CN110620159A - 一种新型P-TOPCon光伏太阳能电池结构及其制备方法 - Google Patents
一种新型P-TOPCon光伏太阳能电池结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110620159A CN110620159A CN201911030560.0A CN201911030560A CN110620159A CN 110620159 A CN110620159 A CN 110620159A CN 201911030560 A CN201911030560 A CN 201911030560A CN 110620159 A CN110620159 A CN 110620159A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- temperature
- namely
- sided
- topcon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 abstract description 7
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 abstract description 7
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 abstract description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100409194 Rattus norvegicus Ppargc1b gene Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种新型P型晶体硅TOPCon电池结构及其制备方法，该电池结构为电池结构为正面结构为Ag栅线+SiNx层+N+层+局部SiOx+Poly层，背面结构为Al层+SiNx层+Al2O3层+P+。另外，电池的制备方法为双面制绒→单面氧化→单面微晶硅→磷掺杂&退火→正面掩膜→去除非掩膜区域→清洗→单面N+磷扩散→去除掩膜区域形成SiOx+Poly层→钝化→激光开槽→丝网印刷+烧结。本发发明公开的一种新型P‑TOPCon电池制备方法——即PERC前表面场进行多晶硅掺杂的选择性发射极工艺，可有效提升开路电压VOC，并减低Rs，提升FF，选择性的多晶硅掺杂工艺可有效降低ISC的损失，进而提升了效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及P型晶体硅TOPCon光伏太阳能电池结构及其制备方法。
背景技术
背景技术描述段落清洁能源成为了当前时代发展的必然趋势。对于太阳能电池行业，目前已大批量量产的技术是高效晶硅钝化发射极和背面电池，即PERC(PassivatedEmitterand Rear Cell)电池。可量产达到的效率也仅22%，遇到了效率的瓶颈阶段。其中IBC、HTI 虽具有较高的效率，但如果批量量产，则需购置全新的设备，现有的PERC设备即不能改造大量投入使用，将造成巨大的损失。Poly钝化被大量开始推广于N型电池的背面结构，但对于P型结构由于poly的吸光性太强，作业于前表面场时将会造成ISC损失。常规PERC电池结构为电池正面结构为：Ag栅线+SiNx层+N+层+局部N++层，其背面结构为：Al层+SiNx层+Al2O3层+P+，其背面是深结局部背场LBSF电池，见附图1所示。另外，PERC电池制作流程为：碱制绒、POCl3扩散、激光SE、清洗、背面氧化铝、双面氮化硅、背面激光开槽，丝网印刷烧结。
本发明主要是在现有的PERC技术上将前表面场（正面）进行钝化处理，也即进行多晶硅掺杂的选择性发射极工艺（简称P-TOPCon），选择性发射极可有效规避ISC损失，从而达到提升开路电压VOC，进行提升电池效率的目的。
发明内容
发明内容描述段落本发明公开了一种新型P型晶体硅TOPCon电池结构为正面结构为Ag栅线+SiNx层+N+层+局部SiOx+Poly层,背面结构为Al层+SiNx层+Al2O3层+P+；另外本发明还公开了一种P型晶体硅TOPCon电池的制备方法，具体电池制作步骤为：
1）双面制绒——于槽式机台里，四甲基氢氧化铵(TMAH):添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)质量配比为8:1—12:1，温度维持在75-85℃，时间约6-10min 进行制绒工艺处理，电池片减薄量控制在0.4-0.6g；
2）单面氧化——在管式扩散炉内，温度维持在500-650℃，氮气流量为 1500-3000sccm，氧气流量为800-1500sccm，时间约15-25min，氧化厚度约1-2nm；
3）单面微晶硅——利用LPCVD设备，SiH4流量为500-800sccm，时间约10-25min，厚度控制在100-200nm；
4) 磷掺杂&退火——于管式路管内，采用低温沉积温度维持在700-750℃，高浓度的小氮流量1000-1500sccm，时间约30-50min；高温推进温度维持在850-900℃，通入氮气流量1500-3000sccm，时间约30-60min，P型片方阻控制在20-60Ω/cm；
5）正面掩膜——通过丝网印刷的方式，将耐碱的蜡印刷至硅片表面，形成所需图案；
6）去除非掩膜区域——通过槽式机台，利用TMAH:抛光添加剂(氢氧化钾、氢氧化钠等)=3:2—4:3，温度为75-85℃，时间约5-10min 进行非蜡区域进行poly去除；
7）去除掩膜区域形成SiOx+Poly层——通过槽式机台，利用HF 5%浓度将蜡去除，并进行H2O洗烘干；
8）单面N+磷扩散——通过管式炉，温度维持在800-850℃，通入低浓度小氮气流量600-1000sccm，时间约15-20min，干氧流量500-800 sccm；进行浅掺杂，P型片方阻控制在180-220Ω/cm；
9）清洗——通过链式清洗机，采用HF/HNO3药液低温刻蚀，低温为15-18℃，HF/HNO3/H2O体积比控制在1:5:12—1:10:15，时间约2-3min；进行背面刻蚀，刻重控制在0.1-2.25g；
10）钝化——通过管式ALD进行背面氧化铝的生长，厚度控制在3-7nm，再进行正背面氮化硅的生长，厚度约为75-90nm；
11）激光开槽——通过激光设备对背面进行激光开槽，线宽控制在40±5um；
12）丝网印刷+烧结——对背面进行铝背场及银浆的印刷，对正面进行银浆印刷，最终进行烧结，烧结温度控制在740-780℃，最终获得P型晶体硅TOPCon电池。
本发明的主要目的是发明一种新型P-TOPCon电池制备方法——即PERC前表面场进行多晶硅掺杂的选择性发射极工艺，可有效提升开路电压VOC，并减低Rs，提升FF，选择性的多晶硅掺杂工艺可有效降低ISC的损失，进而提升了效率。本发明有以下效果：
（1）充分利用了现有的设备，投资额度较少；
（2）多晶硅掺杂选择性发射极结构可提升效率0.2-0.6%，VOC提升5-15mV，无效率损失。
附图说明
图1 常规PERC电池结构。1-Ag栅线，2-SiNx层，3-N+层，4-N++层，5-P型电池片，6-P+LBSF层，7-Al2O3层，8-SiNx层，9-Al层。
图2 P-TOPCon电池结构。1-Ag栅线，2-SiNx层，3-N+层，5-P型电池片，6-P+LBSF层，7-Al2O3层，8-SiNx层，9-Al层，10-SiOx+Poly层。
图3 P-TOPCon电池的制备工艺流程图。1-双面制绒；2-单面氧化；3-单面微晶硅；4-磷掺杂&退火；5-正面掩膜；6-去除非掩膜区域;7-去除掩膜区域层;8-单面N+磷扩散；9-清洗；10-钝化；11-激光开槽；12-丝网印刷+烧结。
具体实施方式
本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
实施例1
P-TOPCon具体电池制作步骤如下：1）双面制绒——于槽式机台里，TMAH:过硫酸铵=10:1，温度维持在80℃，时间约8 min 进行制绒。减薄量控制在0.5 g；2）单面氧化——在管式扩散炉内，温度为600℃，氮气流量为 2000sccm，氧气流量为1000sccm，时间约20 min，厚度约2 nm；3）单面微晶硅——利用LPCVD设备，SiH4流量为600sccm；时间约15min，厚度控制在200nm；4) 磷掺杂&退火——于管式路管内，采用低温沉积温度维持在750℃，高浓度的小氮流量1500sccm，时间约40min；高温推进温度为800-900℃，通入氮气流量 1500-2000sccm，时间约40 min；5）正面掩膜——通过丝网印刷的方式，将耐碱的蜡印刷至硅片表面，形成图形； 6）去除非掩膜区域——通过槽式机台，利用TMAH:抛光添加剂质量比为3:2，温度80℃，时间10min 进行非蜡区域进行Poly去除；7）去除掩膜区域形成SiOx+Poly层——通过槽式机台，利用HF 5%浓度将蜡去除，并进行H2O洗烘干；8）单面N+磷扩散——通过管式炉，温度850℃，通入低浓度小氮气流量800-900sccm，时间20min，干氧流量600 sccm；进行浅掺杂，P型片方阻控制在200Ω/cm附近；9）清洗——通过链式清洗机，采用HF/HNO3药液低温刻蚀，温度15℃，HF/HNO3/H2O体积比控制在1:5:15，时间2min；进行背面刻蚀，刻重控制在0.1-2g范围内；10）钝化——通过管式ALD进行背面氧化铝的生长，厚度控制在5nm，再进行正背面氮化硅的生长，厚度约为80 nm；11）激光开槽——通过激光设备对背面进行激光开槽，线宽控制在40±5um；12)丝网印刷&烧结——对背面进行铝背场及银浆的印刷，对正面进行银浆印刷，最终进行烧结，烧结温度控制在750℃，最终获得P型晶体硅TOPCon电池。
Claims (2)
1.一种新型P-TOPCon光伏太阳能电池结构，其特征在于电池结构为正面结构为Ag栅线+SiNx层+N+层+局部SiOx+Poly层,背面结构为Al层+SiNx层+Al2O3层+P+。
2.本发明同时还公开一种一种P型晶体硅TOPCon电池的制备方法，其特征在于电池制作步骤为：
1）双面制绒——于槽式机台里，四甲基氢氧化铵(TMAH):添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)质量配比为8:1—12:1，温度维持在75-85℃，时间约6-10min 进行制绒工艺处理，电池片减薄量控制在0.4-0.6g；
2）单面氧化——在管式扩散炉内，温度维持在500-650℃，氮气流量为 1500-3000sccm，氧气流量为800-1500sccm，时间约15-25min，氧化厚度约1-2nm；
3）单面微晶硅——利用LPCVD设备，SiH4流量为500-800sccm，时间约10-25min，厚度控制在100-200nm；
4) 磷掺杂&退火——于管式路管内，采用低温沉积温度维持在700-750℃，高浓度的小氮流量1000-1500sccm，时间约30-50min；高温推进温度维持在850-900℃，通入氮气流量1500-3000sccm，时间约30-60min，P型片方阻控制在20-60Ω/cm；
5）正面掩膜——通过丝网印刷的方式，将耐碱的蜡印刷至硅片表面，形成所需图案；
6）去除非掩膜区域——通过槽式机台，利用TMAH:抛光添加剂(氢氧化钾、氢氧化钠等)=3:2—4:3，温度为75-85℃，时间约5-10min 进行非蜡区域进行poly去除；
7）去除掩膜区域形成SiOx+Poly层——通过槽式机台，利用HF 5%浓度将蜡去除，并进行H2O洗烘干；
8）单面N+磷扩散——通过管式炉，温度维持在800-850℃，通入低浓度小氮气流量600-1000sccm，时间约15-20min，干氧流量500-800 sccm；进行浅掺杂，P型片方阻控制在180-220Ω/cm；
9）清洗——通过链式清洗机，采用HF/HNO3药液低温刻蚀，低温为15-18℃，HF/HNO3/H2O体积比控制在1:5:12—1:10:15，时间约2-3min；进行背面刻蚀，刻重控制在0.1-2.25g；
10）钝化——通过管式ALD进行背面氧化铝的生长，厚度控制在3-7nm，再进行正背面氮化硅的生长，厚度约为75-90nm；
11）激光开槽——通过激光设备对背面进行激光开槽，线宽控制在40±5um；
12）丝网印刷+烧结——对背面进行铝背场及银浆的印刷，对正面进行银浆印刷，最终进行烧结，烧结温度控制在740-780℃，最终获得P型晶体硅TOPCon电池。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910215233 | 2019-03-20 | ||
| CN2019102152336 | 2019-03-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110620159A true CN110620159A (zh) | 2019-12-27 |
| CN110620159B CN110620159B (zh) | 2022-01-25 |
Family
ID=68926890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911030560.0A Active CN110620159B (zh) | 2019-03-20 | 2019-10-28 | 一种P-TOPCon光伏太阳能电池结构的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110620159B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113257956A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-13 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制作方法 |
| CN113529022A (zh) * | 2020-04-22 | 2021-10-22 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种太阳能电池选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片 |
| CN113851555A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-12-28 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 | 一种N型TOPCon太阳能电池及其制作方法 |
| CN114373808A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-19 | 江苏科来材料科技有限公司 | 一种高效晶硅电池 |
| CN115101621A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-09-23 | 中南大学 | 一种P-topcon电池及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109256440A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-22 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
-
2019
- 2019-10-28 CN CN201911030560.0A patent/CN110620159B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109256440A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-22 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113529022A (zh) * | 2020-04-22 | 2021-10-22 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种太阳能电池选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片 |
| CN113257956A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-13 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制作方法 |
| CN113851555A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-12-28 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 | 一种N型TOPCon太阳能电池及其制作方法 |
| CN114373808A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-19 | 江苏科来材料科技有限公司 | 一种高效晶硅电池 |
| CN114373808B (zh) * | 2021-11-26 | 2023-11-10 | 江苏科来材料科技有限公司 | 一种高效晶硅电池 |
| CN115101621A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-09-23 | 中南大学 | 一种P-topcon电池及其制备方法 |
| CN115101621B (zh) * | 2022-05-24 | 2023-12-12 | 中南大学 | 一种P-topcon电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110620159B (zh) | 2022-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110620159B (zh) | 一种P-TOPCon光伏太阳能电池结构的制备方法 | |
| CN110518088B (zh) | 一种se太阳能电池的制备方法 | |
| EP4027395A1 (en) | Efficient back passivation crystalline silicon solar cell and manufacturing method therefor | |
| CN109346536B (zh) | 一种接触钝化晶体硅太阳能电池结构及制备方法 | |
| CN110459642B (zh) | 钝化接触电池及其制备方法 | |
| CN111106183A (zh) | 利用管式pecvd制备背面全钝化接触太阳电池的方法及背面全钝化接触太阳电池 | |
| CN101369612A (zh) | 一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法 | |
| CN102403369A (zh) | 一种用于太阳能电池的钝化介质膜 | |
| WO2023029059A1 (zh) | 一种N-TOPCon电池的绕镀多晶硅去除方法 | |
| CN105355707A (zh) | 一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN112349802B (zh) | 一种铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法 | |
| CN110137305A (zh) | 一种p型多晶硅选择性发射极双面电池的制备方法 | |
| CN115394863A (zh) | 一种太阳电池及其制备方法 | |
| CN116014032A (zh) | 太阳电池的制备方法 | |
| CN116741877A (zh) | 一种tbc电池制备方法及tbc电池 | |
| CN111463323A (zh) | 一种p型选择性掺杂方法 | |
| CN209183556U (zh) | 硅基太阳能电池及光伏组件 | |
| CN114823969A (zh) | 一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池 | |
| CN114005907A (zh) | 一种Topcon电池的制造方法 | |
| CN114883443A (zh) | poly-Si绕镀去除方法及在TopCon电池制备的应用 | |
| CN112838144B (zh) | 一种金字塔绒面上优化均匀性化的工艺方法 | |
| CN116666479B (zh) | 一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法 | |
| CN101499502A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池及其钝化方法 | |
| JP2016058720A (ja) | 結晶太陽電池の製造方法 | |
| CN114335237A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231128 Address after: No. 8 Yingbin Avenue, Lianshui County Economic Development Zone, Huai'an City, Jiangsu Province 223400 Patentee after: Huai'an Jietai New Energy Technology Co.,Ltd. Address before: 213164 Changzhou University, 21 Gehu Middle Road, Wujin District, Changzhou City, Jiangsu Province Patentee before: CHANGZHOU University |