CN104201217A - 背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池制备方法 - Google Patents
背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104201217A CN104201217A CN201410461039.3A CN201410461039A CN104201217A CN 104201217 A CN104201217 A CN 104201217A CN 201410461039 A CN201410461039 A CN 201410461039A CN 104201217 A CN104201217 A CN 104201217A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminium foil
- back side
- silicon solar
- solar energy
- point contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 title abstract 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 claims description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 claims description 16
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 claims description 16
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 14
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触；本发明提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融，解决了铝浆印刷碎片率高的问题，节约了生产成本，废料回收方便，更环保。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池的制备方法，具体涉及一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法。
背景技术
现代化太阳能电池工业化生产朝着高效低成本化方向发展，背钝化与金属化区域局域重掺杂技术相结合作为高效低成本发展方向的代表，其优势在于：
（1）优异的背反射器：由于电池背面介质膜的存在使得内背反射从常规全铝背场65%增加到92-95%。一方面增加的长波光的吸收，另一方面尤其对未来薄片电池的趋势提供了技术上的保证；
（2）介质薄膜优越的背面钝化技术：由于背面介质膜的良好的钝化作用，介质薄膜区域的背面复合速率降低至10-50cm/s；
目前背面点接触多数在激光薄膜钻孔后，采用丝网印刷铝浆的方法在电池背面印刷铝层，然后在薄膜的空洞处形成局部的铝硅接触。但这种方案的缺点是铝浆印刷这一步骤的成本相对较高，且碎片率高。
发明内容
发明目的：本发明的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法。
技术方案：为了实现以上目的，本发明公开了一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触；本发明提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融，解决了铝浆印刷碎片率高的问题，同时由于铝箔的成本比铝浆的成本低很多，节约生产成本，解决了碎片率高的问题，再则铝浆成本高且废料处理回收较难，采用铝箔后，废料回收方便，更环保。
本发明中所述铝箔的形状和硅片相同，将铝箔的形状等同硅片的形状，能够在保证激光烧蚀面积的基础上有效节约铝箔的用量。
本发明中所述激光烧蚀的图形为线阵列，或点阵列，采用上述设计铝硅接触效果好。
本发明所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，具体步骤如下：
（1）硅片去损伤并制绒；
（2）磷扩散；
（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，清洗；
（4）背面氧化铝薄膜生长；
（5）正面减反射薄膜生长；
（6）正面印刷银栅线，烧结；
（7）在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触。
本发明中将在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触；本发明提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融，解决了铝浆印刷碎片率高的问题。
本发明中所述步骤（3）背面磷硅玻璃去除，背面抛光方法为：采用在线滚轮式设备，单面去除PSG，抛光时正面发射结被PSG保护，实现背面抛光。
本发明中所述步骤（4）为背面钝化薄膜的生长，采用PECVD，ALD或者APCVD方法实现，所述钝化膜厚度为1-50nm，最优值为10nm。
本发明中所述步骤（2）磷扩散方法为管式磷扩散，其方阻值为30-180ohm/sq，最优值为90ohm/sq。
本发明中所述步骤（3）中清洗方法为采用氢氟酸溶液进行清洗，其溶液浓度为0.1-20%，最优值为1%。
本发明中所述步骤（5）中减反射膜其折射率为1.9-2.3，最优值为2.07，厚度40-120nm，最优值为78nm。
本发明中所述线阵列的线宽10-100um，最优值为35um，线间距0.3-2.5mm，最优值为1mm；点阵列的直径50-400um，最优值为160um，点间距0.1-2mm，最优值为0.8mm。
本发明的背面氧化铝钝化膜可以为其他薄膜作为保护膜，如SiNx，TiOx，SiOx，也可以不需要保护膜。
有益效果：本发明与现有技术相比，具有以下优点：
本发明提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触，解决了铝浆印刷碎片率高的问题，同时由于铝箔的成本比铝浆的成本低很多，再则铝浆成本高且废料处理回收较难，采用铝箔后，节约了生产成本，解决了碎片率高的问题，废料回收方便，更环保。
附图说明
图1为本发明中背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池的结构示意图。
图中，正面Ag电极1、SiNx减反膜2、磷扩散层3、P型硅基体4、氧化铝5、铝箔6、激光烧蚀形成的铝硅局部接触7。
具体实施方式
以下结合具体的实施例对本发明进行详细说明，但同时说明本发明的保护范围并不局限于本实施例的具体范围，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，以156mm P型单晶硅片为基体材料，制造方法的具体步骤如下：
（1）P型硅片去损伤并制绒，清洗；
（2）管式磷扩散，扩散方阻90ohm/sq；
（3）湿法in line设备背面磷硅玻璃（PSG）去除，背面抛光，去除正面PSG后采用1%HF溶液清洗；
（4）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，厚度10nm；
（5）在硅片的前表面用PECVD的方法生长氮化硅减反膜，折射率2.07，厚度78nm；
（6）在硅片的正面丝网印刷银栅线，并烧结；
（7）在硅片的背面铺贴铝箔，铝箔的形状和硅片相同，宽度为154mm；
（8）激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触，烧蚀图形是线阵列，线阵列的线宽35um，线间距1mm。
该实例中，优化的单晶电池转换效率批次平均效率达到19.9%。
实施例2
一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，以156mm P型单晶硅片为基体材料，制造方法的具体步骤如下：
（1）P型硅片去损伤并制绒，清洗；
（2）管式磷扩散，扩散方阻30ohm/sq；
（3）湿法in line设备背面磷硅玻璃（PSG）去除，背面抛光，去除正面PSG后采用1%HF溶液清洗；
（4）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，厚度1nm；
（5）在硅片的前表面用PECVD的方法生长氮化硅减反膜，折射率1.90，厚度120nm；
（6）在硅片的正面丝网印刷银栅线，并烧结；
（7）在硅片的背面铺贴铝箔，铝箔的形状和硅片相同，宽度为154mm；
（8）激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触，烧蚀图形是线阵列，线阵列的线宽10um，线间距0.3mm。
该实例中，优化的单晶电池转换效率批次平均效率达到19.6%。
实施例3
一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，以156mm P型单晶硅片为基体材料，制造方法的具体步骤如下：
（1）P型硅片去损伤并制绒，清洗；
（2）管式磷扩散，扩散方阻180ohm/sq；
（3）湿法in line设备背面磷硅玻璃（PSG）去除，背面抛光，去除正面PSG后采用1%HF溶液清洗；
（4）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，厚度50nm；
（5）在硅片的前表面用PECVD的方法生长氮化硅减反膜，折射率2.30，厚度40nm；
（6）在硅片的正面丝网印刷银栅线，并烧结；
（7）在硅片的背面铺贴铝箔，铝箔的形状和硅片相同，宽度为154mm；
（8）激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触，烧蚀图形是点阵列，线阵列的线宽50um，线间距2.5mm。
该实例中，优化的单晶电池转换效率批次平均效率达到19.8%。
Claims (10)
1.一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述铝箔的形状和硅片相同。
3.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述激光烧蚀的图形为线阵列，或点阵列。
4.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：具体步骤如下：
（1）硅片去损伤并制绒；
（2）磷扩散；
（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，清洗；
（4）背面氧化铝钝化膜生长；
（5）正面减反射膜生长；
（6）正面印刷银栅线，烧结；
（7）在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触。
5.根据权利要求4所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤（3）背面磷硅玻璃去除，背面抛光方法为：采用在线滚轮式设备，单面去除PSG。
6.根据权利要求4所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤（4）为背面钝化膜的生长，采用PECVD，ALD或者APCVD方法实现，所述钝化膜厚度为1-50nm。
7.根据权利要求4所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤（2）磷扩散方法为管式磷扩散，其方阻值为30-180ohm/sq。
8.根据权利要求4所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中清洗方法为采用氢氟酸溶液进行清洗，其溶液浓度为0.1-20%。
9.根据权利要求4所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中减反射膜其折射率为1.9-2.3，厚度40-120nm。
10.根据权利要求3所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法，其特征在于：所述线阵列的线宽10-100um，线间距0.3-2.5mm；所述点阵列的直径50-400um，点间距0.1-2mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410461039.3A CN104201217A (zh) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | 背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410461039.3A CN104201217A (zh) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | 背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104201217A true CN104201217A (zh) | 2014-12-10 |
Family
ID=52086484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410461039.3A Pending CN104201217A (zh) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | 背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104201217A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107068807A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-18 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种基于背面碱抛工艺的perc电池制备方法 |
| CN108039375A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-05-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 指状交叉背接触太阳电池的制备方法 |
| CN112736146A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 基于点接触和复合膜层的perc电池 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101447518A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-03 | 江苏艾德太阳能科技有限公司 | 一种背点接触异质结太阳能电池及其制造方法 |
-
2014
- 2014-09-12 CN CN201410461039.3A patent/CN104201217A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101447518A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-03 | 江苏艾德太阳能科技有限公司 | 一种背点接触异质结太阳能电池及其制造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107068807A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-18 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种基于背面碱抛工艺的perc电池制备方法 |
| CN108039375A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-05-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 指状交叉背接触太阳电池的制备方法 |
| CN112736146A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 基于点接触和复合膜层的perc电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103489934B (zh) | 一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法 | |
| CN109244194B (zh) | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 | |
| JP5535709B2 (ja) | 太陽電池、その太陽電池を用いた太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 | |
| CN103996746B (zh) | 一种可量产的perl晶体硅太阳电池的制作方法 | |
| CN102738304B (zh) | 一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法 | |
| JP2009152222A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| CN104752562A (zh) | 一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法 | |
| CN104934500A (zh) | 一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN103996743A (zh) | 铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN103029423B (zh) | 太阳能电池片及其印刷丝网 | |
| CN102185030B (zh) | 基于n型硅片的背接触式hit太阳能电池制备方法 | |
| TWM527159U (zh) | 異質接面太陽能電池結構 | |
| CN101969082B (zh) | 一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺 | |
| CN109585600A (zh) | 一种双面perc高效晶硅太阳能电池的制作方法 | |
| CN204045602U (zh) | 背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池 | |
| CN104201217A (zh) | 背面铝箔点接触的perc晶体硅太阳能电池制备方法 | |
| CN103594530A (zh) | 正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
| CN203674218U (zh) | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池 | |
| CN103811581A (zh) | 一种喷墨印刷制作晶体硅太阳电池的方法 | |
| CN104425651B (zh) | 一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺 | |
| CN202076297U (zh) | 基于p型硅片的背接触式hit太阳能电池结构 | |
| CN204067375U (zh) | 一种n型局域铝背晶体硅太阳能电池 | |
| CN104009120A (zh) | N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法 | |
| CN103117311B (zh) | 一种具有透明电极的晶硅太阳能电池 | |
| CN204045609U (zh) | 一种背钝化perc晶体硅太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20141210 |