JP5418922B2

JP5418922B2 - 化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法

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Publication number: JP5418922B2
Application number: JP2011220678A
Authority: JP
Inventors: 隆幸西浦; 裕介堀江; 光隆坪倉; 理大濱
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2011-10-05
Filing date: 2011-10-05
Publication date: 2014-02-19
Anticipated expiration: 2025-06-10
Also published as: JP2012064951A

Description

本発明は、化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法に関する。

ポリッシングしたウェハをアルカリ洗浄ステップを含む洗浄工程によって洗浄して、高品位の清浄鏡面を有する化合物半導体ウェハを得る方法が知られている（特許文献１参照）。

一方、化合物半導体基板の表面を硫黄の有機溶媒溶液で処理する方法が知られている（特許文献２参照）。この方法では、化合物半導体基板の表面に硫黄が残存することによって、化合物半導体基板の表面が安定化される。

特開平１１−２０４４７１号公報特許第２６５７２６５号公報

しかしながら、特許文献１に記載された方法では、清浄に研磨洗浄されたウェハであっても、研磨洗浄後にクリーン室の雰囲気に晒されることによって汚染される可能性がある。例えば、汚染により、ウェハの表面に不純物が堆積してしまうことが考えられる。

さらに、クリーン室の雰囲気等の空気中にはＳＯｘ、ＮＯｘ等の無機物質とアルコール等の有機物とが不純物として含まれている。かかる不純物がウェハ表面に付着すると、不純物の種類、不純物の付着量等によってはウェハ表面の電気的特性が変化してしまう可能性がある。このようなウェハ表面上にエピタキシャル膜を形成すると、当該エピタキシャル膜の電気的特性に異常を来たすおそれがある。

また、特許文献２に記載された方法では、硫黄の蒸気圧が高いため、例えばウェハ上にエピタキシャル膜を形成する時にウェハを加熱することによって、ウェハ表面に残存した硫黄が蒸発してしまう。その結果、ウェハ表面の硫黄濃度が低くなるので、ウェハ表面の安定化の効果は低下してしまう。

そこで本発明は、表面において所望の電気的特性を有する化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明の化合物半導体基板は、ｐ型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質とを備える。

本発明の化合物半導体基板では、ｐ型の不純物原子を含む物質が基板の表面に結合しているため、例えば雰囲気中に存在するｎ型の不純物が基板の表面に付着しても、基板の表面において電気的特性が殆ど変動しない。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。

また、前記物質は、前記不純物原子として亜鉛を含むことが好ましい。さらに、前記物質は、前記不純物原子としてマグネシウムを含むことが好ましい。

また、本発明の化合物半導体基板は、ｎ型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており、ｎ型の不純物原子としてシリコンを含む物質とを備える。さらに、本発明の化合物半導体基板は、ｎ型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており、ｎ型の不純物原子としてスズを含む物質とを備える。

本発明の化合物半導体基板では、ｎ型の不純物原子としてシリコン又はスズを含む物質が基板の表面に結合している。このため、例えば雰囲気中に存在するｐ型の不純物が基板の表面に付着しても、基板の表面において電気的特性は殆ど変動しない。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。

本発明の化合物半導体基板は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており炭素原子を含む物質とを備える。また、前記物質は、炭化水素を含むことが好ましい。前記炭化水素は、芳香族炭化水素であることが好ましい。さらに、前記物質は、脂肪酸又は脂肪酸誘導体を含むことが好ましい。

また、本発明の化合物半導体基板は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており鉄原子を含む物質とを備える。さらに、本発明の化合物半導体基板は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しておりクロム原子を含む物質とを備える。

本発明の化合物半導体基板では、炭素原子、鉄原子又はクロム原子を含む物質が基板の表面に結合しているため、例えば雰囲気中に存在するｐ型又はｎ型の不純物が基板の表面に付着しても、基板の表面において電気的特性が殆ど変動しない。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。具体的には、本発明の化合物半導体基板では、高抵抗の表面が得られる。特に、鉄原子又はクロム原子を含む物質は基板の表面と強固に結合するため、所望の電気的特性に制御し易い。

本発明の化合物半導体基板は、第１導電型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており、前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物原子を含む物質とを備える。

本発明の化合物半導体基板では、第２導電型の不純物原子を含む物質が基板の表面に結合しているため、例えば基板の表面上に第２導電型のエピタキシャル層を形成すると、基板とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いｐｎ界面が得られる。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。

また、前記表面における前記物質の濃度が５×１０^１１個／ｃｍ^２以上５×１０^１５個／ｃｍ^２以下であることが好ましい。表面における物質の濃度が上述の範囲内であると、表面において所望の電気的特性を容易に得ることができる。

また、前記基板がＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ又はＡｌＮからなることが好ましい。

本発明のエピタキシャル基板は、上述した本発明の化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板における前記基板の前記表面上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを備える。

本発明のエピタキシャル基板では、基板の表面において所望の電気的特性が得られることから、基板とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との界面においても所望の電気的特性が得られる。

本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられたｐ型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質とを備える。

本発明のエピタキシャル基板では、ｐ型の不純物原子を含む物質が化合物半導体層の表面に結合しているため、例えば雰囲気中に存在するｎ型の不純物が化合物半導体層の表面に付着しても、化合物半導体層の表面において電気的特性が殆ど変動しない。したがって、本発明のエピタキシャル基板は、表面において所望の電気的特性を有する。

本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられたｎ型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しており、ｎ型の不純物原子としてシリコンを含む物質とを備える。また、本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられたｎ型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しており、ｎ型の不純物原子としてスズを含む物質とを備える。

本発明のエピタキシャル基板では、ｎ型の不純物原子としてシリコン又はスズを含む物質が化合物半導体層の表面に結合している。このため、例えば雰囲気中に存在するｐ型の不純物が化合物半導体層の表面に付着しても、化合物半導体層の表面において電気的特性は殆ど変動しない。したがって、本発明のエピタキシャル基板は、表面において所望の電気的特性を有する。

本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられた第１導電型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しており、前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物原子を含む物質とを備える。

本発明のエピタキシャル基板では、第２導電型の不純物原子を含む物質が化合物半導体層の表面に結合しているため、例えば化合物半導体層の表面上に第２導電型のエピタキシャル層を形成すると、化合物半導体層とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いｐｎ界面が得られる。したがって、本発明のエピタキシャル基板は、表面において所望の電気的特性を有する。

また、前記化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体からなることが好ましい。

本発明の化合物半導体基板の製造方法は、化合物半導体からなる基板の表面を研磨した後に洗浄を施す工程と、前記洗浄が施された基板の表面を、炭素原子を含む物質で処理する工程とを含む。

本発明の化合物半導体基板の製造方法によれば、洗浄が施された基板の表面に炭素原子を含む物質が付着する。この物質により、得られる化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。また、基板の表面を研磨した後に洗浄を施すので、所望の電気的特性を得やすい。

また、本発明の化合物半導体基板の製造方法では、不純物原子を含む化合物半導体からなる基板の表面を、前記化合物半導体のエッチング速度が前記不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いてウェットエッチングする。

本発明の化合物半導体基板の製造方法によれば、ウェットエッチングにより基板の表面に不純物原子を含む物質が残存する。この物質により、得られる化合物半導体基板は表面において所望の電気的特性を有する。

また、本発明のエピタキシャル基板の製造方法では、支持基板上に設けられ不純物原子を含む化合物半導体からなる化合物半導体層の表面を、前記化合物半導体のエッチング速度が前記不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いてウェットエッチングする。

本発明のエピタキシャル基板の製造方法によれば、ウェットエッチングにより化合物半導体層の表面に不純物原子を含む物質が残存する。この物質により、得られるエピタキシャル基板は表面において所望の電気的特性を有する。

本発明によれば、表面において所望の電気的特性を有する化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法が提供される。

図１（ａ）は、実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図であり、図１（ｂ）〜図１（ｄ）は、別の実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図２（ａ）は、実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図であり、図２（ｂ）〜図２（ｄ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図３（ａ）〜図３（ｃ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。別の実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。化合物半導体基板の表面におけるＳｉ濃度とＰＬ強度との関係を示すグラフである。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。

図１（ａ）は、実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図１（ａ）に示される化合物半導体基板１０は、ｐ型の化合物半導体からなる基板１２と、基板１２の表面１２ａに結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質１４とを備える。

化合物半導体基板１０では、例えば雰囲気中に存在するｎ型の不純物が基板１２の表面１２ａに付着しても、基板１２の表面１２ａにおいて電気的特性が殆ど変動しない。したがって、化合物半導体基板１０は、表面１２ａにおいて所望の電気的特性を有する。

物質１４は、不純物原子として亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）を含むことが好ましい。また、物質１４は、例えば亜鉛化合物又はマグネシウム化合物であってもよい。

例えばＺｎを含む物質１４を得るためには、アミン、ＫＯＨ又はＮａＯＨが含まれた水溶液（場合によっては過酸化水素水等の酸化剤を含む）、アンモニア水をＺｎがドープされた基板１２の表面に接触させることが好ましい。また、例えばＺｎを含む物質１４を得るためには、硝酸亜鉛水溶液、塩化亜鉛水溶液、塩化アンモニウム亜鉛水溶液、有機酸と亜鉛との化合物の水溶液（例えば蓚酸亜鉛等）、ジメチル亜鉛、脂肪酸と亜鉛との化合物の水溶液（例えばラウリン酸亜鉛等）を基板１２の表面に接触させてもよい。

また、例えば、Ｍｇを含む物質１４を得るためには、水酸化炭酸マグネシウム水溶液、硝酸マグネシウム、有機酸とマグネシウムとの化合物の水溶液（例えば安息香酸マグネシウム等）を基板１２の表面に接触させることが好ましい。

図１（ｂ）は、別の実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図１（ｂ）に示される化合物半導体基板２０は、ｎ型の化合物半導体からなる基板２２と、基板２２の表面２２ａに結合した物質２４とを備える。物質２４は、ｎ型の不純物原子としてシリコン（Ｓｉ）又はスズ（Ｓｎ）を含む。物質２４は、Ｓｉ又はＳｎに代えて、テルル（Ｔｅ）を含んでもよい。また、物質２４は、例えばシリコン化合物又はスズ化合物であってもよい。

化合物半導体基板２０では、例えば雰囲気中に存在するｐ型の不純物が基板２２の表面２２ａに付着しても、基板２２の表面２２ａにおいて電気的特性が殆ど変動しない。ここで、同一温度において、Ｓｉ及びＳｎの蒸気圧は、いずれも硫黄（Ｓ）の蒸気圧よりも低い。物質２４はＳではなくＳｉ又はＳｎを含むので、例えばエピタキシャル成長の際に化合物半導体基板２０を加熱しても物質２４が蒸発し難い。したがって、化合物半導体基板２０は、表面２２ａにおいて所望の電気的特性を有する。また、物質２４に起因してエピタキシャル炉を汚染することも抑制できる。

例えば、Ｓｉを含む物質２４を得るためには、基板２２の表面２２ａをシリコン化合物ガス、ヘキサフルオロケイ酸水溶液、ケイ酸ナトリウム水溶液に晒すことが好ましい。

また、例えばＳｎを含む物質２４を得るためには、基板２２の表面２２ａを塩化スズ水溶液、有機酸とスズとの化合物の水溶液（例えば蓚酸スズ、酢酸スズ等）に接触させることが好ましい。

図１（ｃ）は、別の実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図１（ｃ）に示される化合物半導体基板３０は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板３２と、基板３２の表面３２ａに結合した物質３４とを備える。

物質３４は、炭素原子（Ｃ）、鉄原子（Ｆｅ）又はクロム原子（Ｃｒ）を含む。物質３４は、例えば芳香族炭化水素等の炭化水素を含むことが好ましい。また、物質３４は、脂肪酸又は脂肪酸誘導体を含んでもよい。

例えばＣを含む物質３４を得るためには、芳香族炭化水素化合物が添加された超純水を基板３２の表面３２ａに接触させることが好ましい。また、例えば脂肪酸エステル等の脂肪酸誘導体を基板３２の表面３２ａに接触させてもよい。

また、例えばＦｅを含む物質３４を得るためには、燐酸第２鉄水溶液、水酸化第２鉄水溶液、有機酸と鉄との化合物の水溶液（例えば蓚酸鉄、クエン酸鉄等）を基板３２の表面３２ａに接触させることが好ましい。

また、例えばＣｒを含む物質３４を得るためには、塩化クロム水溶液、クロム酸塩の水溶液（例えばクロム酸アンモニウム等）、硝酸クロム水溶液、有機酸のクロム化合物水溶液（例えば酢酸クロム等）を基板３２の表面３２ａに接触させることが好ましい。

化合物半導体基板３０では、例えば雰囲気中に存在するｐ型又はｎ型の不純物が基板３２の表面３２ａに付着しても、基板３２の表面３２ａにおいて電気的特性が殆ど変動しない。したがって、化合物半導体基板３０は、表面３２ａにおいて所望の電気的特性を有する。具体的には、化合物半導体基板３０では、高抵抗の表面３２ａが得られる。

図１（ｄ）は、別の実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図１（ｄ）に示される化合物半導体基板４０は、第１導電型の化合物半導体からなる基板４２と、基板４２の表面４２ａに結合しており、第１導電型とは異なる第２導電型の不純物原子を含む物質４４とを備える。一実施例において、基板４２はｎ型のＧａＮ基板であり、物質４４はＭｇを含む物質である。

化合物半導体基板４０では、例えば基板４２の表面４２ａ上に第２導電型のエピタキシャル層を形成すると、基板４２とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いｐｎ界面が得られる。したがって、化合物半導体基板４０は、表面４２ａにおいて所望の電気的特性を有するといえる。

化合物半導体基板１０，２０，３０，４０では、表面１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａにおける物質１４，２４，３４，４４の濃度が、それぞれ５×１０^１１個／ｃｍ^２以上５×１０^１５個／ｃｍ^２以下であることが好ましい。表面１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａにおける物質１４，２４，３４，４４の濃度がそれぞれ上述の範囲内であると、表面１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａにおいて所望の電気的特性をそれぞれ容易に得ることができる。

物質１４の濃度は、例えば全反射蛍光Ｘ線法（ＴＲＥＸ又はＴＸＲＦ）を用いて測定される。

物質１４，２４，３４，４４の濃度が５×１０^１１個／ｃｍ^２以上であると、例えば、雰囲気中の不純物の影響を受け難くなる。一方、物質１４，２４，３４，４４の濃度が５×１０^１５個／ｃｍ^２以下であると、例えば、物質１４，２４，３４，４４が表面１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａの電気的特性に与える影響を抑制できると共に、エピタキシャル炉を汚染する可能性を低減することができる。

また、基板１２，２２，３２，４２は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ又はＡｌＮからなることが好ましい。基板１２，２２，３２，４２はバルク基板である。また、基板１２，２２，４２は、５×１０^１４個／ｃｍ^３以上のｐ型又はｎ型の不純物を含むことが好ましい。

図２（ａ）は、実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図２（ａ）に示されるエピタキシャル基板１０ｅは、化合物半導体基板１０と、化合物半導体基板１０における基板１２の表面１２ａ上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０とを備える。

図２（ｂ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図２（ｂ）に示されるエピタキシャル基板２０ｅは、化合物半導体基板２０と、化合物半導体基板２０における基板２２の表面２２ａ上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０とを備える。

図２（ｃ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図２（ｃ）に示されるエピタキシャル基板３０ｅは、化合物半導体基板３０と、化合物半導体基板３０における基板３２の表面３２ａ上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０とを備える。

図２（ｄ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図２（ｄ）に示されるエピタキシャル基板４０ｅは、化合物半導体基板４０と、化合物半導体基板４０における基板４２の表面４２ａ上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０とを備える。

上述のエピタキシャル基板１０ｅ，２０ｅ，３０ｅ，４０ｅでは、基板１２，２２，３２，４２の表面１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａにおいて所望の電気的特性がそれぞれ得られることから、基板１２，２２，３２，４２とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０との界面においても所望の電気的特性がそれぞれ得られる。特に、エピタキシャル基板３０ｅでは、化合物半導体基板３０とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０との間に高抵抗の界面が形成される。よって、エピタキシャル基板３０ｅを用いてＨＥＭＴ等の化合物半導体デバイスを作製すると、当該化合物半導体デバイスのリーク電流は大幅に低下する。

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０は、ＩＩＩ族元素としてガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも１つを含み、Ｖ族元素としてヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）のうち少なくとも１つを含むことが好ましい。

図３（ａ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図３（ａ）に示されるエピタキシャル基板６０は、支持基板６６上に設けられたｐ型の化合物半導体層６２と、化合物半導体層６２の表面６２ａに結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質６４とを備える。物質６４としては、物質１４と同様のものが挙げられる。

エピタキシャル基板６０では、例えば雰囲気中に存在するｎ型の不純物が化合物半導体層６２の表面６２ａに付着しても、化合物半導体層６２の表面６２ａにおいて電気的特性が殆ど変動しない。したがって、エピタキシャル基板６０は、表面６２ａにおいて所望の電気的特性を有する。

図３（ｂ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図３（ｂ）に示されるエピタキシャル基板７０は、支持基板７６上に設けられたｎ型の化合物半導体層７２と、化合物半導体層７２の表面７２ａに結合した物質７４とを備える。物質７４としては、物質２４と同様のものが挙げられる。

エピタキシャル基板７０では、例えば雰囲気中に存在するｐ型の不純物が化合物半導体層７２の表面７２ａに付着しても、化合物半導体層７２の表面７２ａにおいて電気的特性は殆ど変動しない。また、物質７４はＳではなくＳｉ又はＳｎを含むので、例えばエピタキシャル成長の際にエピタキシャル基板７０を加熱しても物質７４が蒸発し難い。したがって、エピタキシャル基板７０は、表面７２ａにおいて所望の電気的特性を有する。

図３（ｃ）は、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図３（ｃ）に示されるエピタキシャル基板８０は、支持基板８６上に設けられた第１導電型の化合物半導体層８２と、化合物半導体層８２の表面８２ａに結合しており、第１導電型とは異なる第２導電型の不純物原子を含む物質８４とを備える。物質８４としては、物質４４と同様のものが挙げられる。

エピタキシャル基板８０では、例えば化合物半導体層８２の表面８２ａ上に第２導電型のエピタキシャル層を形成すると、化合物半導体層８２とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いｐｎ界面が得られる。したがって、エピタキシャル基板８０は、表面８２ａにおいて所望の電気的特性を有する。

また、化合物半導体層６２，７２，８２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることが好ましい。

さらに、エピタキシャル基板６０，７０，８０では、表面６２ａ，７２ａ，８２ａにおける物質６４，７４，８４の濃度が、それぞれ５×１０^１１個／ｃｍ^２以上５×１０^１５個／ｃｍ^２以下であることが好ましい。表面６２ａ，７２ａ，８２ａにおける物質６４，７４，８４の濃度が上述の範囲内であると、表面６２ａ，７２ａ，８２ａにおいて所望の電気的特性を容易に得ることができる。

図４は、実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法は、研磨・洗浄工程Ｓ１と、研磨・洗浄工程Ｓ１の後に実施される表面処理工程Ｓ２とを含む。表面処理工程Ｓ２の後に、エピタキシャル工程Ｓ３を実施してもよい。

本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法によれば、図１（ｃ）に示される化合物半導体基板３０及び図２（ｃ）に示されるエピタキシャル基板３０ｅを好適に製造することができる。以下、化合物半導体基板３０及びエピタキシャル基板３０ｅの製造方法について説明する。

研磨・洗浄工程Ｓ１では、化合物半導体からなる基板の表面を研磨した後に洗浄を施す。洗浄は、酸又はアルカリを用いて行うことが好ましい。

表面処理工程Ｓ２では、洗浄が施された基板の表面を、炭素原子を含む物質で処理する。これにより、洗浄が施された基板３２の表面３２ａに炭素原子を含む物質３４が付着する。その結果、化合物半導体基板３０が得られる。

炭素原子を含む物質としては、例えば、芳香族炭化水素化合物等の炭化水素化合物、脂肪酸、脂肪酸エステル等の脂肪酸誘導体等が挙げられる。

エピタキシャル工程Ｓ３では、図２（ｃ）に示されるように、化合物半導体基板３０における基板３２の表面３２ａ上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０を形成する。

図５は、別の実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法は、ウェットエッチング工程Ｓ１１を含む。ウェットエッチング工程Ｓ１１の後に、エピタキシャル工程Ｓ１２を実施してもよい。

本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法によれば、図１（ａ）及び図１（ｃ）に示される化合物半導体基板１０，２０を好適に製造することができる。以下、一例として、化合物半導体基板１０の製造方法について説明する。なお、化合物半導体基板２０についても化合物半導体基板１０と同様に製造することができる。

ウェットエッチング工程Ｓ１１では、不純物原子を含む化合物半導体からなる基板の表面を、エッチング液を用いてウェットエッチングする。エッチング液としては、化合物半導体のエッチング速度が不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いる。これにより、基板の表面に不純物原子を含む物質１４が残存する。よって、化合物半導体基板１０が得られる。

例えばＺｎを含む物質１４を得るためには、Ｚｎを含む化合物半導体からなる基板の表面を、アンモニア水を用いてウェットエッチングすることが好ましい。

エピタキシャル工程Ｓ１２では、化合物半導体基板１０における基板１２の表面１２ａ上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層５０を形成する。

同様に、実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法は、ウェットエッチング工程Ｓ１１を含む。ウェットエッチング工程Ｓ１１の後に、エピタキシャル工程Ｓ１２を実施してもよい。

本実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法によれば、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるエピタキシャル基板６０，７０を好適に製造することができる。以下、一例として、エピタキシャル基板６０の製造方法について説明する。なお、エピタキシャル基板７０についてもエピタキシャル基板６０と同様に製造することができる。

ウェットエッチング工程Ｓ１１では、支持基板６６上に設けられ不純物原子を含む化合物半導体からなる化合物半導体層の表面を、エッチング液を用いてウェットエッチングする。エッチング液としては、化合物半導体のエッチング速度が不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いる。これにより、化合物半導体層６２の表面６２ａに不純物原子を含む物質６４が残存する。その結果、エピタキシャル基板６０が得られる。

例えばＺｎを含む物質６４を得るためには、Ｚｎを含む化合物半導体からなる化合物半導体層の表面を、アンモニア水を用いてウェットエッチングすることが好ましい。

エピタキシャル工程Ｓ１２では、エピタキシャル基板６０における化合物半導体層６２の表面６２ａ上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を形成する。これにより、化合物半導体層６２とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層との間において高抵抗の界面が形成される。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
Ｚｎがドープされたｐ型のＧａＡｓからなるウェハの一方の面（表面）を塩素系研磨剤で研磨した。これにより、ウェハの表面を鏡面に仕上げた。このウェハの表面を、アンモニア水及び過酸化水素を含むエッチング液でウェットエッチングした。ここで、Ｚｎはアンモニア水に溶解し難いので、ウェハの表面に残留し易い。これにより、表面にＺｎを含む物質が結合した実施例１の化合物半導体基板を得た。実施例１の化合物半導体基板の表面におけるＺｎ濃度は、通常の化合物半導体基板の表面におけるＺｎ濃度に比べて１桁上昇しており、５×１０^１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であった。なお、単位［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２］は［個／ｃｍ^２］と同じ単位を示す。Ｚｎ濃度は、全反射蛍光Ｘ線分析装置（（株）テクノス製ＴＲＥＸ６１０）を用いて測定された。

続いて、得られた実施例１の化合物半導体基板の表面上にｎ型のエピタキシャル層を形成したところ、化合物半導体基板とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いｐｎ界面を容易に形成することができた。

（実施例２）
濃度５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のＳｉがドープされたｎ型のＧａＡｓからなるウェハの一方の面（表面）を研磨後、洗浄した。その後、ウェハをシリコン化合物ガス中に放置した。これにより、表面にシリコン化合物が付着した実施例２の化合物半導体基板が得られた。

続いて、得られた実施例２の化合物半導体基板の表面上にＡｌＧａＩｎＰ層をエピタキシャル成長させ、エピタキシャル基板を得た。このエピタキシャル基板のフォトルミネッセンス測定（ＰＬ測定）を行ったところ、図６に示される結果が得られた。図６は、化合物半導体基板の表面におけるＳｉ濃度とＰＬ強度との関係を示すグラフである。グラフに示されるように、表面におけるＳｉ濃度が高いほどＰＬ強度が大きくなる傾向にあることが分かった。Ｓｉ濃度は、Ｚｎ濃度と同様に測定された。

（実施例３）
Ｃが不純物として添加されており、抵抗値が１×１０^７〜１×１０^９Ω・ｃｍのＧａＡｓインゴットを準備した。このインゴットをワイヤーソーでスライスすることによってＧａＡｓからなる半絶縁性のウェハを得た。このウェハの一方の面（表面）を、表面の凹凸が認識されなくなるまで研磨した。具体的には、１０μｍ角で表面粗さＲｑ（Ｒｍｓともいう。）が０．３μｍ未満になるまで研磨を行った。次に、ウェハの表面を酸又はアルカリで処理することによって、ウェハの表面に残存した研磨剤又は微粒子等を除去した。その後、３０ｐｐｂの芳香族炭化水素化合物が添加された超純水を用いてウェハの表面を処理した。これにより、表面に芳香族炭化水素化合物が付着した実施例３の化合物半導体基板を得た。得られた化合物半導体基板の表面におけるＣ濃度は、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であった。Ｃ濃度は、ホリバ・ジョバンイボン製マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置（ＧＤ−ＯＥＳＪＹ−５０００ＲＦ）を用いて測定された。また、Ｃ濃度は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いると１０％程度であった。ＸＰＳでは光電子取り出し角を９０°に設定し、検出される全元素の強度比からＣ原子個数のパーセンテージを算出した。

続いて、ＭＢＥ法を用いて実施例３の化合物半導体基板の表面上にＧａＡｓ層を形成してエピタキシャル基板を得た。化合物半導体基板とＧａＡｓ層との界面近傍のＣ濃度をＳＩＭＳで測定したところ、Ｃ濃度は、通常の化合物半導体基板とＧａＡｓ層との界面近傍のＣ濃度に比べて１桁上昇しており、１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。このように、化合物半導体基板とＧａＡｓ層との間に高抵抗の界面を形成することができた。

さらに、得られたエピタキシャル基板を用いてＨＥＭＴを作製したところ、ＨＥＭＴのリーク電流を大幅に低減することができた。

（実施例４）
Ｃが不純物として添加されたＧａＡｓからなる半絶縁性のウェハを準備した。ウェハのＣ濃度は、１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。このウェハの一方の面（表面）を研磨した後、有機洗浄、アルカリ洗浄及び酸洗浄を行った。洗浄後、ウェハの表面を水洗・乾燥した。その後、ウェハを高級脂肪酸の蒸気中に放置した。これにより、表面に高級脂肪酸が付着した実施例４の化合物半導体基板が得られた。得られた化合物半導体基板の表面におけるＣ濃度は、５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であった。Ｃ濃度は、ホリバ・ジョバンイボン製マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置（ＧＤ−ＯＥＳＪＹ−５０００ＲＦ）を用いて測定された。

続いて、ＭＢＥ法を用いて実施例４の化合物半導体基板の表面上にエピタキシャル層を形成してエピタキシャル基板を得た。化合物半導体基板とエピタキシャル層との界面近傍のＣ濃度をＳＩＭＳで測定したところ、Ｃ濃度は、１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。このように、化合物半導体基板とエピタキシャル層との間に高抵抗の界面を形成することができた。

（実施例５）
Ｆｅが不純物として添加された高抵抗のＩｎＰインゴットから半絶縁性のウェハを切り出した後、ウェハの両面を研磨した。その後、ウェハの片面（表面）を、２μｍ角で表面粗さＲｑが０．２μｍ未満になるまで研磨を行った。次に、ウェハの表面の有機洗浄、酸洗浄及びアルカリ洗浄を行った。洗浄後、ウェハの水洗・スピン乾燥を行った。続いて、脂肪酸エステルの蒸気中にウェハを所定時間放置した。これにより、表面に脂肪酸エステルが付着した実施例５の化合物半導体基板が得られた。得られた化合物半導体基板の表面におけるＣ濃度は、５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であった。Ｃ濃度は、ホリバ・ジョバンイボン製マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置（ＧＤ−ＯＥＳＪＹ−５０００ＲＦ）を用いて測定された。

続いて、有機金属気相成長法を用いて実施例５の化合物半導体基板の表面上にエピタキシャル層を形成してエピタキシャル基板を得た。その結果、化合物半導体基板とエピタキシャル層との界面におけるリーク電流を低減することができた。

（実施例６）
Ｏが不純物として添加されたｎ型のＧａＮ基板を準備した。このＧａＮ基板に鏡面研磨を施した後、ＧａＮ基板を酸又はアルカリで洗浄した。洗浄後、ＧａＮ基板を純水で清浄に洗浄した。次に、水酸化炭酸マグネシウム水溶液でＧａＮ基板の表面を処理した後、超純水でリンスし、乾燥した。これにより、表面に水酸化炭酸マグネシウムが付着した実施例６の化合物半導体基板を得た。得られた化合物半導体基板の表面におけるＭｇ濃度は１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であった。Ｍｇ濃度は、Ｚｎ濃度と同様に測定された。

続いて、実施例６の化合物半導体基板の表面上に、ＭｇがドープされたＧａＮ層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル基板を得た。ＧａＮ層のＭｇ濃度は５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。その結果、化合物半導体基板とＧａＮ層との間において、空乏層の薄いｐｎ界面が形成された。

１０，２０，３０，４０・・・化合物半導体基板、１０ｅ，２０ｅ，３０ｅ，４０ｅ，６０，７０，８０・・・エピタキシャル基板、１２，２２，３２，４２・・・基板、１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａ・・・基板の表面、１４，２４，３４，４４，６４，７４，８４・・・物質、５０・・・ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、６２，７２，８２・・・化合物半導体層、６２ａ，７２ａ，８２ａ・・・化合物半導体層の表面、６６，７６，８６・・・支持基板。

Claims

半絶縁性のＧａＡｓからなる基板と、前記基板の表面に結合しており炭素原子を含む物質と、を備え、前記物質は、炭化水素を含む、ＨＥＭＴエピタキシャル成長用半絶縁性ＧａＡｓ基板。
前記炭化水素は、芳香族炭化水素である、請求項１に記載のＨＥＭＴエピタキシャル成長用半絶縁性ＧａＡｓ基板。
半絶縁性のＧａＡｓからなる基板と、前記基板の表面に結合しており炭素原子を含む物質と、を備え、前記物質は、脂肪酸又は脂肪酸誘導体を含む、ＨＥＭＴエピタキシャル成長用半絶縁性ＧａＡｓ基板。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半絶縁性ＧａＡｓ基板と、前記半絶縁性のＧａＡｓ基板おける前記基板の前記表面上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、を備える、ＨＥＭＴエピタキシャル基板。