JPH03275598A - 単結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
単結晶シリコンの製造方法Info
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- JPH03275598A JPH03275598A JP7739990A JP7739990A JPH03275598A JP H03275598 A JPH03275598 A JP H03275598A JP 7739990 A JP7739990 A JP 7739990A JP 7739990 A JP7739990 A JP 7739990A JP H03275598 A JPH03275598 A JP H03275598A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はアンモニア系洗浄で０．２μｍ以上のビットを
発生させない単結晶シリコンの製造方法に関する。
発生させない単結晶シリコンの製造方法に関する。
〈従来の技術〉
一般に、単結晶シリコンウェーへの製造方法としては以
下に示すプロセスによっている。すなわち、例えば引き
上げ法（Ｃ２法）により引き上げた単結晶シリコンをス
ライサでスライスしてラップ加工、エツチングを行いシ
リコンウェー八を製造している。そして、そのシリコン
ウェーへの表面を鏡面研磨し、最終仕上げにそのウェー
ハ表面を洗浄している。
下に示すプロセスによっている。すなわち、例えば引き
上げ法（Ｃ２法）により引き上げた単結晶シリコンをス
ライサでスライスしてラップ加工、エツチングを行いシ
リコンウェー八を製造している。そして、そのシリコン
ウェーへの表面を鏡面研磨し、最終仕上げにそのウェー
ハ表面を洗浄している。
ここで、従来の引き上げ法は、石英るつぼ内に加熱溶融
した多結晶シリコンの融液に小さい単結晶（種）を浸し
て、回転させながら徐々に引き上げ、種結晶と同一方位
の単結晶を成長させるものであり、その冷却速度は０．
８℃／分程度である。
した多結晶シリコンの融液に小さい単結晶（種）を浸し
て、回転させながら徐々に引き上げ、種結晶と同一方位
の単結晶を成長させるものであり、その冷却速度は０．
８℃／分程度である。
そして、このシリコンウェーへの洗浄後にパーティクル
カウンタによりそのウェーハ表面に付着したゴミ等測定
し、そのウェーハ表面の洗浄度を検査していた。
カウンタによりそのウェーハ表面に付着したゴミ等測定
し、そのウェーハ表面の洗浄度を検査していた。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、このような従来の単結晶シリコンの製造
方法にあって、引き上げられた単結晶シリコンにはその
内部に微小欠陥核が多数存在することが推測された。
方法にあって、引き上げられた単結晶シリコンにはその
内部に微小欠陥核が多数存在することが推測された。
すなわち、本願出願人が案出した洗浄方法によれば、ウ
ェーハ加工後、該シリコンウェーハの表面に多数の微小
ビットが存在することが発見された。
ェーハ加工後、該シリコンウェーハの表面に多数の微小
ビットが存在することが発見された。
この微小ピットは従来より知られていた積層欠陥Ｏ５Ｆ
等に起因するものではない。これは同様の洗浄方法によ
れば、熱処理によりＯ５Ｆ等の欠陥を発生したウェーハ
には結晶欠陥と同一場所に微小ビットが生じないからで
ある。したがって、この微小ビットは単結晶シリコン中
の従来知られていなかった微小欠陥核の存在を示すもの
である。
等に起因するものではない。これは同様の洗浄方法によ
れば、熱処理によりＯ５Ｆ等の欠陥を発生したウェーハ
には結晶欠陥と同一場所に微小ビットが生じないからで
ある。したがって、この微小ビットは単結晶シリコン中
の従来知られていなかった微小欠陥核の存在を示すもの
である。
そして、上記微小ビットはある大きさの分布を持ってい
る。ところが、これまで行われてきに引き上げ法では洗
浄により０．２μｍ以上のピットがｌＯ個以上発生する
ｋめ、ウェーハ上に０．２μｍ以上のゴミがなくとも、
これらのピットがパーティクルとしてカウントされるた
め、４ＭＢ用のウェーハとして用いられない。これは、
４ＭＢ用シリコンウェー八でへ直径６インチで０．２μ
ｍ以上の大きさのパーティクルが１０個以下という制約
があるからである。
る。ところが、これまで行われてきに引き上げ法では洗
浄により０．２μｍ以上のピットがｌＯ個以上発生する
ｋめ、ウェーハ上に０．２μｍ以上のゴミがなくとも、
これらのピットがパーティクルとしてカウントされるた
め、４ＭＢ用のウェーハとして用いられない。これは、
４ＭＢ用シリコンウェー八でへ直径６インチで０．２μ
ｍ以上の大きさのパーティクルが１０個以下という制約
があるからである。
そこで本発明は、洗浄により発生するピットの大きさを
、最大で０．２μｍより小さくすることができる単結晶
シリコンの製造方法を提供することを、その目的として
いる。
、最大で０．２μｍより小さくすることができる単結晶
シリコンの製造方法を提供することを、その目的として
いる。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、多結晶シリコンの融液から単結晶シリコンを
引き上げる単結晶シリコンの製造方法において、融液が
固化した段階から９００℃にまで冷却される期間におい
て、その冷却速度を１．２℃／分より大きくした単結晶
シリコンの製造方法を提供するものである。
引き上げる単結晶シリコンの製造方法において、融液が
固化した段階から９００℃にまで冷却される期間におい
て、その冷却速度を１．２℃／分より大きくした単結晶
シリコンの製造方法を提供するものである。
〈作用および効果〉
本発明に係る単結晶シリコンの製造方法にあっては、多
結晶シリコンの融液から単結晶シリコンを引き上げる。
結晶シリコンの融液から単結晶シリコンを引き上げる。
この引き上げにおいて、融液が固化した段階から９００
℃にまで冷却されるその全期間中にあって、その冷却速
度が毎分１．２℃より速くなるようにして引き上げるも
のである。例えば９００℃直前においてもその冷却速度
を毎分１．２℃より速くしているものである（Ｆｉ分１
゜２℃以上の冷却速度）。もし冷却速度がこの値（１、
２℃／分）よりも遅くなるとその単結晶シリコンから切
り出したウェーハをアルカリ系洗浄で洗浄した後０．２
μｍより大きなピットが生じるという不都合が生じるも
のである。
℃にまで冷却されるその全期間中にあって、その冷却速
度が毎分１．２℃より速くなるようにして引き上げるも
のである。例えば９００℃直前においてもその冷却速度
を毎分１．２℃より速くしているものである（Ｆｉ分１
゜２℃以上の冷却速度）。もし冷却速度がこの値（１、
２℃／分）よりも遅くなるとその単結晶シリコンから切
り出したウェーハをアルカリ系洗浄で洗浄した後０．２
μｍより大きなピットが生じるという不都合が生じるも
のである。
このように引き上げでの冷却速度をコントロールするこ
とにより、アルカリ系洗浄後シリコンウェーハ表面の０
．２μｍ以上のピットを大幅に低減することができる。
とにより、アルカリ系洗浄後シリコンウェーハ表面の０
．２μｍ以上のピットを大幅に低減することができる。
この結果、電気的特性等が向上したシリコンウェーハを
得ることができる。
得ることができる。
〈実施例〉
以下、本発明の詳細な説明する。
次表は本発明に係る単結晶シリコンの引き上げにおける
冷却速度と０．２μｍ以上の微小ビットの数との関係を
示している。
冷却速度と０．２μｍ以上の微小ビットの数との関係を
示している。
多結晶シリコンの融液から単結晶シリコンを引き上げる
場合において、融液が固化した段階から９００℃にまで
冷却される場合の冷却速度は、その全期間中にわたって
、実施例では１．２ （’Ｃ／分）、従来例では０．８
（”Ｃ／分）としｋ。
場合において、融液が固化した段階から９００℃にまで
冷却される場合の冷却速度は、その全期間中にわたって
、実施例では１．２ （’Ｃ／分）、従来例では０．８
（”Ｃ／分）としｋ。
そして、このようにして作成した単結晶シリコンのイン
ゴット（棒）をスライサでスライスし、ラップ、エツチ
ングを行い所定の研磨等の工程を経て、シリコンウェー
ハを作成した。
ゴット（棒）をスライサでスライスし、ラップ、エツチ
ングを行い所定の研磨等の工程を経て、シリコンウェー
ハを作成した。
ここで、アンモニア系洗浄を行い、このシリコンウェー
への表面に生じる微小ビットの数を測定したものが実施
例では０個であり、これに対して従来例では２９個であ
った。この微小ビットの検出はパーティクルカウンタに
より０．２０μｍ以上のパーティクルの数として測定し
ている。このように実施例の冷却速度によれば０．２μ
ｍ以上の微小ビットの数は大幅に減少していることが明
かである。
への表面に生じる微小ビットの数を測定したものが実施
例では０個であり、これに対して従来例では２９個であ
った。この微小ビットの検出はパーティクルカウンタに
より０．２０μｍ以上のパーティクルの数として測定し
ている。このように実施例の冷却速度によれば０．２μ
ｍ以上の微小ビットの数は大幅に減少していることが明
かである。
すなわち、引き上げ法により作成される単結晶シリコン
において、その冷却速度を所定の値（１゜２℃／分）よ
りも大きくすることにより、該単結晶シリコンをアンモ
ニア系洗浄した場合、その表面に０．２μｍ以上のビッ
トが発生することを抑止することができるものである。
において、その冷却速度を所定の値（１゜２℃／分）よ
りも大きくすることにより、該単結晶シリコンをアンモ
ニア系洗浄した場合、その表面に０．２μｍ以上のビッ
トが発生することを抑止することができるものである。
Claims (1)
- 多結晶シリコンの融液から単結晶シリコンを引き上げ
る単結晶シリコンの製造方法において、融液が固化した
段階から９００℃にまで冷却される期間において、その
冷却速度を１．２℃／分より大きくしたことを特徴とす
る単結晶シリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077399A JP2694305B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 単結晶シリコンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077399A JP2694305B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 単結晶シリコンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03275598A true JPH03275598A (ja) | 1991-12-06 |
| JP2694305B2 JP2694305B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=13632819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2077399A Expired - Lifetime JP2694305B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 単結晶シリコンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2694305B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474019A (en) * | 1993-10-18 | 1995-12-12 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing silicon single crystals |
| JP2006315950A (ja) * | 1996-09-12 | 2006-11-24 | Siltronic Ag | 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176197A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2077399A patent/JP2694305B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176197A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474019A (en) * | 1993-10-18 | 1995-12-12 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing silicon single crystals |
| US5611857A (en) * | 1993-10-18 | 1997-03-18 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| JP2006315950A (ja) * | 1996-09-12 | 2006-11-24 | Siltronic Ag | 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法 |
| JP2011042576A (ja) * | 1996-09-12 | 2011-03-03 | Siltronic Ag | 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2694305B2 (ja) | 1997-12-24 |
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