CN110120434B - 电池片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电池片及其制备方法，其中，该电池片包括硅片，所述硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，所述硅片的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层、掺杂的多晶硅薄膜层以及金属电极，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度，所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。根据本发明实施例的电池片，降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，从而提高了该电池片的开路电压和短路电流，进而提升了该电池片的性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种电池片及其制备方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池要想获得高效率，其晶体硅基体表面必须具有良好的钝化将少数载流子的表面复合速率控制到最小，从而获得较高的开压、电流和填充因子。近几年来，钝化接触在晶体硅太阳能电池领域逐渐得以实施应用，其基本方法是将钝化与电接触分开，采用在硅基体的背面生长一层超薄的氧化层，并在氧化层上制备一层掺杂的多晶硅薄膜层作为金属电接触的缓冲层，利用隧道效应电子穿过超薄的氧化层进入掺杂的多晶硅薄膜层，然后被金属电极收集到外电路。但是，大规模工业生产都用丝网印刷银浆料或银铝浆料，再通过高温烧结的方法来实现金属电接触。在高温烧结过程中，金属浆料会穿透掺杂的多晶硅薄膜层对介于硅基体与掺杂的多晶硅薄膜层之间的氧化层具有一定的破坏作用，对其钝化效果产生一定的影响，造成开路电压降低。为了减少此金属复合的影响以提升电池片的效率，增加掺杂的多晶硅薄膜层的厚度是不错的选择，但掺杂的多晶硅薄膜层有个缺点就是对光具有一定的吸收作用，而且掺杂的多晶薄膜层随着厚度的增加吸收作用变得更为严重。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的一个目的在于提供一种电池片，该电池片降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，从而提高了该电池片的开路电压和短路电流，进而提升了该电池片的性能。
本发明的另一个目的在于提供一种上述电池片的制备方法。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
根据本发明第一方面实施例的电池片，包括硅片，所述硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，所述硅片的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层、掺杂的多晶硅薄膜层以及金属电极，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度，所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。
优选地，所述硅片的受光面和/或背光面包括多个所述抛光区域和非抛光区域，多个所述抛光区域和所述非抛光区域均匀地交替分布。
优选地，所述非抛光区域为制绒面或湿刻面。
优选地，所述掺杂的多晶硅薄膜层的外侧还设置有钝化层。
优选地，所述钝化介质层为SiOx层、TiOx层和SiOXN1-X层中的一种或多种。
优选地，所述钝化介质层的厚度为0.5-2.5nm。
优选地，所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度为5-300nm。
根据本发明第二方面实施例的电池片的制备方法，包括如下步骤：
步骤S1，提供硅片，在所述硅片的受光面和/或背光面设置抛光区域和非抛光区域；
步骤S2，于所述硅片的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层和掺杂的多晶硅薄膜层，其中，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度；
步骤S3，于所述硅片的受光侧和/或背光侧设置金属电极，且所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。
优选地，所述步骤S1具体包括：
步骤S11，提供硅片，于所述硅片的受光侧和/或背光侧设置掩膜；
步骤S12，对所述掩膜的指定区域进行开膜使所述硅片的受光面和/或背光面的部分区域暴露；
步骤S13，对所述硅片的受光面和/或背光面的暴露的部分区域进行抛光处理，以形成抛光区域；
步骤S14，去除所述硅片的受光面和/或背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜，形成非抛光区域。
优选地，所述步骤S2还包括：
于所述掺杂的多晶硅薄膜层的外侧设置钝化层。
优选地，所述步骤S2还包括：
于所述硅片的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置所述钝化介质层和所述掺杂的多晶硅薄膜层后，对所述硅片进行退火处理。
优选地，所述步骤S2包括：
步骤S21，于所述硅片的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层和未经掺杂的多晶硅薄膜层；
步骤S22，于所述未经掺杂的多晶硅薄膜层的表面进行离子注入掺杂或扩散掺杂以形成掺杂的多晶硅薄膜层。
本发明的有益效果在于：
通过用以形成电池片的硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，在镀膜时，使硅片的抛光区域对应的掺杂的多晶硅薄膜层沉积的厚度大于非抛光区域对应的掺杂的多晶硅薄膜层沉积的厚度，且金属电极与硅片的抛光区域相对应，即掺杂的多晶硅薄膜层的金属接触区域较厚，而非金属接触区域较薄，从而该电池片降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，提高了该电池片的开路电压，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，提高了该电池片的短路电流，进而提升了该电池片的性能。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为本发明一实施例的电池片的局部侧视图；
图2为本发明另一实施例的电池片的局部侧视图；
图3为本发明实施例的电池片的制备方法的流程图；
图4为本发明实施例的硅片的受光面和/或背光面设置抛光区域和非抛光区域的制备方法的流程图；
图5为本发明实施例的硅片的局部侧视图；
图6为图5中的硅片的背光侧设置有掩膜的局部侧视图；
图7为图6中设置于硅片的背光侧的掩膜的指定区域进行开膜使硅片的背光面的部分区域暴露的局部侧视图；
图8为图7中的硅片的背光面的暴露的部分区域进行抛光处理形成抛光区域的局部侧视图；
图9为本发明实施例的背光面设置有抛光区域和非抛光区域的硅片的局部侧视图；
图10为本发明实施例1的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；
图11为本发明实施例2的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；
图12为本发明实施例3的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；
图13为本发明实施例4的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；
图14为本发明实施例的硅片的背光侧设置有钝化介质层的局部侧视图；
图15为图14中的硅片的背光侧设置有掺杂的多晶硅薄膜层的局部侧视图；
图16为图15中的硅片的背光侧设置有钝化层的局部侧视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，根据本发明实施例的电池片10，包括硅片20，硅片20的受光面和/或背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，硅片20的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层30、掺杂的多晶硅薄膜层40以及金属电极50，硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度大于非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度，金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。其中，掺杂的多晶硅薄膜层40的掺杂属性可为空穴掺杂或电子掺杂。
通过用以形成电池片10的硅片20的受光面和/或背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，使硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40沉积的厚度大于非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40沉积的厚度，且金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应，即掺杂的多晶硅薄膜层40的金属接触区域较厚，而非金属接触区域较薄，从而该电池片10降低了金属接触复合对钝化介质层30的破坏，提高了该电池片10的开路电压，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层40对光的吸收，提高了该电池片10的短路电流，进而提升了该电池片10的性能。
根据本发明的一些实施例，硅片20的受光面和/或背光面包括多个抛光区域21和非抛光区域22，多个抛光区域21和非抛光区域22均匀地交替分布。
根据本发明的一些实施例，非抛光区域22为制绒面或湿刻面。
如图2所示，根据本发明的一些实施例，掺杂的多晶硅薄膜层40的外侧还设置有钝化层60。对掺杂的多晶硅薄膜层40的表面进行钝化，以进一步提升电池片10的性能。
根据本发明的一些实施例，钝化介质层30为SiOx层、TiOx层和SiOXN1-X层中的一种或多种。
根据本发明的一些实施例，钝化介质层30的厚度为0.5-2.5nm。
根据本发明的一些实施例，掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为5-300nm。
如图3所示，上述本发明实施例的电池片10的制备方法，包括如下步骤：
步骤S1，提供硅片20，在硅片20的受光面和/或背光面设置抛光区域21和非抛光区域22；
如图4所示，根据本发明的一些实施例，步骤S1具体包括：
步骤S11，如图5所示，提供硅片20，如图6所示，于硅片20的受光侧和/或背光侧设置掩膜70；
步骤S12，如图7所示，对掩膜70的指定区域进行开膜使硅片20的受光面和/或背光面的部分区域暴露；
步骤S13，如图8所示，对硅片20的受光面和/或背光面的暴露的部分区域进行抛光处理，以形成抛光区域21；
步骤S14，如图9所示，去除硅片20的受光面和/或背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜70，形成非抛光区域22。
其中，步骤S12中优选地采用皮秒、亚秒或纳秒激光器对掩膜70的指定区域进行开膜。
步骤S2，如图14和图15所示，于硅片20的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层30和掺杂的多晶硅薄膜层40，其中，硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度大于非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度；
其中，优选地，可通过低温炉管氧化工艺、硝酸氧化工艺、臭氧氧化工艺、原子层沉积工艺、低压化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法在硅片20的受光侧和/或背光侧设置钝化介质层30。
优选地，可通过低压化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法在钝化介质层30的外侧沉积掺杂的多晶硅薄膜层40。
根据本发明的一些实施例，步骤S2还包括：如图16所示，于掺杂的多晶硅薄膜层40的外侧设置钝化层60。优选地，可采用管式或板式等离子增强化学气相沉积法在掺杂的多晶硅薄膜层40的外侧沉积钝化层60。
根据本发明的一些实施例，步骤S2还包括：于硅片20的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层30和掺杂的多晶硅薄膜层40后，对硅片20进行退火处理。以对掺杂的多晶硅薄膜层40中的掺杂元素进行激活处理，同时也对掺杂的多晶硅薄膜层40进行了晶化热处理，进一步提升了掺杂的多晶硅薄膜层40的性能。
根据本发明的一些实施例，步骤S2包括：
步骤S21，于硅片20的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层30和未经掺杂的多晶硅薄膜层40；
步骤S22，于未经掺杂的多晶硅薄膜层40的表面进行离子注入掺杂或扩散掺杂以形成掺杂的多晶硅薄膜层40。
步骤S3，于硅片20的受光侧和/或背光侧设置金属电极50，且金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。
下面通过具体实施例描述本发明。
实施例1
本发明实施例的电池片10，包括硅片20，硅片20的背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，硅片20的背光侧由内至外依次设置有钝化介质层30、掺杂的多晶硅薄膜层40、钝化层60以及金属电极50，硅片20的抛光区域21与金属电极50相对应。
其中，硅片20的背光面包括多个抛光区域21和非抛光区域22，多个抛光区域21和非抛光区域22均匀地相互交替分布，非抛光区域22为湿刻面。
钝化介质层30为SiOx层，其厚度为1.5nm。
硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为192nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为156nm。
钝化层60为SiNx层。
上述本发明实施例的电池片10的制备方法，包括以下步骤：
A、在硅片20的背光面设置抛光区域21和非抛光区域22：对硅片20进行清洗后，在硅片20的背光面上利用等离子增强化学气相沉积法沉积50nm厚的SiOx掩膜70；然后，采用激光对掩膜70的指定区域进行开膜使硅片20的背光面的部分区域暴露；再然后，将硅片20放入三甲胺溶液中，对硅片20的背光面的暴露的部分区域进行化学抛光处理，以形成抛光区域21；最后，采用HF溶液，去除硅片20的背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜70，形成非抛光区域22，硅片20的背光面的形貌分布图如图10所示。
B、设置钝化介质层30：采用低压化学气相沉积设备在硅片20的背光面沉积1.5nm厚的SiOx钝化介质层30；
C、设置掺杂的多晶硅薄膜层40：采用低压化学气相沉积设备，在620℃下，在硅片20的背光面沉积掺杂P的多晶硅薄膜层40，其中，硅片20的抛光区域21对应的掺杂P的多晶硅薄膜层40的厚度为192nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂P的多晶硅薄膜层40的厚度为156nm。
D、退火：在850℃下对硅片20进行退火处理，一方面以对掺杂的P进行激活，另一方面也实现了对掺杂的多晶硅薄膜层40进行晶化热处理，进一步提升该掺杂的多晶硅薄膜层40的性能；
E、设置钝化层60：利用HF溶液将退火后在掺杂的多晶硅薄膜层40上生长的氧化层除去后，通过板式等离子增强化学气相沉积法在硅片20的背光面沉积SiNx钝化层60，如图10所示；
F、设置金属电极50：采用丝网印刷的方式在硅片20的背光面设置金属电极50，其中，金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。
实施例2
本发明实施例的电池片10，包括硅片20，硅片20的背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，硅片20的背光侧由内至外依次设置有钝化介质层30、掺杂的多晶硅薄膜层40、钝化层60以及金属电极50，硅片20的抛光区域21与金属电极50相对应。
其中，硅片20的背光面包括多个抛光区域21和非抛光区域22，多个抛光区域21和非抛光区域22均匀地相互交替分布，非抛光区域22为湿刻面。
钝化介质层30为SiOx层，其厚度为1.0nm。
硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为151nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为125nm。
钝化层60为SiNx层。
上述本发明实施例的电池片10的制备方法，包括以下步骤：
A、在硅片20的背光面设置抛光区域21和非抛光区域22：对硅片20进行清洗后，在硅片20的背光面上利用等离子增强化学气相沉积法沉积30nm厚的SiNx掩膜70；然后，采用激光对掩膜70的指定区域进行开膜使硅片20的背光面的部分区域暴露；再然后，将硅片20放入三甲胺溶液中，对硅片20的背光面的暴露的部分区域进行化学抛光处理，以形成抛光区域21；最后，采用HF溶液，去除硅片20的背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜70，形成非抛光区域22，硅片20的背光面的形貌分布图如图11所示。
B、设置钝化介质层30：采用低温炉管设备在硅片20的背光面生长1.0nm厚的SiOx钝化介质层30；
C、设置掺杂的多晶硅薄膜层40：采用等离子增强化学气相沉积设备，在610℃下，在硅片20的背光面沉积掺杂P的多晶硅薄膜层40，其中，硅片20的抛光区域21对应的掺杂P的多晶硅薄膜层40的厚度为151nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂P的多晶硅薄膜层40的厚度为125nm。
D、退火：在875℃下对硅片20进行退火处理，一方面以对掺杂的P进行激活，另一方面也实现了对掺杂的多晶硅薄膜层40进行晶化热处理，进一步提升该掺杂的多晶硅薄膜层40的性能；
E、设置钝化层60：利用HF溶液将退火后在掺杂的多晶硅薄膜层40上生长的氧化层除去后，通过板式等离子增强化学气相沉积法在硅片20的背光面沉积SiNx钝化层60，如图10所示；
F、设置金属电极50：采用丝网印刷的方式在硅片20的背光面设置金属电极50，其中，金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。
实施例3
本发明实施例的电池片10，包括硅片20，硅片20的背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，硅片20的背光侧由内至外依次设置有钝化介质层30、掺杂的多晶硅薄膜层40、钝化层60以及金属电极50，硅片20的抛光区域21与金属电极50相对应。
其中，硅片20的背光面包括多个抛光区域21和非抛光区域22，多个抛光区域21和非抛光区域22均匀地相互交替分布，非抛光区域22为湿刻面。
钝化介质层30为SiOx层，其厚度为1.0nm。
硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为105nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为72nm。
钝化层60为SiNx层。
上述本发明实施例的电池片10的制备方法，包括以下步骤：
A、在硅片20的背光面设置抛光区域21和非抛光区域22：对硅片20进行清洗后，在硅片20的背光面上利用等离子增强化学气相沉积法沉积100nm厚的SiOx掩膜70；然后，采用激光对掩膜70的指定区域进行开膜使硅片20的背光面的部分区域暴露；再然后，将硅片20放入三甲胺溶液中，对硅片20的背光面的暴露的部分区域进行化学抛光处理，以形成抛光区域21；最后，采用HF溶液，去除硅片20的背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜70，形成非抛光区域22，硅片20的背光面的形貌分布图如图12所示。
B、设置钝化介质层30：采用硝酸在硅片20的背光面氧化生长1.0nm厚的SiOx钝化介质层30；
C、设置掺杂的多晶硅薄膜层40：采用低压化学气相沉积设备，在630℃下，在硅片20的背光面沉积掺杂P的多晶硅薄膜层40，其中，硅片20的抛光区域21对应的掺杂P的多晶硅薄膜层40的厚度为105nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂P的多晶硅薄膜层40的厚度为72nm。
D、退火：在860℃下对硅片20进行退火处理，一方面以对掺杂的P进行激活，另一方面也实现了对掺杂的多晶硅薄膜层40进行晶化热处理，进一步提升该掺杂的多晶硅薄膜层40的性能；
E、设置钝化层60：利用HF溶液将退火后在掺杂的多晶硅薄膜层40上生长的氧化层除去后，通过管式等离子增强化学气相沉积法在硅片20的背光面沉积SiNx钝化层60；
F、设置金属电极50：采用丝网印刷的方式在硅片20的背光面设置金属电极50，其中，金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。
实施例4
本发明实施例的电池片10，包括硅片20，硅片20的背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，硅片20的背光侧由内至外依次设置有钝化介质层30、掺杂的多晶硅薄膜层40、钝化层60以及金属电极50，硅片20的抛光区域21与金属电极50相对应。
其中，硅片20的背光面包括多个抛光区域21和非抛光区域22，多个抛光区域21和非抛光区域22均匀地相互交替分布，非抛光区域22为湿刻面。
钝化介质层30为SiOx层和TiOx层的叠层，钝化介质层30的厚度为2.0nm。
硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为125nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为92nm。
钝化层60为SiNx层。
上述本发明实施例的电池片10的制备方法，包括以下步骤：
A、在硅片20的背光面设置抛光区域21和非抛光区域22：对硅片20进行清洗后，在硅片20的背光面上利用等离子增强化学气相沉积法沉积20nm厚的SiOx和20nm厚的SiNx的叠层掩膜70；然后，采用激光对掩膜70的指定区域进行开膜使硅片20的背光面的部分区域暴露；再然后，将硅片20放入三甲胺溶液中，对硅片20的背光面的暴露的部分区域进行化学抛光处理，以形成抛光区域21；最后，采用HF溶液，去除硅片20的背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜70，形成非抛光区域22，硅片20的背光面的形貌分布图如图13所示。
B、设置钝化介质层30：采用原子沉积设备在硅片20的背光面沉积2.0nm厚的SiOx层和TiOx层的叠层的钝化介质层30；
C、设置掺杂的多晶硅薄膜层40：采用低压化学气相沉积设备，在630℃下，在硅片20的背光面沉积未经掺杂的多晶硅薄膜层40，其中，硅片20的抛光区域21对应的未经掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为125nm，硅片20的非抛光区域22对应的未经掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为92nm，然后对未经掺杂的多晶硅薄膜层40的表面注入4E15atoms/cm2的杂质硼以形成掺杂的多晶硅薄膜层40。
D、退火：在1000℃下对硅片20进行退火处理，一方面以对掺杂的B进行激活，另一方面也实现了对掺杂的多晶硅薄膜层40进行晶化热处理，进一步提升该掺杂的多晶硅薄膜层40的性能；
E、设置钝化层60：利用HF溶液将退火后在掺杂的多晶硅薄膜层40上生长的氧化层除去后，通过管式等离子增强化学气相沉积法在硅片20的背光面沉积SiNx钝化层60；
F、设置金属电极50：采用丝网印刷的方式在硅片20的背光面设置金属电极50，其中，金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。
实施例5
本发明实施例的电池片10，包括硅片20，硅片20的背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，硅片20的背光侧由内至外依次设置有钝化介质层30、掺杂的多晶硅薄膜层40、钝化层60以及金属电极50，硅片20的抛光区域21与金属电极50相对应。
其中，硅片20的背光面包括多个抛光区域21和非抛光区域22，多个抛光区域21和非抛光区域22均匀地相互交替分布，非抛光区域22为制绒面。
钝化介质层30为SiOx层，其厚度为1.0nm。
硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为105nm，硅片20的非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为58nm。
钝化层60为SiNx层。
上述本发明实施例的电池片10的制备方法，包括以下步骤：
A、在硅片20的背光面设置抛光区域21和非抛光区域22：对硅片20进行清洗后，在硅片20的背光面上利用等离子增强化学气相沉积法沉积100nm厚的SiOx掩膜70；然后，采用激光对掩膜70的指定区域进行开膜使硅片20的背光面的部分区域暴露；再然后，将硅片20放入三甲胺溶液中，对硅片20的背光面的暴露的部分区域进行化学抛光处理，以形成抛光区域21；最后，采用HF溶液，去除硅片20的背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜70，形成非抛光区域22，硅片20的背光面的形貌分布图如图12所示。
B、设置钝化介质层30：采用硝酸在硅片20的背光面氧化生长1.0nm厚的SiOx钝化介质层30；
C、设置掺杂的多晶硅薄膜层40：采用低压化学气相沉积设备，在630℃下，在硅片20的背光面沉积未经掺杂的多晶硅薄膜层40，其中，硅片20的抛光区域21对应的未经掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为105nm，硅片20的非抛光区域22对应的未经掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度为58nm，然后在860℃下对未经掺杂的多晶硅薄膜层40的表面进行磷扩散掺杂以形成掺杂的多晶硅薄膜层40；
D、退火：在860℃下对未经掺杂的多晶硅薄膜层40进行磷扩散掺杂的同时对硅片20进行退火处理，一方面以对掺杂的P进行激活，另一方面也实现了对掺杂的多晶硅薄膜层40进行晶化热处理，进一步提升掺杂的多晶硅薄膜层40的性能；
E、设置钝化层60：利用HF溶液将退火后在掺杂的多晶硅薄膜层40上生长的氧化层除去后，通过管式等离子增强化学气相沉积法在硅片20的背光面沉积SiNx钝化层60；
F、设置金属电极50：采用丝网印刷的方式在硅片20的背光面设置金属电极50，其中，金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。
实施例6
本实施例6与实施例1基本相同，本实施例6与实施例1所不同在于：本发明实施例的电池片10中的硅片20的背光面未设置有钝化层60。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (12)
1.一种电池片(10)，其特征在于，包括硅片(20)，所述硅片(20)的受光面和/或背光面包括抛光区域(21)和非抛光区域(22)，所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层(30)、掺杂的多晶硅薄膜层(40)以及金属电极(50)，所述硅片(20)的抛光区域(21)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度大于所述非抛光区域(22)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度，所述金属电极(50)与所述硅片(20)的抛光区域(21)相对应。
2.根据权利要求1所述的电池片(10)，其特征在于，所述硅片(20)的受光面和/或背光面包括多个所述抛光区域(21)和非抛光区域(22)，多个所述抛光区域(21)和所述非抛光区域(22)均匀地交替分布。
3.根据权利要求1所述的电池片(10)，其特征在于，所述非抛光区域(22)为制绒面或湿刻面。
4.根据权利要求1所述的电池片(10)，其特征在于，所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的外侧还设置有钝化层(60)。
5.根据权利要求1所述的电池片(10)，其特征在于，所述钝化介质层(30)为SiOx层、TiOx层和SiOXN1-X层中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的电池片(10)，其特征在于，所述钝化介质层(30)的厚度为0.5-2.5nm。
7.根据权利要求1所述的电池片(10)，其特征在于，所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度为5-300nm。
8.一种电池片(10)的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，提供硅片(20)，在所述硅片(20)的受光面和/或背光面设置抛光区域(21)和非抛光区域(22)；
步骤S2，于所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层(30)和掺杂的多晶硅薄膜层(40)，其中，所述硅片(20)的抛光区域(21)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度大于所述非抛光区域(22)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度；
步骤S3，于所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧设置金属电极(50)，且所述金属电极(50)与所述硅片(20)的抛光区域(21)相对应。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
步骤S11，提供硅片(20)，于所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧设置掩膜(70)；
步骤S12，对所述掩膜(70)的指定区域进行开膜使所述硅片(20)的受光面和/或背光面的部分区域暴露；
步骤S13，对所述硅片(20)的受光面和/或背光面的暴露的部分区域进行抛光处理，以形成抛光区域(21)；
步骤S14，去除所述硅片(20)的受光面和/或背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜(70)，形成非抛光区域(22)。
10.根据权利要求8所述的电池片(10)的制备方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：
于所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的外侧设置钝化层(60)。
11.根据权利要求8所述的电池片(10)的制备方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：
于所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置所述钝化介质层(30)和所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)后，对所述硅片(20)进行退火处理。
12.根据权利要求8所述的电池片(10)的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21，于所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层(30)和未经掺杂的多晶硅薄膜层(40)；
步骤S22，于所述未经掺杂的多晶硅薄膜层(40)的表面进行离子注入掺杂或扩散掺杂以形成掺杂的多晶硅薄膜层(40)。
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |