CN104956495A - 太阳能电池单元以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种与以往相比实现变换效率的高效率化并且在双面光接收型的太阳能电池单元中表面和背面的变换效率为大致相等的那样的太阳能电池单元。提供一种太阳能电池单元，具备：厚度为100μm以上250μm以下的n型的硅基板；形成在作为硅基板的表面的第一光接收面的p型扩散层；形成在作为硅基板的背面的第二光接收面的n型扩散层；形成在p型扩散层上和n型扩散层上的防反射膜；部分地形成在p型扩散层的多个栅极电极和母线电极；以及部分地形成在n型扩散层的多个栅极电极和母线电极，从硅基板侧依次重叠第一电极层和第二电极层这2层来形成第一光接收面所具备的栅极电极，第一光接收面的发电能力为变换效率18.5%以上，在第二光接收面的变换效率为在第一光接收面的变换效率的93%以上。

Description

太阳能电池单元以及其制造方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池单元以及其制造方法。
本申请基于在2012年12月18日向日本申请的特愿2012–275839号要求优先权，并将其内容引用于此。
背景技术
太阳能电池单元（以下，也仅称为单元）是将入射的光能变换为电力的半导体元件，有p–n结型、pin型、schottky型等，特别地，p–n结型被广泛地使用。此外，当对太阳能电池基于其基板材料进行分类时，较大地分为硅晶体类太阳能电池、非晶形（非晶质）硅类太阳能电池、化合物半导体类太阳能电池这三种。硅晶体类太阳能电池进一步被分类为单晶体类太阳能电池和多晶体类太阳能电池。由于能够比较容易地制造太阳能电池用硅晶体基板，所以，硅晶体类太阳能电池最为普及。
太阳能电池作为绿色的能源而近年来需求提高，与此伴随地，太阳能电池单元的需求也提高。此外，从能量效率的观点出发，期望太阳能电池单元的从光能向电力的变换效率（以下，也仅记载为变换效率）尽可能高的太阳能电池单元。
作为提高太阳能电池单元的变换效率的技术，例如在专利文献1中公开了使母线（bus–bar）电极的个数增加并且使指状电极的长度变短等结构的太阳能电池元件（太阳能电池单元）以及使用了其的太阳能电池模块。专利文献1所记载的太阳能电池模块的结构是在半导体基板的表面（光接收面）设置有3个表面母线电极和多个指状电极并且在背面（非光接收面）设置有3个背面母线电极的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4953562号。
发明内容
发明要解决的课题
如上述那样，上述专利文献1所记载的太阳能电池模块使用单面光接收型的单元，其单元变换效率的上限值约超过17%。然而，近年来，要求太阳能电池单元的进一步的高效率化而存在在专利文献1所记载的发明中不会得到充分的变换效率等的情况。
此外，在太阳能电池单元的高效率化中，近年来，也开发了双面光接收型的太阳能电池单元，但是，存在关于使表面和背面双方的变换效率为充分的效率并且使表面和背面的变换效率为大致相等的那样的技术而开发还未进展等的情况。
因此，鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种与以往相比实现变换效率的高效率化的那样的太阳能电池单元。另外，目的在于提供一种在双面光接收型的太阳能电池单元中表面和背面的交换效率为大致相等的那样的太阳能电池单元。
用于解决课题的方案
为了达成上述的目的，根据本发明，提供一种太阳能电池单元，具备：厚度为100μm以上250μm以下的n型的硅基板；形成在作为所述硅基板的表面的第一光接收面的p型扩散层；形成在作为所述硅基板的背面的第二光接收面的n型扩散层；形成在所述p型扩散层上和所述n型扩散层上的防反射膜；部分地形成在所述p型扩散层的多个栅极电极和母线电极；以及部分地形成在所述n型扩散层的多个栅极电极和母线电极，其中，从所述硅基板侧依次重叠第一电极层和第二电极层这2层来形成所述第一光接收面所具备的所述栅极电极，所述第一光接收面的发电能力为变换效率18.5%以上，在所述第二光接收面的变换效率为在所述第一光接收面的变换效率的93%以上。
在上述太阳能电池单元中，所述硅基板的厚度为100μm以上210μm以下，分别从所述硅基板侧依次重叠第一电极层和第二电极层这2层来形成所述第一光接收面和所述第二光接收面所具备的所述栅极电极，在所述第二光接收面的变换效率为在所述第一光接收面的变换效率的98%以上102%以下也可。
所述第一光接收面和所述第二光接收面所分别具备的所述母线电极为3个以上6个以下也可。
所述第一电极层与所述硅基板的接触电阻为5.0×10–3Ω·cm2以下也可。
所述第二电极层的体积电阻率为5.0×10–6Ω·cm以下也可。
在所述p型扩散层形成有多个高浓度p型扩散区域和邻接地位于这些高浓度p型扩散区域间的低浓度p型扩散区域，在所述n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和邻接地位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域，所述栅极电极分别形成在所述多个高浓度p型扩散区域上和所述多个高浓度n型扩散区域上也可。
在所述p型扩散层形成有整个表面均匀的p型扩散区域，在所述n型扩散层形成有整个表面均匀的n型扩散区域也可。
在所述p型扩散层形成有整个表面均匀的p型扩散区域，在所述n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和邻接地位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域，所述栅极电极形成在所述多个高浓度n型扩散区域上也可。
所述栅极电极和所述母线电极由Ag和铝金属或Ag的任一个形成也可。
在所述p型扩散层与所述防反射膜之间形成有钝化用绝缘膜，该钝化用绝缘膜由Al2O3或热氧化膜形成也可。此外，在所述n型扩散层与所述防反射膜之间形成有钝化用绝缘膜，该钝化用绝缘膜由SiN或热氧化膜形成也可。
所述第一光接收面和所述第二光接收面所具备的所述栅极电极的线宽度为50μm以上90μm以下，并且，所述栅极电极的高度为15μm以上50μm以下也可。再有，在所述第二光接收面所具备的栅极电极是单层的情况下，该栅极电极的线宽度为50μm以上120μm以下，并且，高度为10μm以上40μm以下也可。
所述第一光接收面所具备的所述栅极电极的线宽度为50μm以上90μm以下，并且，所述栅极电极的高度为15μm以上50μm以下，并且，所述第二光接收面所具备的所述栅极电极的线宽度为50μm以上120μm以下，并且，所述栅极电极的高度为10μm以上40μm以下也可。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述p型扩散层通过在作为原料气体的三溴化硼气体环境中对单晶体硅基板进行热处理来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述p型扩散层通过使包含硼元素的液体或固体预先涂敷或附着于单晶体硅基板而之后进行热处理来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述p型扩散层通过在单晶体硅基板上对包含硼元素的气体进行离子注入来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述n型扩散层通过在作为原料气体的三氯氧磷气体环境中对单晶体硅基板进行热处理来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述n型扩散层通过使包含磷元素的液体或固体预先涂敷或附着于单晶体硅基板而之后进行热处理来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，所述n型扩散层通过在单晶体硅基板上对包含磷元素的气体进行离子注入来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，形成在所述p型扩散层上的所述第一电极层通过对包含Ag和铝金属并且相对于Ag而含有1.0wt%以上5.0wt%以下的铝金属的组成的导电性浆进行丝网印刷、进行烧结来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，形成在所述n型扩散层上的所述第一电极层通过对包含Ag的导电性浆进行丝网印刷、进行烧结来形成。
此外，根据本发明，提供一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造上述记载的太阳能电池单元的制造方法，其中，形成在所述第一电极层上的第二电极层通过对包含Ag的导电性浆进行丝网印刷、进行烧结来形成。
发明效果
根据本发明，能够提供一种与以往相比实现了变换效率的高效率化的那样的太阳能电池单元。另外，提供一种在双面光接收型的太阳能电池单元中表面和背面的变换效率为大致相等的那样的太阳能电池单元。具体地，通过使用与以往相比薄的硅基板来制造双面光接收型的太阳能电池单元，从而能够与以往相比变换效率高并且使第一光接收面和第二光接收面的变换效率接近于相等。
附图说明
图1是制造太阳能电池单元的工序的说明图。
图2是太阳能电池单元A的平面图，（a）示出了第一光接收面，（b）示出了第二光接收面。
图3是从倾斜上方看太阳能电池单元的概略说明图。
图4是将在太阳能电池单元的制造中使用的基板的基板厚度与所制造的太阳能电池单元的变换效率的关系图表化后的图。
图5是将基板的基板厚度与所制造的太阳能电池单元的变换效率比（Bifaciality）的关系图表化后的图。
图6是示出第一电极层与基板的接触电阻发生变化的情况下的接触电阻与第一光接收面的变换效率的关系的图表。
图7是示出构成p型扩散层上的第一电极层的导电性浆所包含的铝金属的添加量发生变化的情况下的铝金属添加量与接触电阻的关系的图表。
图8是针对使用布线材料来连结2个太阳能电池单元的结构的说明图，（a）是平面概略图，（b）是侧面概略图。
图9是示出使栅极电极的线宽度变化到约40μm~120μm的情况下的线宽度与单元的短路电流的关系的图表。
图10是示出使栅极电极的线宽度变化到约40μm~120μm的情况下的线宽度与单元的填充因子的关系的图表。
图11是将栅极电极的线宽度与变换效率的关系图表化后的图。
图12是示出使栅极电极的高度变化到约9μm~50μm的情况下的高度与单元的变换效率的关系的图表。
图13是示出使栅极电极为一层构造的情况下和为二层构造的情况下的变换效率的图表。
图14是示出在使形成在第二光接收面的栅极电极为单层构造的情况下使该栅极电极宽度变化到约47μm~123μm的情况下的细线宽度与变换效率比（Bifaciality）的关系的图表。
图15是示出使形成在第二光接收面的单层构造的栅极电极44的高度变化到约7μm~约40μm的情况下的高度与第一光接收面的变换效率的关系的图表。
图16是针对同时进行对基板的硼扩散、磷扩散的情况的说明图。
附图标记的说明
3…第一光接收面
4…第二光接收面
5…氧化膜
7…抗蚀膜
15…高浓度p型扩散区域
16…低浓度p型扩散区域
25…高浓度n型扩散区域
26…低浓度n型扩散区域
35…防反射膜
40…第一电极层
42…第二电极层
44…栅极电极
45…母线电极
50…布线材料
A…太阳能电池单元
W…（半导体）基板。
具体实施方式
以下，参照附图来对本发明的实施方式进行说明。再有，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的构成要素标注相同的附图标记，由此，省略重复说明。
在此，参照图1来对本发明的实施方式的太阳能电池单元A的制造工序进行说明。图1（a）~（n）是针对制造本实施方式的太阳能电池单元A的工序的说明图。首先，如图1（a）所示，准备由例如通过CZ法而制作的单晶体硅等构成的n型半导体的硅基板W（以下，也仅称为半导体基板W或基板W）。基板W的尺寸例如为15.6cm方形、厚度100~250μm。此外，基板W的比电阻为1.0~14.0Ω·cm。
接着，使基板W浸渍于高浓度（例如10wt%）的氢氧化钠水溶液，除掉切片时的损伤层。
接着，在基板W形成形貌（texture）构造（凹凸构造）。作为形成形貌构造的理由，是因为太阳能电池通常通过在表面形成凹凸形状来降低太阳光的吸收波长区域的反射率。作为具体的方法，将除去损伤层后的基板W浸到到在例如浓度2wt%的氢氧化钠水溶液中添加有异丙醇后的水溶液中来进行湿法蚀刻，由此，在基板W表面形成随机形貌构造。该形貌构造的各个山的尺寸为0.3~20μm左右。再有，作为形成随机形貌构造的方法，除了上述湿法蚀刻之外，还能够使用例如酸蚀刻或反应性离子蚀刻等方法。
接着，如图1（b）所示，在含有氧的环境中，通过980℃的加热处理在基板W的表面（以下也称为第一光接收面3）和背面（以下也称为第二光接收面4）双方形成氧化膜5。也可以代替该氧化膜5而形成例如氮化膜等（SiNx膜等）。
接着，如图1（c）所示，在氧化膜5的表面以规定的图案将抗蚀膜7涂敷为例如10~30μm的厚度。然后，如图1（d）所示，将抗蚀膜7作为掩模，进行使用了例如5wt%HF水溶液的湿法蚀刻，将氧化膜5蚀刻为规定的图案。通过该蚀刻，氧化膜5被蚀刻为形成于抗蚀膜7的规定的图案。此外，此时，形成在第二光接收面4的氧化膜5全部被蚀刻（除去）。
接着，如图1（e）所示，通过利用碱性水溶液的剥离来除去抗蚀膜7。
接着，在设定为950℃的扩散炉中，在含有三溴化硼（BBr3）气体的环境下，如图1（f）所示，将被蚀刻为规定的图案的氧化膜5作为掩模，在基板W的第一光接收面3的露出部分进行硼扩散。这样做，在基板W的第一光接收面3呈岛状地形成多个高浓度p型扩散区域15。在此，优选的是，高浓度p型扩散区域15的薄层（sheet）电阻为20~60Ω/□（欧姆/平方）。再有，作为硼扩散的方法例示了在三溴化硼（BBr3）气体环境下的扩散方式，但是，并不限于此，例如，也能够使用三氯化硼（BCl3）气体、氧化硼（B2O3）。此外，关于硼扩散，也可以是将BN（氮化硼）作为源的方式或使用了丝网印刷、喷墨、旋涂、离子注入（ion implantation）等的方式。
接着，如图1（g）所示，通过使用了例如5wt%HF水溶液的湿法蚀刻来除去第一光接收面3的氧化膜5。然后，在设定为930℃的扩散炉中，在含有三溴化硼（BBr3）气体的环境下在基板W的第一光接收面3整体进行硼扩散。这样做，在基板W的第一光接收面3中，如图1（h）所示，在多个高浓度p型扩散区域15彼此之间形成低浓度p型扩散区域16。在此，在基板W的表面、背面双方形成硼硅酸盐玻璃膜（未图示）。再有，优选的是，低浓度p型扩散区域16的薄层电阻为30~150Ω/□。
接着，如图1（i）所示，在第一光接收面3通过丝网印刷法来印刷抗蚀膜7，在180℃的热风干燥炉中进行基板W的干燥。通过该抗蚀膜7的印刷、干燥来保护形成在基板W的第一光接收面3的硼硅酸盐玻璃膜（未图示）。作为该抗蚀膜7，优选的是，使用具有耐氢氟酸性和耐硝酸性并且能够通过碱性水溶液剥离的那样的材料。
接着，使在第一光接收面3印刷有抗蚀膜7的状态（干燥后）的基板W浸渍于例如氟硝酸水溶液或氢氟酸水溶液，除去未印刷抗蚀膜7的基板W的另一个面（第二光接收面4）的硼硅酸盐玻璃膜（未图示）、由于向外扩散（out diffusion）而形成的高浓度p型扩散区域。之后，使用例如氢氧化钠水溶液来除去抗蚀膜7，进行基板W的洗涤、干燥。
接着，在设定为870℃的扩散炉中，在含有三氯氧磷（POCl3）气体的环境下，通过与对上述的第一光接收面3进行的硼扩散同样的方法，如图1（j）所示，在基板W的第二光接收面4蚀刻为规定的图案的氧化膜5被形成为掩模。然后，在基板W的第二光接收面4的露出部分进行磷扩散。在此时的氧化膜5的形成中，与上述硼扩散同样地，将氧化膜5和抗蚀膜7形成为规定的图案，进行扩散区域的形成，但是，氧化膜5和抗蚀膜7的形成、磷扩散后的氧化膜5和抗蚀膜7的除去等工序为与在图1（b）~（g）中说明了的工序同样的方法，因此，省略在此的说明。
这样做，如图1（j）所示，在基板W的第二光接收面4呈岛状地形成多个高浓度n型扩散区域25。在此，优选的是，高浓度n型扩散区域25的薄层电阻为20~60Ω/□。此外，磷扩散也可以通过喷墨方式或使用了喷雾、旋涂、激光掺杂法、离子注入等的方式来进行。
然后，在设定为830℃的扩散炉中，在含有三氯氧磷（POCl3）气体的环境下在基板W的第二光接收面4整体进行磷扩散。这样做，如图1（k）所示，在基板W的第二光接收面4，在多个高浓度n型扩散区域25彼此之间形成低浓度n型扩散区域26。此时，在基板W的第一光接收面3和第二光接收面4双方形成磷硅酸玻璃膜（未图示）。再有，优选的是，低浓度n型扩散区域26的薄层电阻为30~150Ω/□。
接着，通过等离子蚀刻机进行基板W周围部的PN结隔离，通过使用了氢氟酸水溶液的蚀刻除去在上述的硼扩散、磷扩散等工序中形成在基板W的第一光接收面3、第二光接收面4的硼硅酸盐玻璃膜（未图示）和磷硅酸玻璃膜（未图示）。之后，如图1（l）所示，通过等离子体CVD装置在第一光接收面3和第二光接收面4的整体形成例如作为氮化膜（SiNx膜）的防反射膜35。在此，作为其他种类的防反射膜35，能够举出例如二氧化钛膜、氧化锌膜、氧化亚锡膜等来进行代替。此外，防反射膜35的形成是通过利用上述等离子体CVD装置的直接等离子体（direct plasma）CVD法来进行的，但是，也可以使用例如远程等离子体CVD法、涂敷法、真空蒸镀法等。但是，从经济性的观点出发，通过等离子体CVD法来形成氮化膜是最适合的。进而，在防反射膜35上形成例如二氟化镁膜等折射率为1~2之间的膜以使总的反射率为最小，由此，促进反射率的降低，生成电流密度变高。此外，也可以在基板W和防反射膜35之间形成钝化用绝缘膜。再有，该钝化用绝缘膜也可以为Al2O3、热氧化膜、SiN。
接着，如图1（m）所示，使用丝网印刷机在基板W的第二光接收面4的高浓度n型扩散区域25表面（图中下表面）将例如包含Ag的导电性浆印刷为规定的图案，之后，进行干燥，形成第一电极层40。然后，通过丝网印刷在形成在高浓度n型扩散区域25上的第一电极层40的表面（图中下表面）印刷由例如包含Ag的导电性浆形成的第二电极层42，进行干燥。层叠该第一电极层40和第二电极层42后的结构为栅极电极44。再有，在此，作为电极的形成方法而说明为使用丝网印刷法的方法，但是，栅极电极44、母线电极45的形成方法也可以是电镀法、喷墨方式等。对像这样形成的栅极电极44的详细的结构，参照附图等在后面进行叙述。
此外，在图1中未图示，但是，关于母线电极45，也通过上述栅极电极44同样的方法来形成，该母线电极45也由第一电极层和第二电极层构成，所述第一电极层和第二电极层由包含Ag的导电性浆形成。再有，母线电极45不是2层构造也可，例如没有第一电极层40而仅由第二电极层42构成也可。
接着，如图1（n）所示，与上述图1（m）所示的情况同样地，在第一光接收面3的高浓度p型扩散区域15表面（图中上表面）将例如包含Ag和铝金属的导电性浆印刷为规定的图案，之后，进行干燥，形成第一电极层40。然后，通过丝网印刷在形成在高浓度p型扩散区域15上的第一电极层40的表面（图中上表面）印刷由例如包含Ag的导电性浆形成的第二电极层42，并进行干燥。层叠该第一电极层40和第二电极层42后的结构为栅极电极44。
在此，如参照图1（m）、（n）来说明了的那样，在本实施方式中，在第一光接收面3和第二光接收面4双方，由第一电极层40和第二电极层42这两层来构成栅极电极44，但是，例如，仅在第一光接收面3层叠2层构造的栅极电极44而在第二光接收面4形成单层构造（单层的导电性浆）的栅极电极44也可。
关于第一电极层40，与第二电极层42相比，由例如与硅基板（半导体基板W）的接触电阻低并且与硅基板（半导体基板W）的粘接强度强的那样的材质来形成是优选的。具体地，优选的是，形成在高浓度p型扩散区域15表面的第一电极层40与硅基板的接触电阻为5.0×10–3Ω·cm2以下。作为该接触电阻的测定方法，使用TLM（Transmission Line Model：传输线模型）法。在作为第一电极层40而使用包含Ag和铝金属的导电性浆的情况下，优选的是，该导电性浆的配合比做成相对于Ag的含有量而包含1.0~5.0wt%的铝金属的组成。
另一方面，关于第二电极层42，与第一电极层40相比，例如硅基板体积电阻率低并且导电性优越是优选的。具体地，优选的是，第二电极层42的体积电阻率（线电阻）为5.0×10–6Ω·cm以下。作为第二电极层42，优选的是，使用包含Ag的导电性浆。
在栅极电极44方面存在使在基板W产生的电高效率地集电于母线电极45这样的目的。因此，优选做成用于使栅极电极44的高度变高并使截面积变大来降低电阻的结构、使栅极电极44与基板W接触的界面的接触电阻变低、使栅极电极44的体积电阻率变低等。因此，在本实施方式中，如上述了的那样，通过使栅极电极44的构造为由第一电极层40和第二电极层42构成的二层构造，从而使栅极电极44的高度为充分的高度，进而，通过配置在与基板W接触的位置的第一电极层40使与基板W的接触电阻变低，使第二电极层42的体积电阻率与第一电极层40相比变低。
再有，在本实施方式的太阳能电池单元A中，可以使在第一光接收面3上和第二光接收面4上构成栅极电极44的电极层（第一电极层40和第二电极层42）的组成不同，作为一个例子，如上述那样，在第一光接收面3上，作为第一电极层40而使用包含Ag和铝金属的导电性浆并且作为第二电极层42而使用包含Ag的导电性浆是优选的。而且，在第二光接收面4上，作为第一电极层40和第二电极层42而使用包含Ag的导电性浆是优选的。这是因为：对于n型扩散层，当被掺杂铝金属时，形成p+层，存在降低太阳能电池单元A的变换效率的可能性。
然后，通过上述的方法，将栅极电极44形成在第一光接收面3的高浓度p型扩散区域15上和第二光接收面4的高浓度n型扩散区域25上，并且，进行烧结，由此，制作太阳能电池单元A。
再有，在上述的工序中，也可以不进行利用等离子蚀刻机的PN结隔离工序而在电极烧结之后进行使用了激光的PN结隔离。
在以下，参照图2~图4对参照图1通过上述的方法制作的太阳能电池单元A的详细的构造进行说明。图2是太阳能电池单元A的平面图，（a）示出了第一光接收面3（太阳能电池单元A的表面），（b）示出了第二光接收面4（太阳能电池单元A的背面）。如图2所示，太阳能电池单元A在平面视中为大致正方形形状，大小为例如15.6cm方形。
如图2（a）所示，3个母线电极45彼此平行且等间隔地在规定的方向（例如，与正方形形状的1个边平行的方向）上形成于第一光接收面3。此外，多个（例如约70~80个）栅极电极44在与母线电极45正交的方向上等间隔地形成于第一光接收面3。
此外，如图2（b）所示，与第一光接收面3同样地，在第二光接收面4，3个母线电极45也彼此平行且等间隔地在规定的方向上形成，并且，多个（例如约70~80个）栅极电极44也在与母线电极45正交的方向上等间隔地形成。栅极电极44是指用于使在太阳能电池单元A产生的电向母线电极45集电的电极，此外，母线电极45是用于从栅极电极44集电的电极。即，如图2所示，各栅极电极44和母线电极45电导通。
如图2所示，使作为太阳能电池单元的表面的第一光接收面3和作为背面的第二光接收面4为同样的结构，在双方形成母线电极45和栅极电极44，由此，第一光接收面3和第二光接收面4双方成为作为具有发电能力的光接收面而完成的构造。在此，母线电极45的个数并不限于3个，只要是能够从栅极电极进行充分的集电的程度的个数即可，优选例如3~5个。此外，栅极电极的个数也只要根据发电能力来适当确定即可。再有，对使母线电极45的个数为3个是优选的理由在后面进行叙述。
再有，专利文献1所记载的太阳能电池元件是单面光接收型，背面被铝浆所覆盖，与此相对地，本实施方式的太阳能电池单元A的构造为如图2所示那样在第一光接收面3和第二光接收面4双方配置有栅极电极44的双面光接收型，是不被铝浆所覆盖的构造，因此，是与专利文献1不同的构造，其特性也较大地不同。
此外，图3是从倾斜上方看太阳能电池单元A的概略说明图。再有，图3扩大地示出了太阳能电池单元A的一部分的形成有栅极电极44的部分，也图示了太阳能电池单元A的概略截面。
如图3所示，在本实施方式的太阳能电池单元A中，在半导体基板W的第一光接收面3配置有高浓度p型扩散区域15，在其正上表面形成有由2层（第一电极层40、第二电极层42）构成的栅极电极44。此外，在第二光接收面4配置有高浓度n型扩散区域25，在其正下表面以上述的工序形成有由2层构成的栅极电极44。
在制造如图2、3所示那样的构造的太阳能电池单元A时，在本实施方式中，将例如厚度100~250μm的n型的硅基板用作半导体基板W，此外，至少使形成在第一光接收面3的栅极电极44为层叠第一电极层40和第二电极层42后的二层构造。通过做成这样的结构，从而能够制造具备第一光接收面3中的变换效率为18.5%以上并且第二光接收面4中的变换效率为第一光接收面3中的变换效率的93%以上等期望的性能的太阳能电池单元A。
在以下，参照图4、图5对在制造本实施方式的太阳能电池单元A时使用的半导体基板W（n型的硅基板）的厚度与变换效率或变换效率比（Bifaciality）的关系进行研究。
图4是将用于太阳能电池单元A的制造的基板W的基板厚度与所制造的太阳能电池单元A的第一光接收面3的变换效率的关系图表化后的图。图4所示的数据是使用各种厚度（100~280μm）的基板W来制造太阳能电池单元A而测定在每一种情况下的第一光接收面3的变换效率而得到的。再有，测定图4所示的数据的太阳能电池单元A的基本的构造为本实施方式的构造（在图1~3中示出的构造），但是，第一光接收面3和第二光接收面4均使用作为均匀扩散构造而制造的光接收面。
如图4所示，在基板W的厚度为100μm以上的情况下，第一光接收面3的变换效率为约18.5%以上。在此，根据在图4中得到的结果，可知基板W的厚度只要为100μm以上即可，但是，关于基板W的厚度的上限值，并未具体地确定。
此外，图5是将基板W的基板厚度与所制造的太阳能电池单元A的变换效率比（Bifaciality：第一光接收面3与第二光接收面4的变换效率之比）的关系图表化后的图。再有，图5所示的数据是使用各种厚度（100~280μm）的基板W来制造与在图4中作为测定对象的太阳能电池单元A相同的构造的太阳能电池单元而测定在每一种情况下的变换效率比而得到的。
如图5所示，在基板W的厚度为250μm以下的情况下，变换效率比为约93%以上。因此，根据在图5中得到的结果，可知为了使变换效率比为约93%以上而基板W的厚度只要为250μm以下即可。这是因为：通过将基板W的厚度薄化，从而在太阳能电池单元A中的基板内部产生的载体移动到PN结部的距离变短，由此，第二光接收面4的变换效率提高，能够使第一光接收面3和第二光接收面4的变换效率比接近于100%。
进而，根据图5，在基板W的厚度为210μm以下的情况下，变换效率比为约98%以上102%以下。因此，可知通过使基板W的厚度为210μm以下而能够使第一光接收面3的变换效率和第二光接收面4的变换效率极其接近于相等。
以上，根据参照图4和图5来说明了的见解，可知：在制造本实施方式的太阳能电池单元A时，使基板W的厚度为100μm以上250μm以下，由此，能够使第一光接收面3的变换效率为18.5%以上并且使第二光接收面4的变换效率为第一光接收面3的变换效率的93%以上。进而，使基板W的厚度为100μm以上210μm以下，由此，能够使变换效率比更接近于100%（具体地为98%以上102%以下）。即，在双面光接收型的太阳能电池单元中，与以往相比实现了变换效率的高效率化，另外，能够实现表面（第一光接收面3）和背面（第二光接收面4）的变换效率为大致相等的那样的太阳能电池单元。
接着，参照图6、7对在制造本实施方式的太阳能电池单元A时第一电极层40与高浓度p型扩散区域15或低浓度p型扩散区域16（即，硅基板W的第一光接收面侧的表面）的接触电阻和太阳能电池单元A的变换效率的关系进行研究。
图6是示出第一电极层40与基板W之间的接触电阻发生变化的情况下的接触电阻与第一光接收面3的变换效率的关系的图表。图6所示的数据是测定对第一电极层40与基板W表面（形成有高浓度p型扩散区域15或低浓度p型扩散区域16的面：第一光接收面3）的接触电阻进行改变时的每一种情况（每一个太阳能电池单元）下的第一光接收面3的变换效率而得到的。
如图6所示，在第一电极层40与基板W表面的接触电阻为5.0×10–3Ω·cm2以下的情况下，可靠地，第一光接收面3的变换效率为18.5%以上。另一方面，在第一电极层40与基板W表面的接触电阻为超过5.0×10–3Ω·cm2的情况下，存在第一光接收面3的变换效率为18.5%以上的情况和18.5%以下的情况，未必得到第一光接收面3的变换效率为18.5%以上的太阳能电池单元A。即，为了稳定地生产第一光接收面3的变换效率为18.5%以上的太阳能电池单元A，需要使第一电极层40与基板W表面的接触电阻为5.0×10–3Ω·cm2以下。
此外，图7是示出构成在第一光接收面3形成的第一电极层40的导电性浆所包含的铝金属的添加量发生变化的情况下的铝金属添加量与接触电阻的关系的图表。图7所示的数据是测定对构成在第一光接收面3形成的第一电极层40的导电性浆所包含的铝金属的添加量进行改变时的每一种情况（每一个太阳能电池单元）下的第一电极层40与基板W之间的接触电阻而得到的。
如图7所示，在构成在第一光接收面3形成的第一电极层40的导电性浆所包含的铝金属的添加量为1.0wt%~5.0wt%的情况下，可靠地，第一电极层40与基板W之间的接触电阻为5.0×10–3Ω·cm2以下。另一方面，在铝金属的添加量超过5.0wt%的情况下，第一电极层40与基板W之间的接触电阻超过5.0×10–3Ω·cm2。即，为了可靠地使第一电极层40与基板W之间的接触电阻为5.0×10–3Ω·cm2以下，需要使构成第一电极层40的导电性浆所包含的铝金属的添加量为1.0wt%~5.0wt%。
根据参照图6、7来说明了的见解，优选的是，在制造本实施方式的太阳能电池单元A时，构成在第一光接收面3形成的第一电极层40的导电性浆为相对于Ag而使铝金属的添加量为1.0wt%~5.0wt%的导电性浆。由此，第一电极层40与基板W（第一光接收面3）之间的接触电阻可靠地为5.0×10–3Ω·cm2以下，能够稳定地制造第一光接收面3的变换效率为18.5%以上的太阳能电池单元A。
接着，在本实施方式的太阳能电池单元A中，参照表1对第二电极层42的体积电阻率与太阳能电池单元A的变换效率的关系进行研究。以下所示的表1示出了对本实施方式的太阳能电池单元A的变换效率和第二电极层42的体积电阻率进行测定的结果。再有，在表1中，对5种图案的太阳能电池单元A（单元号1~5）进行测定。
根据表1所示的测定结果，可知：在第二电极层42的体积电阻率为5.0×10–6Ω·cm以下的情况下，得到变换效率为18.5%以上的太阳能电池单元A。
另一方面，可知：关于太阳能电池单元A，在实际构成太阳能电池制品（太阳能电池模块）时，使多个太阳能电池单元A的母线电极45彼此利用例如通过焊锡而被涂敷的铜线等布线材料来连结，利用这些布线材料对在各单元中发电的电力进行集电。图8是针对使用布线材料50来连结2个太阳能电池单元A的结构的说明图，（a）是平面概略图，（b）是侧面概略图。
在通过图8所示的结构来连结太阳能电池单元A彼此时，采用对布线材料50施加热并通过焊着（例如焊接）而安装于各单元的母线电极45等方法。但是，对例如通过焊锡而被涂敷的铜线等即布线材料50施加热，由此，布线材料50进行热膨胀，之后在布线材料50被冷却时，在各单元彼此的连结处等由于布线材料50的收缩而在太阳能电池单元A内部产生应力。关于该内部应力，存在引发太阳能电池单元A的破裂等的可能性，因此，要求尽可能减小。再有，在图8中，例示了布线材料50是连接一个太阳能电池单元A的表面（第一光接收面3）的母线电极45和另一个太阳能电池单元A的背面（第二光接收面4）的母线电极45的那样的结构。
在本实施方式的太阳能电池单元A中，当使所使用的基板W的厚度为100μm以上250μm或100μm以上210μm以下时，特别是进行了薄型化，因此，存在由于在上述的单元彼此的连结处等的内部应力而引发破裂的可能性。为了避免在单元彼此的连结处等的内部应力，考虑使例如布线材料50变薄等方法，但是，当使布线材料50变薄时，存在布线材料50的串联电阻值变高而来自母线电极45的集电能力降低等问题。
因此，本发明人们使布线材料50变薄，并且，使母线电极45的个数为优选的个数，由此，确保充分的集电能力，将优选的母线电极45的个数设为3个以上6个以下。关于母线电极45的个数，特别优选的是为3个，在以下，参照表2、表3对使母线电极45为3个是优选的理由进行说明。
表2示出：在本实施方式的太阳能电池单元A中在不改变其他结构的情况下使母线电极45为2个的情况下的铜线即布线材料50的条件（铜厚、宽度、总截面积）和使母线电极45为3个的情况下的铜线即布线材料50的条件。再有，在表2中，关于内部应力，由于难以数值化，所以，仅在单元单面安装布线材料50，根据此时的单元的翘曲的大小来评价内部应力。
此外，表3是在表2所示的母线电极45为2个的情况和为3个的情况下为了制作3个（表中的模块1、模块2、模块3）单元60个串联模块而进行布线材料50的安装作业而示出了每一种情况下的单元破裂个数和破裂率的表。
根据表2和表3的记载，可知：与母线电极45为2个的情况相比，在为3个的情况下由于布线材料50安装时的热收缩而产生的内部应力更小，单元破裂率更低。因此，优选的是，形成于太阳能电池单元A的母线电极45的个数为3个。再有，在使所形成的母线电极45的个数为4个以上的情况下，也抑制内部应力的产生，破裂率为低的值，但是，根据太阳能电池单元的制造成本、设备成本的方面，母线电极45的个数优选3~6个左右，即使在形成有7个以上的母线电极45的情况下，集电能力等与3~6个的情况也几乎没有差异。
此外，关于在本实施方式的太阳能电池单元A中针对栅极电极44通过二层构造来构成的方面，在上面进行了叙述，但是，在以下参照图9~图12对优选的栅极电极44的具体的尺寸进行说明。再有，以下的图9~图12所记载的测定数据是在太阳能电池单元A中在第一光接收面3和第二光接收面4双方以间距2.0mm形成了二层构造的栅极电极44的情况下的测定结果。
图9是示出在本实施方式的太阳能电池单元A中使二层构造的栅极电极44的线宽度（细线宽度）变化到约40μm~120μm的情况下的线宽度与单元的第一光接收面3的短路电流的关系的图表。如图9所示，栅极电极44的线宽度变得越粗而在太阳能电池单元A的光接收面积越是减少，因此，第一光接收面3的短路电流值降低。
此外，图10是示出在本实施方式的太阳能电池单元A中使二层构造的栅极电极44的线宽度（细线宽度）变化到约40μm~120μm的情况下的线宽度与单元的第一光接收面3的填充因子的关系的图表。如图10所示，栅极电极44的线宽度变得越粗而该栅极电极的截面积越是增加，因此，电阻值下降，第一光接收面3的填充因子提高。
此外，图11是将栅极电极44的线宽度与第一光接收面3的变换效率的关系图表化后的图。如图11所示，在栅极电极44的线宽度为50μm以上90μm以下的情况下，实现了第一光接收面3的变换效率18.5%以上。因此，在本实施方式的太阳能电池单元A中，关于栅极电极44的线宽度，优选的是，形成为50μm以上90μm以下。再有，仅使形成在第一光接收面3的栅极电极44为二层构造而形成在第二光接收面4的栅极电极44做成单层也可。
此外，图12是示出在本实施方式的太阳能电池单元A中使二层构造的栅极电极44的高度（细线高度）变化到约9μm~50μm的情况下的高度与单元的第一光接收面3的变换效率的关系的图表。如图12所示，在栅极电极44的高度为15μm以上50μm以下的情况下，实现了第一光接收面3的变换效率18.5%以上。因此，在本实施方式的太阳能电池单元A中，关于栅极电极44的高度，优选的是，形成为15μm以上50μm以下。
以上，如参照图9~图12来说明了的那样，关于形成于本实施方式的太阳能电池单元A的栅极电极44的具体的尺寸，优选的是，线宽度为50μm以上90μm以下，高度为15μm以上50μm以下。
此外，图13是示出在本实施方式的太阳能电池单元A中使栅极电极44为一层构造的情况下和为二层构造的情况下的第一光接收面3的变换效率的图表。如图13所示，在使栅极电极44为一层构造的情况下，变换效率为约18.0~18.5%，与此相对地，在为二层构造的情况下，变换效率为约19.5%。因此，可知，通过使栅极电极44为二层构造，从而能够使太阳能电池单元A的第一光接收面3的变换效率更高效率化。
接着，对在太阳能电池单元A的第一光接收面3形成有二层构造的栅极电极44并且在第二光接收面4形成有单层构造的栅极电极44 的情况下的具体的尺寸进行讨论。图14是示出在太阳能电池单元A中使形成在第二光接收面4的栅极电极44为单层构造的情况下并且使该栅极电极的线宽度（细线宽度）变化到约47μm~123μm的情况下的细线宽度与变换效率比（Bifaciality：第一光接收面3与第二光接收面4的变换效率之比）的关系的图表。
如图14所示，在单层构造的栅极电极44的线宽度为50μm以上120μm以下的情况下，实现了变换效率比93%以上。因此，在太阳能电池单元A中在第二光接收面4形成单层构造的栅极电极44的情况下，优选的是，其线宽度设为50μm以上120μm以下。
此外，图15是示出使形成在太阳能电池单元A的第二光接收面4的单层构造的栅极电极44的高度（细线高度）变化到约7μm~约40μm的情况下的高度与第一光接收面3的变换效率的关系的图表。
如图15所示，在单层构造的栅极电极44的高度为10μm以上40μm以下的情况下，实现了第一光接收面3的变换效率18.5%以上。因此，在太阳能电池单元A中在第二光接收面4形成有单层构造的栅极电极44的情况下，优选的是，其高度设为10μm以上40μm以下。
以上，如参照图14和图15来说明了的那样，在太阳能电池单元A中，在使形成在第二光接收面4的栅极电极44为单层构造的情况下，关于其具体的尺寸，优选的是，线宽度为50μm以上120μm以下，高度为10μm以上40μm以下。
在如以上说明了的那样构成的太阳能电池单元A中，使用与以往相比薄的硅基板来做成双面光接收型，由此，具有与以往相比变换效率高并且第一光接收面和第二光接收面的变换效率接近于相等等特征。具体地，第一光接收面的变换效率为18.5%以上，第一光接收面与第二光接收面的变换效率比为93%以上或98~102%。通过实现这样的变换效率高的双面光接收型的太阳能电池单元A，从而在朝向东西方向设置例如由该单元构成的太阳能电池模块时，一天的发电量中的峰值发生2次而进行高效的发电。另外，由于在2次的峰值的发电量为大致同等，所以，在附带于太阳能电池模块的逆变器（inverter）等的设备电容设计中，没有浪费而实现高效的集电。
此外，在使用本实施方式的太阳能电池单元A来装配太阳能电池模块时，伴随着布线作业的单元的翘曲、破裂等被抑制，因此，在模块生产工序中，能够以高的成品率构成太阳能电池模块。
以上，说明了本发明的实施方式的一个例子，但是，本发明并不限定于图示的方式。理解为如下的情况：只要是本领域技术人员，则显然能够在权利要求书所记载的思想的范畴内想到各种变更例或修正例，关于它们当然也属于本发明的技术范围。
在上述实施方式中，以在形成高浓度扩散区域（p型、n型双方）之后形成低浓度扩散区域（p型、n型）这样的工序来进行扩散，但是，扩散层的形成方法未必限于该方法。例如，作为在半导体基板W的光接收面形成高浓度扩散区域（p型、n型）和低浓度扩散区域（p型、n型）的方法，也可以是如下方法：在半导体基板W的光接收面整个表面形成低浓度扩散区域之后，在应作为高浓度扩散区域的部分残留磷硅酸玻璃膜（或者硼硅酸盐玻璃膜）而进行追加的热处理，由此，形成高浓度扩散区域。
此外，作为硼扩散、磷扩散的方法，也考虑如下方法：将包含各个元素的液体或固体预先涂敷在基板W的表面（第一光接收面、第二光接收面），之后进行热处理，由此，同时形成高浓度p型扩散区域和高浓度n型扩散区域。因此，在以下，参照图16说明同时进行对基板W的硼扩散、磷扩散的情况。再有，关于硼扩散和磷扩散的工序以外的工序，为与在图1中上述的工序同样的方法，因此，在图16中仅记载进行硼扩散、磷扩散的工序的说明图。
如图16（a）、（b）所示，在使包含硼元素的液体或固体涂敷或附着于基板W的第一光接收面3之后进行干燥，在使包含磷元素的液体或固体涂敷或附着于基板W的第二光接收面4之后进行干燥，之后，例如在设定为950℃的炉中进行热处理，在第一光接收面3整个表面形成高浓度p扩散区域15，在第二光接收面4整个表面形成高浓度n型扩散区域25。
接着，如图16（c）所示，在形成有高浓度p型扩散区域15的第一光接收面3以规定的图案将抗蚀膜7涂敷为例如10~30μm的厚度之后，在180℃的热风干燥炉中进行干燥。接着，在高浓度n型扩散区域25以规定的图案将抗蚀膜7涂敷为例如10~30μm的厚度之后，在180℃的热风干燥炉中进行干燥。优选的是，使用具有耐氢氟酸性和耐硝酸性并且能够通过碱性水溶液剥离的那样的材料。
接着，使在第一光接收面3和第二光接收面4印刷有抗蚀膜7的状态的基板W浸渍于例如氟硝酸水溶液，对未印刷抗蚀膜7的基板W的面的高浓度p型扩散区域15、高浓度n扩散区域25进行蚀刻，由此，如图16（d）所示那样形成了低浓度p型扩散区域16和低浓度n型扩散区域26。
接着，通过对抗蚀膜进行利用碱性水溶液的剥离来除去表面、背面双方的抗蚀膜7，如图16（e）所示，同时形成了高浓度p型扩散区域和高浓度n型扩散区域。
此外，在上述实施方式中，对在基板W的第一光接收面3和第二光接收面4双方形成高浓度扩散区域的情况进行了说明，但是，本发明并不限于此。例如，也能够在第一光接收面3形成整个表面均匀的p型扩散层并且仅在第二光接收面4形成高浓度扩散区域以及低浓度扩散区域。此外，也能够在第一光接收面3和第二光接收面4双方形成整个表面均匀的扩散层。
通过使第一光接收面3和第二光接收面4的任一个或者双方为整个表面均匀的扩散层，从而能够削减抗蚀印刷工序、抗蚀除去工序，谋求大的成本降低。进而，也能够谋求由于热处理工序的削减的向基板W的热损伤减少。
产业上的可利用性
本发明能够应用于太阳能电池单元。

Claims (22)

1.一种太阳能电池单元，具备：
厚度为100μm以上250μm以下的n型的硅基板；
形成在作为所述硅基板的表面的第一光接收面的p型扩散层；
形成在作为所述硅基板的背面的第二光接收面的n型扩散层；
形成在所述p型扩散层上和所述n型扩散层上的防反射膜；
部分地形成在所述p型扩散层的多个栅极电极和母线电极；以及
部分地形成在所述n型扩散层的多个栅极电极和母线电极，
其中，
从所述硅基板侧依次重叠第一电极层和第二电极层这2层来形成所述第一光接收面所具备的所述栅极电极，
所述第一光接收面的发电能力为变换效率18.5%以上，
在所述第二光接收面的变换效率为在所述第一光接收面的变换效率的93%以上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其中，
所述硅基板的厚度为100μm以上210μm以下，
分别从所述硅基板侧依次重叠第一电极层和第二电极层这2层来形成所述第一光接收面和所述第二光接收面所具备的所述栅极电极，
在所述第二光接收面的变换效率为在所述第一光接收面的变换效率的98%以上102%以下。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其中，所述第一光接收面和所述第二光接收面所分别具备的所述母线电极为3个以上6个以下。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的太阳能电池单元，其中，所述第一电极层与所述硅基板的接触电阻为5.0×10–3Ω·cm2以下。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的太阳能电池单元，其中，所述第二电极层的体积电阻率为5.0×10–6Ω·cm以下。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的太阳能电池单元，其中，
在所述p型扩散层形成有多个高浓度p型扩散区域和邻接地位于这些高浓度p型扩散区域间的低浓度p型扩散区域，
在所述n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和邻接地位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域，
所述栅极电极分别形成在所述多个高浓度p型扩散区域上和所述多个高浓度n型扩散区域上。
7.根据权利要求1~5的任一项所述的太阳能电池单元，其中，
在所述p型扩散层形成有整个表面均匀的p型扩散区域，
在所述n型扩散层形成有整个表面均匀的n型扩散区域。
8.根据权利要求1~5的任一项所述的太阳能电池单元，其中，
在所述p型扩散层形成有整个表面均匀的p型扩散区域，
在所述n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和邻接地位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域，
所述栅极电极形成在所述多个高浓度n型扩散区域上。
9.根据权利要求1~8的任一项所述的太阳能电池单元，其中，所述栅极电极和所述母线电极由Ag和铝金属或Ag的任一个形成。
10.根据权利要求1~9的任一项所述的太阳能电池单元，其中，在所述p型扩散层与所述防反射膜之间形成有钝化用绝缘膜，该钝化用绝缘膜由Al2O3或热氧化膜形成。
11.根据权利要求1~10的任一项所述的太阳能电池单元，其中，在所述n型扩散层与所述防反射膜之间形成有钝化用绝缘膜，该钝化用绝缘膜由SiN或热氧化膜形成。
12.根据权利要求2所述的太阳能电池单元，其中，所述第一光接收面和所述第二光接收面所具备的所述栅极电极的线宽度为50μm以上90μm以下，并且，所述栅极电极的高度为15μm以上50μm以下。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其中，所述第一光接收面所具备的所述栅极电极的线宽度为50μm以上90μm以下，并且，所述栅极电极的高度为15μm以上50μm以下，并且，所述第二光接收面所具备的所述栅极电极的线宽度为50μm以上120μm以下，并且，所述栅极电极的高度为10μm以上40μm以下。
14.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
所述p型扩散层通过在作为原料气体的三溴化硼气体环境中对单晶体硅基板进行热处理来形成。
15.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
所述p型扩散层通过使包含硼元素的液体或固体预先涂敷或附着于单晶体硅基板而之后进行热处理来形成。
16.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
所述p型扩散层通过在单晶体硅基板上对包含硼元素的气体进行离子注入来形成。
17.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
所述n型扩散层通过在作为原料气体的三氯氧磷气体环境中对单晶体硅基板进行热处理来形成。
18.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
所述n型扩散层通过使包含磷元素的液体或固体预先涂敷或附着于单晶体硅基板而之后进行热处理来形成。
19.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
所述n型扩散层通过在单晶体硅基板上对包含磷元素的气体进行离子注入来形成。
20.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
形成在所述p型扩散层上的所述第一电极层通过对包含Ag和铝金属并且相对于Ag而含有1.0wt%以上5.0wt%以下的铝金属的组成的导电性浆进行丝网印刷、进行烧结来形成。
21.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求2或12所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
形成在所述n型扩散层上的所述第一电极层通过对包含Ag的导电性浆进行丝网印刷、进行烧结来形成。
22.一种太阳能电池单元的制造方法，所述制造方法是制造根据权利要求1~13的任一项所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
形成在所述第一电极层上的第二电极层通过对包含Ag的导电性浆进行丝网印刷、进行烧结来形成。
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