JPS63186125A - 標準試料の製造方法 - Google Patents
標準試料の製造方法Info
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- JPS63186125A JPS63186125A JP1761487A JP1761487A JPS63186125A JP S63186125 A JPS63186125 A JP S63186125A JP 1761487 A JP1761487 A JP 1761487A JP 1761487 A JP1761487 A JP 1761487A JP S63186125 A JPS63186125 A JP S63186125A
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- Japan
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- ions
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光を利用して鏡面半導体基板の異物を
計数する装置（以下、レーザー表面検査装置〉の校正に
用いる標準試料の製造方法に関する。
計数する装置（以下、レーザー表面検査装置〉の校正に
用いる標準試料の製造方法に関する。
高密度、高集積化の進む半導体集積回路装置製造工場に
おいて、各プロセスでウェハーに付着した異物の発生状
況の分析を行ない歩留向上に役立てる為、レーザー表面
検査装置が広く利用されている。レーザー表面検査装置
を複数台使用する際、最も重要な事は、レーザー表面検
査装置校正用標準試料を使用して各装置の校正を行ない
各装置間の検出感度を一致させる事である。
おいて、各プロセスでウェハーに付着した異物の発生状
況の分析を行ない歩留向上に役立てる為、レーザー表面
検査装置が広く利用されている。レーザー表面検査装置
を複数台使用する際、最も重要な事は、レーザー表面検
査装置校正用標準試料を使用して各装置の校正を行ない
各装置間の検出感度を一致させる事である。
この校正用標準試料として特定の大きさのラテックス粒
子を吹き付けた鏡面研磨シリコンウェハーが使用されて
いる。
子を吹き付けた鏡面研磨シリコンウェハーが使用されて
いる。
従来、この標準試料の製造方法は、アルコール系液体に
ラテックス標準粒子を少量添加し、よくかくはんし、こ
の液体をエアーブラシに入れ、噴霧調整し、ある距離隔
てて鏡面研磨シリコンウェハーに均一に吹き付けた後、
約１日乾燥させるという方法であった。
ラテックス標準粒子を少量添加し、よくかくはんし、こ
の液体をエアーブラシに入れ、噴霧調整し、ある距離隔
てて鏡面研磨シリコンウェハーに均一に吹き付けた後、
約１日乾燥させるという方法であった。
ところが、上記製造方法で製造した標準試料は、ラテッ
クス粒子が試料表面に乗っているだけなので、他の異物
が表面に付着した場合、洗浄して再生しようとすると、
標準粒子までが剥離されてしまい、校正用標準試料とし
て使用できなくなってしまうという欠点がある。
クス粒子が試料表面に乗っているだけなので、他の異物
が表面に付着した場合、洗浄して再生しようとすると、
標準粒子までが剥離されてしまい、校正用標準試料とし
て使用できなくなってしまうという欠点がある。
また、試料の乾燥をも含め製造に多大な時間を費し、噴
霧の調整や試料との距離等、製造条件により試料に均一
にラテックス粒子を吹き付けられないという欠点がある
。
霧の調整や試料との距離等、製造条件により試料に均一
にラテックス粒子を吹き付けられないという欠点がある
。
本発明の標準試料の製造方法は、レーザー光を利用して
鏡面半導体基板の異物を計数するレーザー表面検査装置
の校正に用いる標準試料を、鏡面研磨された半導体基板
に質量数３０以下のイオンを１×１０１４個／Ｃｌ１１
２ないし、１×１０１５個／ｃｌＩ２のドーズ量でイオ
ン注入して製造することを特徴とする。
鏡面半導体基板の異物を計数するレーザー表面検査装置
の校正に用いる標準試料を、鏡面研磨された半導体基板
に質量数３０以下のイオンを１×１０１４個／Ｃｌ１１
２ないし、１×１０１５個／ｃｌＩ２のドーズ量でイオ
ン注入して製造することを特徴とする。
次に本発明の実施例を具体的データに基づいて説明する
。
。
第１図は注入エネルギー５０ ｋ ｅ ＶでＡｒ（アル
ゴン）イオンをドーズ量を変化させてイオン注入した鏡
面研磨シリコンウェハーをレーザー表面検査装置で測定
した結果を示す。この図に示すようにドーズ量を増すと
ともに異物個数は増加していく。
ゴン）イオンをドーズ量を変化させてイオン注入した鏡
面研磨シリコンウェハーをレーザー表面検査装置で測定
した結果を示す。この図に示すようにドーズ量を増すと
ともに異物個数は増加していく。
また、第２図は注入エネルギー５０ｋｅＶでドーズ量１
．０Ｘ１０”個／ ｃｍ ２で種々の質量数のイオン注
入した鏡面研磨シリコンウェハーをレーザー表面検査装
置で測定した結果を示す。この図に示すように、質量数
を増すとともに異物個数も増加する。
．０Ｘ１０”個／ ｃｍ ２で種々の質量数のイオン注
入した鏡面研磨シリコンウェハーをレーザー表面検査装
置で測定した結果を示す。この図に示すように、質量数
を増すとともに異物個数も増加する。
本実施例ではイオン注入することによりシリコンウェハ
ー表面の結晶を乱し、この結晶の乱れの程度をレーザー
表面検査装置では、ラテックス粒子換算で直径０．３μ
ｍの異物の個数として測定する。
ー表面の結晶を乱し、この結晶の乱れの程度をレーザー
表面検査装置では、ラテックス粒子換算で直径０．３μ
ｍの異物の個数として測定する。
本発明は、鏡面研磨された試料表面にドーズ量。
イオンを選択してイオン注入すれば、所望の個数のレー
ザー表面検査装置校正用標準試料が製造できる。
ザー表面検査装置校正用標準試料が製造できる。
また、本発明によれば、鏡面研磨された試料表面にイオ
ン注入するだけなので、一枚数土砂という短時間で標準
試料が製造できるばかりでなく試料面内均一性も良好で
ある。
ン注入するだけなので、一枚数土砂という短時間で標準
試料が製造できるばかりでなく試料面内均一性も良好で
ある。
また、本発明によって製造した標準試料は、イオン注入
により結晶表面を乱しているだけなので、スクラバー、
薬液等の洗浄が可能であり、異物が付着した場合でも再
生利用できるという利点かある。
により結晶表面を乱しているだけなので、スクラバー、
薬液等の洗浄が可能であり、異物が付着した場合でも再
生利用できるという利点かある。
第１図は本発明の実施例におけるドーズ量に対する異物
個数の特性図、第２図は本発明の実施例におけるイオン
質量数に対する異物個数の特性図である。 一ノ 第１ 図 ドーズｔ （Ｘ １０ ” Ｓ ／
ｃｙＦ ）第２図 イオン質量程
個数の特性図、第２図は本発明の実施例におけるイオン
質量数に対する異物個数の特性図である。 一ノ 第１ 図 ドーズｔ （Ｘ １０ ” Ｓ ／
ｃｙＦ ）第２図 イオン質量程
Claims (1)
- レーザー光を利用して鏡面半導体基板の異物を計数する
レーザー表面検査装置の校正に用いる標準試料を、鏡面
研磨された半導体基板に質量数３０以下のイオンを１×
１０＾１＾４個／ｃｍ＾２ないし、１×１０＾１＾５個
／ｃｍ＾２のドーズ量でイオン注入して製造することを
特徴とする標準試料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1761487A JPS63186125A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 標準試料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1761487A JPS63186125A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 標準試料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186125A true JPS63186125A (ja) | 1988-08-01 |
Family
ID=11948756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1761487A Pending JPS63186125A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 標準試料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63186125A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06138005A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Yamaha Corp | パーティクル検査機の標準サンプル |
| JPH06249764A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハ表面の金属汚染分析用標準試料の作製方法 |
| JP2008161059A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Kaaz Corp | 刈払機 |
| RU2483388C1 (ru) * | 2011-12-06 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ получения наноразмерного тонкопленочного стандартного образца химического состава |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP1761487A patent/JPS63186125A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06138005A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Yamaha Corp | パーティクル検査機の標準サンプル |
| JPH06249764A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハ表面の金属汚染分析用標準試料の作製方法 |
| JP2008161059A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Kaaz Corp | 刈払機 |
| RU2483388C1 (ru) * | 2011-12-06 | 2013-05-27 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ получения наноразмерного тонкопленочного стандартного образца химического состава |
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