JP2005503480A - 不均一組成の磁気薄膜ディスク - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜の組成のばらつきに影響を及ぼす方法を提供すること。
【解決手段】スパッタリング・システム内の元素プラズマ場の分布は、ターゲット元素を差次的に再度スパッタリングする（differentially re-sputtering）ことによって組成が変化するように、基板の表面に沿って不均一な電場を生成することにより操作される。不均一な電場は、導電性の表面に接触する１つまたは複数の電極によって、あるいはＲＦバイアス・シグナルを使用することによって印加する。不均一な電場を使用して、薄膜表面に衝突するプラズマ中に生成されたイオンの運動エネルギーを調節する。スパッタリング・ガス・イオンおよび電荷を持たない物質の運動エネルギーおよび質量は再スパッタリング速度に影響を及ぼすので、不均一な電場は、質量に応じて堆積される元素に差次的に影響を及ぼす。基板の導電性表面の複数のポイントで様々な電位を印加することにより、基板の表面全体にわたる電場を様々なパターンに変化させることができる。例えば電場は、ディスクの円周方向または半径方向あるいはその両方に沿って変化させることができる。好ましい実施形態では、磁気被膜の白金含量が半径方向に変化するように磁気薄膜が形成されているディスクの導電性表面に、半径方向の電圧勾配を与える。半径方向の白金含量を変化させることによって、半径方向の飽和保磁力も変化する。
【選択図】図５

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気薄膜ディスクとその製作方法に関し、より詳細には、不均一な組成であるために不均一な磁気特性を有する磁気薄膜媒体と、その不均一な組成を生成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
典型的な従来技術のヘッドおよびディスク・システム１０を、図１に示す。作動中、磁気変換器２０は、ディスク１６の上方を移動するときにサスペンション１３により支持される。通常は「ヘッド」または「スライダ」と呼ばれる磁気変換器２０は、磁気転移（magnetic transitions）を書き込み（書込みヘッド２３）磁気転移を読み取る（読取りヘッド１２）タスクを実行する要素からなる。読取りヘッド１２への電気シグナルおよび書込みヘッド２３からの電気シグナルは、サスペンション１３に取着されまたは埋め込まれた導電性パス（リード）１４に沿って伝達される。読取りヘッド１２および書込みヘッド２３のそれぞれには、一般に２つの電気接触パッドがある（図示せず）。これらのパッドには、ワイヤまたはリード１４Ａ、１４Ｂ、１５Ａ、１５Ｂが接続され、アーム１３を経由してアーム電子素子（図示せず）まで通される。磁気変換器２０は、円形のトラック（図示せず）を読み取りかつ書き込むために、ディスク１６の中心から様々なラジアル距離にあるポイント上に位置決めされる。ディスク１６は、このディスク１６が回転するように、スピンドル・モータ２４によって駆動するスピンドル１８に取着される。ディスク１６は、上面に複数の薄膜２１を堆積した基板２６を含む。薄膜２１は、情報がエンコードされている磁気転移が書込みヘッド２３によって記録される、強磁性材料を含む。
【０００３】
図２は、従来技術のディスク１６の断面を示す。従来の基板２６は、十分に研磨されたＮｉＰ無電解コーティングを有するＡｌＭｇ導電性ディスクである。ディスク１６の表面の薄膜２１は、従来、基板２６上に堆積された（単数または複数の）クロムまたはクロム合金の下層３１を含んでいる。（単数または複数の）記録層３３は、コバルト、ニッケル、および鉄の様々な合金をベースとしている。例えば、一般に使用されている合金はＣｏＰｔＣｒである。粒子を磁気で分離するために、タンタルやホウ素などの追加の元素をしばしば使用する。保護膜層３５は、磨耗性および腐食を改善するのに使用する。有益ではあるが、上記３層ディスクは、全ての可能性を余すところなく盛り込んだものではない。様々なシード層（図示せず）、複数の下層（図示せず）、および積層磁気被膜（図示せず）については全て従来技術で述べられている。さらに、ＡｌＭｇ以外のその他の材料が基板として使用される。
【非特許文献１】
ディー・ダブリュ・ホフマン（D. W. Hoffman）、「IntrinsicRe-sputtering-Therory and Experiment」（J. Vac. Sci. Tech. A (8)、3707、(1990)）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気ディスク１６を今後のディスク・ドライブ１０用に設計する場合、目標とする飽和保磁力範囲は、全体的なシステム要件に基づいて決定される。例えば飽和保磁力の上限は、磁気被膜３３に転移を引き起こすことのできる書込みヘッド２３の能力によって設定される。したがってディスク設計者の仕事の一部は、最高許容飽和保磁力ではなく特定の飽和保磁力範囲を得ることである。飽和保磁力を調節する１つの方法は、磁気被膜３３の白金含量がその被膜の飽和保磁力に直接影響を及ぼすことがわかっていることから得られる。限度内での白金含量の限界変化は、予測できる量だけ飽和保磁力に直接影響を及ぼすことになる。磁気被膜３３の組成は、スパッタリング・ターゲットの組成を良好な精度レベルで反映しており、したがってスパッタリング・ターゲットの白金含量の限界変化は、堆積された被膜に反映される。
【０００５】
マクロ・レベルでは、磁気被膜３３の飽和保磁力が、半径方向と円周方向の両方で全く均一であることが望ましい。しかし、ディスク・ドライブの作動中は、飽和保磁力が微妙な半径方向の勾配を有することが望ましくなるファクタがある。例えば一定の回転速度では、ディスク１６上方にある変換器２０の浮上高が、ディスク１６の内径（ＩＤ）から外径（ＯＤ）まで変化する可能性がある。この浮上高は、磁気被膜３３内の書込みヘッド２３によって生成された場の強度に直接影響を及ぼす。線速度（一定のｒｐｍに関し）は、ＩＤよりもＯＤのほうが速い。これは、ヘッドがＩＤよりもＯＤでより高く移動することを意味する。このため、ＯＤでは書込み可能性の問題が生じる。
【０００６】
被膜は、所望の磁気特性が得られるように組成が最適化された合金ターゲットからのスパッタリングによって成長させる。ターゲット材料は、正に帯電したスパッタ・ガス・イオン（一般にはＡｒ）を加速させることができるように、負電圧で保持する。この配置構成での地電位は、通常、チャンバ壁である。基板は接地しない。磁気ディスク１６の製作に使用される現行技術のスパッタリング・システムは、ディスク基板に負または正のバイアスをかけることができる能力も提供する。使用される電圧は、一般に約−３００Ｖである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
薄膜の組成のばらつきに影響を及ぼす方法について述べる。スパッタリング・システム内の元素プラズマ場の分布は、ターゲット元素を差次的に再度スパッタリングすること（differentially re-sputtering）によって組成が変化するように、基板の表面に沿って不均一な電場を生成することにより操作される。不均一な電場は、導電性の表面に接触する１つまたは複数の電極によって、あるいはＲＦバイアス・シグナルを使用することによって印加する。不均一な電場を使用して、薄膜表面に衝突するプラズマ中に生成されたイオンの運動エネルギーを調節する。スパッタリング・ガス・イオンおよび電荷を持たない物質の運動エネルギーおよび質量は再スパッタリング速度に影響を及ぼすので、不均一な電場は、質量に応じて堆積される元素に差次的に影響を及ぼす。基板の導電性表面の複数のポイントで様々な電位を印加することにより、基板の表面全体にわたる電場を様々なパターンに変化させることができる。例えば電場は、ディスクの円周方向または半径方向あるいはその両方に沿って変化させることができる。好ましい実施形態では、磁気被膜の白金含量が半径方向に変化するように磁気薄膜が形成されているディスクの導電性表面に、半径方向の電圧勾配を与える。半径方向の白金含量を変化させることによって、半径方向の飽和保磁力も変化する。
【０００８】
したがって本発明は、第１の元素の原子量が第２の元素の原子量よりも大きい第１および第２の元素を含有するターゲットをスパッタリング・チャンバ内に設置するステップと、少なくとも第１の電極に電気接触するように導電性の表面を備えた基板を配置するステップと、第１および第２の元素の陽イオンを含有するプラズマを生成するステップと、導電性の表面に沿って不均一な電場が形成されるように第１の電極に第１の電位を印加することによって、第１の元素を差次的に再スパッタリングし、それにより導電性の表面に沿って第１の元素の原子百分率にばらつきのある薄膜を堆積するステップとを含む、薄膜をスパッタリングする方法を提供する。基板はセンタ穴を有するディスクであることが好ましく、第１の電極は外径で導電性の表面に接触し、不均一な電場は、ディスクの導電性表面の半径方向の線に沿って単調に変化する。
【０００９】
この方法で使用される第１の元素は白金であることが好ましく、第２の元素はコバルトであることが好ましく、基板はディスクである。第１の電極は、ディスクの円周の周りでディスクに接触することが最も適しており、不均一な電場はディスク上の半径方向の位置に従って変化し、白金の原子百分率のばらつきはディスク上の半径方向の線に沿うことが好ましい。白金の原子百分率は、ディスクの円周で最も低いことが好ましい。
【００１０】
基板がディスクであるこの方法は、薄膜が磁性を有し、かつディスク上の半径方向の線に沿って飽和保磁力勾配を有するものであることが好ましく、飽和保磁力がディスクの円周で最も低いものであることがより好ましい。
【００１１】
この方法は、第２の電極に電気接触するように導電性表面を配置するステップと、第１の電位とは異なる第２の電位を第２の電極に印加するステップとをさらに含むことが適切であり、また、第３の電極に電気接触するように導電性表面を配置するステップと、第１および第２の電位とは異なる第３の電位を第３の電極に印加するステップとをさらに含むことがより適切である。
【００１２】
あるいはこの方法は、あるパターンに並べられた複数の電極に電気接触するように導電性表面を配置するステップと、ディスク表面全体にわたる電場分布が変化するように複数の電極に不均一な電位を印加して、導電性表面に沿った第１の元素の原子百分率にばらつきのあるパターンを生成するステップとをさらに含み、これら複数の電極は、同心状のアレイに配列されたものであることが好ましい。第１の元素の原子百分率は円周方向に変化することが好ましく、特に第１の元素の原子百分率のばらつきは、円周方向に分布するサーボ・アイランドを形成する。
【００１３】
別の実施形態では、本発明は、基板と、その基板の表面にある少なくとも第１および第２の元素を含んだ薄膜であって、この第１の元素の原子百分率が基板表面上の線に沿って体系的に変化している薄膜とを含む製品を提供する。基板はディスクであることが好ましく、第１の元素は白金であり、第２の元素はコバルトであり、薄膜は磁性を有し、白金の原子百分率は基板表面の半径方向の位置に従って変化する。磁気薄膜は、基板表面の半径方向の位置に従って変化する飽和保磁力を有することが好ましい。白金の原子百分率は、ディスクの周辺で最も低いことが好ましく、白金の原子百分率は、ディスクの周辺で最高になることが最も好ましい。
【００１４】
基板はディスクであることが適切であり、第１の元素の原子百分率は、パターンを形成するディスク上の同心状バンドにおいて等しく、あるいは基板はディスクであり、第１の元素の原子百分率は円周方向に変化する。別の代替例として、基板はディスクであり、薄膜は磁性を有し、第１の元素の原子百分率のばらつきは、円周方向に分布するサーボ・アイランドを形成する。
【００１５】
さらに別の実施形態では、本発明は、読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む磁気変換器と、スピンドルと、スピンドルに取り付けられた磁気薄膜ディスクと含むディスク・ドライブであって、この磁気薄膜ディスクがコバルトおよび白金を含み、磁気薄膜が、白金の原子百分率のばらつきの体系的なパターンを有するものであるディスク・ドライブを提供する。磁気薄膜は、白金の原子百分率の半径方向の勾配に対応して、飽和保磁力の半径方向の勾配を有することが好ましい。白金の原子百分率は、ディスクの周辺で最低であることが最も適切であり、あるいは白金の原子百分率は、ディスクの周辺で最も高くなる。白金の原子百分率は、パターンを形成するディスク上の同心状バンドにおいて等しいことが適切と考えられる。白金の原子百分率は、円周方向に変化してよい。白金の原子百分率のばらつきは、円周方向に分布するサーボ・アイランドを形成することが好ましい。
【００１６】
第４の実施形態では、本発明は、第１の元素の原子量が第２の元素の原子量よりも大きい第１および第２の元素を含有するターゲットをスパッタリング・チャンバ内に設置するステップと、第１および第２の元素の陽イオンを含有するプロズマを生成するステップと、少なくとも第１の電極に電気接触するように基板を配置するステップと、基板の表面に沿って不均一な電場が形成されるように第１の電極にＲＦ電位を印加することによって第１の元素を差次的に再スパッタリングし、それにより基板表面に沿って第１の元素の原子百分率にばらつきのある薄膜を堆積するステップとを含む、薄膜をスパッタリングする方法を提供する。基板は、センタ穴を有するディスクであることが好ましく、第１の電極は、外径で導電性の表面に接触する。
【００１７】
この方法で使用される第１の元素は白金であることが好ましく、第２の元素はコバルトであることが好ましく、基板はディスクである。不均一な電場はディスク上の半径方向の位置に従って変化し、白金の原子百分率のばらつきは、ディスク上の半径方向の線に沿うことが好ましい。薄膜は磁性を有し、かつディスク上の半径方向の線に沿って飽和保磁力勾配を有することが最も好ましい。基板はディスクであることが最も適切であり、不均一な電場はディスク上の半径方向の線に沿って変化し、第１の元素の原子百分率のばらつきは、半径方向の線に沿ったものであり、薄膜は磁性を有し、かつ第１の元素の原子百分率のばらつきに対応した飽和保磁力のばらつきを有する。
【００１８】
この方法の好ましい代替例では、基板がディスクであり、第１の元素の原子百分率は、パターンを形成するディスク上の同心状バンドにおいて等しい。別の好ましい代替例では、基板がディスクであり、第１の元素の原子百分率は円周方向に変化する。基板はディスクであり、薄膜は磁性を有し、第１の元素の原子百分率のばらつきは、円周方向に分布するサーボ・アイランドを形成することが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図３は、薄膜をスパッタリングする間、ディスク１６に電圧バイアスを印加する１つの方法を示す図である。ディスク１６は、電源４３に接続された導電性キャリア４１によって、機械的に支持されている。電源４３の電圧範囲は約−１５０〜−６００Ｖにすべきである。典型的な場合、ディスク１６はその両面が共に使用されるので、キャリア４１は、どちらの面も必要以上に覆い隠すくことなくこのディスク１６を支持するように設計する必要がある。これを実現するには明らかに非常に数多くの方法があるが、その詳細は本発明の範囲外である。本発明の好ましい実施形態について記述するために、ディスク１６は、外周の周りあるいは内径の周りに実質的に連続的に電気伝導体に接触させるだけでよい。キャリア４１は、通過スパッタリング・システム内を通過することが可能な、多数のディスク１６用の支持体を備えた大型可動ラックにすることができ、または１枚のディスク１６を固定した状態で支持するように設計することができる。
【００２０】
図４は、線ＩＶに沿った図３のディスク１６およびキャリア４１の、中央線断面である。この断面は、ディスク１６を支持するキャリア４１の穴の全周の周りに延在する狭いリップ４２によって、キャリア４１がディスク１６を支持することを示している。この配置構成では、スパッタリングするために、ディスク１６の両面の実質的に全てが露出した状態になる。しかし、より重要なことは、ディスク１６の外周が連続的に導電性キャリア４１に接触しているために、負のバイアス電圧によって得られる電場がディスク１６の周辺の周りで均一になることである。
【００２１】
図５は図４と同じ中央線断面であるが、この図面では、スパッタリング・ガス・イオンおよびターゲット・スパッタ元素を含有するプラズマ４３を含んだスパッタリング・チャンバ５０内に、ディスク１６およびキャリア４１が置かれた状態を示す。作動ガスとしてアルゴンを使用することによりＣｏＣｒＰｔ磁気被膜を堆積する場合、プラズマは、スパッタリング・ガスの陽イオンおよび電荷を持たない物質、ならびに中性でありまた帯電したＣｏ、Ｐｔ、およびＣｒ種を含有してよい。ディスク１６の周りに発生した電場を、ディスク平面に垂直に配置された矢印で示す。例示を簡略化し、かつ要素の符号および記号を付す余地を残すため、ディスク１６の片面のみに矢印を施したが、矢印を施していない側の電場は、図示されている電場と対称的である。矢印のサイズは、選択されたベースラインに対する電場の強度を示す。絶対的には、電場の変動は小さいが、それにも関わらずこの変動は有意なものである。電場は、ディスク１６の周辺で最も強く、内径の最小の値にまで単調に低下することを示している。
【００２２】
電場の１つの作用は、プラズマ４３中の陽イオンをディスク１６に向かって加速させることである。電場のバイアスが存在しないと、陽イオンはターゲット材料に向かって加速するだけである。基板に負のバイアスを印加することにより、成長する薄膜表面に陽イオンが衝突する。成長する薄膜表面に主に衝突する化学種は、正に帯電したアルゴン・イオンである。その結果、再スパッタリング効果が生じ、電場が外径でより強くなるので、それに応じて外径での加速がより大きくなる。被膜成長中の再スパッタリング効果は、ディー・ダブリュ・ホフマン（D. W. Hoffman）、「Intrinsic Re-sputtering-Therory and Experiment」（J.Vac. Sci. Tech. A (8)、3707、(1990)）に論じられている。固有の再スパッタリング（Intrinsic Re-sputtering）効率は、ターゲット材料（Ｍｔ）とスパッタリング・ガス（Ｍｇ）との質量比に強く依存することがわかり、下記の無次元パラマータ：（Ｍｔ−Ｍｇ）／（Ｍｔ＋Ｍｇ）にほぼ線形に依存することを示している。実験によれば、Ａｒイオン（質量＝４０ａｍｕ）は、Ｐｔ（１９５ａｍｕ）をＣｏ（５９ａｍｕ）またはＣｒ（５２ａｍｕ）よりも効果的に再スパッタリングすることがわかる。再スパッタリング効率はスパッタリング・イオンのエネルギーに依存することも、ホフマンによって見出されている。これは基板のバイアスによってもたらされ、また論じられているように、記述される実施形態では外径（ＯＤ）で最大になる。したがって白金は、電場がより大きい場所で、イオン化したスパッタリングＡｒ＋ガスによってより効果的に再度スパッタリングされることが予測される。この差次式再スパッタリングによって、電場が最大の場所では白金の含量が減少することになる。上記キャリアの実施例での電場はディスク１６の半径に沿って減少するので、白金含量は、外径（周辺）から内径への半径方向の線に沿って増大することが予測される。
【００２３】
ラジアル距離によってプロットされたスパッタリング・ディスク１６の白金含量の実験データを、図６に示す。ディスク１６は、アルバック・カンパニー（Ulvac Company）などから市販されているマルチディスク通過スパッタリング・システム内のキャリア４１に関して示した方法により支持した。基板２６は、ＮｉＰコーティングを備えたＡｌＭｇであった。下層はＣｒＶであった。磁気被膜およびターゲットはＣｏＰｔＣｒＴａであった。バイアス電圧は約−３００Ｖであった。白金含量を、マイクロプローブ（グラフ中の四角）およびＸＲＦ（円）により測定した。各方法では、白金含量が外周から内径に向かって増大するという明らかな傾向が確認された。３５ｍｍの半径方向の線に沿って増加した白金含量の総量は約２原子％であり、すなわち約９〜１１原子％であった。白金含量の勾配は、電源がディスクの内径にシフトした場合、逆になることが予測される。
【００２４】
図７は、図６と同じディスクに関し、飽和保磁力（Ｈｃ）対白金含量をプロットした図である。白金含量が２原子％増加した場合、このデータは、飽和保磁力と白金含量との関係の確認として、Ｈｃが約２５５０ Ｏｅから２８００ Ｏｅに増大したことを示す。
【００２５】
ディスクの表面全体にわたり電場の分布を変化させる方法は、電場を線形的に増大させまたは低減させることに限らない。ディスクの表面全体にわたる特殊なバイアス・コンタクトおよび幾何形状を使用して、様々な組成特性の種々のバンドまたはセクタあるいはその両方を生成することができる。例えば、選択された電位に保たれたバイアス・コンタクトの同心状アレイを基板に接触させて、ディスク表面全体にわたる電場分布を変化させることができる。上記詳細に述べた実施形態では、半径方向の線に沿って電場が変化するが、バイアス・コンタクトのアレイを使用することにより、周辺に沿って変化をもたらすことも可能になる。そのような手法の変形例によれば、飽和保磁力が大きく変化するサーボ・アイランドまたはセクタを、周辺に沿って分布させることが可能になる。また、ディスク・ドライブ用にパターン形成された媒体がトラック幅を減少させる方法として提案された。本発明の方法を使用して、ディスクの表面全体にわたる電場分布を調整することにより、パターン形成された磁気媒体を生成することが可能になる。
【００２６】
図８は、本発明による、複数の電極６７を当てた基板１７の中央線断面に沿った、不均一な電場を示す図である。前述の例示では、キャリアでもある単一の電極を使用した。これら２つの機能は、同じ部材によって提供する必要はない。図８の電極６７は基板１７の片面に接触し、堆積を行う反対側の面に電場を発生させる。電極６７は、点接触要素として示すが、どのような形状でもよい。電極６７は、各電極が他の電極とは無関係の電位を有するように独立した電源に接続することができ、したがって、特定の適用例に合わせて電場のばらつきを調整する際に、その柔軟性を最大限にすることが可能になる。図８の実施形態の電極６７は、基板平面内の任意のｘ−ｙパターンに配置することもできる。
【００２７】
本発明の任意の適用例では、基板は、その表面を除いて導電性である必要はない。したがって、導電性材料層を表面に付着させる場合、本発明ではガラスなどの非金属材料を使用することができる。導電性の層は、スパッタリングしてもよく、またはその他の手段で堆積させてもよい。ＲＦシグナルを使用してバイアスを印加する場合、表面を導電性にする必要はない。
【００２８】
スパッタリングの技術では、スパッタリング・システムのばらつきによって定量的な予測が困難になることは周知であり、したがって、上記与えられたデータは、この技法の定量的な理解のために使用されるべきである。
【００２９】
印加した電場により元素の質量に応じて薄膜の組成に影響を及ぼす能力は、概念上、非磁性被膜および非ディスク状基板に適用することができる。電場を距離に応じてまたは経時的に変化させることができる場合、あるいは元素の質量が十分に異なる場合は、本発明の技法を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】ディスク・ドライブのヘッドとそれに関連する構成要素との関係を示す、従来技術の象徴的な図である。
【図２】磁気薄膜ディスクに関する、あるタイプの従来技術の層構造を示す図である。
【図３】スパッタリング中、ディスク基板にバイアスをかけるための機械的構成を示す図である。
【図４】図３に示す、ＩＶが付された線に沿ったキャリアおよびディスクの中央線断面を示す図である。
【図５】本発明によるスパッタリング・チャンバ内の、ディスクおよびキャリアの中央線断面に沿った電場勾配を示す図である。
【図６】ラジアル距離によってプロットされた、本発明によるディスクの白金含量を示す実験データの図である。
【図７】図６のディスクに関する飽和保磁力（Ｈｃ）対白金含量を示す実験データをプロットした図である。
【図８】本発明による、複数の電極を当てた基板の中央線断面に沿った、不均一な電場を示す図である。

Claims (10)

1. 第１の元素の原子量が第２の元素の原子量よりも大きい第１の元素および第２の元素を含有するターゲットをスパッタリング・チャンバ内に設置するステップと、
   少なくとも第１の電極に電気接触するように導電性の表面を備えた基板を配置するステップと、
   第１および第２の元素の陽イオンを含有するプラズマを生成するステップと、
   導電性の表面に沿って不均一な電場が形成されるように前記第１の電極に第１の電位を印加することによって、前記第１の元素を差次的に再スパッタリングして、前記導電性の表面に沿って第１の元素の原子百分率にばらつきのある薄膜を堆積するステップと
   を含む、薄膜をスパッタリングする方法。
2. 前記基板がセンタ穴を有するディスクであり、前記第１の電極は外径で前記導電性表面に接触し、前記不均一な電場は、当該ディスクの前記導電性表面の半径方向の線に沿って単調に変化する、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の元素が白金であり、前記第２の元素がコバルトであり、前記基板がディスクである、請求項１に記載の方法。
4. 前記薄膜が、磁性を有しかつ前記ディスクの半径方向の線に沿って飽和保磁力勾配を有する、請求項２に記載の方法。
5. 第２の電極に電気接触するように導電性表面を配置するステップと、前記第１の電位とは異なる第２の電位を当該第２の電極に印加するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
6. 基板と、
   少なくとも第１および第２の元素を含んだ、当該基板の表面にある薄膜と
   を含む製品であって、
   当該第１の元素の原子百分率が、当該表面上の線に沿って体系的に変化する製品。
7. 前記基板がディスクであり、前記第１の元素が白金であり、前記第２の元素がコバルトであり、前記薄膜が磁性を有し、白金の原子百分率が前記表面上の半径方向の位置に応じて変化する、請求項６に記載の製品。
8. 読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む磁気変換器と、
   スピンドルと、
   当該スピンドルに取り付けられた磁気薄膜ディスクであって、コバルトおよび白金を含み、かつ白金の原子百分率に体系的な変化パターンを有する磁気薄膜ディスクと
   を含むディスク・ドライブ。
9. 前記磁気薄膜が、白金の原子百分率の半径方向の勾配に対応して飽和保磁力に半径方向の勾配を有する、請求項８に記載のディスク・ドライブ。
10. 第１の元素の原子量が第２の元素の原子量よりも大きい第１の元素および第２の元素を含有するターゲットをスパッタリング・チャンバ内に設置するステップと、
    第１および第２の元素の陽イオンを含有するプラズマを生成するステップと、
    少なくとも第１の電極に電気接触するように基板を配置するステップと、
    基板の表面に沿って不均一な電場が形成されるように前記第１の電極にＲＦ電位を印加することにより、前記第１の元素を差次的に再スパッタリングして、当該表面に沿って第１の元素の原子百分率にばらつきのある薄膜を堆積するステップと
    を含む、薄膜をスパッタリングする方法。

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