CN103996743A - 铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 - Google Patents
铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 Download PDFInfo
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 87
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 112
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 112
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 110
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 37
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 79
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 59
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 19
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 14
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 10
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 8
- 230000010261 cell growth Effects 0.000 claims description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004012 SiCx Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 13
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 6
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括硅片去损伤并制绒、清洗；磷扩散；背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；正面氮化硅减反射薄膜生长；背面印刷烧穿型铝浆，烘干；背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明的电池背面点接触采用烧穿型的铝浆同时实现薄膜开孔，铝硅接触且接触处形成局域铝背场，这样就将两步工艺步骤（薄膜上激光开孔，铝浆烧结与硅接触）缩短为一步（采用烧穿薄膜的铝浆，无需先行薄膜开孔）完成，省去了激光设备的投资，充分利用了闲置的印刷设备，具有现实意义。
Description
技术领域
本发明属于晶体硅太阳能电池制造领域，涉及到一种晶体硅太阳能电池背面钝化以及背面金属化烧穿局部薄膜的技术，特别涉及一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触晶体硅太阳能电池的制备方法。
背景技术
在能源匮乏、资源短缺以及环境污染等问题日益突出的背景下，利用自然资源太阳能发电，已被当作解决全球变暖以及化石燃料枯竭问题的对策,受到世界各国的青睐。然而较高的生产成本制约着其应用范围，且随着政府补贴大幅削减，降低电池片的生产成本，提高发电效率成为各生产厂家迫在眉睫的问题。
现代化太阳能电池工业化生产朝着高效低成本化方向发展，背钝化与金属化区域局域重掺杂技术相结合作为高效低成本发展方向的代表，其优势在于：
（1）优异的背反射器：由于电池背面介质膜的存在使得内背反射从常规全铝背场65%增加到92-95%。一方面增加的长波光的吸收，另一方面尤其对未来薄片电池的趋势提供了技术上的保证；
（2）介质薄膜优越的背面钝化技术：由于背面介质膜的良好的钝化作用，介质薄膜区域的背面复合速率降低至10-50cm/s。
虽然该电池结构，澳大利亚新南威尔士大学早在上世纪九十年代就已经提出，并且获得世界纪录25%的晶硅太阳电池，但是一种适合工业化生产的工艺方法并没有确定。
发明内容
发明目的：本发明的目的在于针对目前现有技术中的不足，提出一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法。
技术方案：为实现上述目的，本发明采取了如下的技术方案：
一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择p型硅片作为硅基体，对选择的p型硅片去损伤后在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；
（4）在硅片的背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；
（5）在硅片的正面氮化硅减反射薄膜生长；
（6）背面印刷烧穿型铝浆，烘干；
（7）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（8）烧结，测试：烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触。
优选的，步骤1中选择的p型硅片其电阻率为0.5-6 ohm·cm，对硅片的制绒、清洗具体为：用质量分数为0.5-10%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在45-100℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5-30%的氢氟酸进行清洗。
优选的，步骤2中磷扩散采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在600-900℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为20-150ohm/sq。
优选的，步骤3中的背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗的方法，是采用在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为0.5-30%的氢氟酸溶液清洗。
优选的，步骤4中的电池背面氧化铝/ 氮化硅叠层薄膜生长采用SiNx、SiCx 或TiOx 进行钝化，所述的氧化铝薄膜的厚度为1-100nm，氮化硅膜的厚度为10-200nm。
优选的，步骤5中采用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氮化硅减反射薄膜，其中氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm，所述步骤4和步骤5的顺序可以颠倒。
优选的，步骤6中背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为30um-1mm，间距为50 um-2mm。
优选的，步骤6中烧穿型铝浆采用丝网印刷的方法或PVD（物理气相沉积）蒸镀铝的方法来印刷。
优选的，步骤7中背电极及铝背场的印刷可以在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷Al浆并烘干，直接利用LFC（激光烧结法）工艺形成背面点接触的背电极及铝背场。
有益效果：采用上述技术方案的本发明具有以下优点：
具体而言，与现有技术相比，本发明采取的技术方案具有以下突出的优势：
1、本发明步骤简单、易于操作，是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，其主要特点为在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本；
2、采用本发明技术方案制备出的单晶电池转换效率批次平均效率达到20.3%。且光衰减，正面主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准；
3、本发明的电池背面点接触采用烧穿型的铝浆同时实现薄膜开孔，铝硅接触且接触处形成局域铝背场，这样就将两步工艺步骤（薄膜上激光开孔，铝浆烧结与硅接触）缩短为一步（采用烧穿薄膜的铝浆，无需先行薄膜开孔）完成，这对于对于目前光伏行业产能过剩，设备线闲置的状况而言，该生产背钝化电池的方法省去了激光设备的投资，充分利用了闲置的印刷设备，具有现实意义。
附图说明
图1为本发明的晶体硅太阳电池的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图并通过具体的实施例对本发明做进一步阐述。
图1是采用本发明的技术方案制备出的晶体硅太阳电池的结构示意图，图中:1-正面Ag电极、2-SiNx减反膜、3-磷扩散层、4-P型硅基体、5-氧化铝/保护膜、6-背面非烧穿型Al层、7-烧穿型局域铝层。
实施例1：
一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择156mm P型单晶硅片为基体材料，其电阻率为0.5 ohm·cm，对选择的p型硅片去损伤后用质量分数为0.5%的氢氧化钾溶液在45℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在600℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为25ohm/sq，扩散后自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）激光（532nm，绿光）利用PSG作为掺杂源实现选择性发射结，激光掺杂区的方阻为55ohm/sq；
（4）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗：采用湿法在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃（虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面），实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为0.5%的氢氟酸溶液清洗；
（5）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，膜的厚度约25nm；
（6）在硅片的背表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氧化硅/氮化硅叠层膜，叠层膜的厚度为150nm；
（7）在硅片的前表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氮化硅减反膜，减反膜的厚度为100nm；
（8）背面印刷烧穿型铝浆，烘干：在硅片的背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为100um，间距为500 um，并烘干；
（9）在硅片的背表面采用烧穿型铝浆丝网印刷的方法或PVD（物理气相沉积）蒸镀铝的方法印刷背电极及铝背场，在硅片的前表面印刷栅线；在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷Al浆并烘干，直接利用LFC（激光烧结法）工艺形成背面点接触的背电极及铝背场，然后在在硅片的前表面印刷栅线；
（10）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为450℃，形成完整的电池片N+PP+结构，烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
步骤5、6、7的顺序可以颠倒。
实施例2：
一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择156mm P型单晶硅片为基体材料，其电阻率为2 ohm·cm，对选择的p型硅片去损伤后用质量分数为5%的氢氧化钠溶液在80℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为1%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在800℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为100ohm/sq，扩散后自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）激光（532nm，绿光）利用PSG作为掺杂源实现选择性发射结，激光掺杂区的方阻为55ohm/sq；
（4）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗：采用湿法在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃（虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面），实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为1%的氢氟酸溶液清洗；
（5）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，膜的厚度约10nm；
（6）在硅片的背表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氧化硅/氮化硅叠层膜，叠层膜的厚度为120nm；
（7）在硅片的前表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氮化硅减反膜，减反膜的厚度为80nm；
（8）背面印刷烧穿型铝浆，烘干：在硅片的背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为300um，间距为900 um，并烘干；
（9）在硅片的背表面采用烧穿型铝浆丝网印刷的方法或PVD（物理气相沉积）蒸镀铝的方法印刷背电极及铝背场，在硅片的前表面印刷栅线；在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷Al浆并烘干，直接利用LFC（激光烧结法）工艺形成背面点接触的背电极及铝背场，然后在在硅片的前表面印刷栅线；
（10）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为650℃，形成完整的电池片N+PP+结构，烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
步骤5、6、7的顺序可以颠倒。
实施例3：
一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择156mm P型单晶硅片为基体材料，其电阻率为3 ohm·cm，对选择的p型硅片去损伤后用质量分数为2.5%的氢氧化钾溶液在65℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为5%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在700℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为50ohm/sq，扩散后自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）激光（532nm，绿光）利用PSG作为掺杂源实现选择性发射结，激光掺杂区的方阻为55ohm/sq；
（4）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗：采用湿法在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃（虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面），实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为5%的氢氟酸溶液清洗；
（5）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，膜的厚度约50nm；
（6）在硅片的背表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氧化硅/氮化硅叠层膜，叠层膜的厚度为100nm；
（7）在硅片的前表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氮化硅减反膜，减反膜的厚度为65nm；
（8）背面印刷烧穿型铝浆，烘干：在硅片的背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为600um，间距为1mm，并烘干；
（9）在硅片的背表面采用烧穿型铝浆丝网印刷的方法或PVD（物理气相沉积）蒸镀铝的方法印刷背电极及铝背场，在硅片的前表面印刷栅线；在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷Al浆并烘干，直接利用LFC（激光烧结法）工艺形成背面点接触的背电极及铝背场，然后在在硅片的前表面印刷栅线；
（10）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为800℃，形成完整的电池片N+PP+结构，烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
步骤5、6、7的顺序可以颠倒。
实施例4：
一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择156mm P型单晶硅片为基体材料，其电阻率为4 ohm·cm，对选择的p型硅片去损伤后用质量分数为7.5%的氢氧化钠溶液在70℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为15%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在750℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为75ohm/sq，扩散后自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）激光（532nm，绿光）利用PSG作为掺杂源实现选择性发射结，激光掺杂区的方阻为55ohm/sq；
（4）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗：采用湿法在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃（虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面），实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为15%的氢氟酸溶液清洗；
（5）在硅片的前表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氮化硅减反膜，减反膜的厚度为50nm；
（6）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，膜的厚度约65nm；
（7）在硅片的背表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氧化硅/氮化硅叠层膜，叠层膜的厚度为45nm；
（8）背面印刷烧穿型铝浆，烘干：在硅片的背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为900um，间距为300 um，并烘干；
（9）在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷烧穿型Al浆并烘干，直接利用LFC（激光烧结法）工艺形成背面点接触的背电极及铝背场，然后在在硅片的前表面印刷栅线；
（10）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为400℃，形成完整的电池片N+PP+结构，烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
步骤5、6、7的顺序可以颠倒。
实施例5：
一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择156mm P型单晶硅片为基体材料，其电阻率为5 ohm·cm，对选择的p型硅片去损伤后用质量分数为8%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在85℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为25%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在850℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为125ohm/sq，扩散后自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）激光（532nm，绿光）利用PSG作为掺杂源实现选择性发射结，激光掺杂区的方阻为55ohm/sq；
（4）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗：采用湿法在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃（虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面），实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为25%的氢氟酸溶液清洗；
（5）在硅片的前表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氮化硅减反膜，减反膜的厚度为105nm；
（6）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，膜的厚度约85nm；
（7）在硅片的背表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氧化硅/氮化硅叠层膜，叠层膜的厚度为175nm；
（8）背面印刷烧穿型铝浆，烘干：在硅片的背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为750mm，间距为1.5mm，并烘干；
（9）在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷烧穿型Al浆并烘干，直接利用LFC（激光烧结法）工艺形成背面点接触的背电极及铝背场，然后在在硅片的前表面印刷栅线；
（10）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为700℃，形成完整的电池片N+PP+结构，烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
步骤5、6、7的顺序可以颠倒。
实施例6：
一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择156mm P型单晶硅片为基体材料，其电阻率为6 ohm·cm，对选择的p型硅片去损伤后用质量分数为10%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在95℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为30%的氢氟酸进行清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在600-900℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为150ohm/sq，扩散后自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）激光（532nm，绿光）利用PSG作为掺杂源实现选择性发射结，激光掺杂区的方阻为55ohm/sq；
（4）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗：采用湿法在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃（虽然仅仅在硅片的正面进行磷扩散形成磷硅玻璃，但是磷硅玻璃会渗透进入硅片的背面），实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为30%的氢氟酸溶液清洗；
（5）在硅片的前表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氮化硅减反膜，减反膜的厚度为120nm；
（6）在硅片的背表面生长氧化铝钝化膜，膜的厚度约100nm；
（7）在硅片的背表面用PECVD（等离子化学气相沉积）的方法生长氧化硅/氮化硅叠层膜，叠层膜的厚度为200nm；
（8）背面印刷烧穿型铝浆，烘干：在硅片的背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为1mm，间距为2mm，并烘干；
（9）在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷烧穿型Al浆并烘干，直接利用LFC（激光烧结法）工艺形成背面点接触的背电极及铝背场，然后在在硅片的前表面印刷栅线；
（10）烧结，测试：在烧结炉中进行烧结，烧结的温度为800℃，形成完整的电池片N+PP+结构，烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触，结束后，对制备出的电池进行性能测试。
步骤5、6、7的顺序可以颠倒。
采用上述实施的技术方案制备出的单晶电池转换效率批次平均效率达到20.3%。且光衰减，正面主栅，背面电极和铝背场拉力，以及组件端可靠性测试均符合TUV标准。
以上所述是本发明的较为优选的实施例，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
Claims (9)
1.一种铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）硅片去损伤并制绒、清洗：选择p型硅片作为硅基体，对选择的p型硅片去损伤后在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；
（2）磷扩散：对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，扩散自然形成的磷硅玻璃作为电池正面的掩膜，实现背面去除发射结以及抛光的目的；
（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；
（4）在硅片的背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；
（5）在硅片的正面氮化硅减反射薄膜生长；
（6）背面印刷烧穿型铝浆，烘干；
（7）背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；
（8）烧结，测试：烧结过程中铝浆烧穿背面薄膜，形成局域铝背场且与硅衬底形成良好的欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤1中选择的p型硅片其电阻率为0.5-6 ohm·cm，对硅片的制绒、清洗具体为：用质量分数为0.5-10%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液在45-100℃下对P型硅片表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的绒面，随后用质量分数为0.5-30%的氢氟酸进行清洗。
3.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤2中磷扩散采用管式磷扩散的方法，具体是在扩散炉中在600-900℃的温度下，采用POCl3对硅片的正面进行磷扩散形成n型层，使P型晶体硅方阻为20-150ohm/sq。
4.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤3中的背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗的方法，是采用在线滚轮式设备，背面去除磷硅玻璃，实现背面抛光，然后去除正面磷硅玻璃，然后采用质量分数为0.5-30%的氢氟酸溶液清洗。
5.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤4中的电池背面氧化铝/ 氮化硅叠层薄膜生长采用SiNx、SiCx 或TiOx 进行钝化，所述的氧化铝薄膜的厚度为1-100nm，氮化硅膜的厚度为10-200nm。
6.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤5中采用PECVD的方法生长氮化硅减反射薄膜，其中氮化硅减反射膜的厚度为50-120nm，所述步骤4和步骤5的顺序可以颠倒。
7.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤6中背面印刷点阵的烧穿型铝浆，点的直径为30um-1mm，间距为50 um-2mm。
8.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤6中烧穿型铝浆采用丝网印刷的方法或PVD蒸镀铝的方法来印刷。
9.根据权利要求1所述的铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤7中背电极及铝背场的印刷可以在电池背面的叠层膜生长结束后，印刷Al浆并烘干，直接利用LFC工艺形成背面点接触的背电极及铝背场。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201410219821.4A CN103996743B (zh) | 2014-05-23 | 2014-05-23 | 铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410219821.4A CN103996743B (zh) | 2014-05-23 | 2014-05-23 | 铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103996743A true CN103996743A (zh) | 2014-08-20 |
| CN103996743B CN103996743B (zh) | 2016-12-07 |
Family
ID=51310843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410219821.4A Expired - Fee Related CN103996743B (zh) | 2014-05-23 | 2014-05-23 | 铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103996743B (zh) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104362209A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-18 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背面抛光晶硅太阳能电池及其制备工艺 |
| CN105470316A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-04-06 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN106252423A (zh) * | 2016-08-15 | 2016-12-21 | 国网山西省电力公司大同供电公司 | 一种新型光伏电池及其制备方法 |
| CN106340555A (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 刘锋 | 一种新型柔性太阳能电池板 |
| CN106981522A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-07-25 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 能够提高光电转换效率的perc太阳能电池及其制备方法 |
| CN107706246A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-02-16 | 无锡嘉瑞光伏有限公司 | 一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法 |
| CN108133974A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-08 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种多晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108172642A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种单晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108649078A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-12 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN109103294A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 镇江大全太阳能有限公司 | 烧穿型局部接触背钝化太阳能电池的制作方法 |
| CN109244194A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-01-18 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 |
| CN109273536A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-01-25 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN109755343A (zh) * | 2017-11-03 | 2019-05-14 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 发射结选择性接触的隧穿氧化钝化perc电池制备方法 |
| CN109802008A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-24 | 江苏大学 | 一种高效低成本n型背结pert双面电池的制造方法 |
| CN110047952A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-07-23 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种太阳能电池Al栅线结构及其制备方法 |
| CN110350042A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-18 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 背钝化太阳能电池及其制备方法 |
| CN110931574A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-03-27 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳能电池片及其制造方法 |
| CN111048628A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-21 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种p型单晶硅片的制备方法 |
| CN111180550A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-19 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种n型单晶硅片的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103022174A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-04-03 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种基于n型硅片的金属贯穿式背发射极晶硅太阳电池及其制备方法 |
| CN103733349A (zh) * | 2011-08-11 | 2014-04-16 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 不具有烧透能力或具有较差烧透能力的铝浆及其用于钝化发射极和背面触点硅太阳能电池的背面电极的用途 |
-
2014
- 2014-05-23 CN CN201410219821.4A patent/CN103996743B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103733349A (zh) * | 2011-08-11 | 2014-04-16 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 不具有烧透能力或具有较差烧透能力的铝浆及其用于钝化发射极和背面触点硅太阳能电池的背面电极的用途 |
| CN103022174A (zh) * | 2012-11-07 | 2013-04-03 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种基于n型硅片的金属贯穿式背发射极晶硅太阳电池及其制备方法 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104362209A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-18 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背面抛光晶硅太阳能电池及其制备工艺 |
| CN106340555A (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 刘锋 | 一种新型柔性太阳能电池板 |
| CN105470316A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-04-06 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN106252423A (zh) * | 2016-08-15 | 2016-12-21 | 国网山西省电力公司大同供电公司 | 一种新型光伏电池及其制备方法 |
| CN106252423B (zh) * | 2016-08-15 | 2017-12-29 | 国网山西省电力公司大同供电公司 | 一种新型光伏电池及其制备方法 |
| CN106981522A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-07-25 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 能够提高光电转换效率的perc太阳能电池及其制备方法 |
| CN109103294A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 镇江大全太阳能有限公司 | 烧穿型局部接触背钝化太阳能电池的制作方法 |
| CN107706246A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-02-16 | 无锡嘉瑞光伏有限公司 | 一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法 |
| CN109755343A (zh) * | 2017-11-03 | 2019-05-14 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 发射结选择性接触的隧穿氧化钝化perc电池制备方法 |
| CN108172642A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-15 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种单晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108133974A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-06-08 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种多晶掺镓双面太阳电池及其制备方法 |
| CN108649078A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-12 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN109244194A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-01-18 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 |
| CN109244194B (zh) * | 2018-11-06 | 2023-09-01 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 |
| CN109273536A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-01-25 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN109273536B (zh) * | 2018-12-05 | 2023-09-15 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN109802008B (zh) * | 2019-01-18 | 2021-03-26 | 江苏大学 | 一种高效低成本n型背结pert双面电池的制造方法 |
| CN109802008A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-24 | 江苏大学 | 一种高效低成本n型背结pert双面电池的制造方法 |
| CN110047952A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-07-23 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种太阳能电池Al栅线结构及其制备方法 |
| CN110350042A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-18 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 背钝化太阳能电池及其制备方法 |
| CN110931574A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-03-27 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳能电池片及其制造方法 |
| CN111180550A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-19 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种n型单晶硅片的制备方法 |
| CN111048628A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-21 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种p型单晶硅片的制备方法 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161207 Termination date: 20180523 |
|
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