CN104218101A - 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104218101A CN104218101A CN201410467200.8A CN201410467200A CN104218101A CN 104218101 A CN104218101 A CN 104218101A CN 201410467200 A CN201410467200 A CN 201410467200A CN 104218101 A CN104218101 A CN 104218101A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- solar cell
- type
- silicon chip
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 121
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 121
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 38
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 17
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 16
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 13
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XGCTUKUCGUNZDN-UHFFFAOYSA-N [B].O=O Chemical compound [B].O=O XGCTUKUCGUNZDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种N型局域背结晶体硅太阳能电池及其制备方法，以N型硅片作为基体，其背面设有发射结且为局域接触结构，该背面设有钝化膜。本发明通过采用将背面反型层钝化技术与局域铝背结相结合，本发明的铝发射结的作用为：发射结和背面金属化，省略了高温扩硼对硅片基体的影响，大幅度降低了生产成本，降低能耗，减少环境污染，本发明具有高效低成本等特点，且制备方法步骤简单，操作方便，具有良好的经济效益和环境效益。
Description
技术领域
本发明属于光伏技术领域，具体涉及一种N型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法。
背景技术
相对于P型硅片，N型硅片具有更高的少数载流子寿命，且对金属杂质的敏感性较弱，另外对于基体中没有人为掺杂的硼原子，不会形成硼氧复合对，所以N型电池无光致衰减，上述原因使N型硅片成为高校晶硅电池宠儿，但有利有弊，N型硅片的工艺制程相对比较复杂，制备成本比较高，所以目前产业化的仍旧是P型电池。
目前，背钝化电池技术在P型电池上已经较为成熟，但在N型电池上用于工业化生产的技术方案仍然比较稀缺。
故需要一种新的技术方案，已解决上述问题。
发明内容
发明目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明的目的是提供了一种N型局域背铝晶体硅太阳能电池及其制备方法。
技术方案：本发明公开了一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，以N型硅片作为基体，从上至下依次叠层银电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、硅基体、钝化膜、铝层和发射结；所述钝化膜上设有点阵列或者线阵列图形，铝浆烧结形成的发射结透过钝化膜上的图形与硅基体局域接触。
进一步优化，本发明所述的钝化膜为氧化铝和氮化硅叠层钝化膜。
进一步优化，本发明所述的N型硅片的电阻率为0.5-12 ohmcm。
本发明通过在电池背面设有钝化膜，有效增加对长波光的吸收，对未来薄片电池提供了技术保证。
本发明还公开了一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒；
（2）硅片正面磷扩散；
（3）利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为硅片正面掩膜，硅片背面抛光，同时，去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并进行清洗；
（4）硅片背面生长氧化铝作为钝化膜；
（5）硅片正面采用氮化硅作为减反膜；
（6）硅片背面生长氮化硅作为钝化膜；
（7）硅片背面利用激光在氮化硅上开孔；
（8）硅片背面印刷铝浆；
（9）在正面印刷银栅线，烧结形成银电极；
（10）在forming gas气氛下退火；
其中：步骤（1）所述的硅片采用N型单晶硅片作为基体，电阻率控制在0.5-12 ohmcm；
步骤（2）采用管式磷扩散或者链式磷扩散；
步骤（3）采用湿法设备对硅片背面进行磷硅玻璃去除，采用溶液浓度为0.1-20%的氢氟酸溶液去除硅片正面磷硅玻璃；
步骤（5）硅片正面采用PECVD的方法生长氮化硅减反膜；
步骤（6）硅片反面采用PECVD的方法生长氮化硅钝化膜。
上述介质薄膜生长部分顺序可以改变。
本发明所述的步骤（2）中的磷扩散方阻控制在50-180 ohm/sq。
本发明所述的步骤（4）中的钝化膜厚度控制在1-50nm。
本发明所述的步骤（5）中氮化硅减反膜（2）厚度控制在50-120nm，折射率控制在1.9-2.3
本发明所述的步骤（6）中背面氮化硅钝化膜厚度控制在50-200nm。
本发明所述的步骤（8）中的激光刻蚀为线阵列或点阵列，线阵列其刻蚀线宽控制在5-80um，间距控制在0.1-2.0mm，点阵列其点的直径为5-80um，间距为0.1-2.0mm。
本发明所述的步骤(10)的退火温度控制在150-400℃，时间控制在3-60分钟。
有益效果：本发明与现有技术相比，具有以下优点：
1、本发明通过采用将背面反型层钝化技术与局域铝背结相结合，本发明的铝发射结的作用为：发射结和背面金属化，省略了高温扩硼对硅片基体的影响，大幅度降低了生产成本，降低能耗，减少环境污染，本发明具有高效低成本等特点，且制备方法步骤简单，操作方便，具有良好的经济效益和环境效益；
2、本发明通过采用电池背面介质膜，使内背反射从65%增加到92-95%，提高对长波光的吸收能力的同时，为薄片电池提高了技术保证；
3、本发明通过采用背钝化技术，能有效降低介质薄膜区域的背面符合速率至10-50 cm/s。
4、本发明能够直接在现行的工业化太阳电池生产线上实现。
附图说明
图1为本发明的电池截面结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，以电阻率为0.5-12 ohmcm 的N型硅片4作为基体，从上至下依次叠层银电极1、氮化硅减反膜2、磷扩散层3、硅基体4、钝化膜5、铝层6和发射结7；所述钝化膜5上设有点阵列或者线阵列图形，铝浆烧结形成的发射结7透过钝化膜5上的图形与硅基体4局域接触，钝化膜5由氧化铝和氮化硅叠层形成。
下面结合实施例进一步阐明本发明。
实施例1：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用管式磷扩散，扩散方阻控制在90 ohm/sq，利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面抛光的目的，同时，采用2%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片背面生长厚度为15nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为2.07，厚度为78nm的氮化硅减反膜，同样的利用PECVD的方法在硅片背面生长厚度为120nm的氮化硅，介质薄膜生长结束后，在硅片背面用激光刻蚀氮化硅薄膜，其线宽为20um，间距为0.4mm。在硅片的背面印刷铝浆烧结局域形成发射结，在硅片正面丝网印刷银栅线并烧结形成正面银电极，而后，在forming gas，温度控制在350℃的气氛下进行退火，时间为10分钟。
本实施例中的单晶电池转换效率平均效率到达19.9%，无光衰减。
实施例2：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用管式磷扩散，扩散方阻控制在50 ohm/sq，利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面抛光的目的，同时，采用2%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片背面生长厚度为2nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为1.90，厚度为90nm的氮化硅减反膜，同样的利用PECVD的方法在硅片背面生长厚度为200nm的氮化硅，介质薄膜生长结束后，在硅片背面用激光刻蚀氮化硅薄膜，其线宽为10um，间距为0.3mm。在硅片的背面印刷铝浆烧结局域形成发射结，在硅片正面丝网印刷银栅线并烧结形成正面银电极，而后，在forming gas，温度控制在150℃的气氛下进行退火，时间为60分钟。
本实施例中的单晶电池转换效率平均效率到达19.5%，无光衰减。
实施例3：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用管式磷扩散，扩散方阻控制在180 ohm/sq，利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面抛光的目的，同时，采用2%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片背面生长厚度为40nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为2.30，厚度为50nm的氮化硅减反膜，同样的利用PECVD的方法在硅片背面生长厚度为50nm的氮化硅，介质薄膜生长结束后，在硅片背面用激光刻蚀氮化硅薄膜，其线宽为100um，间距为2.5mm。在硅片的背面印刷铝浆烧结局域形成发射结，在硅片正面丝网印刷银栅线并烧结形成正面银电极，而后，在forming gas，温度控制在400℃的气氛下进行退火，时间为3分钟。
本实施例中的单晶电池转换效率平均效率到达19.1%，无光衰减。
实施例4：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用链式磷扩散，扩散方阻控制在90 ohm/sq，利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面抛光的目的，同时，采用2%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片背面生长厚度为15nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为2.07，厚度为78nm的氮化硅减反膜，同样的利用PECVD的方法在硅片背面生长厚度为120nm的氮化硅，介质薄膜生长结束后，在硅片背面用激光刻蚀氮化硅薄膜，其点的直径为10um，间距为0.2mm。在硅片的背面印刷铝浆烧结局域形成发射结，在硅片正面丝网印刷银栅线并烧结形成正面银电极，而后，在forming gas，温度控制在350℃的气氛下进行退火，时间为10分钟。
本实施例中的单晶电池转换效率平均效率到达19.7%，无光衰减。
实施例5：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用链式磷扩散，扩散方阻控制在50 ohm/sq，利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面抛光的目的，同时，采用2%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片背面生长厚度为2nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为1.90，厚度为90nm的氮化硅减反膜，同样的利用PECVD的方法在硅片背面生长厚度为200nm的氮化硅，介质薄膜生长结束后，在硅片背面用激光刻蚀氮化硅薄膜，其点的直径为5um，间距为0.1mm。在硅片的背面印刷铝浆烧结局域形成发射结，在硅片正面丝网印刷银栅线并烧结形成正面银电极，而后，在forming gas，温度控制在150℃的气氛下进行退火，时间为60分钟。
本实施例中的单晶电池转换效率平均效率到达19.4%，无光衰减。
实施例6：
本实施例以156mm N型单晶硅片为基体材料，对N型硅片去损伤、制绒、清洗；采用链式磷扩散，扩散方阻控制在180 ohm/sq，利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面掩膜，实现硅片背面抛光的目的，同时，采用2%的氢氟酸溶液去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并利用溶液浓度为1%的氢氟酸溶液进行清洗。在硅片背面生长厚度为40nm的氧化铝钝化膜，利用PECVD的方法在硅片正面生长折射率为2.30，厚度为50nm的氮化硅减反膜，同样的利用PECVD的方法在硅片背面生长厚度为50nm的氮化硅，介质薄膜生长结束后，在硅片背面用激光刻蚀氮化硅薄膜，其点的直径为80um，间距为2.0mm。在硅片的背面印刷铝浆烧结局域形成发射结，在硅片正面丝网印刷银栅线并烧结形成正面银电极，而后，在forming gas，温度控制在400℃的气氛下进行退火，时间为3分钟。
本实施例中的单晶电池转换效率平均效率到达19.0%，无光衰减。
Claims (10)
1.一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，其特征在于：以N型硅片作为基体，从上至下依次叠层银电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、硅基体、钝化膜、铝层和发射结；所述钝化膜上设有点阵列或者线阵列图形，铝浆烧结形成的发射结透过钝化膜上的图形与硅基体局域接触。
2.根据权利要求1所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述钝化膜（5）为氧化铝和氮化硅叠层钝化膜。
3.根据权利要求1所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述N型硅片的电阻率为0.5-12 ohm·cm。
4.一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒；
（2）硅片正面磷扩散；
（3）利用扩散自然形成的磷硅玻璃作为硅片正面掩膜，硅片背面抛光，同时，去除硅片正面制绒面的磷硅玻璃并进行清洗；
（4）硅片背面生长氧化铝作为钝化膜；
（5）硅片正面采用氮化硅（2）作为减反膜；
（6）硅片背面生长氮化硅作为钝化膜；
（7）硅片背面利用激光在氮化硅上开孔；
（8）硅片背面印刷铝浆；
（9）在正面印刷银栅线，烧结形成银电极（1）；
（10）在forming gas气氛下退火；
其中：步骤（1）所述的硅片采用N型单晶硅片作为基体，电阻率控制在0.5-12 ohm·cm；
步骤（2）采用管式磷扩散或者链式磷扩散；
步骤（3）采用湿法设备对硅片背面进行磷硅玻璃去除，采用溶液浓度为0.1-20%的氢氟酸溶液去除硅片正面磷硅玻璃；
步骤（5）硅片正面采用PECVD的方法生长氮化硅减反膜（2）；
步骤（6）硅片反面采用PECVD的方法生长氮化硅钝化膜。
5.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的磷扩散方阻控制在50-180 ohm/sq。
6.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中的钝化膜厚度控制在1-50nm。
7.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中氮化硅减反膜（2）厚度控制在50-120nm，折射率控制在1.9-2.3。
8.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中背面氮化硅钝化膜厚度控制在50-200nm。
9.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（8）中的激光刻蚀为线阵列或点阵列，线阵列其刻蚀线宽控制在5-80um，间距控制在0.1-2.0mm；点阵列其点的直径为5-80um，间距为0.1-2.0mm。
10.根据权利要求4所述的一种N型局域背结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(10)的退火温度控制在150-500℃，时间控制在3-100分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410467200.8A CN104218101A (zh) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410467200.8A CN104218101A (zh) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104218101A true CN104218101A (zh) | 2014-12-17 |
Family
ID=52099412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410467200.8A Pending CN104218101A (zh) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104218101A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109461783A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101853897A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法 |
| CN102157624A (zh) * | 2011-03-14 | 2011-08-17 | 中节能太阳能科技有限公司 | 一种硅太阳能电池及其制备方法 |
| US20120091566A1 (en) * | 2009-06-16 | 2012-04-19 | Q-Cells Se | Semiconductor apparatus and method of fabrication for a semiconductor apparatus |
| CN103996747A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-20 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法 |
| CN204067375U (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-31 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池 |
-
2014
- 2014-09-15 CN CN201410467200.8A patent/CN104218101A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120091566A1 (en) * | 2009-06-16 | 2012-04-19 | Q-Cells Se | Semiconductor apparatus and method of fabrication for a semiconductor apparatus |
| CN101853897A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法 |
| CN102157624A (zh) * | 2011-03-14 | 2011-08-17 | 中节能太阳能科技有限公司 | 一种硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN103996747A (zh) * | 2014-05-23 | 2014-08-20 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法 |
| CN204067375U (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-31 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109461783A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104218113A (zh) | 一种n型perc晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| Wang et al. | Development of a 16.8% efficient 18-μm silicon solar cell on steel | |
| CN103996743B (zh) | 铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 | |
| US8937243B2 (en) | Structures and methods for high-efficiency pyramidal three-dimensional solar cells | |
| TW201203588A (en) | Solar cell including sputtered reflective layer and method of manufacture thereof | |
| CN105870215A (zh) | 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法 | |
| CN102751371B (zh) | 一种太阳能薄膜电池及其制造方法 | |
| CN102403369A (zh) | 一种用于太阳能电池的钝化介质膜 | |
| TWI479668B (zh) | Solar cell and solar cell manufacturing method, solar cell module | |
| CN112968074A (zh) | 一种选择性钝化接触电池的制备方法 | |
| CN110660883A (zh) | 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池 | |
| CN202307914U (zh) | 一种下一代结构高效率晶体硅电池 | |
| CN103646994A (zh) | 一种太阳电池正面电极的制备方法 | |
| CN103594530A (zh) | 正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN204067375U (zh) | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池 | |
| CN105470316A (zh) | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103022174A (zh) | 一种基于n型硅片的金属贯穿式背发射极晶硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN209056506U (zh) | 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池 | |
| CN101958364B (zh) | 一种背面钝化的太阳能电池的生产方法 | |
| CN115101621B (zh) | 一种P-topcon电池及其制备方法 | |
| CN103296099A (zh) | 一种背钝化点接触光伏电池及其制备方法 | |
| CN104218115A (zh) | 一种n型perc晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104218101A (zh) | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| KR100960626B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN104201217A (zh) | 背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141217 |