
１ターゲット16、磁性体合金から成る第２ターゲット1
7,回転駆動されることにより組合せ薄膜が形成されるデ
ィスク状基板１が配置されている。第１ターゲット16と
基板１の間には高周波スパッタリングが、また、第２タ
ーゲット17と基板１の間には高周波電圧或いは直流電圧
が印加されてスパッタリングが行われる。この第１、第
２ターゲット16,17の下側にはプレーナーマグネトロン
型カソードが備えつけられ、これにより、電場と磁場の
直交するペニング放電現象を利用して放電ガス分子のイ
オン化効果が高められ、量産に適した高速成膜が可能と
なる。
この装置において、非磁性体層と磁性層の形成を任意
の積層順で行う。
の積層順で行う。
先ず、装置内を１×10-5Torr以下の高真空に脱気した
後、スパッタリング用の不活性ガス、例えばアルゴンを
所定の圧力になるように導入する。
後、スパッタリング用の不活性ガス、例えばアルゴンを
所定の圧力になるように導入する。
雰囲気ガスが１×10-4Torr未満では安定な放電状態が
得られず、成膜が困難となり、50×10-3Torrを越えると
磁性薄膜中に含まれるアルゴンや酸素が増加して膜特性
が劣化し、優れた光磁気特性並びに均一性及び安定性が
得られず、１×10-4〜50×10-3Torr、好適には３×10-3
〜20×10-3Torrの範囲内に設定される。
得られず、成膜が困難となり、50×10-3Torrを越えると
磁性薄膜中に含まれるアルゴンや酸素が増加して膜特性
が劣化し、優れた光磁気特性並びに均一性及び安定性が
得られず、１×10-4〜50×10-3Torr、好適には３×10-3
〜20×10-3Torrの範囲内に設定される。
第１図に示す素子を製作する場合、アルゴンガス所定
のガス圧となるように導入すると共に第１ターゲット16
と基板１との間に高周波電力を印加して窒化珪素系第１
非磁性体層を形成させ、所定の膜厚が得られるとスパッ
タリングを停止させる。
のガス圧となるように導入すると共に第１ターゲット16
と基板１との間に高周波電力を印加して窒化珪素系第１
非磁性体層を形成させ、所定の膜厚が得られるとスパッ
タリングを停止させる。
次いで第２ターゲット17と基板１との間にも同様に高
周波電力もしくは直流電圧を印加して磁性層を形成し、
所定の膜厚になったとき、このスパッタリングを停止し
て磁性層３を得る。
周波電力もしくは直流電圧を印加して磁性層を形成し、
所定の膜厚になったとき、このスパッタリングを停止し
て磁性層３を得る。
本発明の光磁気記録素子はプラスチック基板の上に上
述した通り第１非磁性体層２を介して磁性層３である膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質金属垂直磁
化膜、例えばTbFe,GdCo,TbFeCo,GdDyFe,DyFeCo,GdTbFeC
o,GdDyFeCo等を形成し、更にその上に磁性層３の酸化等
の防止のために再度スパッタリングにより第２非磁性体
層４を形成する。この層４も窒化珪素系非磁性体層にす
るのがよく、これにより、共通の同一ターゲットを用い
ることができる。
述した通り第１非磁性体層２を介して磁性層３である膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質金属垂直磁
化膜、例えばTbFe,GdCo,TbFeCo,GdDyFe,DyFeCo,GdTbFeC
o,GdDyFeCo等を形成し、更にその上に磁性層３の酸化等
の防止のために再度スパッタリングにより第２非磁性体
層４を形成する。この層４も窒化珪素系非磁性体層にす
るのがよく、これにより、共通の同一ターゲットを用い
ることができる。
また、必要により第２非磁性体層４の上に更に樹脂保
護層５を形成させることができる。この樹脂保護層５と
しては、それ自体公知の紫外線硬化型アクリル樹脂、ポ
リエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂等を用いること
ができる。
護層５を形成させることができる。この樹脂保護層５と
しては、それ自体公知の紫外線硬化型アクリル樹脂、ポ
リエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂等を用いること
ができる。
次に本発明の実施例を述べる。
PC樹脂から成るディスク状基板を第５図の装置に設置
し、紫外線照射用雰囲気を真空中又は不活性ガスとし、
この不活性ガスとしてAr,N2，空気（大気圧下）及びO2
を導入し、それぞれの雰囲気の差異により５種類のディ
スク状基板を得た。
し、紫外線照射用雰囲気を真空中又は不活性ガスとし、
この不活性ガスとしてAr,N2，空気（大気圧下）及びO2
を導入し、それぞれの雰囲気の差異により５種類のディ
スク状基板を得た。
次に第６図の高周波二元マグネトロンスパッタリング
装置に上記ディスク状基板を設置し、そして、窒化珪素
から成る第１ターゲット16とGd-Dy-Fe系の第２ターゲッ
ト17を備えつけた。そして、アルゴンガスを導入してス
パッタリングにより膜厚750Åの第１非磁性体層２を形
成し、次いでDCパワー600WにてGdDyFe磁性層３を膜厚10
00Åで形成し、然る後、この磁性層３の上に第１非磁性
体層２と同一の製作条件で第２非磁性体層４を1000Åの
厚みで被覆した。
装置に上記ディスク状基板を設置し、そして、窒化珪素
から成る第１ターゲット16とGd-Dy-Fe系の第２ターゲッ
ト17を備えつけた。そして、アルゴンガスを導入してス
パッタリングにより膜厚750Åの第１非磁性体層２を形
成し、次いでDCパワー600WにてGdDyFe磁性層３を膜厚10
00Åで形成し、然る後、この磁性層３の上に第１非磁性
体層２と同一の製作条件で第２非磁性体層４を1000Åの
厚みで被覆した。
かくして得られた素子を高温高湿の環境下（65℃RT、
90〜95RH）に放置して密着力の経時変化を追ったとこ
ろ、第７図に示す通りの結果が得られた。
90〜95RH）に放置して密着力の経時変化を追ったとこ
ろ、第７図に示す通りの結果が得られた。
この密着力試験は第２非磁性体層４の表面全体にセロ
ハンテープを貼り付け、次いで引き剥がすことによって
膜形成の全面に対する剥離した部分の面積を百分率で表
わし、このテストを10回繰り返し行ってその平均値によ
って密着力の評価を行った。
ハンテープを貼り付け、次いで引き剥がすことによって
膜形成の全面に対する剥離した部分の面積を百分率で表
わし、このテストを10回繰り返し行ってその平均値によ
って密着力の評価を行った。
第７図中、◎印、○印、×印、●印及び△印は紫外線
照射時の雰囲気がそれぞれ真空中、Ar,N2空気（大気圧
下）及びO2の場合、これによって得られたそれぞれ光磁
気記録素子のプロットであり、そして、a,b,c,d及びｅ
はそれぞれの特性曲線である。
照射時の雰囲気がそれぞれ真空中、Ar,N2空気（大気圧
下）及びO2の場合、これによって得られたそれぞれ光磁
気記録素子のプロットであり、そして、a,b,c,d及びｅ
はそれぞれの特性曲線である。
第７図より明らかな通り、真空中で紫外線照射した場
合には初期の密着力より劣化せず、そして、ArやN2を用
いた場合でも密着力が著しく優れていることが判る。
合には初期の密着力より劣化せず、そして、ArやN2を用
いた場合でも密着力が著しく優れていることが判る。
然るに空気を用いた場合には密着力が漸次劣化してお
り、更にO2においては65時間経過後ほとんど剥離してし
まった。
り、更にO2においては65時間経過後ほとんど剥離してし
まった。
第７図の○印に相当する条件で、紫外線の照射時間を
変化させた場合の純水の接触角、密着性を第１表に示
す。なお、第７図のデータは全て接触角を71°に設定し
た例である。
変化させた場合の純水の接触角、密着性を第１表に示
す。なお、第７図のデータは全て接触角を71°に設定し
た例である。
また、本発明者等は上記実施例のなかでPC樹脂基板に
代えてPMMA樹脂から成るディスク状基板を用いて同じテ
ストを行ったところ、同様な結果が得られることを確認
した。
代えてPMMA樹脂から成るディスク状基板を用いて同じテ
ストを行ったところ、同様な結果が得られることを確認
した。
以上の通り、本発明の製法によれば、プラスチック基
体に対する非磁性体層の密着力が著しく向上し、これに
より、素子自体の性能を高めて高信頼性且つ長寿命化を
達成した光磁気記録素子が提供される。
体に対する非磁性体層の密着力が著しく向上し、これに
より、素子自体の性能を高めて高信頼性且つ長寿命化を
達成した光磁気記録素子が提供される。
また本発明の製法によれば、プラスチック基体に紫外
線を照射するに当たってその基体に対する純水の接触角
を目安にして紫外線照射量を制御することができ、これ
により、製造コントロールが容易となって製造効率を高
めることができる。
線を照射するに当たってその基体に対する純水の接触角
を目安にして紫外線照射量を制御することができ、これ
により、製造コントロールが容易となって製造効率を高
めることができる。
第１図は本発明光磁気記録素子の典型例を示す断面図、
第２図はプラスチック基体表面の紫外線照射前の高分子
構造を示す概略図、第３図はプラスチック基体表面の紫
外線照射後の高分子構造を示す概略図、第４図はプラス
チック基体に対する純水の接触角を表わす説明図、第５
図は紫外線照射装置の説明図、第６図は高周波二元マグ
ネトロンスパッタリング装置の説明図、第７図は各種紫
外線照射雰囲気におけるプラスチック基板の密着力を表
わす線図である。 １……プラスチック製ディスク状基板 1b……プラスチック改質層 ２……第１非磁性体層 ３……磁性層 ４……第２非磁性体層
第２図はプラスチック基体表面の紫外線照射前の高分子
構造を示す概略図、第３図はプラスチック基体表面の紫
外線照射後の高分子構造を示す概略図、第４図はプラス
チック基体に対する純水の接触角を表わす説明図、第５
図は紫外線照射装置の説明図、第６図は高周波二元マグ
ネトロンスパッタリング装置の説明図、第７図は各種紫
外線照射雰囲気におけるプラスチック基板の密着力を表
わす線図である。 １……プラスチック製ディスク状基板 1b……プラスチック改質層 ２……第１非磁性体層 ３……磁性層 ４……第２非磁性体層
フロントページの続き 審査官 梅岡 信幸 (56)参考文献 特開 昭63−244343（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】不活性ガス雰囲気下又は真空中で、プラス
チック製基体の被膜形成面に対して高圧水銀灯からの紫
外線を、被膜形成面と純水との接触角が50〜80°になる
ように照射し、然る後、この被膜形成面上に非磁性体層
と光磁気記録層を順次積層することを特徴とする光磁気
記録素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62137428A JP2584997B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光磁気記録素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62137428A JP2584997B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光磁気記録素子の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300446A JPS63300446A (ja) | 1988-12-07 |
| JP2584997B2 true JP2584997B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=15198397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62137428A Expired - Lifetime JP2584997B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光磁気記録素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584997B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827999B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1996-03-21 | 松下電器産業株式会社 | 平板状情報記録担体の作製方法 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62137428A patent/JP2584997B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63300446A (ja) | 1988-12-07 |
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