JPH10326406A - 磁気ヘッドスライダおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐久性、耐摩耗性に優れた磁気ヘッドスライ
ダを提供する。 【解決手段】 磁気ヘッドスライダのディスク対向面に
中間層を介して、ＤＬＣ保護層を形成する。ＤＬＣ保護
層は炭化水素系ガスに加えてＡｒを添加してプラズマＣ
ＶＤ法で形成することで弾性率が高く、耐摩耗性に優れ
たＤＬＣ保護層を形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
や磁気テープなどに用いる磁気ヘッドスライダ、特に高
密度記録に適した低浮上量、もしくは接触型の薄膜磁気
ヘッドスライダおよびその製造方法に関するものであ
る。このため耐久性、耐摩耗性に優れた磁気ヘッドスラ
イダを提供することを目的とする。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置に用いられる浮上型磁
気ヘッドは、記録密度の増大にともなって、その浮上量
の極小化がもとめられ、最近では２５ｎｍ程度の浮上量
をもつヘッドも提案されている。一方、携帯用情報処理
端末の普及にともない電池駆動を前提としたドライブの
省電力化がもとめられ、このためスピンドルモーターの
頻繁な起動・停止が行なわれるようになってきた。これ
らの要求は、磁気ヘッドの側からみると、いずれもスラ
イダーの摩擦・摩耗特性の改善が求められるものであ
り、そこに内在する問題点について以下に具体的事例を
述べる。

【０００３】第一に、ヘッドとディスクが近接すること
により両者の接触確率が増加し、ヘッドの摩耗が無視で
きなくなることがあげられる。これはヘッドの機能的な
ダメージと同時に摩耗によって生じるダストの発生が課
題となる。第二に、一般に低浮上型磁気ヘッドスライダ
は、浮上するまでの速度、すなわちテイク・オフ・ベロ
シティが大きく、スピンドルモーターの起動後、浮上す
るまでに必要とするディスクとの摺動距離が長くなり、
摩耗しやすいことが知られている。第三に低浮上を実現
するためには、ディスクに形成したテクスチュアを小さ
くしなければならないが、これはスティクションと呼ば
れるヘッドとディスクの張り付き現象につながる。一
方、システムの省電力化のために、磁気ディスクドライ
ブを頻繁に起動・停止させることは、磁気ヘッドスライ
ダーと磁気ディスクがもっともダメージを受け、またス
ティクションが発生する恐れのある接触停止状態が増加
することであり、連続運転を前提とした磁気ヘッドスラ
イダーと比較して、数段上の耐摩擦・摩耗特性が求めら
れている。この例としてコンタクト・スタート・ストッ
プテストすなわちＣＳＳテストにおいて、従来、５万回
程度でよしとされていたものが、一桁上の５０万回のＣ
ＳＳに耐え得るような磁気ヘッドスライダが必要とされ
てきた。

【０００４】このような要求に応えるための技術とし
て、ＤＬＣ保護層、すなわちダイヤモンド・ライク・カ
ーボン保護層の磁気ヘッドスライダのディスク対向面へ
の形成がある。これはＤＬＣの優れた潤滑性と硬度によ
り、摩擦力の低減と起動・停止時の摩耗を低減しようと
いうものである。また、ＤＬＣ保護層の形成はスティク
ションの防止にも効果的であることが知られ、それはた
とえばＩＤＥＭＡ主催の“Ｈｅａｄ Ｍｅｄｉａ Ｉｎ
ｔｅｒｆａｃｅ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，１９９４年９月
２７日，米国サンノゼ市”の講演概要集１３５ページに
も述べられている。

【０００５】以下に従来のＤＬＣを形成する方法につい
て述べる。図．９に示すように高周波プラズマを用いて
ＤＬＣを成膜した場合の従来の技術について述べる。高
周波電源２０にマッチングボックスを介して接続された
基板電極２１上に磁気ヘッドスライダ１を設置し、それ
に対向するように接地された対向電極２２を設ける。原
料となる炭化水素系のガス、例えばメタンガスやエチレ
ンガスを導入し、両電極間でプラズマを発生させ、磁気
ヘッド上にＤＬＣ膜を形成することができる。いわゆる
プラズマＣＶＤ（プラズマ化学的気相成長法）法を用い
た成膜である。

【０００６】特開平４−１８２９１６号公報には炭化水
素系ガスに加え、水素やその他の元素を添加してＤＬＣ
膜を形成することが述べられているが、その場合の成膜
条件や効果等については特に述べられていない。

【０００７】またその中では膜中の水素含有量はＣＶＤ
条件、例えば原料ガス圧、プラズマを発生させる際に投
入する電力等を適切に制御すれば容易に行うことができ
ると記載されている。

【０００８】そのほか特開平８−０４５０４５号公報に
は磁気ヘッドのディスク対向面にＤＬＣ膜を付着させる
ことで、耐摩耗性を改善することが開示されている。こ
こでは電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相堆積法
（ＥＣＲ−ＣＶＤ）によりエチレンガス（Ｃ₂Ｈ₄）から
ＤＬＣを形成することが開示されている。

【０００９】しかしながらこのような高硬度を有するＤ
ＬＣ膜であっても、現行のＨＤＤシステムにおいて従来
の膜でのＣＳＳ耐久回数は概ね２０万回が限界であっ
た。さらにグライドハイト（ヘッドとディスクが接触を
始める浮上量）と駆動時の実際の浮上量が非常に接近し
たようなヘッド−ディスクインターフェースを有するシ
ステムあるいは接触記録を行うシステムにおいては厳し
い耐摩耗性が要求され、ＤＬＣの膜質のより一層の改良
が求められていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように急速に進みつつある磁気ヘッドの低浮上化と省
電力化による頻繁な起動・停止の必要性を考慮すると、
今後は少なくとも５０万回のＣＳＳに耐える必要があ
り、より優れた耐久性の確保が課題として上げられてい
た。そこで本発明のうち請求項１、２および３に記載の
発明は、こうした課題を解決するために、低浮上特性と
高信頼性を両立させた磁気ヘッドスライダを提供するこ
とを目的としたものである。請求項４から８の発明は請
求項１、２もしくは３に記載の磁気ヘッドスライダを製
造するための方法を提供するものである。ひいては本発
明は高密度記録・低消費電力を実現する磁気ディスクド
ライブを提供するものである。

【００１１】従って本発明の目的は、耐久性、耐摩耗性
に優れた磁気ヘッドスライダを提供することであり、極
低浮上型磁気ヘッドや接触型磁気ヘッドを有するシステ
ムの信頼性、耐久性を向上する。また本発明のもう一つ
の目的は耐久性、耐摩耗性に優れたカーボン膜を被覆す
る際の成膜方法を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、ＤＬＣを成膜する際に原料となる炭化水素系ガスに
加えてＡｒガスを添加する。Ａｒはプラズマ中の炭化水
素の解離を促進し、ＤＬＣ膜の膜質を大幅に改善する。

【００１３】従来Ａｒガスを加えてプラズマを発生させ
ることは常套手段である。一般的に考えられるＡｒ添加
の効果は次のようである。Ａｒイオンは解離しやすく、
また不活性で他のガスとも反応しにくいためアシストガ
ス、すなわちプラズマを安定させるためによく使用され
るガスである。また負の電位を基板に印加するシステム
では解離した Ａｒ⁺イオンは基板に衝突し、膜をスパッ
タリングする。これは一般的にイオンボンバード効果と
よばれるものである。従って基板に成膜される膜のうち
結合の弱いものがボンバードで弾き飛ばされ、強固な結
合のみが残る。よって一般的には適正にＡｒを添加する
と膜は固くなることが知られている。ところが我々はこ
れを負の高電圧を基板に印加するＤＣプラズマシステム
に適用し、Ａｒガス圧力および基板印加電圧をある範囲
にしぼることによって、膜に新たな特性を与えうること
を見出した。すなわちＤＬＣ膜にかつてない高い弾性率
を与えることが出来た。以下に詳細な実施例を述べる。

【００１４】

【発明の実施形態】ディスクと対向する面にダイアモン
ドライクカーボン膜が形成された磁気ヘッドスライダで
あって、前記ダイアモンドライクカーボン膜中にＡｒが
含まれていることを特徴とする磁気ヘッドスライダ。な
らびに、磁気ヘッドスライダのディスク対向面にプラズ
マ化学気相成長法によってダイアモンドライクカーボン
膜を製造する製造方法であって、成膜時に炭化水素系ガ
スと同時にＡｒガスを添加して成膜することを特徴とす
る磁気ヘッドスライダの製造方法である。

【００１５】（実施例１）本発明の磁気ヘッドスライダ
の構成を図．１を用いて説明する。本発明の磁気ヘッド
スライダ１はアルミナ−炭化チタンを主成分とする磁気
ヘッド材料を所望のスライダ形状に加工した後、その磁
気ディスク対向面４すなわちエアベアリング面（以下Ａ
ＢＳ面と記す）には中間層２を介してＤＬＣ保護層３が
形成されている。またスライダ短手方向片側側面に磁気
信号を読み書きするための薄膜磁気ヘッド素子５を備え
ている。

【００１６】続いて本発明による磁気ヘッドスライダの
製造方法の実施例を図２により説明する。アルミナ−炭
化チタンを主成分とする磁気ヘッドスライダ基材１１
は、ここでは住友特殊金属（株）製ＡＣ−２を用いてお
り、複数の薄膜磁気ヘッド素子５がアレイ状に形成さ
れ、ポールハイト加工や洗浄等が既に終了しているもの
であり、これはローと呼ばれるものである（図２−
（ａ））。この磁気ヘッドスライダ基材を、スパッタ装
置内の基板電極上に設置し、ディスク対向面４をＡｒプ
ラズマによりクリーニングを行ったのち、Ａｒガス３ｍ
ｔｏｒｒ、高周波電力４００ＷでのＳｉをターゲットに
したスパッタリングにより、シリコンからなる中間層２
を２ｎｍの厚さで形成した（図２−（ｂ））。

【００１７】この後、プラズマＣＶＤ法を用いてＤＬＣ
保護層３を８ｎｍの厚さで形成した（図２−（ｃ））。
なおシリコン中間層２やＤＬＣ保護層３の厚さについて
はここで示した値に限るものではなく、耐久性の観点か
らはより厚いものが望ましいが、磁気ヘッドとディスク
とのスペーシング損失を抑える点からはなるべく薄いこ
とが要求され、両者の兼ね合いから本実施例の値が決定
されている。成膜方法に関する詳細は後述する。

【００１８】つぎにディスク対向面４を所望のＡＢＳ形
状に機械研削ないしフォトリソグラフィを用いたドライ
エッチング法などにより形成し（図２−（ｄ））、最後
に個々の磁気ヘッドスライダに切断することにより（図
示せず）、図１のような磁気ヘッドスライダーが完成す
る。ここで、シリコン中間層２とＤＬＣ保護層３の形成
工程は、ポールハイト加工後であればどの工程中にあっ
てもよく、たとえば個々の磁気ヘッドスライダに切断さ
れた後でもよい。

【００１９】（実施例２）つぎに本発明の磁気ヘッドス
ライダのＤＬＣ保護層３の形成方法について詳細に説明
する。図．３は前記保護層を成膜するための装置の概略
図である。真空槽１０内部には直流電源６に接続された
基板電極２１と、前記基板電極と対向する位置に対向電
極２２が置かれ、接地されている。磁気ヘッドスライダ
１をそのエアベアリング面が下面になるように基板電極
に設置した後、真空槽内を１０^-7ｔｏｒｒ以下に排気す
る。その後Ａｒと ＣＨ₄を分圧でそれぞれ０．０３ｔｏ
ｒｒ、０．０２ｔｏｒｒ、全圧で０．０５ｔｏｒｒにな
るように導入し、基板を−９００Ｖの電位にして、両電
極間でプラズマを発生させＤＬＣ膜を形成した。この時
の成膜速度は約１Å／ｓｅｃであった。

【００２０】（実施例３）このような条件で形成した膜
について往復摺動テストにより耐摩耗性を評価した。
図．１のような１ｍｍ角程度といったサイズのスライダ
では評価が難しいため、４０ｍｍ程度の長さを有するロ
ーの状態で行った。ポールハイト加工とよばれる研磨工
程と洗浄が終了しているロー上に前記記載の条件でＤＬ
Ｃを成膜した。膜上を摺動させるポスト材料は１．５ｍ
ｍＲのサファイアの半球であり、押付け荷重１００ｇ
ｆ、往復回数５００回、試料の移動速度１００ｍｍ／ｍ
ｉｎ．、往復距離５ｍｍである。摺動時に発生した摩耗
粉等を洗浄で除去した後、試験部について原子間力顕微
鏡を用いて表面形状を測定し、摩耗領域の平均断面積を
求めた。図．４には成膜時の条件、すなわち基板印加電
位と ＣＨ₄に対するＡｒの希釈率を変えて成膜したサン
プルについて摩耗試験を実施し、 ＣＨ₄０．１ｔｏｒ
ｒ、基板電位−７００Ｖの条件で成膜した膜の摩耗領域
の平均断面積を１としたとき、各条件で成膜したサンプ
ルの被摩耗量とＡｒ希釈率の関係を示している。ここで
の総ガス圧は０．１ｔｏｒｒである。

【００２１】各電圧においてＡｒを添加することで耐摩
耗性が向上することが認められた。またその効果は−８
００Ｖ以上の絶対値で高電位の条件では顕著であり、優
れた耐摩耗性を示した。またＡｒ希釈率６６％、基板電
位−９００Ｖで成膜したＤＬＣ膜は比摩耗量が０．０７
と極めて小さく、優れた耐摩耗性を示した。

【００２２】前記のＡｒ添加の条件でＤＬＣ膜を形成し
た磁気ヘッドについてＣＳＳテストを行った。使用した
ディスクはＡｌ合金板の上に、ＮｉＰ層、Ｃｒ層、磁性
層、スパッタカーボンおよび有機物の潤滑剤３０Åが形
成されたものである。図．５にその結果を示す。比較と
して従来の炭化水素系ガスのみでＤＣ法で形成したＤＬ
Ｃ膜でのＣＳＳ特性データも添付するが、このサンプル
はＣＳＳ約１８万回で急激に摩擦係数μが増加し、その
時点では磁気ヘッドスライダのＡＢＳ面の一部に小さな
ギズが発生し、マイクロオージェ分析によりＤＬＣ膜が
なくなっていることが確認された。これに対し本発明の
磁気ヘッドスライダーはＣＳＳ５０万回後もμは１以下
であり、優れたＣＳＳ特性を示した。またこの時点でど
の部分においてもＤＬＣ膜は残っていることが確認され
た。

【００２３】（実施例４）次に本発明の磁気ヘッドスラ
イダに形成するＤＬＣ膜の硬度と弾性率について評価し
た。測定したサンプルはＳｉウェハー上に約５０００Å
の厚さでＤＬＣ膜を形成したものであり、評価にはハイ
ジトロン社製トライボスコープを用いた。これはダイア
モンドの三角錐圧子を試料に静電気力を用いてサブミリ
ニュートンオーダーの超微小荷重で押し込み、その時の
変位量（押し込み深さ）をリアルタイムで測定できるシ
ステムである。そのため１ミクロン以下の薄膜の硬度や
弾性率等の薄膜の材料係数等を求めるのに有効な測定器
である。ただし従来の様な規格化されたビッカース硬度
等への換算は困難であり、新たな尺度で薄膜の機械的特
性を与えるものである。

【００２４】比摩耗量と同様に従来のＤＬＣ膜の一例と
してＣＨ₄０．１ｔｏｒｒ、基板電位−７００Ｖ（条件
Ａ）、および本発明のスライダに用いるＤＬＣ膜の一例
として、Ａｒ分圧０．０３ｔｏｒｒ、ＣＨ₄分圧０．０
２ｔｏｒｒ、全圧０．０５ｔｏｒｒ、基板電位−９００
Ｖ（条件Ｂ）の両サンプルについてダイアモンドの三角
錘圧子を用いたインデンテーションテストを行い、その
測定データを図．６に示す。条件ＡのＤＬＣ膜では徐々
に負荷をかけていき、１００μＮの押し込み荷重時にお
いて、約０．０３４μｍの押し込み深さであり、最大押
し込み深さ （ｈmax）とその時の印加荷重Ｆmaxより次
式（１） を用いて膜の硬度を算出することができる。 Ｈ＝Ｆmax／23.897（ｈmax）²‥‥‥‥（１） （１）式で分子は力、分母は投影断面積であり、後者は
ここで用いた対頂角１１５°の圧子の先端形状から有限
要素法を用いて算出された式である。

【００２５】また図．６の除荷曲線における最大押し込
み深さからの傾き（接線）はスティフネス（Stiffnes
s）とよばれ、この値を用いて次式より弾性率を算出で
きる。 Ｅｒ＝（Ｓ／２）×〔π／23.897（ｈmax）²〕^0.5‥‥‥（２） ここでＥｒは弾性率（Reduced Modulus）であり、Ｓは
スティフネスである。これにより計算される条件Ａ、Ｂ
でのＤＬＣ膜の硬度、弾性率を表１に示す。また同時に
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で求めたＤＬＣ膜の膜厚と
ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ）から算出したＤＬＣ
膜の膜密度も表１に記載する。

【００２６】 表１ ＤＬＣ膜の機械的特性 硬度(GPa) 弾性率(GPa) 膜密度(g/cm3) 条件Ａ ９．２ ７６ １．８０ 条件Ｂ １０．１ ８９ ２．０７ 表１の様に良好な耐摩耗性を示した本発明の一実施例で
ある条件ＢのＤＬＣ膜は従来のＤＬＣ膜と比較して硬度
は若干高いことはもちろんであるが、弾性率が極めて高
く、また膜密度も大きくなっており、これが膜の耐久性
に大きく関連しているものと考えられる。

【００２７】従って本発明の磁気ヘッドスライダに用い
られるＤＬＣ保護層は高い耐摩耗性、耐久性を示し、そ
れは膜の硬度よりはむしろ、弾性率および膜密度が非常
に大きいことに起因していることを発明者らは明らかに
した。

【００２８】ここで弾性率と比摩耗量の相関について示
す。比摩耗量は実施例３に記述したものと同様な評価方
法で行っている。図．７に示すように弾性率が８５ＧＰ
ａ以上の値を有する本発明の磁気ヘッドスライダに形成
するＤＬＣ膜は概ね比摩耗量が０．５以下の値となり、
良好な耐摩耗特性を示すことも確かめられた。

【００２９】この耐摩耗性に優れたＤＬＣ膜は炭素およ
び約３０ａｔ％以下の水素からなり、膜中に均一にＡｒ
原子を含有していることがわかっており、その量は約１
ａｔ％以下の微量である。これは摩耗特性に関与してい
るものとは考えらず、製造上やむをえず混入してしまう
ものである。本発明の磁気ヘッドスライダに用いるＤＬ
Ｃ膜の優れた耐摩耗性は炭素原子同士のネットワークの
組みかた、結合状態に関係しているものと考えられる。
この膜の構造はＦＴ−ＩＲや微小ラマン等で調査を行う
ことができるがそのデータの解釈には、さまざまな見解
があり、この耐摩耗性の差が膜の構造として何に起因し
ているのかは、今のところわかっていない。また膜密度
はＤＬＣ膜中の炭素同士の平均原子間距離と相関がある
ものと考えられ、この原子間距離がより小さいと思われ
る条件ＢのＤＬＣ膜はより変形に対する抗力が大きく、
そのため弾性率、すなわちある変位量を与えるために必
要な力が大きくなっているものと考えられる。

【００３０】また比摩耗量が０．５以下の値を示せばＣ
ＳＳテストにおいて約５０万回のＣＳＳテストに耐えう
ること、すなわち摩擦係数μが１以下の値で推移するこ
とが確認された。

【００３１】そしてそのような比摩耗量０．５以下のＤ
ＬＣ膜を作成するための成膜時の条件としては ＣＨ₄／
Ａｒの混合比が１より小さく、また基板電位は−８００
Ｖ以上であることが望ましい。

【００３２】また ＣＨ₄とＡｒを加えた総圧力は高くて
も、成膜は可能であるが、圧力の上昇とともに成膜速度
が増加する。通常磁気ヘッドスライダに形成するＤＬＣ
保護層の厚さは１００Å以下であり、従って膜厚の管理
を考えた場合多くても２〜３Å／ｍｉｎ以下には成膜速
度を抑えることが望ましい。そのためには総圧力が０．
１ｔｏｒｒ以下での成膜条件を選択することが望まし
い。

【００３３】さらに従来例で述べたような高周波放電プ
ラズマを発生するシステム（図．９）において前記のＡ
ｒ添加の条件を適用してＤＬＣを成膜し、同様に摩耗、
硬度、弾性度を評価したが、同様な効果を得ることはで
きず、膜質の改善は観察されなかった。その時の直流分
のセルフバイアス（Ｖｄｃ）は−２５０Ｖであり、電位
差をこれ以上とるのは困難であった。一般的にＲＦプラ
ズマで基板バイアスを誘起するシステムにおいては−３
００Ｖ以上の負の高電位をセルフバイアスのみで発生す
ることは困難であり、したがって本発明はＤＣ法に適用
するのが望ましいものと思われる。ただし前記ＤＣ法に
はプラズマの発生は直流に限らず、高周波、誘導結合、
マイクロ波、ＥＣＲなどにより行い、それとは別に基板
に直流電源でバイアス電位を印加する方式にも本発明が
適用可能であることは当業者は容易に理解できるであろ
う。

【００３４】（実施例５）次に条件Ａ、Ｂで成膜したＤ
ＬＣ膜を磁気ヘッド保護膜として成膜したトライパッド
を有するコンタクトヘッドに適用し、このヘッドについ
てシーク摩耗テストを行った。ヘッドを支持するサスペ
ンションの荷重は０．５ｇｆである。平均浮上量０．０
５μｍは磁気ディスクのグライドハイトにほぼ近い値で
あり、かなりの頻度で接触しながらシークを行ったもの
と思われる。 １０⁶回のシーク後、試験後Ｘ線マイクロ
アナライザーのマッピング機能を用いてエッチングを行
いながらパッド部を測定した。これにより試験後のパッ
ド部の傷や摩耗状況、ＤＬＣ膜の残膜厚を推定できる。
条件Ａで成膜したヘッドにおいては完全に母材まで摩耗
が進行している個所が発生していることがわかった。ま
た条件Ｂで成膜したヘッドにおいては母材まで進行した
摩耗は見られなかったものの一部に中間層であるＳｉが
露出している個所が確認された。このように耐摩耗性に
優れた条件Ｂにおいても摩耗条件によっては耐摩耗性が
不十分である事がわかった。

【００３５】我々はこの個所を詳細に解析した結果、剥
離が中間層であるＳｉとＤＬＣ膜間の密着不良から生じ
ていることを解明し、この対策として図．８に示すよう
な２層構造のＤＬＣ膜を作製した。本実施例の磁気ヘッ
ドスライダ１のディスク対向面４にはＳｉからなる中間
層２、第一のＤＬＣ層３０の上面に本発明におけるＤＬ
Ｃ膜である第二のＤＬＣ膜３１が形成してある。本ヘッ
ドについて上記と同様なシーク摩耗テストを行った。こ
の保護膜の構成はＳｉ２ｎｍの上に比較的密着性が良好
である成膜条件 （ＣＨ₄０．１ｔｏｒｒ、基板電位−９
００Ｖ−条件Ｃ）で第一のＤＬＣ膜を２ｎｍ成膜した
後、良好な耐摩耗性を有する条件Ｂで第二のＤＬＣ膜を
６ｎｍ形成した。このヘッドについて前記と同様のシー
ク摩耗試験を行ったところほとんど摩耗が見られず極め
て良好な耐摩耗性を示すことが確認された。これはこの
２層のＤＬＣ膜が優れた密着性と高い弾性率を有する所
以であると考えられる。

【００３６】また本実施例でにおける第一のＤＬＣ層と
第二のＤＬＣ層の膜厚は、前者は１ｎｍ以上、後者は４
ｎｍ以上あれば耐摩耗性向上の効果が認められた

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、プラズマ中の炭化水素
ガスにＡｒを添加することでプラズマ中の解離を促進
し、従来にない弾性率が極めて高く、耐摩耗性の高いＤ
ＬＣ膜をＡＢＳ面にコートすることで耐久性、耐摩耗性
に優れた磁気ヘッドスライダが提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドスライダの構成を示す断面
図である。

【図２】本発明の磁気ヘッドスライダの製造方法を示す
断面図である。

【図３】本発明の磁気ヘッドスライダを製造するための
成膜装置の概略図である。

【図４】実施例で行った摩耗テスト結果を示すグラフで
ある。

【図５】実施例で行ったＣＳＳテストの結果を示すグラ
フである。

【図６】実施例で行ったインデンテーションテストにお
けるＤＬＣ膜の負荷除荷時の変形を示すグラフである。

【図７】本発明の磁気ヘッドスライダに使用するＤＬＣ
膜の弾性率と耐摩耗性（比摩耗量）の関係を示してい
る。

【図８】本発明の磁気ヘッドスライダの別の構成を示す
断面図である。

【図９】従来の磁気ヘッドスライダを製造するための成
膜装置の一例を示す概略図である。

【符号の説明】

１ 磁気ヘッドスライダ ２ 中間層 ３ ＤＬＣ保護層 ５ 薄膜磁気ヘッド素子 ６ 直流電源 １１ 磁気ヘッドスライダ基材 ２１ 基板電極 ２２ 対向電極 ３０ 第一のＤＬＣ保護層 ３１ 第二のＤＬＣ保護層

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ディスクと対向する面にダイアモンドラ
   イクカーボン膜が形成されている磁気ヘッドスライダで
   あって、前記ダイアモンドライクカーボン膜中にＡｒが
   含まれていることを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
2. 【請求項２】 前記Ａｒはダイアモンドライクカーボン
   膜中に均一に取り込まれており、かつＡｒの量が１原子
   パーセント以下であることを特徴とする磁気ヘッドスラ
   イダ。
3. 【請求項３】 ディスクと対向する面にダイアモンドラ
   イクカーボン膜が形成された磁気ヘッドスライダであっ
   て、前記ダイアモンドライクカーボン膜の弾性率が８５
   ＧＰａ以上の値を有することを特徴とする磁気ヘッドス
   ライダ。
4. 【請求項４】 ディスクと対向する面にダイアモンドラ
   イクカーボン膜が形成された磁気ヘッドスライダであっ
   て、前記ダイアモンドライクカーボン膜の比摩耗量が
   ０．５以下の値を有することを特徴とする磁気ヘッドス
   ライダ。
5. 【請求項５】 ディスクと対向する面にダイアモンドラ
   イクカーボン膜が形成されている磁気ヘッドスライダで
   あって、前記ダイアモンドライクカーボン膜は二層から
   なり、その上層が請求項１から４に記載のダイアモンド
   ライクカーボン膜であることを特徴とする磁気ヘッドス
   ライダ。
6. 【請求項６】 磁気ディスク装置に使用される磁気ヘッ
   ドスライダのディスク対向面にプラズマ化学的気相成長
   法によってダイアモンドライクカーボン膜を形成する方
   法であって、成膜時に炭化水素系ガスと同時にＡｒガス
   を添加して成膜することを特徴とした磁気ヘッドスライ
   ダの製造方法。
7. 【請求項７】 前記炭化水素系ガスがＣＨ₄であって、
   ＣＨ₄／Ａｒガスの混合圧力比が１もしくはそれ以下で
   あって、またその総圧力が０．１ｔｏｒｒ以下の条件で
   ダイアモンドライクカーボン膜を成膜することを特徴と
   する磁気ヘッドスライダの製造方法。
8. 【請求項８】 磁気ヘッドスライダを設置する基板に直
   接負の直流高電圧を印加する構成で前記ダイアモンドラ
   イクカーボン膜を形成したことを特徴とする請求項６、
   ７に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
9. 【請求項９】 磁気ヘッドスライダを設置する基板の電
   位を−８００Ｖ以上で前記ダイアモンドライクカーボン
   膜を形成したことを特徴とする請求項６、７、８に記載
   した磁気ヘッドスライダの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記請求項６、７、８、９に記載した
    磁気ヘッドスライダの製造方法で形成したダイアモンド
    ライクカーボン膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッ
    ドスライダ。