CN112968074A - 一种选择性钝化接触电池的制备方法 - Google Patents

一种选择性钝化接触电池的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112968074A
CN112968074A CN202110140892.5A CN202110140892A CN112968074A CN 112968074 A CN112968074 A CN 112968074A CN 202110140892 A CN202110140892 A CN 202110140892A CN 112968074 A CN112968074 A CN 112968074A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
oxide layer
silicon
battery
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110140892.5A
Other languages
English (en)
Inventor
徐冠群
张�林
黄智�
谢泰宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongwei Solar Anhui Co Ltd
Original Assignee
Tongwei Solar Hefei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongwei Solar Hefei Co Ltd filed Critical Tongwei Solar Hefei Co Ltd
Priority to CN202110140892.5A priority Critical patent/CN112968074A/zh
Publication of CN112968074A publication Critical patent/CN112968074A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1872—Recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明属于晶体硅太阳能电池领域，涉及一种选择性钝化接触电池的制备方法。针对现有技术中选择性钝化电池中轻扩区的形成通常需利用扩散形成掺杂层，后续多晶硅同样需要掺杂，两次扩散等方式需要多次高温，不可避免地需要掩膜去掩膜步骤，导致出现制备步骤繁琐，良率低，成本高，量产可行性低等技术问题。本方案提供了一种选择性钝化接触电池的制备方法，通过在制绒后的单晶硅片表面制备氧化层，沉积非晶硅层，接着晶化且掺杂所述非晶硅层，迅速推结，制备轻扩区，利用矩形激光在所述掺杂多晶硅层表面制备致密氧化层后去除未被致密氧化层保护的掺杂多晶硅层，步骤简单，减少整个工艺流程的步骤，成本低廉，得到了一种性能优异的选择性钝化电池。

Description

一种选择性钝化接触电池的制备方法
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，具体地，涉及一种选择性钝化接触电池的制备方法。
背景技术
2013年，德国弗劳恩霍夫太阳能研究所(Fraunhofer ISE)开发出一项名为TunnelOxide Passivated Contact(TOPCon)的技术，中文翻译为隧穿氧化层钝化接触，研究人员首先在电池背面用化学方法制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，这两层材料为硅片的背面提供了良好的表面钝化，而由于氧化层很薄，硅薄层有掺杂，多子可以穿透这两成钝化层，而少子则被阻挡，如果在其上再沉积金属，就可以得到无需开孔的钝化接触。Fraunhofer ISE只是将TOPCon技术用于背面。2014年，该研究机构公布了正反两面钝化接触的设计，采用p型衬底硅片，无需扩散，正反两面直接化学生长1～2nm氧化层，分别沉积15nm掺磷和掺硼的非晶硅，由于退火温度的较低，这里沉积的非晶硅并未结晶为多晶硅，而是达到了类似薄膜硅电池中的微晶硅形态，最后进行正背面金属化。该电池设计开路电压达到692.4mV，但由于正面并未制绒，以及类似HIT电池中的正面ITO和微晶硅层的吸收，其短路电流只有31.6mA/cm2，效率17.3％。
目前商业化的晶体硅太阳能电池中，前表面一般采用浅结高方阻设计，对于p型电池，前表面为磷掺杂的n+发射极结构，经过丝网印刷、烧结之后金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为800～1000fA/cm2；对于n型电池，前表面具有相同方阻的p+发射极经过丝网印刷、烧结之后，金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为1000～2000fA/cm2。在晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。隧穿氧化层钝化金属接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成，可以显著降低金属接触区域的复合，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升太阳能电池的效率。为了评估目前商业化高效电池的效率潜能，如PERC、HIT、钝化接触电池等，德国知名太阳能研究所(ISFH)在2019年Silicon PV的报告会上基于载流子选择性的概念从理论上对不同结构太阳能电池的理论效率极限做了细致的分析，结论是钝化接触电池(例如TOPCon电池)具有更加高的效率极限(28.2％～28.7％)，高于HIT的27.5％极限效率，同时也远远高于PERC电池(24.5％)，最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率(29.43％)。
但是钝化接触结构用到的多晶硅薄膜吸光很严重，多晶硅膜光的吸收系数很高，波长为600nm，吸收系数高达103，不管将钝化接触结构置于电池正面和/或电池背面，都会带来吸光效应——电池的短路电流会下降。做成组件之后，多晶硅膜吸光效应同样也会影响组件功率输出，降低组件的CTM。为了进一步提升电池的效率，需要将栅线区域以外多晶硅膜去除，而保留栅线电极下层的多晶硅膜，即金属电极下层有氧化层多晶硅膜，而其他区域该多层膜被去除掉，这样既能实现钝化接触的功能，同时没起到钝化接触作用的多晶硅膜对光吸收作用消除掉，这种结构被称为选择性钝化接触结构。
目前实现选择性钝化接触结构普遍做法是用掩膜反刻方法。一种方法的具体流程为：用丝网印刷、喷涂等方式在氧化层和多晶硅层表面再做一层指栅式图样的有机物掩膜，然后用酸刻蚀掉没有被有机物保护的氧化层多晶硅层，而上层覆盖有机物层的氧化硅多晶硅层则不会被刻蚀掉，之后再用弱碱去除掉正面有机物，最后得到的就是指栅式图案钝化接触结构。另外一种办法就是在做完钝化接触结构之后，在上面沉积一层膜层(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等)，之后用激光去除掉金属栅线区域外的膜层，把下面的氧化层和多晶硅层裸露出来，之后再用碱刻蚀的办法去除裸露出来的多晶硅层，而被膜层(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等)保护区域的多晶硅膜则不会被碱刻蚀掉，最终实现选择性钝化接触结构。如中国发明专利申请公布号CN110233179A，申请日为2019年05月31日，名称为：一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池及其制备方法；公开了一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有发射层，所述发射层正面设有第一钝化层，所述P型硅基体背面设有超薄氧化硅层，所述超薄氧化硅层背面设有多晶硅层，所述多晶硅层背面设有第二钝化层。但是以上两种方式，步骤繁琐，良率低，成本高。
发明内容
1.发明要解决的技术问题
针对现有技术中选择性钝化电池中轻扩区的形成通常需利用扩散形成掺杂层，后续多晶硅同样需要掺杂，两次扩散等方式需要多次高温，不可避免的需要掩膜去掩膜步骤，导致的制备步骤繁琐，良率低，成本高，量产可行性低的技术问题。本方案提供了一种选择性钝化接触电池的制备方法，通过在制绒后的单晶硅片表面制备氧化层，沉积非晶硅层，接着晶化且掺杂所述非晶硅层，得掺杂多晶硅层后，迅速推结，制备轻扩区，步骤简单，减少整个工艺流程的步骤，成本低廉，得到了一种性能优异的选择性钝化电池。
2.技术方案
为达到上述目的，提供的技术方案为：
本发明的一种选择性钝化接触电池的制备方法，包括以下步骤：
对单晶硅片制绒，得制绒后的单晶硅片；
在所述制绒后的单晶硅片表面制备氧化层，在所述氧化层表面沉积非晶硅层，优选的，沉积温度为500～700℃；
晶化且掺杂所述非晶硅层，得掺杂多晶硅层后，推结，制备轻扩区；优选的，非晶硅的晶化和掺杂在高温炉管一步完成，晶化温度为800～900℃；
在所述掺杂多晶硅层表面制备致密氧化层；
去除未被所述致密氧化层保护的掺杂多晶硅层；优选的，当使用链式酸刻设备去除掺杂多晶硅层时，混酸体系为：HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％；优选的，当使用碱刻蚀设备去除掺杂多晶硅层时：碱溶液浓度为1～10％，抛光添加剂比例为3～12％，刻蚀温度为65～85℃，时间1～5min；
去除致密氧化层和未被掺杂多晶硅层保护的氧化层；
制备钝化膜层；
制备正电极和背电极；
烧结后，得所述选择性钝化接触电池。
进一步地，对单晶硅片制绒后，还包括以下步骤：在所述制绒后的单晶硅片表面制备PN结。
进一步地，所述制备致密氧化层的方法为使用矩形激光在所述掺杂多晶硅层表面制备致密氧化层。
进一步地，所述矩形激光的波长为523nm、980nm或1064nm，脉冲频率为20～35Hz；在氧气浓度大于50％，大于一个大气压的条件下进行矩形激光处理。
进一步地，所述矩形激光的扫描速度为15～40m/s。
进一步地，所述氧化层厚度为1～2nm；非晶硅层厚度为50～200nm。
进一步地，所述推结的温度为850～950℃，时间为20～60min，
进一步地，所述钝化膜层为氮化硅层，或为由氧化铝和氮化硅组成的叠层膜，优选的，还可用热氧方式生长一层氧化层，热氧温度650～750℃。
进一步地，所述氮化硅层的厚度为65～90nm；所述叠层膜中氧化铝的厚度为2～15nm，所述叠层膜中氮化硅的厚度为70～130nm。
进一步地，所述轻扩区的方阻为120～200ohm/sq。这层轻扩区在电池结构中起到很大的作用，光子被硅基体吸收产生空穴电子对，随即分离，电子移动至电池背面被铝栅线收集并传输出去。空穴移动至正面经轻扩区汇集到电极下方，隧穿上层氧化层经掺杂多晶硅被收集起来，假如没有这个轻扩区，电池的横向传输电阻会很大，造成电池的效率偏低。轻扩区的形成常规做法是利用扩散形成掺杂层，但是在此结构中，后续多晶硅同样需要掺杂，所以两次扩散等方式需要多次高温，而且需要掩膜去掩膜步骤，过程繁琐成本奇高，量产可行性低。
3.有益效果
采用本发明提供的技术方案，与已有的公知技术相比，具有如下有益效果：
(1)本发明的一种选择性钝化接触电池的制备方法，晶化且掺杂所述非晶硅层，得掺杂多晶硅层后，推结，制备轻扩区，实现了非晶硅到掺杂多晶硅膜的一步完成，以及轻扩区的顺序形成。即在晶化完成后，实现部分磷原子穿透氧化层，进入硅基体中，实现轻扩区的形成，同时磷原子进入硅基体中的量没有过多，不会造成钝化接触结构的失效。且此方法避免了后续为了轻扩区的形成导致一系列掩膜去掩膜步骤和高温掺杂步骤，减少整个工艺流程的步骤，提高电池结构的量产可行性。
(2)本发明的一种选择性钝化接触电池的制备方法，利用矩形激光在所述掺杂多晶硅层表面制备致密氧化层，在保证一定氧气浓度的氛围下用激光高温度的方式来实现局域化氧化，被扫描到的地方有氧化硅生长，而没有被激光扫到的地方则没有致密氧化层，从而实现了指栅式图案。为了实现激光到过区域氧化层足够均匀而且致密，激光光斑被设计成矩形光斑，保证光斑内能量基本一致，形成的致密氧化层满足后续刻蚀要求。
(3)本发明的一种选择性钝化接触电池的制备方法，整体步骤极其简单，独特新颖，成本低廉的实现选择性钝化接触结构，进一步提升电池的效率。
附图说明
图1为实施例1中氧化层和沉积非晶硅层制备完成后的示意图；
图2为实施例1中致密氧化层制备完成后的示意图；
图3为实施例1中未被所述致密氧化层保护的掺杂多晶硅层和氧化层去除后的示意图；
图4为实施例1中选择性钝化接触电池最终结构示意图。
图中：
1、硅基底；2、氧化层；3、掺杂多晶硅层；4、轻扩区；5、氮化硅层；6、叠层膜；7、正电极；8、背电极；9、致密氧化层。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进一步进行描述。
下面结合附图1-4对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例的一种选择性钝化接触电池的制备方法，包括以下步骤：
选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm，硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.4～1.1Ω·m的P型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片PERC+双面电池。
第一步：以P型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层，满足量子隧穿效应；然后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第三步：利用管式扩散将电池正面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂，其中晶化温度为850℃，扩散方阻介于80～160Ω/□，非晶硅的晶化和掺杂在高温炉管一步完成。为了实现多晶硅膜掺杂和轻扩区的一步形成，在晶化完成后，需要进一步将磷源沉积后推结步骤的温度和时间精准的控制，其中推结温度范围为850℃，推结时间为20min。
第四步：用单面刻蚀设备去除电池背面多晶硅绕镀层和正背面PSG氧化层，其中混酸体系中，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％。之后再经过一道体积浓度为2～30％HF溶液中去除正面的PSG氧化层，结果如图1所示。
第五步：激光形成指栅式氧化。523nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压为101kPa，激光以15m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有致密氧化层形成，结果如图2所示。
第六步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，同时将电池背面抛光，结果如图3所示；
第七步：先在硅片背表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积70～130nm氮化硅薄膜，作为电池背面钝化保护层；
第八步：使用PECVD技术，在硅片正表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片正面钝化膜层；
第九步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十一步：结果如图4所示，测试分选电池片的电性能。
最终实现的电池结构如图4所示，电池背面与常规PERC+电池一致，背面是氧化铝氮化硅叠层膜钝化，激光开孔区域后续被铝浆覆盖，经烧结后形成铝背场导出电流。重点关注电池正面选择性钝化结构，在常规PERC+电池结构基础上有些许变化，变化点在正面电极下方，从上到下的两层膜分别是多晶硅膜和氧化层膜，正面除了电极之外的其他区域则没有这两层膜，实现选择性钝化结构。本实施例采用激光氧化和一次高温掺杂方式，不仅工艺步骤少，而且正面多晶硅图形可以设计得更窄，对光的寄生吸收降低至现阶段行业内最低，同时满足与后续丝网印刷精确得对准。
实施例2
本实施例的一种选择性钝化接触电池的制备方法，包括以下步骤：
选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm，硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.4-1.1Ω·m的P型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片PERC+双面电池。
第一步：以P型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层；然后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第三步：利用管式扩散将电池正面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂，其中晶化温度为950℃，扩散方阻介于80～160Ω/□，非晶硅的晶化和掺杂在高温炉管一步完成。为了实现多晶硅膜掺杂和轻扩区的一步形成，在晶化完成后，需要进一步将磷源沉积后推结步骤的温度和时间精准的控制，其中推结温度范围为900℃，推结时间为40min。
第四步：用单面刻蚀设备去除电池背面多晶硅绕镀层和正背面氧化层，其中混酸体系中，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％。之后再经过一道体积浓度为2～30％HF溶液中去除正面的氧化层。
第五步：激光形成指栅式氧化；1064nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压505kPa，激光以40m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有致密氧化层形成。
第六步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，同时将电池背面抛光；
第七步：先在硅片背表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积70～130nm氮化硅薄膜，作为电池背面钝化保护层；
第八步：使用PECVD技术，在硅片正表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片正面钝化膜层；
第九步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十一步：测试分选电池片的电性能。
实施例3
本实施例的一种选择性钝化接触电池的制备方法，包括以下步骤：
选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm，硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.4-1.1Ω·m的P型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片PERC+双面电池。
第一步：以P型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层；然后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第三步：利用管式扩散将电池正面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂，其中晶化温度为900℃，扩散方阻介于80～160Ω/□，非晶硅的晶化和掺杂在高温炉管一步完成。为了实现多晶硅膜掺杂和轻扩区的一步形成，在晶化完成后，需要进一步将磷源沉积后推结步骤的温度和时间精准的控制，其中推结温度范围为950℃，推结时间为60min。
第四步：用单面刻蚀设备去除电池背面多晶硅绕镀层和正背面氧化层，其中混酸体系中，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％。之后再经过一道体积浓度为2～30％HF溶液中去除正面的氧化层。
第五步：激光形成指栅式氧化；980nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压300kPa，激光以30m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有氧化层形成。
第六步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，同时将电池背面抛光；
第七步：先在硅片背表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积70～130nm氮化硅薄膜，作为电池背面钝化保护层；
第八步：使用PECVD技术，在硅片正表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片正面钝化膜层；
第九步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十一步：测试分选电池片的电性能。
对比例1
本实施例的一种选择性钝化接触电池的制备方法，包括以下步骤：
选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm，硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.4-1.1Ω·m的P型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片PERC+双面电池。
第一步：以P型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层；然后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第三步：利用管式扩散将电池正面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂，其中晶化温度为700℃，扩散方阻介于80～160Ω/□。晶化完成后，进一步将磷源沉积后推结，其中推结温度为700℃，推结时间为40min。
第四步：用单面刻蚀设备去除电池背面多晶硅绕镀层和正背面氧化层，其中混酸体系中，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％。之后再经过一道体积浓度为2～30％HF溶液中去除正面的氧化层；
第五步：激光形成指栅式氧化；308nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压10kPa，激光以5m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有氧化层形成。
第六步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，同时将电池背面抛光；
第七步：先在硅片背表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积70～130nm氮化硅薄膜，作为电池背面钝化保护层；
第八步：使用PECVD技术，在硅片正表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片正面钝化膜层；
第九步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十一步：测试分选电池片的电性能。
表1实施例1～3和对比例1制备的PERC+电池性能对比
Figure BDA0002928784920000091
实施例4
实验选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.5～1.5Ω·m的N型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片N型选择性TOPCon双面电池：
第一步：以N型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：采用管式高温扩散技术，对硅基体掺硼制备PN结，扩散方阻介于80～130Ω/□之间。
第三步：利用湿法单面刻蚀，刻蚀用到的是混酸体系，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％，去除电池背结；
第四步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第五步：利用管式扩散将电池背面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂。其中晶化温度为950℃，非晶硅的晶化和掺杂在高温炉管一步完成。为了实现多晶硅膜掺杂和轻扩区的一步形成，在晶化完成后，需要进一步将磷源沉积后推结步骤的温度和时间精准的控制，其中推结温度范围为850℃，推结时间为20min。
第六步：用单面刻蚀设备去除电池背面的氧化层(psg)，用到的溶液是HF，HF的体积浓度为2～10％。
第七步：激光形成指栅式氧化；523nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压101kPa，激光以15m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有致密氧化层形成。
第八步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，因为正面有PSG保护不会损伤到下层的金字塔和PN结，最后HF清洗正背面的氧化层；
第九步：使用ALD技术，先在硅片正表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积72～65nm氮化硅薄膜，作为电池钝化层；
第十步：使用PECVD技术，在硅片背表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片背面钝化膜层；
第十一步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十二步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十三步：测试分选电池片的电性能。
实施例5
实验选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.5～1.5Ω·m的N型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片N型选择性TOPCon双面电池：
第一步：以N型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：采用管式高温扩散技术，对硅基体掺硼制备PN结，扩散方阻介于80～130Ω/□之间。
第三步：利用湿法单面刻蚀，刻蚀用到的是混酸体系，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％，去除电池背结；
第四步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第五步：利用管式扩散将电池背面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂；其中晶化温度为950℃，非晶硅的晶化和掺杂在高温炉管一步完成。为了实现多晶硅膜掺杂和轻扩区的一步形成，在晶化完成后，需要进一步将磷源沉积后推结步骤的温度和时间精准的控制，其中推结温度范围为900℃，推结时间为40min。
第六步：用单面刻蚀设备去除电池背面的氧化层(psg)，用到的溶液是HF，HF的体积浓度为2～10％。
第七步：激光形成指栅式氧化；1064nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压505kPa，激光以40m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有氧化层形成。
第八步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，因为正面有PSG保护不会损伤到下层的金字塔和PN结，最后HF清洗正背面的氧化层；
第九步：使用ALD技术，先在硅片正表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积72～65nm氮化硅薄膜，作为电池钝化层；
第十步：使用PECVD技术，在硅片背表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片背面钝化膜层；
第十一步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十二步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十三步：测试分选电池片的电性能。
实施例6
实验选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.5～1.5Ω·m的N型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片N型选择性TOPCon双面电池：
第一步：以N型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：采用管式高温扩散技术，对硅基体掺硼制备PN结，扩散方阻介于80～130Ω/□之间。
第三步：利用湿法单面刻蚀，刻蚀用到的是混酸体系，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％，去除电池背结；
第四步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第五步：利用管式扩散将电池背面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂；其中晶化温度为950℃，非晶硅的晶化和掺杂在高温炉管一步完成。为了实现多晶硅膜掺杂和轻扩区的一步形成，在晶化完成后，需要进一步将磷源沉积后推结步骤的温度和时间精准的控制，其中推结温度范围为950℃，推结时间为60min。
第六步：用单面刻蚀设备去除电池背面的氧化层(psg)，用到的溶液是HF，HF的体积浓度为2～10％。
第七步：激光形成指栅式氧化；980nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压300kPa，激光以30m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有氧化层形成。
第八步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，因为正面有PSG保护不会损伤到下层的金字塔和PN结，最后HF清洗正背面的氧化层；
第九步：使用ALD技术，先在硅片正表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积72～65nm氮化硅薄膜，作为电池钝化层；
第十步：使用PECVD技术，在硅片背表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片背面钝化膜层；
第十一步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十二步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十三步：测试分选电池片的电性能。
对比例2
实验选用晶向为<100>，尺寸为166×166mm硅片厚度为175±20μm，电阻率为0.5～1.5Ω·m的N型直拉单晶硅片，按如下加工方法制备2000片N型选择性TOPCon双面电池：
第一步：以N型单晶硅片为衬底，首先采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照一定比例配置得到，温度为75～85℃，然后在体积浓度2～10％的HF溶液中进行清洗，通过HF溶液清洗干净硅片表面。
第二步：采用管式高温扩散技术，对硅基体掺硼制备PN结，扩散方阻介于80～130Ω/□之间。
第三步：利用湿法单面刻蚀，刻蚀用到的是混酸体系，HF体积浓度为3～20％，HNO3体积浓度为20～40％，浓硫酸比例为1～5％，去除电池背结；
第四步：氧化和非晶硅沉积。在LPCVD或PECVD中通入流量为1～20slm/min的氧气，在温度为500～700℃的环境下，在电池正面长一层1～2nm的氧化层后升高温度，温度为600～750℃，通入SiH4，气体流量范围在0.5～5slm/min，沉积50～200nm厚的非晶硅；
第五步：利用管式扩散将电池背面的非晶硅高温晶化并进行磷掺杂；其中晶化温度为700℃。晶化完成后，进一步将磷源沉积后推结，其中推结温度为700℃，推结时间为40min。
第六步：用单面刻蚀设备去除电池背面的氧化层(psg)，用到的溶液是HF，HF的体积浓度为2～10％。
第七步：激光形成指栅式氧化；308nm波长激光，激光脉冲频率为20～35Hz，在氧气浓度大于50％的条件下，气压10kPa，激光以5m/s扫描速度在多晶硅膜表面进行图形化扫描，激光扫过的地方会形成致密氧化层，而其他区域则没有氧化层形成。
第八步：用体积浓度为2～10％的KOH溶液，在温度为65～85℃条件下刻蚀掉正面没有被激光氧化保护好的多晶硅，因为正面有PSG保护不会损伤到下层的金字塔和PN结，最后HF清洗正背面的氧化层；
第九步：使用ALD技术，先在硅片正表面沉积3～10nm氧化铝薄膜，然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积72～65nm氮化硅薄膜，作为电池钝化层；
第十步：使用PECVD技术，在硅片背表面沉积70～90nm氮化硅薄膜，制作电池片背面钝化膜层；
第十一步：使用丝网印刷技术，制备电池片的正电极，背电极；
第十二步：使用高温烧结技术，使金属与硅之间形成良好的欧姆接触，光注入退火；
第十三步：测试分选电池片的电性能。
表2实施例4～6和对比例2制备的TOPCon电池性能对比
Figure BDA0002928784920000131

Claims (10)

1.一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
对单晶硅片制绒，得制绒后的单晶硅片；
在所述制绒后的单晶硅片表面制备氧化层，在所述氧化层表面沉积非晶硅层；
晶化且掺杂所述非晶硅层，得掺杂多晶硅层后，推结，制备轻扩区；
在所述掺杂多晶硅层表面制备致密氧化层；
去除未被所述致密氧化层保护的掺杂多晶硅层；
去除致密氧化层和未被掺杂多晶硅层保护的氧化层；
制备钝化膜层；
制备正电极和背电极；
烧结后，得所述选择性钝化接触电池。
2.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：对单晶硅片制绒后，还包括以下步骤：在所述制绒后的单晶硅片表面制备PN结。
3.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述制备致密氧化层的方法为使用矩形激光在所述掺杂多晶硅层表面制备致密氧化层。
4.根据权利要求3所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述矩形激光的波长为523nm、980nm或1064nm，脉冲频率为20～35Hz；在氧气浓度大于50％，大于一个大气压的条件下进行矩形激光处理。
5.根据权利要求4所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述矩形激光的扫描速度为15～40m/s。
6.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述氧化层厚度为1～2nm；非晶硅层厚度为50～200nm。
7.根据权利要求6所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述推结的温度为850～950℃，时间为20～60min。
8.根据权利要求1所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述钝化膜层为氮化硅层，或为由氧化铝和氮化硅组成的叠层膜。
9.根据权利要求8所述的一种选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为65～90nm；所述叠层膜中氧化铝的厚度为2～15nm，所述叠层膜中氮化硅的厚度为70～130nm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：所述轻扩区的方阻为120～200ohm/sq。
CN202110140892.5A 2021-02-02 2021-02-02 一种选择性钝化接触电池的制备方法 Pending CN112968074A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110140892.5A CN112968074A (zh) 2021-02-02 2021-02-02 一种选择性钝化接触电池的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110140892.5A CN112968074A (zh) 2021-02-02 2021-02-02 一种选择性钝化接触电池的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112968074A true CN112968074A (zh) 2021-06-15

Family

ID=76273255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110140892.5A Pending CN112968074A (zh) 2021-02-02 2021-02-02 一种选择性钝化接触电池的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112968074A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114464701A (zh) * 2022-01-17 2022-05-10 常州时创能源股份有限公司 晶硅太阳能电池的扩散方法及其应用
CN115020533A (zh) * 2022-04-30 2022-09-06 常州时创能源股份有限公司 一种polo-ibc电池的制备方法
CN115020507A (zh) * 2022-06-15 2022-09-06 英利能源发展有限公司 一种选择性钝化接触电池及其制备方法
CN115207135A (zh) * 2022-06-30 2022-10-18 湖南红太阳光电科技有限公司 一种perc电池的制备方法
WO2023160200A1 (zh) * 2022-02-28 2023-08-31 安徽华晟新能源科技有限公司 半导体衬底层的处理方法和太阳能电池的制备方法
CN116914033A (zh) * 2023-09-12 2023-10-20 常州亿晶光电科技有限公司 一种双面TOPCon电池的制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101775570A (zh) * 2010-02-09 2010-07-14 江苏大学 一种激光氧化着色制备大面积高性能彩色不锈钢的方法
CN110581198A (zh) * 2019-09-05 2019-12-17 东方日升（常州）新能源有限公司 一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法
CN110610998A (zh) * 2019-09-24 2019-12-24 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法
CN110828583A (zh) * 2019-09-24 2020-02-21 苏州腾晖光伏技术有限公司 正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法
CN111063761A (zh) * 2018-10-17 2020-04-24 晶澳太阳能有限公司 一种太阳能电池的制备工艺
CN111180555A (zh) * 2020-03-04 2020-05-19 泰州中来光电科技有限公司 一种基于perc的钝化接触电池的制备方法
CN111575705A (zh) * 2020-06-28 2020-08-25 内蒙古科技大学 一种碳化钨增强镍基复合涂层的制备方法
CN111628050A (zh) * 2020-06-11 2020-09-04 常州时创能源股份有限公司 实现电子局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN112164728A (zh) * 2020-10-29 2021-01-01 天合光能股份有限公司 图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101775570A (zh) * 2010-02-09 2010-07-14 江苏大学 一种激光氧化着色制备大面积高性能彩色不锈钢的方法
CN111063761A (zh) * 2018-10-17 2020-04-24 晶澳太阳能有限公司 一种太阳能电池的制备工艺
CN110581198A (zh) * 2019-09-05 2019-12-17 东方日升（常州）新能源有限公司 一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法
CN110610998A (zh) * 2019-09-24 2019-12-24 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法
CN110828583A (zh) * 2019-09-24 2020-02-21 苏州腾晖光伏技术有限公司 正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法
CN111180555A (zh) * 2020-03-04 2020-05-19 泰州中来光电科技有限公司 一种基于perc的钝化接触电池的制备方法
CN111628050A (zh) * 2020-06-11 2020-09-04 常州时创能源股份有限公司 实现电子局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN111575705A (zh) * 2020-06-28 2020-08-25 内蒙古科技大学 一种碳化钨增强镍基复合涂层的制备方法
CN112164728A (zh) * 2020-10-29 2021-01-01 天合光能股份有限公司 图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114464701A (zh) * 2022-01-17 2022-05-10 常州时创能源股份有限公司 晶硅太阳能电池的扩散方法及其应用
WO2023160200A1 (zh) * 2022-02-28 2023-08-31 安徽华晟新能源科技有限公司 半导体衬底层的处理方法和太阳能电池的制备方法
CN115020533A (zh) * 2022-04-30 2022-09-06 常州时创能源股份有限公司 一种polo-ibc电池的制备方法
CN115020507A (zh) * 2022-06-15 2022-09-06 英利能源发展有限公司 一种选择性钝化接触电池及其制备方法
CN115207135A (zh) * 2022-06-30 2022-10-18 湖南红太阳光电科技有限公司 一种perc电池的制备方法
CN116914033A (zh) * 2023-09-12 2023-10-20 常州亿晶光电科技有限公司 一种双面TOPCon电池的制备方法
CN116914033B (zh) * 2023-09-12 2023-11-28 常州亿晶光电科技有限公司 一种双面TOPCon电池的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112968074A (zh) 一种选择性钝化接触电池的制备方法
CN109244194B (zh) 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法
JP4767110B2 (ja) 太陽電池、および太陽電池の製造方法
US11721783B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US8664015B2 (en) Method of manufacturing photoelectric device
CN109713065B (zh) 一种印刷金属电极的钝化太阳能电池及其制备方法
CN115207137B (zh) 一种联合钝化背接触电池及其制备方法
CN112490304A (zh) 一种高效太阳能电池的制备方法
CN101101936A (zh) 选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法
CN111864008A (zh) P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池制备方法
CN112542521A (zh) 一种p型背面定域掺杂电池及制备方法
CN112820793A (zh) 太阳能电池及其制备方法
CN110767772B (zh) 局域接触钝化太阳电池的制备方法
CN116565039A (zh) 一种选择性硼掺杂结构及其制备方法和应用
CN114744054A (zh) 一种TOPCon电池及其制备方法
CN114050105A (zh) 一种TopCon电池的制备方法
CN113948607A (zh) 一种用于制备n型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用
AU2023343930A1 (en) Solar cell and manufacturing method therefor
CN116130558B (zh) 一种新型全背电极钝化接触电池的制备方法及其产品
CN115101621B (zh) 一种P-topcon电池及其制备方法
CN116936651A (zh) 一种新型TOPCon电池的制备方法
CN115020533A (zh) 一种polo-ibc电池的制备方法
CN114023636A (zh) 一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法
CN112133789A (zh) 一种双面perc太阳能电池及制备方法
KR20110047828A (ko) 실리콘 이종접합 태양전지 및 이를 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20220819

Address after: No. 3999, Xiyou Road, High-tech Zone, Hefei City, Anhui Province, 230088

Applicant after: TONGWEI SOLAR ENERGY (ANHUI) Co.,Ltd.

Address before: 230000 No.888 Changning Avenue, hi tech Zone, Hefei City, Anhui Province

Applicant before: TONGWEI SOLAR ENERGY (HEFEI) Co.,Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210615