JPS61236687A - ダイヤモンド部品 - Google Patents
ダイヤモンド部品Info
- Publication number
- JPS61236687A JPS61236687A JP7567985A JP7567985A JPS61236687A JP S61236687 A JPS61236687 A JP S61236687A JP 7567985 A JP7567985 A JP 7567985A JP 7567985 A JP7567985 A JP 7567985A JP S61236687 A JPS61236687 A JP S61236687A
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- Japan
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- diamond
- layer
- odd number
- electroconductive
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は円盤状情報記録担体（以下ディスクと記す）
に再生針を接触せしめ、その再生針から音声及び映像の
情報信号を再生する静電容量方式の円盤状情報記録再生
装置（以下ビデオディスクプレーヤと記す）に使用して
効果のある、表面に導電性被膜が強固に付着されたダイ
ヤモンド部品に関する。
に再生針を接触せしめ、その再生針から音声及び映像の
情報信号を再生する静電容量方式の円盤状情報記録再生
装置（以下ビデオディスクプレーヤと記す）に使用して
効果のある、表面に導電性被膜が強固に付着されたダイ
ヤモンド部品に関する。
従来の技術
従来のダイヤモンド部品は、第４図のようにダイヤモン
ド基体１の表面に、オずＴｉ 、 Ｔａ 、 Ｎｂ。
ド基体１の表面に、オずＴｉ 、 Ｔａ 、 Ｎｂ。
Ｈｆ 、 Ｗ 、 Ｚｒ 、 Ｏｒ 、 Ｎｉ ノ金属
の一つまたはこれらの金属間の合金から成る金属層２を
形成し、その金属層２上に前記金属の窒化物、炭化物、
硅化物のいずれかの層３を形成して成っている。
の一つまたはこれらの金属間の合金から成る金属層２を
形成し、その金属層２上に前記金属の窒化物、炭化物、
硅化物のいずれかの層３を形成して成っている。
従来のダイヤモンド部品を静電容量方式のビデオディス
クプレーヤ用再生針に使用する場合、記録再生密度を高
めるため、再生針の先端部における導電性被膜の幅は極
めて微細であり、例えば１μｍ程度である。しかも再生
針の先端部は、例えば９００ ｒ、ｐ、ｍ、で回転する
ディスクと摺接し、また再生中に再生針部に付着した塵
埃を除去せしめるため、再生終了後及び再生開始直前に
、針先清掃用のブラシにより拭かれ、摩擦力が導電性被
膜との間に生じる。従って導電性被膜はダイヤモンド表
面との付着性に優れ、かつ充分々機械的強度を有するこ
とが要求される。
クプレーヤ用再生針に使用する場合、記録再生密度を高
めるため、再生針の先端部における導電性被膜の幅は極
めて微細であり、例えば１μｍ程度である。しかも再生
針の先端部は、例えば９００ ｒ、ｐ、ｍ、で回転する
ディスクと摺接し、また再生中に再生針部に付着した塵
埃を除去せしめるため、再生終了後及び再生開始直前に
、針先清掃用のブラシにより拭かれ、摩擦力が導電性被
膜との間に生じる。従って導電性被膜はダイヤモンド表
面との付着性に優れ、かつ充分々機械的強度を有するこ
とが要求される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来のダイヤモンド部品では。
例えばダイヤモンド基体の表面にチタン（Ｔ１）を付着
させ、その後窒化チタン（ＴｉＮ ）の層を形成して導
電性被膜として使用する場合、ブラシによる針先の清掃
を繰り返すうちに第６図に示すような導電性被膜の後退
部分４や、導電性被膜の摩耗部分６がみられる場合があ
り、信号の検出感度が低下して良好な再生が不可能にな
るという問題を有している。特に昨今、所謂ビデオディ
スクカラオケの普及に伴い、−曲再生後（約３〜４分）
、再生針が待機位置に戻り、その都度針先が清掃される
ため、従来のようにディスクの全プログラム（３０分〜
６０分）を再生後針先が清掃される場合と比較すると清
掃頻度は１０倍以上となり、前記の問題が以前にも増し
て、クローズアップされてきているのが現状である。寸
だ導電性被膜の後退部分４は導電性被膜形成後、再生針
の針先を所定の形状に研磨して什−Ｌげる際に研磨利と
導電性被膜の間の摩耗により生ずる場合があり、この場
合研磨時の導電性被膜幅の測定を著しく困難にするとい
う欠点も有する。
させ、その後窒化チタン（ＴｉＮ ）の層を形成して導
電性被膜として使用する場合、ブラシによる針先の清掃
を繰り返すうちに第６図に示すような導電性被膜の後退
部分４や、導電性被膜の摩耗部分６がみられる場合があ
り、信号の検出感度が低下して良好な再生が不可能にな
るという問題を有している。特に昨今、所謂ビデオディ
スクカラオケの普及に伴い、−曲再生後（約３〜４分）
、再生針が待機位置に戻り、その都度針先が清掃される
ため、従来のようにディスクの全プログラム（３０分〜
６０分）を再生後針先が清掃される場合と比較すると清
掃頻度は１０倍以上となり、前記の問題が以前にも増し
て、クローズアップされてきているのが現状である。寸
だ導電性被膜の後退部分４は導電性被膜形成後、再生針
の針先を所定の形状に研磨して什−Ｌげる際に研磨利と
導電性被膜の間の摩耗により生ずる場合があり、この場
合研磨時の導電性被膜幅の測定を著しく困難にするとい
う欠点も有する。
問題点をＭ決するだめの手段
本発明は」−記の問題点を解決するために、ダイヤモン
ド表面の少なくとも一部に刺着された導電性被膜６を三
層以」二の奇数個の層から構成し、その層をダイヤモン
ドとの境界面の層及び最外層については、Ｂ 、 ＢＮ
、 ＢＡＣ、Ｓｉ 、 ＳＩＧ等の超硬質半導体材料
から構成し、その中間層はＴｉ、Ｔａ。
ド表面の少なくとも一部に刺着された導電性被膜６を三
層以」二の奇数個の層から構成し、その層をダイヤモン
ドとの境界面の層及び最外層については、Ｂ 、 ＢＮ
、 ＢＡＣ、Ｓｉ 、 ＳＩＧ等の超硬質半導体材料
から構成し、その中間層はＴｉ、Ｔａ。
ｌＪｂ 、 Ｈｆ 、 Ｗ 、 Ｚｒ 、 Ｏｒ 、
Ｎｉ等の導電性金属或いは前記導電性金属と前記超硬質
半導体材料が交互に形成された層より成るように構成し
たものである。
Ｎｉ等の導電性金属或いは前記導電性金属と前記超硬質
半導体材料が交互に形成された層より成るように構成し
たものである。
作用
５ ・＼
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち超硬質半導体材料例えばＳｉＣ（炭化シリコン
）やＢ１０ （炭化ボロン）は３０００〜４０００程度
の極めて高いビッカース硬度値を有する超硬質半導体材
料であると共に、ダイヤモンドとの付着性に極めて優れ
た材料であるととが実験的に確認されている。実際、前
記超硬質半導体材料より成る層をダイヤモンド表面に形
成した後、再生針針先部を研磨して所定の形状に仕上げ
たところ、再生外針先部後退は、みられ々かった。しか
しながら前記超硬質半導体材料例えばｓｉｃは、１０９
〜１０１１／ｌΩ・Ｃ１ｎ程度の極めて高い比抵抗を有
しているため導電性被膜と々らず、ディスクの静電容量
変化を検出する事ができない。従って本発明ではダイヤ
モンドとの境界面と最外層の間の中間層に例えばＴ１よ
り成る導電性被膜を配置する事により導電性を付与させ
ている。この結果、研磨時や針先の清掃時に生ずる導電
性被膜の後退や摩耗が大幅に改善され、長時間の再生及
びそれに伴う針先の清掃の繰り返しを実施した結果、導
電性被膜の後退や摩耗による信号検出感度の低下は皆無
であった。
）やＢ１０ （炭化ボロン）は３０００〜４０００程度
の極めて高いビッカース硬度値を有する超硬質半導体材
料であると共に、ダイヤモンドとの付着性に極めて優れ
た材料であるととが実験的に確認されている。実際、前
記超硬質半導体材料より成る層をダイヤモンド表面に形
成した後、再生針針先部を研磨して所定の形状に仕上げ
たところ、再生外針先部後退は、みられ々かった。しか
しながら前記超硬質半導体材料例えばｓｉｃは、１０９
〜１０１１／ｌΩ・Ｃ１ｎ程度の極めて高い比抵抗を有
しているため導電性被膜と々らず、ディスクの静電容量
変化を検出する事ができない。従って本発明ではダイヤ
モンドとの境界面と最外層の間の中間層に例えばＴ１よ
り成る導電性被膜を配置する事により導電性を付与させ
ている。この結果、研磨時や針先の清掃時に生ずる導電
性被膜の後退や摩耗が大幅に改善され、長時間の再生及
びそれに伴う針先の清掃の繰り返しを実施した結果、導
電性被膜の後退や摩耗による信号検出感度の低下は皆無
であった。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。前記ダイヤモンド部品は例えばスパッタ蒸発にて形成
でき、第３図にスパッタ装置の主要部を示す。真空槽７
内を高真空、例えば、９×１Ｏ−７Ｔｏｒｒ ｉで真空
排気する。ダイヤモンド部品８は、予めホーシダ９上に
配置されている。
。前記ダイヤモンド部品は例えばスパッタ蒸発にて形成
でき、第３図にスパッタ装置の主要部を示す。真空槽７
内を高真空、例えば、９×１Ｏ−７Ｔｏｒｒ ｉで真空
排気する。ダイヤモンド部品８は、予めホーシダ９上に
配置されている。
真空排気完了後、真空槽７内に、例えばアルゴンガスを
例えば４ Ｘ １０ ”−’ Ｔｏｒｒ導入し、主電極
人１０に負の高電圧例えば１０００Ｖｉ高圧電源１１全
通して印加し、プラズマ放電を発生させる。
例えば４ Ｘ １０ ”−’ Ｔｏｒｒ導入し、主電極
人１０に負の高電圧例えば１０００Ｖｉ高圧電源１１全
通して印加し、プラズマ放電を発生させる。
主電極Ａ１０の表面には超硬質半導体材料例えばＳｉＣ
（以下ターゲラ）Ａと記す）を配置しておく。
（以下ターゲラ）Ａと記す）を配置しておく。
そうするとアルゴンイオンがターゲットＡ１１に衝突し
、ターゲラ）Ａの分子がスパッタ蒸発してダイヤモンド
部品８の表面に付着し ＳｉＣから成る超硬質半導体膜
が形成される。次にスイッチ１２を切換えると共に、タ
ーゲットホールダ１３を反時計方向に９０°回転させて
主電極Ｂ１４がホールダ９と７Ｊ向するようにしておく
。主電極Ｂ」二には、導電性拐料例えばＴｉから成るタ
ーゲラ）Ｂ１５ｆｚ配置しておく。この状態で主電極Ｂ
１４に負の高電圧、例えば１ ｏｏｏｖを高圧電源１１
を通して印加し、プラズマ放電を発生させると前記超硬
質半導体膜の一４二に導電性被膜が形成される。
、ターゲラ）Ａの分子がスパッタ蒸発してダイヤモンド
部品８の表面に付着し ＳｉＣから成る超硬質半導体膜
が形成される。次にスイッチ１２を切換えると共に、タ
ーゲットホールダ１３を反時計方向に９０°回転させて
主電極Ｂ１４がホールダ９と７Ｊ向するようにしておく
。主電極Ｂ」二には、導電性拐料例えばＴｉから成るタ
ーゲラ）Ｂ１５ｆｚ配置しておく。この状態で主電極Ｂ
１４に負の高電圧、例えば１ ｏｏｏｖを高圧電源１１
を通して印加し、プラズマ放電を発生させると前記超硬
質半導体膜の一４二に導電性被膜が形成される。
その後、スイッチを再び切換え、前記同一の操作を行う
事により、三層目の超硬質半導体膜が形成される。
事により、三層目の超硬質半導体膜が形成される。
以」二により、第１図ａに示す三層から成る導電性被膜
を有するダイヤモンド部品を作成することができ、第２
図に示すように導電性被膜の後退部分４はない。なお、
第１図すに示すように五層以上からなる導電性被膜の場
合も前記同一の操作を繰り返す事により形成できること
は云うまでもない。
を有するダイヤモンド部品を作成することができ、第２
図に示すように導電性被膜の後退部分４はない。なお、
第１図すに示すように五層以上からなる導電性被膜の場
合も前記同一の操作を繰り返す事により形成できること
は云うまでもない。
発明の効果
本発明は導電性被膜が三層以上の奇数個の層より成り、
ダイヤモンドとの境界面の層及び最外層については、
Ｂ 、 ＢＮ 、 Ｂ４Ｃ、Ｓｉ 、 ＳｉＣ等の超硬
質半導体Ｈ利から成り、その中間層はＴｉ 、 Ｔａ
。
ダイヤモンドとの境界面の層及び最外層については、
Ｂ 、 ＢＮ 、 Ｂ４Ｃ、Ｓｉ 、 ＳｉＣ等の超硬
質半導体Ｈ利から成り、その中間層はＴｉ 、 Ｔａ
。
Ｎｂ 、 Ｈｆ 、 Ｗ 、 Ｚｒ 、 Ｏｒ 、 Ｎ
ｉ等の導電性金属或いは、前記導電性金属と前記超硬質
半導体膜第４が交互に形成された層より成る導電性被膜
であるので、対摩耗性及び、ダイヤモンドとの付着性に
優れ、しかもディスクから充分な信号をピンクアップ可
能な導電性を有し、長時間再生を行い、ブラシによる針
先の清掃を繰り返し行っても信号の検出感度の低下がな
く、安定した再生が実現される。。
ｉ等の導電性金属或いは、前記導電性金属と前記超硬質
半導体膜第４が交互に形成された層より成る導電性被膜
であるので、対摩耗性及び、ダイヤモンドとの付着性に
優れ、しかもディスクから充分な信号をピンクアップ可
能な導電性を有し、長時間再生を行い、ブラシによる針
先の清掃を繰り返し行っても信号の検出感度の低下がな
く、安定した再生が実現される。。
また、研磨時における導電性被膜の後退が大幅に改善さ
れる為、導電性被膜の幅が従来の規格の下限例えばＯ，
Ｓμｍより細くても充分力検出感度を有する。従って研
磨工程で針先を所定の形状に仕」−げる際、導電性被膜
の規格下限を従来の値よりも小さくする事が可能と々す
、歩留りの向上に貢献するという効果も有する。
れる為、導電性被膜の幅が従来の規格の下限例えばＯ，
Ｓμｍより細くても充分力検出感度を有する。従って研
磨工程で針先を所定の形状に仕」−げる際、導電性被膜
の規格下限を従来の値よりも小さくする事が可能と々す
、歩留りの向上に貢献するという効果も有する。
第１図ａ、ｂは本発明のダイヤモンド部品の基本的な構
成を示す断面図、第２図ａ、ｂ、ｃは本発明のダイヤモ
ンド部品の針先の状態を示す正面図、側面図、平面図、
第３図は本発明の実施例におけるスパッタ装置の主要構
造の説明図、第４図は従来のダイヤモンド部品の断面図
、第５図ａ。 ｂ、ｃは同ダイヤモンド部品の針先状態を示す正面図、
側面図、平面図である。 １・・・・・・ダイヤモンド基体、６・・・・・・導電
性被膜。 ７・・・・・・真空槽、８・・・・・・ダイヤモンド部
品、９・・・・・・ホールダ、１Ｑ・・・・・主電極Ａ
、１１・・・・・・ターゲラ）Ａ、１２・・・・・・ス
イッチ、１３・・・・・ターゲットホールダ、１４・・
・・・・主電極Ｂ、１６・・・・・・ターゲットＢ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ｊ 区 ６ 綜 区く （ 嶋 綜
成を示す断面図、第２図ａ、ｂ、ｃは本発明のダイヤモ
ンド部品の針先の状態を示す正面図、側面図、平面図、
第３図は本発明の実施例におけるスパッタ装置の主要構
造の説明図、第４図は従来のダイヤモンド部品の断面図
、第５図ａ。 ｂ、ｃは同ダイヤモンド部品の針先状態を示す正面図、
側面図、平面図である。 １・・・・・・ダイヤモンド基体、６・・・・・・導電
性被膜。 ７・・・・・・真空槽、８・・・・・・ダイヤモンド部
品、９・・・・・・ホールダ、１Ｑ・・・・・主電極Ａ
、１１・・・・・・ターゲラ）Ａ、１２・・・・・・ス
イッチ、１３・・・・・ターゲットホールダ、１４・・
・・・・主電極Ｂ、１６・・・・・・ターゲットＢ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ｊ 区 ６ 綜 区く （ 嶋 綜
Claims (3)
- （１）ダイヤモンド表面の少なくとも一部に付着された
導電性被膜が三層以上の奇数個の層より成ることを特徴
とするダイヤモンド部品。 - （２）導電性被膜の奇数個の層が、ダイヤモンドとの境
界面の層及び最外層についてはＢ、ＢＮ、Ｂ＿４Ｃ、Ｓ
ｉ、ＳｉＣ等の超硬質半導体材料から成り、その中間層
はＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ等の
導電性金属或いは前記導電性金属と前記超硬質半導体材
料が交互に形成された層より成ることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のダイヤモンド部品。 - （３）導電性被膜の厚さが０．０５μｍから０．５μｍ
の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のダイヤモンド部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7567985A JPS61236687A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ダイヤモンド部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7567985A JPS61236687A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ダイヤモンド部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236687A true JPS61236687A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13583123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7567985A Pending JPS61236687A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | ダイヤモンド部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61236687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619599A1 (en) * | 1987-03-12 | 1994-10-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thin film single crystal substrate |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP7567985A patent/JPS61236687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619599A1 (en) * | 1987-03-12 | 1994-10-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thin film single crystal substrate |
| EP0635874A1 (en) * | 1987-03-12 | 1995-01-25 | Sumitomo Electric Industries Limited | Thin film single crystal substrate |
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